Transistores

É semelhante aos díodos, mas mais sofisticado e com aplicações muito diferentes.
É composto por 3 substractos ou camadas de material semicondutor.
Bipolares: NPN e PNP.
O transístor tipo NPN tem dois (2) substractos tipo N e um (1) tipo P. O transístor
tipo PNP tem dois (2) substractos tipo P e um (1) tipo N.
UJT – Transistor unijunção.
FET – Transistores de efeito de campo: J FETS e MOSFETS.
1. FET
1.1. J FET
1.1.1. Canal “P”
1.1.2. Canal “N”
2. MOSFETS:
2.1. Reforço:
2.1.1. Canal N
2.1.2. Canal P
2.2. Depleção:
2.2.1. Canal N
2.2.2. Canal P
Quando Ie = 0 o transistor é levado ao “corte”.
Na aplicação como amplificador em que o bloco amplificador é constituído por 4
terminais, 2 de entrada e 2 de saída, e o transístor só tem 3 terminais surgem 3
montagens básicas: Base Comum, Emissor Comum e Colector Comum.
Siglas Usadas nos Transistores
Tensões:
VCB – Tensão contínua entre colector e base
VCE – Tensão contínua entre colector e emissor
VEB – Tensão contínua entre emissor e base
VBE – Tensão contínua entre base e emissor
VCBO – Tensão contínua entre colector e base com o emissor em circuito aberto
VEBO – Tensão contínua entre emissor e base com o colector em circuito aberto
VCEO – Tensão contínua entre colector e emissor com a base em circuito aberto
VCER – Tensão contínua entre colector e emissor com uma resistência entre a base e o
emissor
VCES – Tensão contínua entre colector e emissor com a base em curto
VCEX – Tensão contínua entre colector e emissor estando a junção base-emissor
polarizada em sentido inverso
Correntes:
IE → Intensidade da corrente contínua que atravessa o emissor: é positiva quando
circula do exterior para o emissor.
IB → Intensidade da corrente contínua que atravessa a base: é positiva quando circula
do exterior para a base.
IC → Intensidade da corrente contínua que atravessa o colector: é positiva quando
circula do exterior para o colector.
ICBO → Intensidade da corrente de colector quando o colector está polarizado em
sentido inverso relativamente à base, estando o emissor em circuito aberto.
IEBO → Intensidade da corrente de emissor quando este se encontra inversamente
polarizado em relação à base, estando o colector em circuito aberto.
ICEO → Intensidade da corrente de colector quando este se encontra inversamente
polarizado em relação ao emissor, estando a base em circuito aberto.
Parâmetros Híbridos do Transístor (corrente alterna)
*Hie = Vbe/ib – Vce = 0
 Impedância de entrada do transístor quando a saída está em curto (colector
comum e emissor comum).
Hre = Vbe/Vce – ib = 0
Ganho inverso da tensão do transístor quando a entrada está em curto.
*Hfe = ic/ib – Vce = 0
Ganho directo de corrente do transístor quando a saída está em curto
ZOE = HOE = ic/Vce – ib = 0
A impedância de saída do transístor quando a entrada está em circuito aberto.
β = Ic/Ib - Factor de amplificação do transístor em corrente contínua.
Ic = β .Ib
Factor α : Ic/Ie - α = β + 1 É a relação entre a corrente do colector e a corrente do
emissor.
Ie = Ib + Ic
Ponto de Funcionamento dos Amplificadores de Sinal
Zona Activa – Vbe = 0,6 (ou um pouco superior) Vce = ½ Vcc (condução)
Zona de Corte – Vc = Vcc - Ic = 0 - Vbe < 0,6 V (corte)
Zona de Saturação – Vce = 0 - Vrc = Vcc - Vbe >>0,6 V
Classes de Funcionamento dos Amplificadores
Classe A : O transístor está a funcionar na zona activa; o ângulo de condução do
amplificador é de 360º.
Classe B : O transístor está a funcionar na zona de corte; o ângulo de condução do
amplificador é de 180º.
Classe AB : O transístor está a funcionar entre a zona activa e a zona de corte; o ângulo
de condução do amplificador é entre 180 e 360º.
Classe C : O transístor está a funcionar na zona de saturação; o ângulo de condução do
amplificador é menor que 180º.
Tensões de Polarização
NPN PNP
Vc > Vb >Ve Ve > Vb > Vc

