1.

Investigar en la Web acerca de los Diodos y los diferentes tipos de

Diodos que existen.

Los diodos detectores también denominados diodos de señ al o de contacto

puntual, está n hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unió n PN
muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con señ ales
pequeñ as. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja
frecuencia (informació n audible). Esta operació n se denomina detecció n.

DIODO RECTIFICADOR

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo

conducen en polarizació n directa (arriba de 0.7 V) y en polarizació n inversa no
conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo
rectificar una señ al.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en
inverso que pueden soportar.

Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema

americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del nú mero de serie,
por ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1”
indica el nú mero de uniones PN y el “4004” las características o
especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental se
emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la “B” indica el
material (silicio) y la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo, muchos fabricantes
emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.

DIODO ZÉNER

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de

mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran
polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se
les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4
voltios hasta 200 voltios.

El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su

voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como, por ejemplo: 1N3828
ó BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la
potencia má xima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ).
DIODO VARACTOR

El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es

un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actú an
como condensadores variables controladas por voltaje. Esta característica los
hace muy ú tiles como elementos de sintonía en receptores de radio y televisió n.
Son también muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores,
generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los
mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicá rsele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinació n de huecos y electrones cerca de la unió n NP;
si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, á mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composició n.

Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la

caída de voltaje directa (VF), el má ximo voltaje inverso (VR), la má xima
corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de
4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con valores de IF desde menos de 20 mA hasta
má s de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta
má s de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y
viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y
má ximo para LED’s azules.

DIODO LÁSER

Los diodos lá ser, también conocidos como lá seres de inyecció n o ILD’s. Son
LED’s que emiten una luz monocromá tica, generalmente roja o infrarroja,
fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en
computadoras y sistemas de audio y video para leer discos compactos (CD’s)
que contienen datos, mú sica, películas, etc., así como en sistemas de
comunicaciones para enviar informació n a través de cables de fibra ó ptica.
También se emplean en marcadores luminosos, lectores de có digos de barras y
otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR

Está formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída
de tensió n correspondiente a su tensió n umbral.

Trabajan en polarizació n directa y estabilizan tensiones de bajo valores

similares a lo que hacen los diodos Zéner.
DIODO TÚNEL

Los diodos tú nel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por
poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva
una regió n de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje. Esta ú ltima propiedad los hace muy ú tiles como detectores,
amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones
de alta frecuencia.

DIODO PIN

Su nombre deriva de su formació n P (material P), I(zona

intrínseca)y N(material N)Los diodos PIN se emplean principalmente como
resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como
osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.

Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde

la capacidad de respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de
trá nsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la
unió n PN. Los má s conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

DIODO BACKWARD

Son diodos de germanio que presentan en polarizació n inversa una zona de

resistencia negativa similar a las de los diodos tú nel.

DIODO SCHOTTKY

Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperació n rá pida o de

portadores calientes, está n hechos de silicio y se caracterizan por poseer una
caída de voltaje directa muy pequeñ a, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy
rá pidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta
frecuencia.

Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de
conducció n prá cticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso de
ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.

FOTODIODOS

Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya

corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la
cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unió n PN. A mayor
cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se
genera un mayor nú mero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy
utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminació n,
contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones
ó pticas y otras aplicaciones.

Aplicaciones de los Diodos

 Rectificador de media onda

 Rectificador de onda completa
 Rectificador en paralelo
 Duplicador de tensió n
 Estabilizador Zener
 Led
 Limitador
 Circuito fijador
 Multiplicador de tensió n
 Divisor de tensió n
 2. Elaborar un cuadro comparativo acerca de los Diodos (Ej. Diodo
Semiconductor, Diodo LED, etc).
DIODO DESCRIPCIÓN USOS
DIODOS RECTIFICADORES Este tipo de diodos (normalmente de
silicio) soportan elevadas temperaturas
(hasta 200ºC en la unió n), siendo su Estos diodos tienen su
resistencia muy baja y la corriente en principal aplicació n en la
tensió n inversa muy pequeñ a. Gracias aconversió n de corriente
esto se pueden construir diodos de alterna AC, en corriente
pequeñ as dimensiones para potencias continua DC.
relativamente grandes, desbancando Sus aplicaciones van desde
así a los diodos termoió nicos desde elemento indispensable en
hace tiempo. fuentes de alimentació n
Los distintos encapsulados de estos como en televisió n, aparatos
diodos dependen del nivel de potencia de rayos X  y microscopios
que tengan que disipar. Hasta 1w se electró nicos, donde deben
emplean encapsulados de plá stico. Por rectificar tensiones
encima de este valor el encapsulado es altísimas.
metá lico y en potencias má s elevadas es
En fuentes de alimentació n
necesario que el encapsulado tenga se utilizan los diodos
previsto una rosca para fijar este a un formando configuració n en
radiador y así ayudar al diodo a disiparpuente (con cuatro diodos
el calor producido por esas altas en sistemas monofá sicos), o
corrientes. utilizando los puentes
Símbolo:  integrados que a tal efecto
se fabrican y que simplifican
en gran medida el proceso
de diseñ o de una placa de
A significa Á nodo (+) y la K significa circuito impreso.
Cá todo (-).                
Aspecto físico:

