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1) O documento discute processos de deposição química por vapor (CVD) para depositar filmes finos de silício em dispositivos eletrônicos. 2) Fornece equações para calcular o coeficiente de transferência de massa em uma placa plana em escoamento turbulento. 3) Apresenta a equação de Dittus-Boelter para o coeficiente de transferência de calor em escoamento turbulento em tubos e pede a correspondente para coeficiente de transferência de massa.
1) O documento discute processos de deposição química por vapor (CVD) para depositar filmes finos de silício em dispositivos eletrônicos. 2) Fornece equações para calcular o coeficiente de transferência de massa em uma placa plana em escoamento turbulento. 3) Apresenta a equação de Dittus-Boelter para o coeficiente de transferência de calor em escoamento turbulento em tubos e pede a correspondente para coeficiente de transferência de massa.
1) O documento discute processos de deposição química por vapor (CVD) para depositar filmes finos de silício em dispositivos eletrônicos. 2) Fornece equações para calcular o coeficiente de transferência de massa em uma placa plana em escoamento turbulento. 3) Apresenta a equação de Dittus-Boelter para o coeficiente de transferência de calor em escoamento turbulento em tubos e pede a correspondente para coeficiente de transferência de massa.
vapor (CVD) é usado para depositar filmes finos de silício puro sobre pastilhas para aplicações em dispositivos eletrônicos. Uma maneira de depositar silício puro sobre uma superficie é por meio de reação heterogênea na superficie.
𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 (𝑔) + 𝐻2 (𝑔) → 𝑆𝑖(𝑠) + 3 𝐻𝐶𝑙(𝑔) 2. O coeficiente de transferência de massa para
uma camada limite turbulenta formada sobre No presente processo, 1% em mol de vapor uma placa plana foi correlacionado em de triclorosilano (𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3, espécie A), termos do número local de Sherwood por diluído no gás 𝐻2 (espécie B), é alimentado no reator CVD mostrado na figura abaixo, 𝑆ℎ𝑥 = 0,0292 𝑅𝑒𝑥 4/5 𝑆𝑐1/3 de modo a estabelecer uma velocidade da corrente livre de 200 m/s. O triclorosilano é onde x é a distância a jusante da borda reduzido pelo gás 𝐻2 a silício sólido dianteira da placa plana. A transição de elementar, que é depositado como um filme fluxo laminar a turbulento ocorre em 𝑅𝑒𝑥 = fino sobre uma pastilha de 15 cm por 15 cm. 2 × 105 . O escoamento sobre a pastilha de silício é aproximado ao escoamento sobre uma placa (a) Desenvolva uma expressão para o plana. A reação do processo é mantida a 1 coeficiente médio de transferência de atm e 1200 K. O reator contém sistemas massa para uma placa plana de elaborados de segurança para operar com comprimento L. gases tóxicos inflamáveis. A 1200 K, a constante de reação na superficie para a (b) Em um processo de fabricação, um reação de decomposição de primeira ordem solvente orgânico (metil-etil-cetona) é em relação à concentração do vapor de usado para dissolver um revestimento fino 𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3, é 𝑘𝑠 = 0,83 𝑐𝑚/𝑠, com a lei de taxa de um polímero longe de uma superfície de reação definida como 𝑅′𝐴,𝑠 = −𝑘𝑠 𝐶𝐴,𝑠 . plana não porosa de 2,0 m de comprimento e largura 10 cm. A espessura da película de Baseando-se nas informações dadas, polímero é inicialmente uniforme em 0,2 determine o fluxo de deposição do silício mm. No processo, o solvente flui a uma sólido sobre a superficie da pastilha. taxa de fluxo de 15 cm/s sobre a placa plana aberta. Você pode assumir que a concentração do polímero dissolvido no solvente a granel é essencialmente zero, 𝐶𝑎 ∞ = 0, embora a concentração do polímero dissolvido no solvente aumenta ligeiramente à medida que flui sobre a panela.
Determine o fluxo médio, WA, da
superfície. Determine o coeficiente de transferência de massa 50 cm a jusante da borda de ataque.
Na temperatura e pressão do processo, os
seguintes dados estão disponíveis:
Coeficiente de difusão do polímero
dissolvido (soluto) no solvente é 3 × 10−6 cm2/s. Viscosidade cinemática do solvente é 6 × 10−3 cm2/s. Densidade do polímero sólido é 1.05 g/cm3. Densidade do solvente líquido é 0.8 g/cm3. Máxima solubilidade do polímero dissolvido no solvente é 0.04 g/cm3.
3. Dittus e Boelter propuseram a seguinte
equação para correlacionar o coeficiente de transferência de calor para fluxo turbulento em um tubo:
ℎ𝐷 𝑁𝑢 = = 0.023 𝑅𝑒 0.8 𝑃𝑟1/3 𝑘
Qual deve ser a equação correspondente para o
coeficiente de transferência de massa quando a transferência é para um fluido turbulento fluindo em um tubo, considerando a analogia de Chilton–Colburn?