Estados do Transístor
 Corte – estado em que a tensão base-emissor (Vbe) é inferior a 0,6 e não há
corrente a circular entre o colector e o emissor.
 Condução – estado em que a tensão base emissor é igual ou ligeiramente
maior que 0,6 V e passa a existir corrente entre colector e emissor. No entanto
existe uma certa resistência interna entre colector e emissor, o que origina uma
Vce diferente de 0 V (normalmente acima de 1 V).
 Saturação – estado em que a tensão base emissor é muito superior a 0,6V
existindo corrente a circular entre colector e emissor. Nesta situação a resistência
interna entre colector e emissor é extremamente baixa (aproximadamente 0 Ω)
originando um Vce de aproximadamente 0V (considera-se em termos práticos o
estado de saturação, quando o Vbe é muito alto e o Vce é inferior ou igual a 1 V
em módulo).
Montagens
Colector Comum Base Comum Emissor Comum
Zin Alta Baixa Média
Zout Baixa Alta Alta
Av Não tem (< 1) Alto Alto
Ai Médio Não tem Médio
Ap Médio Alto Alto
 Relação Fase Vout < Vin Vout > Vin Vout > Vin
Mas em fase Mas em fase Desfasadas 180º
Cuidados a ter com os transístores
 Não ultrapassar as suas características;
 Evitar sobreaquecimentos e reaquecimentos;
 Não trocar os terminais;
 Ter em atenção as características e os terminais quando se substitui por um
equivalente;
 Usar ferramentas anti-estáticas quando se trabalha com transístores Jfet ou
Mosfet.
Nota: Do ponto de vista da corrente alterna a fonte é como se fosse um condensador,
ou seja, a corrente passa por ela como se ela lá não estivesse. Do ponto de vista da
corrente alterna, estar ligado à fonte é o mesmo que estar ligado à massa.
Limiar de Condução de um Transistor
≃0,5999V – Ao colocarmos o mais pequeno sinal na base ele entra logo à condução.
O transístor está a funcionar ao corte.
Nota: um amplificador não amplifica para além da sua alimentação (se metermos um
sinal de 1V num amplificador com um ganho de 15 mas que seja alimentado com
12V, à saída iremos ter 12V e não 15 como seria de esperar. O amplificador irá cortar
o sinal de entrada –demasiado alto- em cima e em baixo).
Nota: os elementos de uma aparelhagem devem ter uma impedância alta para terem
baixo consumo. Os únicos elementos com impedância baixa são as colunas
(altifalantes) porque têm uma potência alta.
Nota: numa montagem o sinal nunca pode entrar pelo colector (por causa do
comportamento das junções face à corrente contínua).
Nota: a frequência média da nossa audição é de 1KHz.
Tipos de Distorção dos Amplificadores
Distorção de Amplitude – dá-se quando o sinal de saída tem uma forma diferente do
sinal de entrada. Ex.: se o sinal de entrada tiver uma amplitude maior que a
sensibilidade de entrada do amplificador. Neste caso o sinal de saída sai cortado.
Distorção de Frequência – acontece quando existem vários sinais de entrada e nem
todos sofrem a mesma amplificação.
Distorção de Fase – acontece quando existem vários sinais de entrada e a fase que os
separa na entrada não se mantem igual à saída.
Nota: nos sistemas de amplificação pode haver um amplificador inicial (pré-
amplificador), um ou vários amplificadores intermédios e um driver que faz a entrega
do sinal ao amplificador de saída ou final.
Driver – amplificador que faz a excitação do amplificador de saída ou final (faz a
entrega do sinal ao amplificador final).
S/N →Relação Sinal/Ruído (Signal/Noise)
DIL →Dual In Line (duas linhas de terminais)
Amplificador Diferencial ou Operacional – AMPOP
Operational Amplifier
AMPOP – é um amplificador diferencial integrado de alto ganho e acoplamento directo. É
utilizado:
 Em circuitos analógicos (como amplificador, oscilador, filtro activo, comparador,
integrador e diferenciador – conversão de formas de onda;
 Em circuitos digitais – para realizar operações matemáticas tais como integração,
diferenciação e soma.
Nota: o AMPOP quando está a funcionar com ganho unitário diz-se que está a funcionar
como buffer.
Nota: o ganho do transistor em corrente contínua representa-se por β ou hFE. O ganho
em corrente alterna representa-se por hfe.
AMPOP – em montagem inversora