Polarizació n directa y polarizació n

inversa de un diodo rectificador.
A. Polarizació n directa: El positivo de la
batería va al á nodo y el negativo al
cá todo. El diodo conduce manteniendo
en sus extremos una caída de tensió n
de 0.7 voltios. B. Polarizació n inversa:
El positivo de la batería va al cá todo y el
negativo al á nodo. El diodo no conduce.
Toda la tensió n cae en el. Puede existir
 una pequeñ a corriente de fuga del
orden de µAmperios.
DIODO ZENER Es un diodo de silicio que se ha
construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces
diodos de avalancha o de ruptura, el
diodo zener es la parte esencial de los
reguladores de tensió n casi constantes
con independencia de que se presenten
grandes variaciones de la tensió n de
red, de la resistencia de carga y
temperatura.
Símbolo:  son
El diodo zener sirve para
regular o estabilizar el
voltaje en un circuito.
El diodo zener se utiliza en
los circuitos, con
polarizació n inversa, es
decir positivo en el cá todo y
negativo en el á nodo.
Los diodos Zener generan
ruido. Por esa característica,
usados en los
generadores de ruido y
puentes de ruido.

Aspecto físico:

Cuando el diodo zener funciona

polarizado inversamente mantiene
entre sus terminales un voltaje
constante.
Resistencia Zener Un diodo zener, como
cualquier diodo, tiene cierta resistencia
interna en sus zonas P y N; al circular
una corriente a través de éste se
produce una pequeñ a caída de tensió n
de ruptura.
Para conseguir esto se aprovecha la
propiedad que tiene la unió n PN
cuando se polariza inversamente al
llegar a la tensió n de ruptura (tensió n
de zener), pues, la intensidad inversa
del diodo sufre un aumento brusco.
Para evitar la destrucció n del diodo por
la avalancha producida por el aumento
de la intensidad se le pone en serie una
resistencia que limita dicha corriente.
Se producen desde 3,3 v  y con una
potencia mínima de 250 mW.
DIODO DE CAPACIDAD Los diodos de capacidad variable, má s La aplicació n de estos
VARIABLE (VARICAP) conocidos como varicap's, varían su
capacidad interna al ser alterado el
valor de la tensió n que los polariza de
forma inversa.
Estos basan su funcionamiento en el
principio que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unió n PN
varía en funció n de la tensió n inversa
aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensió n, aumenta la
anchura de esa barrera, disminuyendo
así la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensió n. Los
valores de capacidad obtenidos van
desde 1 a 500 pF. La tensió n inversa
mínima tiene que ser de 1v.  - BANDA V o UHF:     Canales
Se utiliza con polarizació n inversa.
Al aplicarle una tensió n en sus
extremos se almacena una carga
eléctrica como en un condensador.
Cuanto mayor sea el voltaje aplicado,
menor será la capacidad.
Símbolo:    capacidad
Aspecto físico:
DIODO LED Es un diodo que Cuando se le aplica
tensió n, polarizado directamente, emite
luz.  Se fabrica con un compuesto
formado por Galio, Arsénico y Fó sforo.
La intensidad mínima para que un
diodo LED emita luz visible es de 4mA
y, por precaució n como má ximo debe
aplicarse 50mA.
Símbolo:  distancia.
diodos se encuentra en la
sintonía de TV, modulació n
de frecuencia en
transmisiones de FM, radio y
osciladores controlados por
voltaje (Oscilador
controlado por tensió n)..
Las bandas que se pueden
sintonizar son:
- BANDA I o VL:         Canales
bajos de VHF     DE   47 A  68
MHZ
 - BANDA III o VHF:   
Canales altos  de VHF     DE
174 A 230 MHZ
altos                  DE 470 A 854
MHZ
En tecnología de microondas
se pueden utilizar como
limitadores: al aumentar la
tensió n en el diodo, su
varía,
modificando la impedancia
que presenta y desadaptado
