C4_ TRANSISTORES DE POTENCIA

Estudiante: llanque rodríguez kenneth jeffrey 130594

1. ¿Qué es un transistor bipolar BJT?

Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base;

entre sus principales funciones son; un buen amplificador y como
elemento de conmutación.

2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?

NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p.

PNP; que cuenta con dos regiones p y una región n.

3. ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?

Es básicamente en su estructura interna, sea de mayor región n o p

además en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el
PNP ingresa la corriente por esta misma.

4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?

La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en

aplicaciones de conmutación, por ende las características de entrada
en un NPN es la relación que se tiene entre la corriente base (IB) y el
comportamiento de la tensión VBE este último en función de IB.

5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?

Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del

voltaje colector – emisor VCE.

6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?

Se tienen tres regiones y estas son:

 De corte.
 Activa.
 De saturación.

7. ¿Qué es el beta (B) de los BJT?

Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base,

se llama ganancia de corriente en sentido directo.
8. ¿Cuál es la diferencia entre B, y la beta forzada (B F) de los BJT?

El BF, es la relación de ICS (corriente de colector en la saturación) y

la IB, lo cual esta relación es cuando se analiza en el punto de
saturación.
9. ¿Qué es la transconductancia de los BJT?

La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo

cual es una constante para una representación o modelo de un BJT
con generador de corriente.

10. ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?

También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación

entre IB e IBS (corriente base en la región de saturación).

11. ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?

Estos modelos se pueden representar de dos formas:

1 Modelo con ganancia de corriente.

2 Modelo con transconductancia.

12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo en los BJT?

Aumento de la corriente del colector hasta el valor de ICS de estado

permanente

13. ¿Cuál es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?

Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de

base también cambia a –Ib2, la corriente d colector no cambia
durante un tiempo ts es el tiempo de almacenamiento

14. ¿Cuál es la causa del tiempo de subida en los BJT?

El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada

por la capacitancia de la unión, que en el caso normal, la corriente de
base es mayor que la necesaria para saturar al transistor

15. ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?

Durante el tiempo de caída, el perfil de carga baja desde el perfil c

hasta que se remueven todas las cargas.
16. ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?

Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la

corriente de base no aumenta en forma apreciable de corriente de
colector.
En la saturación, la corriente de colector permanece casi constante
17. ¿Qué es el tiempo de encendido de los BJT?

El tiempo de encendido o tiempo de activación, tenc, es la suma del

tiempo de retardo con el tiempo de subida tr.

18. ¿Qué es el tiempo de apagado de los BJT?

El tiempo de apagado o tiempo de desactivación, t off, es la suma de

almacenamiento ts y el tiempo de caída tf.

19. ¿Qué es una FBSOA de los BJT?

Durante las condiciones de activación y de estado activo, la

temperatura promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la
capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes
suelen proporcionar las curvas FBSOA bajo las condiciones
especificadas de prueba

20. ¿Qué es una RBSOA de los BJT?

Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran

corriente y un alto voltaje, en la parte de los casos con polarizacion
inversa de base a emisor. El voltaje de colector a emisor debe
mantenerse en un nivel seguro, a un valor especificado de corriente
de colector, o menos

21. ¿Por qué es necesario invertir la polarización de los BJT durante su

apagado?

Es necesario la polarización para saturar al transistor, y así no dañar

al dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes
del colector y el emisor.

22. ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?

Es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una

pequeña porción de la base, que produce puntos calientes
 localizados. Si la energía de esos puntos calientes es suficiente, el
calentamiento localizado excesivo puede dañar al transistor. Así, la
segunda avalancha se deba a la avalancha térmica localizado debido
a altas concentraciones de corrientes.

23 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los BJT?

Desventajas:
 Segunda Avalancha
 Perdida de disipación de potencia
 Controlado por Corriente
Ventajas:
 Área de Operación segura en polarización directa e indirecta

24 ¿Qué es un MOSFET?

Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capas

dopados, consta básicamente de tres terminales en su aspecto físico,
denominados, drenador (drain), suministrador (source), y gate
(compuerta), estos elementos, soportan mayor corriente que los
antecesores BJT, incluso, tienen una respuesta muy rápida ante el
corte y saturación, por lo que es muy empleado para electrónica de
potencia.
Dispositivo controlado por voltaje que solo requiere una pequeña
corriente de entrada.

25 ¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

1. MOSFET decrementales
2. MOSFET incrementales

26 ¿Cuáles son las diferencias entre los MOSFET tipo de incremental y los
de tipo decremental?

El decremental cuenta con canal, y el incremental no cuenta con

canal físico.
Un Decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta
mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado
con voltaje cero.

27 ¿Qué es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET?

El valor de Vgs cuando es suficientemente negativo, el canal se

decrementa hasta desaparecer.

28 ¿Qué es el voltaje umbral de los MOSFET?

Es el voltaje de entrada Vt para que se acumule una cantidad

suficiente de electrones para formar un canal virtual.
29 ¿Qué es la transconductancia de los MOSFET?

Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta,

define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante.

30 ¿Cuál es el modelo de conmutación de los MOSFET de canal n?