Rx = R1//R2
Nota: Rx tem a função de equilibrar as impedâncias das entradas. Elimina a corrente de
offset para haver uma melhor adaptação de impedâncias.
Montagem como Buffer (modo comum)

Amplificador de ganho unitário, com alta impedância de entrada e baixa impedância de

saída. Ex.: IC741 - Zin ≥ 400MΩ - Zout ≤ 1Ω
Montagem com Ganho Máximo – Não Inversora

Montagem com ganho máximo – Inversora

Montagem como Somador Inversor (Mixer)

Montagem como Somador Não Inversor (Mixer)

 Montagem como Comparador

Realiza a operação de comparação podendo ser utilizado na união entre um circuito

analógico e um digital.
Montagem como Oscilador

R1 = R2 = R3 - f = 0,455/R.C
Montagem como Integrador

Montagem como Diferenciador

Nota: as fórmulas para saber o valor dos componentes são dadas pelos fabricantes.

Montagem como Filtro Activo (Passa Baixo)

Equivalente Passivo

Montagem como Filtro Activo (Passa Alto) - Equivalente Passivo

Montagem como Filtro Activo (Passa Banda) - Equivalente Passivo

 Montagem como Filtro Activo (Rejeita Banda) - Equivalente Passivo

Reguladores de Tensão a Transístor - Regulador de Série DC

C1 tem por função filtrar a tensão de ripple.

O zenner vai variar a corrente para manter a tensão estável podendo dar origem a um
sinal alterno que será filtrado para a massa através do condensador C2.
O condensador C3 tem por função filtrar a componente alterna produzida pelas
variações de Vbe.
Reguladores de Tensão a Transístor - Regulador Shunt
 Reguladores de Tensão Monolíticos (Integrados)
78XX
Tensões Positivas
79XX
Tensões Negativas
XX – Indica a tensão que o dispositivo regula.
Valores Standard : 7805, 7806, 7808, 7885 (8,5V), 7809, 7810, 7812, 7815, 7818 e
7824.
Idem para 79XX

Montagem Básica do Integrado Regulador de Tensão

Os condensadores têm como função evitar a auto-oscilação do integrado.

78XX - TO220 →1A (nom); 1,5 A (max – pico)
78XX - TO92 → 500mA (max)
78XX - TO3 → 15 A (max)
Montagem como Fonte de Corrente

Montagem com Bypass de Corrente

Fonte de alimentação - Bypass para Correntes Altas

 Reguladores de Tensão

Nota: A montagem em emissor comum desfasa o sinal (nas fórmulas aparece um sinal –
no início para o indicar).
O par darlington entra à saturação logo com uma pequena corrente de base.
Transístor UJT
Unijunction Transistor - Transístor Unijunção
Canal P Canal N Equivalente

Oscilador de Relaxação

Transístor FET
(Field Effect Transistor - Transistor de Efeito de Campo)
Tem grande impedância de entrada. Trabalha com tensões muito baixas.
Canal P Canal N

À medida que o valor de tensão negativa na Gate aumenta, o substracto, por efeito do
campo eléctrico, também aumenta diminuindo assim a corrente entre Dreno e Source.

Vantagens do transístor:
 É um transístor de baixo ruído (muito menos ruidoso que os bipolares);
 É menos sensível à temperatura;
 Funciona melhor a altas potências;
 Tem uma impedância de entrada muito elevada (da ordem dos 10⁷ a 10⁹ Ω)
Desvantagem: muito sensível a cargas electroestáticas.
J FET
Zona resistiva – é uma zona similar à zona de corte dos transístores bipolares em que
não existe corrente entre dreno e source até que VDS exceda um determinado valor
dado pelo fabricante.
Montagens Básicas J Fet
Gate Comum Drain Comum Source Comum

Transconductância – é a razão entre a variação da corrente de Dreno e a variação da

tensão entre Gate e Source. É também entendida como a razão entre a corrente alterna
de Dreno e a tensão alterna entre Gate e Source. A transconductância indica quanto é
que a tensão Gate Source (VGS) resulta eficaz no controlo da corrente do Dreno. Quanto
maior for a transconductância mais controlo exerce a tensão da Gate sobre a corrente
do Dreno.
MOSFET
(Metal Oxid Semiconductor Fet)
Mosfet:
 Depleção
 Reforço

