TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector

(Rc) si se hace pasar rápidamente de corte a saturación y viceversa. En corte es un
interruptor abierto y en saturación es un interruptor cerrado. Los datos para
calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que
se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace
igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente
Icsat. Se calcula la corriente de saturación mínima, luego la resistencia de base
mínima:

IBSAT min = Icsat / β

RBMax = Vin/IBsat min

Donde Vin es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el

circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.

Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en R B de apagado Voff que haga que

el circuito entre en corte.
La principal aplicación de transistor como interruptor es en los circuitos e
integrados lógicos, allí se mantienen trabajando los transistores entre corte o en
saturación, en otro campo se aplican para activar y desactivar relés, en este caso
como la carga es inductiva (bobina del relé) al pasar el transistor de saturación a
corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se
debe hacer una protección con un diodo en una aplicación llamada diodo
volante.

Como leer la hoja de especificaciones de un transistor BJT

Los transistores para señales pequeñas pueden disipar medio watt o menos; los
transistores de potencia pueden. Disipar más de medio watt. Cuando se estudia la
hoja de datos para cualquiera de estos dos tipos de transistor, se debe comenzar
por las especificaciones máximas ya que son los límites para las corrientes,
voltajes y otras cantidades del transistor

Especificaciones en rompimiento

En el apéndice se dan las siguientes especificaciones máximas para un 2N3904:

VCB 60V

VCEO 40V

VES 6V

Estas especificaciones de voltaje son voltajes inversos de rompimiento, y V CB es el

voltaje entre el colector y la base La segunda especificaciones V CEO, que
representa el voltaje del colector al emisor con la base abierta. Además, V es el
voltaje del emisor a la base. Como ya se sabe, un diseño conservador nunca
permite que los voltajes ni siquiera se acerquen a las especificaciones máximas
precedentes. Si se recuerda lo dicho antes, basta con acercarse a las
especificaciones máximas para acortar la vida de algunos dispositivos.

Corriente y potencia máximas

Los valores siguientes también se muestran junto con las especificaciones

máximas:
 Ic 200mA CD

PD 250 mW (para TA =
60°C)

PD 350 mW (para TA =
25°C)

PD 1W (para TC
60°C)

Si la Ic es la especificación máxima para la corriente CD del colector. Esto quiere

decir que un 2N3904 puede a 200 mA de corriente directa. Las tres
especificaciones que siguen son PD, (la especificación de potencia del
dispositivo.) Como se puede ver, la potencia máxima que puede manejar un
dispositivo depende de la temperatura. Si la temperatura del aire circundante es
de 60°C, la especificación de potencia máxima es de 250mW. Se usa esta
temperatura porque los equipos comerciales a menudo tienen que operar en un
intervalo de temperatura ambiente de O a 60 °C. En la hoja de datos se está
indicando la disipación de potencia para el peor de los cas, que es el que ocurre a
60 °C.

Si la temperatura ambiente es apenas de 25 °C, la especificación de potencia es de

350 mW. El transistor tiene una mayor especificación de potencia porque la
temperatura interna es menor. Es la temperatura interna, es decir la temperatura
de la unión, la que determina que un transistor se queme Si la temperatura
externa es más baja, la temperatura interna es más baja y está más alejada del
punto de quemado. En tal caso, el transistor puede disipar más potencia.

“El encapsulado, o envase de transistor, tiene una temperatura que es

normalmente mayor que la temperatura ambiente. Si el diseñador sabe cuál es la
temperatura del encapsulado, puede preferir trabajar con la especificación de
potencia dada para la temperatura de encapsulado.”

Factores de ajuste

el factor de ajuste indica cuánto hay que reducir la especificación de potencia de

un dispositivo. El factor de ajuste del 2N3904 está dado como 2.8 mW/ °C. Esto
significa que hay que reducir la especificación de potencia de 350 mW en 2.8 mW
por cada grado Celsius que se esté por encima de los 25 °C. Por ahora no
analizaremos los otros factores de ajuste que aparecen en el apéndice.