el circuito, de modo que
refleja la potencia incidente.
Se emplean, en aparatos
electró nicos como
indicadores luminosos, por
ejemplo: televisores, videos,
mandos, etc.
Se utilizan como señ al visual
y en el caso de los
infrarrojos en los mandos a
Se utiliza ampliamente en
aplicaciones visuales, como
indicadoras de cierta
situació n específica de
funcionamiento. Se utilizan
para desplegar contadores
Para identificar los terminales del diodo - Para indicar la polaridad
LED observaremos como el cá todo será de una fuente de
el terminal má s corto, siendo el má s alimentació n de corriente
largo el á nodo. Ademá s en el continua.
encapsulado, normalmente de plá stico, - Para indicar la actividad de
se observa un chaflá n en el lado en el una fuente de alimentació n
que se encuentra el cá todo. de corriente alterna.
Emite luz incoherente de espectro - En dispositivos de alarma,
reducido cuando se polariza de forma etc.
directa la unió n PN del mismo y circula
por él una corriente eléctrica. Este
fenó meno es una forma de
electroluminiscencia. El color (longitud
de onda), depende del material
semiconductor empleado en la
construcció n del diodo y puede variar
desde el ultravioleta, pasando por el
visible, hasta el infrarrojo. Los diodos
emisores de luz que emiten luz
ultravioleta también reciben el nombre
de UV LED (UltraV'ioletLight-
EmittingDiode) y los que emiten luz
infrarroja suelen recibir la
denominació n de IRED (Infra-Red
EmittingDiode).
Para obtener una buena intensidad
luminosa debe escogerse bien la
corriente que atraviesa el LED; para
ello, hay que tener en cuenta que el
voltaje de operació n va desde 1,8 hasta
3,8 voltios aproximadamente (lo que
está relacionado con el material de
fabricació n y el color de la luz que
emite) y la gama de intensidades que
debe circular por él varía segú n su
aplicació n. Valores típicos de corriente
directa de polarizació n de un LED
corriente está n comprendidos entre los
10 y los 40 mA. En general, los LEDs
suelen tener mejor eficiencia cuanto
menor es la corriente que circula por
ellos, con lo cual, en su operació n de
forma optimizada, se suele buscar un
compromiso entre la intensidad
luminosa que producen (mayor cuanto
má s grande es la intensidad que circula
por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto
menor es la intensidad que circula por
ellos).
 En los diodos lá ser para favorecer la
DIODO LÁ SER emisió n estimulada y generació n de luz Comunicaciones de datos
lá ser, el cristal semiconductor del diodo por fibra ó ptica.
puede tener la forma de una lá mina Lectores de CDs, DVDs y
delgada con un lado totalmente formatos derivados.
reflectante y otro só lo reflectante de Interconexiones ó pticas
forma parcial (aunque muy reflectante entre circuitos integrados.
también), lográ ndose así una unió n PN Impresoras lá ser.
de grandes dimensiones con las caras Escá neres o digitalizadores.
exteriores perfectamente paralelas y Sensores, etc.
reflectantes. Este conjunto forma una
guía de onda, en ella, los fotones
emitidos en la direcció n adecuada se
reflejará n repetidamente en dichas
caras reflectantes (en una totalmente y
en la otra só lo parcialmente), lo que
ayuda a su vez a la emisió n de má s
fotones estimulados dentro del material
semiconductor y consiguientemente a
que se amplifique la luz (mientras dure
el bombeo derivado de la circulació n de
corriente por el diodo). Parte de estos
fotones saldrá del diodo lá ser a través
de la cara parcialmente transparente
(la que es só lo reflectante de forma
parcial). Este proceso da lugar a que el
diodo emita luz, que al ser coherente en
su mayor parte (debido a la emisió n
estimulada), posee una gran pureza
espectral.