Depleção (Esgotamento) Depleção (Esgotamento)

Canal “N” Canal “P”
 Constituição
Vantagens do transístor Mosfet:
o são menos sensíveis à temperatura do que o J FET;
o podem trabalhar com tensões mais elevadas;
o a impedância de entrada é maior do que a do J FET (do ordem dos 10¹³ a 10¹⁵Ω);
o em audio têm menos ruído do que as válvulas e do que todos os outros
transístores;
o trabalham melhor em altas frequências do que qualquer outro transístor.
Desvantagens:
 sensíveis a cargas electroestáticas (mais do que o J FET);
 maior ruído em altas frequências do que as válvulas;
 muito sensíveis a variações de tensão e picos de corrente.
Montagens Básicas
Source Comum

Dreno Comum

Gate Comum
 MOSFET de Reforço
Canal “P” Canal “N”

Constituição
Num Mosfet de depleção a corrente de Dreno é tanto maior quanto menor for a tensão
de Gate. Num Mosfet de reforço a corrente de Dreno é tanto maior quanto maior for a
tensão de Gate.
Montagens Básicas
Source Comum

Zin elevado - Zout Médio

Gate Comum
 Zin baixo - Zout elevado
Dreno Comum

Zin elevado - Zout baixo

Tiristores
Tiristores:
1. DIAC
2. SCR
3. TRIAC
4. QUADRAC
SCR
(Silicon Controled Rectifier – Rectificador Controlado de Silício)
Normalmente designado pelos técnicos como Tiristor

Montagem Básica

Avaria: podem ficar em aberto, normalmente entre Gate e Cátodo.

Mais usados: TIC 106 – BT136 > em seguida aparecem letras que indicam a tensão de
funcionamento – quanto mais avançada for a letra, mais tensão aguenta o SCR (tiristor).
Princípio de funcionamento – com a gate desligada o SCR só entrará à condução a partir
de uma tensão de condução muito elevada entre o ânodo e o cátodo. Polarizando
directamente, a junção entre a gate e o cátodo, passa a existir uma corrente entre estes
terminais, originando assim uma circulação de corrente entre o ânodo e o cátodo.
Quanto maior é a corrente entre gate e cátodo menor é a tensão de condução do SCR. O
SCR só deixa passar corrente num sentido. Quanto maior é a tensão na gate maior é a
tensão na carga.
O SCR pode controlar potências AC e DC. Em DC, entra à condução quando se dá
uma pequena tensão na gate, permanecendo naquele estado mesmo quando,
posteriormente, se retira a tensão da gate. O circuito só é desligado quando se
interrompe a corrente principal (ânodo – cátodo). Em AC, o SCR entra à condução (ânodo
– cátodo) a partir de uma determinada tensão, cujo valor depende do valor da tensão
aplicada à gate, continuando assim a parte do semiciclo, da tensão de alimentação, que
vai para a carga.
Características principais – V max; I max; IGK max.

Principais aplicações:
 Controlo de potência (mais em DC);
 Controlo de velocidade de motores;
 Reguladores de intensidade de luz;
 Reguladores de rectificação;
 Interruptores por toque;
 Protecções eléctricas.
TRIAC
Mais usados: TIC206 – BT137.
Características principais: Vmax; Imax; IGA2max.
Aplicações:
 é mais usado em circuitos AC;
 fonte de alimentação AC variável.

Nota: o A2 é que liga à fonte.

DIAC
Tensão de condução: aproximadamente 30V.
Características:
 Vmax
 Imax
 Tensão de condução 30V
 Δf – Freq. TRAB.
 Bidireccional
 QUADRAC
Características: Vmax; Imax; Tensão de condução 30V; Δf – Freq. TRAB.
Aplicações: controlo de potência.

Transístores Digitais - DTF

Muito utilizados em circuitos digitais, vídeo, etc.
Medem-se entre base e colector. Quando têm 5V na base têm 0 no colector e vice-
versa. O emissor está sempre a 0V.
Funcionam normalmente como inversores.