Disipadores de calor

Una manera de aumentar la especificación de potencia de un transistor consiste

en deshacerse con mayor rapidez del calor interno. Este es el propósito de un
disipador de calor (una masa de metal). Si se aumenta el área superficial del
encapsulado del transistor, se permite que el calor se escape más fácilmente hacia
el aire circundante. Por ejemplo, se muestra un tipo de disipador de calor.
Cuando éste se acopla al encapsulado de un transistor, el calor se radia más
rápidamente debido al aumento en el área superficial suministrado por las aletas.

Otro ejemplo seria un transistor de potencia con ceja. Una ceja metálica
proporciona una trayectoria de salida para el calor del transistor. Esta ceja
metálica se puede sujetar al chasis del equipo electrónico. Como el chasis es un
disipador masivo de calor, éste puede escapar fácilmente del transistor al chasis.

Los grandes transistores de potencia, tienen el colector conectado directamente

a la cápsula para dejar que el calor escape tan fácilmente como sea posible. La
cápsula del transistor se sujeta al chasis. Para evitar que el colector se ponga en
corto con la tierra del chasis, se coloca una pequeña lámina de mica entre el
encapsulado del transistor y el chasis. En todo esto, la idea importante es que el
calor abandone el transistor con la mayor rapidez, lo que se traduce en una
mayor especificación de potencia para el transistor a la misma temperatura
ambiente. A veces, se sujeta a un gran disipador de calor con aletas; esto es
todavía más efectivo para eliminar el calor del transistor.

Sin importar la clase de disipador de calor que se emplee, el objetivo es reducir la

temperatura del encapsulado, ya que esto hará que descienda la temperatura
interna del transistor. La hoja de datos incluye otras cantidades llamadas
resistencias térmicas. Estas le permiten al diseñador investigar la temperatura del
encapsulado para diferentes disipadores de calor.
Ganancia de corriente

En otro sistema de análisis llamado parámetros h, se usa h FE en vez de βcd como el

símbolo para la ganancia de corriente. Las dos cantidades son iguales:

“No olvide esta relación, porque las hojas de datos usan el símbolo hFE para
designar la ganancia de corriente. En la sección titulada “Características”, la hoja
de datos de un 2N3904 lista los valores de hFE como sigue:”

El 2N3904 trabaja mejor cuando la corriente del colector se halla en la vecindad

de los 10 mA. A este nivel de corriente, la ganancia mínima de corriente es de 100
y la ganancia máxima de corriente es de 300. ¿Qué significa esto? Significa que, si
se produce en masa (en serie) un circuito que utilice transistores 2N3904 y una
corriente de colector de 10 mA, entonces algunos de los transistores tendrán una
ganancia de corriente apenas de 100 y otros lograrán una ganancia de corriente de
hasta 300. La mayor parte de los transistores tendrán una ganancia de corriente
situada en la parte central de este intervalo.

Obsérvese cómo la ganancia mínima de corriente disminuye en corrientes de

colector que sean menores que o mayores que 10 mA. A 0.1 mA, la ganancia
mínima de corriente es 40. A 100 mA, la ganancia mínima de corriente es 30.
Estas son las cosas por las que debe preocuparse un diseñador. La hoja de datos
contiene solamente la ganancia mínima de corriente para corrientes distintas de
lO mA, ya que los valores mínimos representan el peor de los casos. Los
diseñadores hacen en general un circuito para el peor de los casos, o sea que
tratan de imaginarse cómo funcionará el circuito cuando las características del
transistor, tales como la ganancia de corriente, adquieran valores del peor de los
casos.
Transistor BJT como conmutador

Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A

través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para
computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor
en los circuitos lógicos de las computadoras.

Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplicó

sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una
fuente de dc conectada al circuito de la base. La única fuente de dc está
conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras
normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada, en este
caso 5 V.

Figura 4.24. Transistor inversor.

El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación

conmute de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la
figura 4.52. Para estos propósitos se asumirá que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0
µA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de
fabricación).

Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe

asegurar que la red está saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado
con la curva IB, que aparece cerca del nivel de saturación. El nivel de saturación
para la corriente del colector y para el circuito está definido por: ICsat = Vcc/ Rc