UNIVERSIDAD DE PAMPLONA

FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA

LABORATORIO DE ELECTRONICA II
DOCENTE: Ing. CARLOS FELIPE VELÀSQUEZ

PRACTICA 5.

Polarización de transistores
1.Objetivo

Comprobar el funcionamiento del transistor en sus respectivas polarizaciones para

determinar las diferencias entre cada circuito de polarización, teniendo en cuenta
la teoría vista en clase y haciendo uso de Proteus y Matlab para comprobar los
resultados.

2.Marco Teórico

-Transistores BJT (de unión dipolar)

Están formados por dos uniones PN y constan de 3 terminales (colector, base y
emisor), que se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el
emisor entra un flujo de portadores que a través de la base llega al colector (los
sentidos de la corriente están indicados en la figura).

Tipos de transistores

Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP, con diferentes símbolos de
circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor usado
para construir el transistor. La mayoría de los transistores usados hoy son NPN
porque este es el tipo más fácil de construir usando silicio. Si tú eres novato en la
electrónica es mejor que te inicies aprendiendo cómo usar un transistor NPN.
Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E). Estos
términos se refieren al funcionamiento interno del transistor pero no ayuda mucho
a entender cómo se usa, así que los trataremos como rótulos

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para amplificar la
pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda
manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la máxima corriente, o
encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre
conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, β o hFE

Probando un transistor
Los transistores pueden dañarse por calor cuando los estamos soldando o por uso
indebido en un circuito. Si tú sospechas que un transistor puede estar dañado hay
dos maneras fáciles de probarlo:

1. Probarlo con un multímetro

Usa un multímetro, polímetro o un simple tester (batería, resistor y LED) para
verificar por conducción cada par de terminales. Coloca un multímetro digital en la
posición diodo test o un multímetro analógico en el rango de baja resistencia.
Prueba cada par de terminales en ambos sentidos (seis en total):
* La juntura base-emisor (BE) debería comportarse como un diodo y conducir sólo
en un sentido.
* La juntura base-colector (BC) debería comportarse como un diodo y conducir
sólo en un sentido.
* Entre colector-emisor (CE) no debería conducir en ningún sentido.
 Probando un transistor NPN

La figura muestra cómo se comportan las junturas en un transistor NPN. Para un

transistor PNP los diodos están invertidos pero puede usarse el mismo
procedimiento de prueba.

Diodo npn 2n2222

 Polarización del transistor

Polarización Esquema Ecuación Recta de carga

Divisor de
tensión

Con resistencia
de
retroalimentació
n

3. Materiales, Equipos e Insumos

 Software de simulación
 Proteus
 Matlab

4. Reactivos
N/A
 5. Procedimiento

1.Diseñe un circuito de polarización por divisor de tensión el cual a su

salida se obtenga Vce = 6.5v con beta=150, dicho transistor debe
estar en zona activa, luego se aumente beta primero un 50% y luego
a 100%, incluya los resultados en la tabla n°1. Realice la grafica de
la recta del transistor donde se muestre los diferentes puntos de
trabajo del transistor.
Observación:
El valor de las fuentes de alimentación será seleccionado según el
grupo de trabajo, no puede haber 2 valores para las fuentes iguales,
por lo cual deberá haber comunicación entre los grupos para no
repetir, si se llega a repetir repercutirá en la nota general del
laboratorio.

Teórico
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 6,5
+50%
+100%
Tabla n°1
2.Realizar la simulación del circuito del ítem número 1 en Proteus,
ubicando los medidores necesarios para evidenciar los valores de
corrientes y tensiones del circuito, incluir los resultados en la tabla
n°2, realice la gráfica de la recta del transistor donde se muestre los
diferentes puntos de trabajo del transistor.

Proteus
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 6,5
+50%
+100%
Tabla n°2
3.Realizar un programa en Matlab donde me pregunte sobre que
polarización deseo (inicialmente se realizará con dos: P.D.T y P. con
Retroalimentación) una vez ingrese mi selección, me pregunte los
valores de las resistencias, Beta y fuente de voltaje, para luego, me
entregue el valor del punto de trabajo del transistor Ingresar los
valores obtenido en la tabla n°3, realice la gráfica de la recta del
transistor donde se muestre los diferentes puntos de trabajo del
transistor.
Proteus
BETA IB(mA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
150 6,5
+50%
+100%
 Tabla n°3
4.Repita el inciso 1,2 y 3, ahora aplicado a una P. con
Retroalimentación.

5.Compare los resultados de las diferentes tablas y calcule el porcentaje

de error de cada una con respecto al teórico.
%e:((teo-prac)/teo)(100)

Observaciones: Se debe diseñar un programa en Matlab para las

cuatro polarizaciones.

Puntos extra:

 Diseño de interface en Matlab Guide +2

 Graficas automáticas del punto Q en Matlab +2
 Programa en Excel con graficas +2
 Video de montaje físico de polarizaciones +5

Estos puntos se sumarán a los puntos tomados en clase, su

valor será 1 decima para la nota del parcial.

7. Nivel de Riesgo

La práctica de laboratorio presenta un nivel de riesgo bajo, se recomienda

preguntar al docente encargado ante cualquier duda en la conexión de los
componentes para evitar descargas eléctricas debidas a malas conexiones

8. Bibliografía

Principios de Electrónica, MALVINO Albert P. Cuarta, quinta y sexta edición,

España, 1999
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