31 ¿Cuáles son las características de transferencia de los MOSFET?

32 ¿Cuáles son las características de salida de los MOSFET?

El tiempo de retardo de apagado y el Tiempo de caída

33 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los MOSFET?

Ventajas:
 Controlados por voltaje.
 Velocidad de Conmutación muy alta.
 Tiempos de conmutación en el orden de nanosegundos.

Desventajas:
 Perdidas en la zona activa
 Problemas de descarga electrostática
34. ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo de compuerta
durante su apagado?

Porque para activar el MOSFET solo requiere que el voltaje de

compuerta VGS sea mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral
o voltaje de entrada, VT, así se acumula una cantidad suficiente de
electrones parar formar un canal virtual.
Y para apagar el MOSFET solo se requerirá que VGS sea menor que
el voltaje umbral VT.

35. ¿Por qué es distinto el concepto de saturación en los BJT y en los

MOSFET?

Por qué para un BJT en la región de saturación, la corriente de base

es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea
bajo.
En tanto que para un MOSFET la región de estrechamiento o
saturación es donde VDS=VGS – VT.

36. ¿Cuál es el tiempo de encendido de los MOSFET?

Es el retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para

cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.

37. ¿Cuál es el tiempo de apagado de los MOSFET?

Es el tiempo de retardo de apagado td(apag) es el tiempo necesario

para que la capacitancia de entrada descargue desde el voltaje de
sobresaturación V1 hasta la región de estrechamiento.

38. ¿Qué es un SIT?

Es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde la

invención de los dispositivos estáticos de inducción. En esencia, es la
versión del tubo triodo al vacío, pero en estado sólido .es un
dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. Así no está
sujeto a limitaciones de área, y es adecuado para funcionamiento de
alta velocidad con alta potencia
39. ¿Cuáles son las ventajas de los SIT?

Presentan una alta capacidad de voltaje, tienen bajo ruido, baja

distorsión y capacidad de alta potencia en audio frecuencia. Los
tiempos de encendido y apagado son muy pequeños, en forma típica
de 0.25 μs.

40. ¿Cuáles son las desventajas de los SIT?

Posee una menor capacidad de corriente, tiene una alta caída en

estado activo, encendido, es alta, en el caso normal de 90 V para un
dispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A

41. ¿Qué es un IGBT?

Es un dispositivo en el cual se combinan las ventajas de los BJT y de

los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los
MOSFET, y pocas perdidas por conducción en estado activo, como
los BJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha,
como los BJT. Por el diseño y la estructura del microcircuito, se
controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para
que se comporte como la de un BJT.

42. ¿Cuáles son las características de transferencia de los IGBT?

Características típicas de
transferencia de un IGBT.

43. ¿Cuáles son las características de salida de los IGBT?

Características típicas de
salida de un IGBT
44. ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los IGBT?

Ventajas: Bajo voltaje en estado de encendido, poca potencia en la

compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemas
de segunda avalancha.
Desventajas: Menor capacidad de voltaje en estado apagado,
dispositivo de voltaje unipolar, mayor caída de voltaje en estado
encendido, menor velocidad de conmutación comparado a los
MOSFET.

45 ¿Cuáles son las diferencias principales entre los MOSFET y los BJT?

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los

Mosfet consiste en que estos últimos son controlados por tensión
aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequeña corriente de
entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son
controlados por corriente aplicada a la base.

46 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los BJT?

Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede

manejar la demanda de corriente de la carga. Para compartir
corrientes iguales, los transistores deben estar pareados en
ganancia, transconductancia, voltaje de saturación, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. En la práctica no siempre es posible
cumplir con estos requisitos. Se puede obtener una partición
razonable de corriente (45 a 55% con dos transistores) conectando
resistores en serie con las terminales de emisor (o de fuente).

47 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los MOSFET?

Dispositivo de voltaje unipolar Alta caída de voltaje, hasta de lO V

Menor capacidad de voltaje en estado apagado.
Dispositivo de voltaje unipolar

48 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los IGBT?

Los IGBT requieren cuidados especiales para parear sus

características, debido a las variaciones de los coeficientes de
temperatura con la corriente de colector.

49 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los BJT?

Dispositivo controlado por corriente y requiere mayor corriente de

base para encender y sostener la corriente de estado activado
50 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los MOSFET?

Los transistores pueden funcionar en serie, para aumentar su

capacidad de manejo de voltaje. Es muy importante que los
transistores conectados en serie se enciendan y apaguen en forma
simultánea. De no ser así, el dispositivo más lento en el encendido, y
el más rápido en el apagado, pueden quedar sujetos al voltaje total
del circuito de colector a emisor (o de drenaje a fuente), y ese
dispositivo en particular se puede destruir por el alto voltaje.

51 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los IGBT?

Menor capacidad de voltaje en estado apagado

52 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en paralelo con los transistores?

En el caso normal se requieren circuitos de protección para mantener

a las tasas dv/dt de operación dentro de los límites admisibles del
transistor. La red RC a través del transistor se llama circuito
amortiguador, o amortiguador en paralelo.

53 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en serie con los transistores?