Símbolo: 

Aspecto físico:

FOTODIODO Son dispositivos semiconductores Se utiliza en televisores,

construidos con una unió n PN, sensible videos, y equipos de mú sica
a la incidencia de la luz visible o como sensor de los mandos
infrarroja. Para que su funcionamiento a distancia que utilizan
sea correcto se polarizará n diodos emisores de rayos
inversamente, con lo que producirá n
una cierta circulació n de corriente
cuando sean excitados por la luz.
Debido a su construcció n se comportan
como células fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de tensió n exterior, generan
una tensió n muy pequeñ a con el
positivo en el á nodo y el negativo en el
cá todo. Tienen una velocidad de
respuesta a los cambios bruscos de
luminosidad mayores a las células
fotoeléctricas.
Símbolo:
infrarrojos.
En el desarrollo de células
solares econó micas,
miniaturizació n y mejora de
los sensores CCD y CMOS,
así como de fotodiodos má s
rá pidos y sensibles para su
uso en telecomunicaciones
con fibra ó ptica.

Aspecto físico:

El material empleado en la composició n

de un fotodiodo es un factor crítico para
definir sus propiedades. Suelen estar
compuestos de silicio, sensible a la luz
visible (longitud de onda de hasta 1
µm); germanio para luz infrarroja
(longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm);
o de cualquier otro material
semiconductor. También es posible la
fabricació n de fotodiodos para su uso
en el campo de los infrarrojos medios
(longitud de onda entre 5 y 20 µm),
pero estos requieren refrigeració n por
nitró geno líquido.
Silicio 190–1100 nm Germanio 800–
1700 nm Indio galio arsénico (InGaAs)
800–2600 nm sulfuro de plomo <1000-
3500 nm Antiguamente se fabricaban
exposímetros con un fotodiodo de
selenio de una superficie amplia.
 Diseñ ado especialmente para trabajar
DIODO AVALANCHA en tensió n inversa. En estos diodos,
poco dopados, cuando la tensió n en
polarizació n inversa alcanza el valor de
la tensió n de ruptura, los electrones
que han saltado a la banda de
conducció n por efecto de la
temperatura se aceleran debido al
campo eléctrico incrementando su
energía cinética, de forma que al
colisionar con electrones de valencia
los liberan; éstos a su vez, se aceleran y
colisionan con otros electrones de
valencia liberá ndolos también,
produciéndose una avalancha de
electrones cuyo efecto es incrementar
la corriente conducida por el diodo sin
apenas incremento de la tensió n.
Aspecto físico:
Diodo cuya construcció n se basa en la
DIODO SCHOTTKY unió n metal conductor La conexió n se
establece entre un metal y un material
semiconductor con gran concentració n
de impurezas, de forma que solo
existirá un movimiento de electrones,
ya que son los ú nicos portadores
mayoritarios en ambos materiales. Al
igual que el de germanio, y por la
misma razó n, la tensió n de umbral
cuando alcanza la conducció n es de 0,2
a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta
notable a altas frecuencias,
encontrando en este campo sus
aplicaciones má s frecuentes Un
inconveniente de esto tipo de diodos se
refiere a la poca intensidad que es
capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en
forma de cilindro, de plá stico o de
La aplicació n típica de estos
diodos es la protecció n de
circuitos electró nicos contra
sobretensiones. El diodo se
conecta en inversa a tierra,
de modo que mientras la
tensió n se mantenga por
debajo de la tensió n de
ruptura só lo será atravesado
por la corriente inversa de
saturació n, muy pequeñ a,
por lo que la interferencia
con el resto del circuito será
mínima; a efectos prá cticos,
es como si el diodo no
existiera. Al incrementarse
la tensió n del circuito por
encima del valor de ruptura,
el diodo comienza a
conducir desviando el
exceso de corriente a tierra
evitando dañ os en los
componentes del circuito.
Los diodos avalancha
generan ruido de radio
frecuencia; son comú nmente
utilizados como fuentes de
ruido en equipos de radio
frecuencia.
El diodo Schottky se emplea
en varios circuitos
integrados de logica TTL.
Por ejemplo los tipos ALS y
AS permiten que los tiempos
de conmutació n entre los
transistores sean mucho
menores puesto que son
má s superficiales y de
menor tamañ o por lo que se
da una mejora en la relació n
velocidad/potencia. El tipo
ALS permite mayor potencia
y menor velocidad que la LS,
mientras que las AL
presentan el doble de
velocidad que las Schottly
TTL con la misma potencia.
vidrio. De configuració n axial. Sobre el
cuerpo se marca el cá todo, mediante un
anillo serigrafiado.
Un inconveniente de esto tipo de diodos
se refiere a la poca intensidad que es
capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en
forma de cilindro, de plá stico o de
vidrio. De configuració n axial. Sobre el
cuerpo se marca el cá todo, mediante un
anillo serigrafiado.
Un inconveniente de esto tipo de diodos
se refiere a la poca intensidad que es
capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en
forma de cilindro, de plá stico o de
vidrio. De configuració n axial.
Sobre el cuerpo se marca el cá todo,
mediante un anillo serigrafiado.
Símbolo:

Aspecto físico:
 Estructura de tres capas, siendo la El diodo PIN puede ejercer,
DIODO PIN intermedia, semiconductor intrínseco, y entre otras cosas, como:
las externas, una de tipo P y la otra tipo conmutador de RF
N (estructura P-I-N que da nombre al resistencia variable
diodo). Sin embargo, en la práctica, la protector de sobretensiones
capa intrínseca se sustituye bien por fotodetector
una capa tipo P de alta resistividad (π) El diodo PIN se puede
o bien por una capa n de alta utilizar como conmutador
resistividad (ν). de microondas. Tiene
Símbolo:   capacidad para manejar alta
potencia.

Aspecto físico:

Cuando se le aplica una polarizació n

directa al diodo PIN, conduce corriente
y se comporta como un interruptor
cerrado. Si se le aplica una polarizació n
inversa se comporta como un
interruptor abierto, no dejando pasar la
señ al.
Este tipo de diodo se utiliza para la Se emplean, sobre todo en la
DIODO DE SEÑ AL detecció n de pequeñ as señ ales, o detecció n de señ ales de
señ ales débiles, por lo que trabaja con Radio Frecuencia (RF). Se
pequeñ as corrientes. La tensió n utilizan en etapas
Umbral, o tensió n a partir de la cual el moduladoras,
diodo, polarizado directamente, demoduladoras, mezcla y
limitació n de señ ales.
comienza a conducir, suele ser inferior
a la del diodo rectificador. O sea la V.
Umbral es aproximadamente 0,3
voltios.
Símbolo:  

Aspecto físico:

El material semiconductor suele ser el
Germanio.
Diodo usado en la electró nica de alta
DIODO GUNN frecuencia. A diferencia de los diodos
ordinarios construidos con regiones de
dopaje P o N, solamente tiene regiones
Los diodos Gunn son usados
para construir osciladores
en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10
del tipo N, razó n por lo que
impropiamente se le conoce como
diodo. Existen en este dispositivo tres
regiones; dos de ellas tienen regiones
tipo N fuertemente dopadas y una
delgada regió n intermedia de material
ligeramente dopado. Cuando se aplica
un voltaje determinado a través de sus
terminales, en la zona intermedia el
gradiente eléctrico es mayor que en los
extremos. Eventualmente esta zona
empieza a conducir esto significa que
este diodo presenta una zona de
resistencia negativa.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de
arseniuro de galio para osciladores de
hasta 200 GHz, mientras que los de
Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3
Terahertz.
Símbolo:
Gigahertz y frecuencias aú n
má s altas (hasta Terahertz).
Este diodo se usa en
combinació n con circuitos
resonantes construidos con
guías de ondas, cavidades
coaxiales y resonadores YIG
(monocristal de granate
Itrio e hierro,
YttriumIronGarnety la
sintonizació n es realizada
mediante ajustes mecá nicos,
excepto en el caso de los
resonadores YIG en los
cuales los ajustes son
eléctricos.
 Dispositivo de dos terminales que tiene
DIODO SHOCKLEY dos estados estables: OFF o de alta
impedancia y ON o baja impedancia.
Está formado por cuatro capas de
semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente.
Símbolo:

Aspecto físico:

Diodo semiconductor que tiene una

DIODO TÚ NEL unió n pn, en la cual se produce el efecto
tú nel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto
intervalo de la característica corriente-
tensió n.
La presencia del tramo de resistencia
negativa permite su utilizació n como
componente activo
(amplificador/oscilador). El diodo tú nel puede
Una característica importante del diodo funcionar como
tú nel es su resistencia negativa en un amplificador, como
determinado intervalo de voltajes de oscilador o como biestable.
polarizació n directa. Cuando la
resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje.
Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para
aplicaciones que involucran
microondas y que está n relativamente
libres de los efectos de la radiació n.
Símbolo:

Aspecto físico: