Introducere în electronică.......................................................................................

2
Cap. II. Elemente de circuit.........................................................................................4
II.1 Rezistorul..........................................................................................................4
II.2 Condensatorul...............................................................................................4
II.2.1 Vectorii asociaţi tensiunii si curentului....................................................5
II.2.2 Puterea instantanee....................................................................................6
II.2.3 Variaţia in timp a energiei acumulate in câmpul electric..........................6
II.3 Bobina................................................................................................................8
II.3.1 Vectori asociaţi tensiunii si curentului......................................................8
II.3.2 Puterea activa............................................................................................9
II.3.3 Variaţia in timp a energiei magnetice.......................................................9
II.4. Dioda...............................................................................................................11
II.4.1 Modelul diodei cu sursă ideală de tensiune.............................................13
II.4.2 Modelul diodei pentru semnal mic..........................................................14
II.4.3 Dioda semiconductoare...........................................................................16
II.4.3.1 Caracteristica statică.............................................................................16
II.4.3.2 Mecanismul microscopic al funcţionării unei diode semiconductoare 17
II.4.4 Dioda Zener.............................................................................................17
II.4.5 Dioda Tunel.............................................................................................18
II.5 Tranzistorul cu amplificator.........................................................................18
II.5.1 Funcţionarea tranzistoarelor npn...................................................................19
II.5.1.4 Polarizarea simultană a celor două joncţiuni........................................20
II.5.2 Funcţionare tranzistoarelor pnp...............................................................20
II.5.3 Simboluri.Tehnologie.Funcţionarea tranzistorului conectat într-un circuit.21
II.5.4 Tipuri de conexiuni.................................................................................22
II.5.5 Circuitul echivalent al tranzistorului la semnale mici.............................23
Cap.III. Dispozitive optoelectronice semiconductoare...........................................24
III.1 Fenomene fizice care stau la baza funcţionări dispozitivelor
optoelectronice....................................................................................................24
III.1.1 Interacţiunea radiaţiei electromagnetice cu corpul solid.......................24
Absorbţia radiaţiei electromagnetice în corpul solid........................................24
III.1.2 Recombinarea radiativă purtătorilor de sarcină în corpul solid.Emisia
radiaţiei luminoase în semiconductoare...................................................................26
III.2 Tipuri de dispozitive optoelectronice........................................................27
III.2.1 Fotorezistenţa.........................................................................................27
III.2.2 Fotodioda...............................................................................................28
Fotodioda..........................................................................................................29
III.2.3 Fotoelementul........................................................................................29
III.2.4 Fototranzistorul......................................................................................30
III.2.5 Fototiristorul..........................................................................................31
III.2.6 Dioda electroluminescentă (LED).........................................................31
III.2.7 Fotocuplorul...........................................................................................32
Cap. IV. Simularea numerică a circuitului.........................................................34
IV.1 INTRODUCERE......................................................................................34
IV.2. Instrucţiuni utilizate în Pspice.................................................................40
Cap. V. Protecţia Muncii......................................................................................48
BIBLIOGRAFIE........................................................................................................53

1
 Introducere în electronică

Azi, ştiinţa si tehnologia electronicii face ca ,computerele să funcţioneze.

Aceste aparate execută calcule complexe in fracţiuni de secunda si care ceva timp in
urma presupuneau ore întregi de lucru cu cifrele .Pasul de la magnetism la electricitate
si electronica a fost uriaş. Aceasta experimentare ne-a permis noua sa lansam vehicule
spaţiale care luau monstre despre planete depărtate si ne transmiteau imagini cu
privire la luna lor. Aşa ca noi putem spune ca finalmente efectele magnetismului ne-a
îndreptat pe noi spre astre.
Busola:
Finalmente folosirea zăcământului (minereului) ca si busola a devenit important: de
exemplu poate fi montat intr-un vagon. Busola –minereu poate fi făcută sa se întoarcă
uşor cu precizie ca unul dintre capete sa arate Nordul. Acest tip de material feros are
polii permanenţi .Un capăt întotdeauna arata nordul si celălalt sudul. Mai târziu
experimentele au arătat ca polii identici se resping si polii diferiţi se atrag acest
concept sta la baza magnetismului.
Busolele au fost folosite de comandanţii militari in timpul Dinastiei Han , o grupare
conducătoare care a consolat China. Pietrele minereu nu au fost folosite in navigaţia
vapoarelor .Abia in sec. al -XIII-lea navigatorii chinezi au folosit busola pentru prima
data. Ei pana atunci descoperiseră ca un ac poate fi magnetizat si folosit intr-o busola
prin frecarea lui cu piatra minereu.
Navigatorii arabi au văzut avantajele busolei, le-au adaptat si le-au adus in Europa.
Aceasta a rezultat in marea perioada de exploatare europeană. Pentru prima data marii
navigatori au putut uşor sa-si găsească calea pe mari fără sa se ghideze de ţărm.
Christofor Columb a folosit busola fără îndoială când a părăsit Spania încercând sa
găsească o cale , o ruta mai uşoară pentru a ajunge in India. Aceasta a dus la
descoperirea Americii.
William Gilbert:
Studiul efectelor magnetismului au continuat darn u s-au făcut progrese remarcate
pana la William Gilbert 1540-1603.El a trăit in Anglia in timpul lui Shakespeare si a
fost unul din doctorii reginei Elisabeta.Ca si mulţi alţi doctori ai vremii sale , Gillbert
a fost deosebit de interesat de magnetism . el a ajuns la concluzia ca din timp ce
magnetismul avea efecte asupra obiectelor , el putea avea puteri vindecătoare si pentru
corpul uman.
El a descoperit ca multe substanţe alături de chihlimbar puteau atrage obiecte foarte
uşoare darn u toate dintre ele puteau atrage obiecte in acelaşi grad . El a descoperit şi
alte importante fapte in timpul studiilor sale , şi ca nu căldura degajata prin frecare
făcea chihlimbarul să atragă obiecte foarte uşoare ci fricţiunea.
Ben Franklin:
In jurul anului 1746 un profesor din Europa si-a extins lecturile pe tema electricităţii
in coloniile americane . Benjamin Franklin (1706-1790)era curios cu privire la orice .
Se spune ca a pornit prima revista in tara sa . El a inventat cuptorul care-i poarta

2
numele . El a pornit prima biblioteca circulanta si prima societate ştiinţifică . El a fost
de-asemenea ambasadorul Americii in Franta.Ca rezultatul propriilor experimente
Franklin a concluzionat ca existau doua tipuri de electricitate : pozitiva sau plus(+) si
negative sau minus(-).A spus ca electricitatea nu a fost creata prin frecarea unui tub de
sticla ci era doar transferata . El a continuat cu afirmaţia ca atunci când un obiect ne
electrizat era frecat făcea unul dintre doua lucruri . Ori câştigă electricitate si ajungea
la starea pozitiva oi pierdea ceva din fluidul electric lăsând obiectul intr-o stare
negative . Aceasta idee ca electricitatea putea fi creată sau distrusă a fost foarte
importantă.
Benjamin Franklin a fost un experimentator serios si a făcut multe descoperiri
valoroase . El s-a făcut cel mai bine cunoscut pentru experimental sau cu zmeul de
hârtie .In 1752 Franklin si-a înălţat zmeul intr-o zi in care o furtuna era pe cale sa
izbucnească .In partea de sus a zmeului el a poziţionat un cablu îndreptat spre cer .La
celalalt capăt al atei (frânghiei) el a legat o cheie metalica . Când a început sa ploua
aţa uda a început sa conducă electricitatea .A fost un noroc pentru Franklin ca nu s-a
produs atunci si fulgerul.
Bateria lui Volta:
Alecsandro Volta 1745-1827 profesor de fizica la universitatea italiana , a avut o idee
diferită cu privire la originea electricităţii. Volta este cunoscut ca si inventatorul pilei
voltaice , in mod obişnuit cunoscuta sub numele de baterie . Pe data de 20 martie 1800
Volta a trimis o scrisoare in societatea regala din Londra descriind descoperirea sa . El
a creat un ansamblu din zinc si discuri de cupru cu hârtie sau discuri de piele intre
ele . Volta a umezit discul din mijloc intr-o soluţie sărată sau acid uşor precum oţetul
sau sucul de lămâie .El a construit un ansamblu înalt alternând zincul . hârtia si
discurile de cupru si a demonstrate prezenta voltajului electric.
Coulomb si Faraday:
Charles de Coulomb 1736-1806 a fost prima persoana care a măsurat cantitatea de
electricitate si magnetism generate intr-un circuit . Până atunci numai fluxul de
electricitate nu si cantitatea au putut fi defectate . El a inventat câteva tipuri de
instrumente pentru măsurarea cantităţilor electrice.
Michael Faraday 1791-1867 a fost la origine un constructor de instrumente. Când
Faraday a ajuns la vârsta de 29 de ani el a început o serie de experimente in ce
priveşte legătura dintre electricitate si magnetism . Munca lui de pionierat a constat in
a înţelege cum funcţionează curenţii electrici . Experimentele sale au stat la baza
multor invenţii practice precum motorul , generatorul , transformatorul , telegraful si
telefonul , dar acestea au apărut cu 50 pana la 100 de ani mai târziu . Faraday a creat
cuvinte precum : electrod , anod , catod si ion ca sa descrie munca lui .Noi încă
folosim aceşti termini astăzi in electricitate si electronică.

3
 Cap. II. Elemente de circuit
II.1 Rezistorul

Rezistorul este elementul de circuit care are tensiunea la borne proporţionala

cu intensitatea curentului, oricare ar fi valoarea curentului. Factorul de
proporţionalitate este rezistenta R a rezistorului este :
U=RI pentru orice I
Conductanţa G a unui rezistor este mărimea inversa rezistentei :
I
G
R
Simbolul grafic al rezistorului si caracteristica tensiune-curent (o dreapta care trece
prin originea axelor )

I
U

G
U R

I U
0

0
U=RI Fig.II.1
I=GU

`Rezistorul este un element pasiv : puterea

U2
PR  IU  RI 2  GU 2 
R
este întotdeauna pozitiva , fiind efectiv primita pe la borne .

Rezistorul nu funcţionează decât ca receptor de energie electrica .Puterea

primita la borne se regăseşte sub forma de căldura dezvoltata in unitatea de timp , prin
efect Joule.

II.2 Condensatorul
In regim sinusoidal condensatorul cu tensiune la borne u U 2 sin (t   )
este străbătută de curentul sinusoidal .

4
 Prin urmare , valoarea efectiva a curentului este
I  CU
si faza iniţială are expresia

 
2
Mărimea
1
 XC
C
este reactanţa capacitiva
Concluzi:
Pentru un condensator ideal rezulta ca:

- curentul este defazat înaintea tensiunii cu radian
2
- valoarea efectiva a curentului este egala cu valoarea efectiva a tensiunii împărţită la
modulul reactanţei capacitive
Observaţii
- în curent continuu curentul prin condensator este nul. Condensatorul reprezintă deci
o întrerupere de circuit
- în curent alternativ, la o tensiune aplicata la borne, dată, curentul prin condensator
este determinat de reacţia sa. Reactanţa unui condensator ideal este invers
proporţională cu frecvenţă. De aceea condensatorul ideal blochează trecerea
curentului la frecvenţe joase si reprezintă un scurt circuit la frecvenţe înalte

U0
i
C i
-/2

0 t

II.2.1 Vectorii asociaţi tensiunii si curentului

u  U 2 sin ( t   )‫۽‬ U : U /  ;

i  I 2 sin(t     / 2  I : I /    / 2

5
 
Vectorul curent I este rotit cu unghiul /2 in sens trigonometric (înainte) fata de
vectorul tensiune U aplicata la borne.
  
La

un condensator U  I si curentul I este defazat cu unghiul /2 radian înaintea lui
U .
II.2.2 Puterea instantanee
Schimbata de condensator pe la borne are expresia :
p  ui  CU 2 2 sin(t   ) cos(t   )  CU 2 sin 2(t   )
si oscilează cu frecvenţa unghiulara 2 in jurul valori nule ca si la o bobina .
In concluzie, pentru un condensator :
- puterea activa este nula
- puterea reactiva capacitiva definita , pana la semn , ca amplitudine a puterii
instantanee oscilante ,este :
1 2
QC  U 2 / X C  X C I 2   I
C
II.2.3 Variaţia in timp a energiei acumulate in câmpul electric
Puterea reactiva capacitiva este proporţională cu valoarea medie pe o perioada
a energiei acumulate in câmpul

electric al condensatorului:
QC  2We
unde
 1 1
W  Cu~ 2  CU 2
u,i 2 2
ca si când condensatorul ar avea între armături o tensiune continuă egala cu valoarea
u 2a tensiunii alternative.
efectiva u
I 2

/2  3/2 2
0  t
I
p 

2

Axa de referinta

 2/ t
0 T/4 T/2 t

We


2

0 T/4 T/2 3T/ T 6 t

II.3 Bobina

7
 Sa consideram o bobina .In regim sinusoidal bobina străbătuta de curentul
sinusoidal i  I 2 sin(ti   ) are tensiunea la borne:
di 
uL  L  LI 2 cos(t   )  LI 2 sin(t    )
dt 2
Prin urmare , valoarea efectiva are tensiunii u L este
U L  LI
si faza iniţială are valoarea

  
2
Mărimea
L  X L
se numeşte reactanţa inductiva .Simbolul reactanţei este X. Reactanţa se măsoară in
ohmi ca si rezistenta.
Concluzi privitoare la bobina :

- curentul este defazat in urma tensiuni la borne cu radiani
2
- valoarea efectiva a curentului este egala cu valoarea efectiva a tensiunii la borne
UL
împărţită la reactanţa bobinei ( I  ).
XL
Observaţii. 1) In curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este
nula , deoarece derivata unei mărimi invariabile in timp este nula (viteza ei de variaţie
este nula ) . Se spune ca pentru curentul continuu bobina reprezintă un scurtcircuit.
2)In curentul alternativ la o tensiune la borne data , curentul este limitat de reactanţa
bobinei , care este proporţională cu frecventa. De aceea o bobina blochează trecerea
curentului la frecvenţe înalte si reprezintă un scurtcircuit la frecvente suficient de
joase.
3) Reactanţa bobinei nu are sens decât in curent alternativ (in regimul in care este
definita ).

II.3.1 Vectori asociaţi tensiunii si curentului

 
u L  U L 2 sin(t    ) U L : U L /  / 2   ;
2

iI 
2 sin(t   )  I : I /

Vectorul U este rotit cu unghiul / rad in sens trigonometric fata de vectorul I .la
bobina curentul este defazat cu / 2rad in urma tensiunii (respectiv tensiunea este
defazata cu /2 înaintea curentului)

II.3.2 Puterea instantanee la bornele bobinei are expresia :

p  ui  2LI 2 2 sin(t   ) cos(t   )  LI 2 sin 2(t   )
si este variabila sinusoidal in timp , de frecvenţa dubla .

8
 II.3.2 Puterea activa.
Pe durata unei perioade , intr-o semiperioada puterea instantanee este primita
de bobina , iar in semiperioada imediat următoare puterea instantanee este cedata de
bobina spre exterior .(de exemplu sursei la care este conectata ). In medie, pe o
perioada energia primita pe la borne este nula . Puterea activa este deci de asemenea
nula. In bobina nu au loc transformări inversabile ale energiei in căldura .
Bobina nu este numai un consumator de putere activa ; ea schimba energia cu
exteriorul .Putem caracteriza acest schimb de energie prin amplitudine puterii
instantanee (care este oscilata ).Numim aceasta mărime puterea reactiva inductiva ;
Q L  LI 2  X L I 2
Puterea reactiva are simbolul Q . Ea se măsoară in var ( volt-amper-reactiv ).

UL
i
i
UL  
L UL  I
 Axa de referinta
0 t
2

 I
2

II.3.3 Variaţia in timp a energiei magnetice

1
Wm (t )  LI 2
2
Atunci când puterea instantanee este negativă , de exemplu în intervalul (T/4;T/2),
energia magnetică acumulată in bobină scade la zero de la valoarea maximă LI 2 ,
egală cu aria haşurată de sub graficul puterii instantanee. Atunci când puterea
instantanee este pozitivă, în intervalul (T/4;T/2), energia magnetică acumulată creşte
de la zero la valoarea maximă. În acest interval bobina primeşte energie. Bobina
schimbă energia pe la borne fără a o consuma ; cea ce primeşte într-un interval cu
durata T/4 se cedează în intervalul imediat următor. Valoarea medie în timp , pe o
perioadă , a energiei magnetice este însă:
 1 ~ 1
Wm  L i 2  LI 2
2 2

9
ca şi când bobina ar fi parcursă de un curent continuu cu intensitatea egală cu valoarea
efectivă a curentului alternativ.
Comparând expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii,
constatăm că;
~
Q  2W
ceea ce arată că puterea reactivă inductivă este proporţională cu valoarea medie pe o
perioadă a energiei magnetice acumulate in câmpul magnetic al bobinei.

L
i
u,i
U
u 2 U
=0
I 2
i

 3/2
0 /2 2 t

UI

2 t
T/4 
0 T/2 T t
Wm

~ 1
Wm  LI 2
LI 2 2

t
0 T/4 3T/4 t

II.4. Dioda

O diodă cu joncţiuni prezintă pentru un sens al curentului o rezistenţă statică

foarte diferită , de cea pe care o prezintă pentru curent în sens opus.

10
 Curentul invers al diodelor cu germaniu este din aceasta cauză de ordinul
microamperilor , iar curentul direct de ordinul miliamperilor . În plus ….0,7 V , faţă
de tensiunile sânt mai mari in comparaţie cu curentul invers, iar tensiunile sânt mari în
comparaţie cu tensiunea de polarizare directă, dioda poate fi modelată prin ecuaţiile;
u A  0, pentru  i A  0
i A  0, pentru  u A  0
În acest model simplificat se neglijează căderea de tensiune în conducţie
directă şi curentul în conducţie inversă. Modelul diodei definit de relaţiile de mai sus
corespunde diodei ideale şi reprezintă un exemplu de liniarizare pe porţiuni a
caracteristici statice .
Joncţiunea p-n se poate reprezenta prin contactele unui întrerupător care
trebuie considerat închis când dioda conduce si deschis când dioda este blocată. Altfel
spus, rezistenţa diodei este nulă când dioda conduce şi infinită când dioda este
blocată.

lA

0 uA

R
R

U1 U2
a E
U2
U1 E
+
-

U1
11 E
U2
b
 U2
U2
E

E’
U1 E U1

U2
U1
E T

2T

t
0 T 2T t

b c
II.4.1 Modelul diodei cu sursă ideală de tensiune

Deoarece curentul de saturaţie I s  este mult mai mic decât curentul în conducţie
directă, ecuaţia caracteristicii statice

12
  u  
i A  I s exp A   1
  uT  
unde
kT 11600
uT  
e T
se poate aproxima prin
u 
i A  I s exp A  .
 uT 
Observăm că tensiunea anodică trebuie să ajungă la câţiva zeci de volţi pentru
ca curentul anodic să ajungă la valori notabile. Există deci o tensiune de prag peste
care curentul anodic creşte rapid cu tensiunea anodică. Creşterea curentului anodic
raportată la creşterea tensiunii este :
di A I u  1
 s exp A   iA
du A uT  uT  uT
De aici rezultă rezistenţa dinamică a diodei,
du u
rd  A  T
di A iA
o mărime pozitivă dependentă de curentul anodic. Pentru un punct static de
funcţionare (PSF) in care curentul este de 50 mA , rezistenţa dinamică este :
25mV
rd   0.5
50mA
Caracteristica statică a diodei cu germaniu poate fi liniarizată pe porţiuni ,
respectiv:
i A  0 pentru  u A  0.4V
1
iA ' (u B  0,4) pentru  u A  0,4V
rd

iA

UA +
- U0  0,4V
rd '0,5

C
Pentru tensiuni anodice inferioare tensiunii de prag, dioda se prezintă ca un
întrerupător deschis : la tensiuni anodice peste valoarea de prag , dioda se modelează
printr-o diodă ideală în serie cu o sursă de tensiune de 0,4V şi cu o rezistenţă egală cu
rezistenţa dinamică determinată anterior.

13
 II.4.2 Modelul diodei pentru semnal mic
Modelul pe care-l prezentăm in continuare prezintă o mare importanţă pentru
numeroase aplicaţii tehnice. Vom analiza un circuit simplu care conţine ca element
neliniar o diodă semiconductoare.

R A  11 .10 RA

lA la
EA 0,7V
Ua
+ +
ea UA ea rd
-
-

a b

II.4.2.1 În regim static, adică in absenţa sursei de semnal cu tensiunea

alternativă sinusoidală
2
e a  14.1 2 sin t ( mV )
T
dioda funcţionează in PSF determinat de sursa de tensiune continuă cu t.e.m.
E A  0.7V
şi de rezistenţa de sarcină
R A  11 .1
Ecuaţiile care determină coordonatele PSF sânt:
EA  Ri A  u a

i B  f (u A )
La intersecţia dreptei de sarcină cu graficul caracteristici statice obţinem :
UA  0,43 V şi I A 24mA . Rezistenţa statică în PSF a diodei este:
U 0.43V
Rst  a   18
IA 24mA

I.4.2.2 În regim dinamic , la semnale mici(amplitudinea semnalul alternativ

este mult mai mică decât tensiunea anodică în PSF ) , teorema a doua a lui Kirchhoff
ne conduce la ecuaţia :
E A  ea  Ri A  u A
Tensiunea anodică poate fi scrisă sub forma :
u A  U A  u A
u A fiind componenta dependentă de timp a tensiunii sau variaţiei ei.

14
Pentru amplitudini mici ale semnalului , variaţia u A este o funcţie de timp
alternativă sinusoidală :
2
u A  U a 2 sin t
T
Curentul anodic la o valoare oarecare a tensiunii anodice se poate scrie sub forma
i A  f (U A  u A )  I A  i A
unde termenul al doilea al sumei este variaţia curentului anodic faţă de valoarea din
punctul static , variaţie dată de:
uA
i A 
rd
Introducând aceste mărimi în ecuaţia
E A  ea  Ri A  u A
se obţine
E A  ea  RI A  Ri A  U A  u A
Deoarece u A  rd i A şi E A  RI A  UA , după reducerea termenilor obţinem o
relaţie între variaţiile tensiunii şi curentului:
e A  Ri A  rd i A
sau notând pe i A = i a
e A  Ri a  rd in
care reprezintă teorema a doua a lui Kirchhoff pentru circuitul echivalent circuitului
iniţial la semnale mici .
În concluzie , circuitul echivalent la semnale mici se obţine astfel:
-se suprimă sursa de alimentare in c.c
-dioda se înlocuieşte prin rezistenţa dinamică calculată în punctul static .
Rezistenţa dinamică în punctul static se determină grafic cu relaţia de definiţie
respectiv:
rd 
du A

u A

 0.48  0.43V  5 k  1.25k.
di A
PSF
i m PSF
 0.28  0.24  mA 4
Componenta alternativă a curentului anodic este deci :
2
14.1 2 sin t
ea T 2t
ia    11 .1 2 sin A
Ra  rd 11 .1  1250 T
adică un curent cu valoarea efectivă I a  11 .1A în fază de semnal aplicat.
Notaţiile utilizate notaţii standardizate ţi ca atare sânt obligatorii. Le amintim deci pe
fixare , urmărind si graficul.
I AU A sânt mărimi constante în timp care determină PSF

i A u A sânt variaţiile curentului şi tensiunii la bornele elementului neliniar faţă de

valorile din PSF
I aU a sânt valori efective ale acestor variaţii :
2
i a  I a 2 sin t
T
2
u a  U a 2 sin t
T
i Au A sânt valorile ,,totale” , respectiv suma între mărimile de c.c din PSF şi
variaţiile lor in regim dinamic :

15
 i A  I A  i A  I A  i a
E A este t.e.m a sursei de curent continuu pentru fixarea PSF ;
e a este t.e.m a sursei de semnal , de valoare efectivă E , respectiv
2
ea  E a 2 sin t  E a 2 sin t
T

II.4.3 Dioda semiconductoare

II.4.3.1 Caracteristica statică

Dioda semiconductoare sau joncţiunea p-n este un dispozitiv electronic cu
două borne de acces . În unul dintre sensuri de la semiconductorul de tip p către
semiconductorul de ti n , pe care-l denumim sens direct , dioda conduce bine curentul ,
prezentând o rezistenţă electrică mică. În sensul opus , de la semiconductorul de tip n
la cel de ti p (sens invers) , dioda conduce rău curentul, prezentând in consecinţă o
rezistenţă electrică mare . Această proprietate a diodei semiconductoare se ilustrează
pe caracteristică statică unde s-a folosit scări grafice diferite . Sensul curentului prin
diodă este opus sensului iniţial şi de valoare mult mai mică . Pentru măsurarea acestui
curent este prevăzut in circuit un microampermetru de c.c (A).

A I p nl A C AlA pn I C

UA UA

+ +
- -
mA A
Ed El
u A   Ed u A   El
iA  I iA  I
II.4.3.2 Mecanismul microscopic al funcţionării unei diode
semiconductoare

Semiconductoarele sânt materiale cristaline care în stare pură prezintă o

conductivitate electrică foarte mică . Germaniu şi siliciu , care sânt cele mai larg
utilizate în tehnică , au la temperatura ambiantă (300k) rezistivităţi mult mai mari
decât ale metalelor (Ge=0,44*m). Ele sânt elemente tetravalente . Cei patru
electroni de valenţa ai unui atom intră în legături covalente cu atomii vecini . Stratul
de valenţă al fiecărui atom va avea astfel opt electroni şi practic nu vor exista electroni
liberi .
Rezistivitatea semiconductoarelor scade apreciabil prin impurificarea cu
atomi ai altui element chimic .

16
 II.4.4 Dioda Zener

Caracteristica statică la polarizare în sens direct este identică cu a unei diode

obişnuite . La polarizarea joncţiunii in sens invers , caracteristica prezintă o porţiune
abruptă situată la tensiunea u  U z , unde o variaţie mică a tensiunii provoacă o
variaţie mare a curentului fără ca dioda să se străpungă . Datorită acestei proprietăţii ,
dioda Zener se utilizează în redresoarele stabilizatoare de tensiune (surse de c.c
stabilizate )

i A (mA)

iA 150

100
uA
50
-10 -5 u A (V )
0 1 0,5 1,5
-5
U2 -10
-15
-20
-25
-30
A

II.4.5 Dioda Tunel

Dioda tunel este o diodă semiconductoare , a cărei caracteristică statică nu

este însă în permanenţă ascendentă , în sensul că pentru anumite valori ale tensiuni
curentul descreşte când tensiunea creşte. În acest domeniu al tensiuni de polarizare
dioda tunel prezintă o rezistenţă dinamică negativă , proprietate folosită în tehnica
generări de oscilaţii sinusoidale.

II.5 Tranzistorul cu amplificator

17
 Studiul fenomenelor dint-o joncţiune pn este extrem de util pentru înţelegerea
funcţionări tranzistorului .
Tranzistorul constă din două joncţiuni pn , una polarizată în sens direct şi
cealaltă polarizată invers . Cele două joncţiuni npn ţi pnp sânt astfel denumite după
poziţia relativă a semiconductoarelor de tip n şi p : tranzistorul npn prezintă două
regiuni de ti n separate printr-o regiune de tip p , în timp ce în tranzistorul pnp
regiunea de tip n este încadrată de două regiuni de tip p .
Deoarece purtători de sarcină majoritari şi minoritari sânt diferiţi în cele două
tipuri de materiale semiconductoare, mecanismul intern al conducţiei curentului în
cele două tipuri de tranzistoare este diferit .

n p n

Joncţiuni

p n p

II.5.1 Funcţionarea tranzistoarelor npn

Tranzistorul are cele doua joncţiuni polarizate diferit.

II.5.1.1. Joncţiunea polarizata in sens direct .Sunt necesare precizările
referitoare la concentraţia relativa a atomilor de impurităţi in materialele joncţiunii.
Semiconductorul de tip n al joncţiunii polarizate in sens direct este impurificat, mai
puternic decât semiconductorul de tip p. Pentru acest motiv , curentul prin joncţiune
este datorat in principal traversării ei de către purtătorii majoritari ai regiunii de tip n
(electroni) şi nu de către ai celei de tip p (goluri)
II.5.1.2.Notă . Disproporţia între numărul de purtători de fiecare tip ce
traversează joncţiunea nu este importantă în funcţionarea diodei , dar are mare
importanţă în funcţionarea trazistorului .
II.5.1.3.Joncţiunea polarizată în sens invers a mai fost examinată cu ocazia
studiului conducţiei curentului în diodă semiconductoare . Am văzut atunci că
joncţiunea polarizată în sens invers este traversată de un curent destul de mic (curentul

18
invers ) , datorat deplasări purtătorilor minoritari . Pentru joncţiunea pn aceştia sânt
electroni din regiunea p şi golurile din regiunea n .

+
n
-

Goluri

n
+
+ + + Joncţiune
- polarizată
invers
- - -
p

n
Electoni
II.5.1.4 Polarizarea simultană a celor două joncţiuni

Aţa cum am arătat , joncţiunea polarizată în sens direct este traversată de

electroni injectaţi din regiunea de tip n către cea de tip p. Regiunea de ti p în care
pătrund aceşti electroni este totodată regiune de tip p pentru joncţiunea polarizată în
sens invers . În regiunea p sânt disponibili pentru conducţie ce mai mare parte dintre
electronii veniţi din regiunea n (excepţie fac doar cei care se combină cu golurile din
această regiune )ţi purtători minoritari si joncţiuni polarizate în sens invers .
Electroni au tendinţa să se deplaseze în sensul în care potenţialul electric creşte
(energia lor potenţială descreşte ) , sens impus de polaritatea sursei de curent continuu
care polarizează cea de-a doua joncţiune .
Prin modificarea tensiuni de polarizare se modifică debitul de electroni ce
traversează joncţiunea polarizată în sens direct ,deci numărul de electronii disponibil
pentru conducţia curentului prin joncţiunea polarizată în sens invers .

19
 Mecanismul intern al conducţiei curentului în tranzistorul npn va ieşi şi mai
pregnant în evidenţă când tranzistorul va fi considerat element de circuit .

+ n
-
Joncţiune
polarizată
p
invers

Joncţiune
+ polarizată
- Electroni invers
n

II.5.2 Funcţionare tranzistoarelor pnp

Funcţionarea tranzistorului pnp este similară cu cea a tranzistorului npn , cu

deosebirea că purtători majoritari sânt golurile din regiunea de tip p a joncţiuni
polarizate în sens direct .
II.5.2.1 Joncţiunea polarizată în sens direct . Semiconductorul de tip p al
aceste joncţiuni este dopat mai puternic decât cel de tip n şi deci curentul de goluri
este predominant în raport cu cel de electroni.
II.5.2.2 Joncţiunea polarizată in sens invers . Curentul este datorat deplasări
purtătorilor minoritari , respectiv a golurilor ce trec din regiunea n şi a electronilor ce
trec din regiunea p.
II.5.2.3Acţiunea simultană a celor două joncţiuni. Are în principiu aceleaşi
consecinţe ca şi în cazul tranzistorului npn . În cazul tranzistorului npn, prin
joncţiunea polarizata in sens direct se injectează goluri din regiunea n.
Odată ajunse în regiunea n , golurile sânt disponibile pentru conducţia
curentului prin joncţiunea polarizată in sens invers , împreună cu purtători minoritari
ai aceste regiuni . Numărul relativ al golurilor care se recombină în regiunea n cu
electronii (purtători majoritari ai aceste regiuni ) este destul de mic datorită grosimi
mici a acestei regiuni în raport cu cea a reginilor care o încadrează.

20
 II.5.3 Simboluri.Tehnologie.Funcţionarea tranzistorului conectat
într-un circuit

Joncţiunea polarizata în sens direct este joncţiunea emitor-baza.

Joncţiunea baza-colector este polarizata în sens invers. Regiunea emitor este denumita
astfel datorita funcţiunii pe care o îndeplineşte ; ea emite purtătorii majoritari prin
joncţiunea polarizată în sens direct .Aceşti purtători sânt în marea lor majoritate
colectaţi de regiunea tranzistorului numit colector .Regiunea dintre emitor si colector
poarta numele de baza în sensul de suport pentru cele două materiale de acelaşi tip
care o încadrează.
Pentru tranzistorul npn, unde purtătorii majoritari sunt electronii, deplasarea
lor prin conductoarele exterioare este o continuare a deplasării interne.
In tranzistorul pnp, conducţia internă este conducţie de goluri. Conducţia
curentului în conductoarele exterioare este o conducţie electronică. Din acest motiv,
sensul deplasării electronilor în aceste conductoare este opus sensului deplasării în
interior a golurilor.
Sensul curentului prin conductoare coincide aşadar cu sensui de deplasare în
interior a golurilor.
Curenţi prin conductoarele exterioare satisfac relaţia:
I E  I B  I G'
care este o consecinţă a legii conservării sarcinii în regim staţionar. Curentul
de emitor se divide în curentul de colector şi curentul de bază. La rândul său
curentul de colector este dependent de curentul de bază. Cu cât debitul purtătorilor
majoritari injectaţi în bază este mai mare ,cu atât curentul de bază este mai mare şi
în consecinţă este mai mare şi curentul de colector. Între cei doi curenţi există
relaţia:
I C  I B

pnp
RC npn
RC
iC
iB iB iC
EC EC
RB iE RB
iE
+ - - +
EB EB
npn pnp

21
 II.5.4 Tipuri de conexiuni

Când tranzistorul este folosit ca amplificator, semnalul de intrare se aplică

între două dintre cele trei terminale .Semnalul de ieşire va rezulta şi el între două
dintre cele trei terminale, aşa încât unul dintre terminale este comun.
Circuitele cu emitor comun se pot utiliza în funcţie de scopul urmărit şi alte
configuraţii; cu bază comună sau colector comun. Configuraţia fundamentală pentru
funcţiunea de amplificator este cea cu emitorul comun
Înainte de a prezenta structura circuitului de amplificare şi funcţiunile
elementelor sale, este necesară o prezentare a relaţiilor tensiune-curent pentru
tranzistorul cu joncţiuni, în conexiunea cu emitor comun.
II.5.4.1 Regim static .Fiind un element de circuit cu trei borne de acces,
starea statică a tranzistorului este determinată de curenţii prin borne i E , i B , iC şi de
tensiunile între borne u CE , u BE , şi u CB
Cei trei curenţi satisfac prima teoremă a lui Kirchhoff, aşa încât numai doi
dintre ei sânt independenţi. Tensiunile între borne verifică teorema a doua a lui
Kirchhoff:
u CB + u BE - u CE =0
deci numai două dintre ele sunt independente.
Mărimile care se aleg pentru caracterizarea stării de conducţie a
tranzistorului în configuraţia emitor comun sânt curenţii i B şi iC şi tensiunile u BE
şi u CE .Dintre aceste mărimi , două pot fi considerate variabile independente , iar
celelalte două-variabile dependente .Dacă variabilele independente sânt i B şi u CE
putem scrie relaţiile:
iC =f( i B ' u CE )
u BE =g( i B , u CE )
care definesc familiile de caracteristici statice de ieşire şi respectiv de intrare ale
tranzistorului.
Familia caracteristicilor de ieşire se determină experimental utilizând circuitul
în care sânt introduse instrumente de măsurat pentru curentul de bază . Pentru o
valoare dată a curentului i B se determină curentul de colector la valori
crescătoare ale tensiuni u CE . iC
mA

EC
npn
(12V )
EB iB
A V 10 K
(1.5V ) 1 M 
mV
iE

22
 II.5.4.2 Regim dinamic. Datorită faptului că tranzistorul este neliniar,
relaţiile dintre componentele variabile în timp ale tensiunilor şi curenţilor vor fi în
general neliniare şi numai în anumite condiţii aceste relaţii se pot liniariza , ceea ce
înseamnă că numai în anumite condiţii semnalul de ieşire va depinde liniar de
semnalul de intrare . O asemenea comportare prezintă o mare importanţă practică în
realizarea amplificatoarelor de semnal .

II.5.5 Circuitul echivalent al tranzistorului la semnale mici

Sursa de semnal , cu t.e.m alternativă sinusoidală, e  E 2 sin t , se

întoarce in circuitul de polarizare a bazei. În absenţa acestei surse tranzistorul se află
într-o stare statică determinată de t.e.m . E B şi E C şi de rezistenţele R B şiRC
.

II.5.1puterea statică de funcţionare se fixează în regiunea liniară a familiei

de caracteristici statice , aşa cum se va arăta în continuare . Fie I B , I C , U CE şiU BE
curenţi şi respectiv tensiunile în starea statică considerată .
Prezentarea semnalului alternativ sinusoidal modifică valorile curenţilor şi
tensiunilor în jurul valorilor din PSF . În acest nou regim , denumit regim dinamic ,
curenţii şi tensiunile se prezintă sub forma :
i B  I B  ib
iC  I C  i c
şi respectiv
u CE  U CE  u be
u BE  U BE  u be
unde se pun în evidenţă valorile din punctul static şi variaţiile ia , ic , u c şiu be faţă de
aceste valori . Variaţiile respective , în regimul dinamic la semnale mici sânt funcţii
sinusoidale de timp, cu frecvenţa egală cu frecvenţa semnalului . Ele mai pot fii scrise
astfel :
ib  i B  I B  i B ; ic  iC  I C  iC
Cap.III.Dispozitive optoelectronice semiconductoare

III.1 Fenomene fizice care stau la baza funcţionări

dispozitivelor optoelectronice

Sub denumirea de dispozitive optoelectronice sunt cuprinse acele dispozitive

care realizează operaţia de transformare a energiei electrice în radiaţie luminoasă (din
domeniul spectrului vizibil sau infraroşu ) sau operaţia inversă (de transformare a
radiaţiei electromagnetice în energie electrică ), în mod nemijlocit (direct) , precum ţi
cele care detectează radiaţia electromagnetică prin intermediul unor procese
electronice .
Dispozitivele care transformă energia electrică in radiaţie electromagnetică
indirect , spre exemplu prin intermediul proceselor termice ( cum se întâmplă în cazul

23
 becurilor electrice pentru iluminat ), nu se încadrează în clasa dispozitivelor
optoelectronice .
Dintre fenomenele fizice care stau la baza funcţionării dispozitivelor
optoelectronice semiconductoare se desprind , ca fundamentale :
- interacţiunea radiaţiei electromagnetice cu corpul solid
- recombinarea radiativă a purtătorilor de sarcină în corpul solid .
În cele ce urmează se vor prezenta fenomenele fizice pe care se bazează funcţionarea
acestei categorii de dispozitive .

III.1.1 Interacţiunea radiaţiei electromagnetice cu corpul solid.

Absorbţia radiaţiei electromagnetice în corpul solid

Dacă pe suprafaţa unei plăcuţe semiconductoare cade o radiaţie

electromagnetică, atunci din fluxul incident (P) o parte ( PR )se reflectă la suprafaţa
semiconductorului, iar restul pătrunde în interiorul(volumul) semiconductorului. Din
fluxul electromagnetic care pătrunde în interiorul semiconductorului (interiorul
plăcuţei semiconductoare) o parte ( PT ) traversează corpul solid continuându-şi
drumul mai departe , aşa cum se întâmplă în cazul unui filtru optic , şi corespunde
unui fenomen de transparenţă , iar o altă parte ( PA ) este reţinută , este absorbită de
corpul solid semiconductor respectiv. Din energia radiaţiei incidente(P) o parte ( PR
+ PT ) este regăsită în mediul înconjurător , iar o altă parte ( PA ) este reţinută de
corpul solid (revine corpului) , ca urmare a unui proces de absorbţie . Prin
intermediul componentei absorbite , între unda electromagnetică incidenţă şi corpul
solid are loc schimb de energie . Cu cât este mai mare componenta absorbită , cu atât
radiaţia incidentă cedează corpului solid o parte mai mare din energia sa. Preluarea
de energie , prin intermediul fenomenului de absorbţie a unei radiaţii de către un corp
solid , conduce la creşterea energiei interne a corpului şi poate antrena o serie
întreagă de fenomene , dintre care unele sunt exploatate la realizarea dispozitivelor
optoelectronice.
PR

PA
P PT

Fonon Fononi
hv hv
hv’ hv +p

-p

Fenomene fizice care pot avea loc în cazul absorbţiei radiaţiei electromagnetice de către un corp solid

Energia cedată corpului solid de radiaţia electromagnetică prin procesul de

absorbire este preluată atât de atomii din nodurile reţelei , contribuind la creşterea

24
energiei de vibraţie a acestora , cât şi de electroni , care sporindu-şi energia trec de pe
nivele energetice permise superioare . După cum în cazul unei unde electromagnetice
energia purtată de aceasta este constituită din cantităţi discrete , cantităţi elementare
de energie ; din cuante (cantitatea elementară de energie- cuanta- purtând denumirea
de foton ) , tot astfel în cazul corpului solid s-a trecut la cantitatea energiei de vibraţie
, respectiv corpusculul asociat undelor de vibraţie , purtând denumirea de fonon .
Conform acestui model , o dată cu creşterea energiei de vibraţie în reţeaua cristalină a
corpului cristalin apare un număr din ce în ce mai mare de fononi , cu libertate de
mişcare similară purtătorilor liberi ,în timp ce atomii din nodurile reţelei rămân
imobili . Dimpotrivă , pe măsură ce energia de vibraţie scade , scade şi numărul
fononilor din volumul corpului solid , respectiv un număr din ce în ce mai mare de
fononi dispar .
Astfel, se poate afirma că o parte din energia cedată corpului solid de radiaţia
electromagnetică , prin procesul de absorbţie , conduce la apariţia de fononi în reţeaua
cristalină , iar o altă parte este (poate fi ) preluată chiar de către electroni de valenţă
care , primind surplusul de energie necesar , părăsesc legăturile respective dând
naştere la purtători liberi de sarcină .
Absorbţiile (şi fenomenele ) utile pentru realizarea de dispozitive
optoelectronice sunt cele in urma cărora se generează purtători de sarcină liberi .
Fenomenul fizic corespunzător cazului în care absorbţia radiaţiei este însoţită de
ionizarea atomilor reţelei şi crearea de purtători de sarcină liberi poartă denumirea de
efect fotoelectric.
Dacă energia pe care fotonii o comunică electronilor în procesul de ionizare a
atomilor este mai mare decât energia de legătură a electronilor în corpul solid (decât
lucrul de ieşire ) , atunci ca urmare a absorbţiei radiaţiei se emit electroni , fenomenul
purtând denumirea de emisie fotoelectronică sau efect fotoelectric extern .
Dacă energia pe care fotoni o comunică atomilor doar la ruperea unor legături
din reţeaua cristalină , respectiv la crearea de purtători de sarcină liberi în corpul
solid , fenomenul poartă denumirea de efect fotoelectric intern.
Acest fenomen poate avea loc doar în cazul corpurilor semiconductoare sau
izolatoare. În cazul unui semiconductor pur ,preluarea energiei fotonilor de către
electronii de valenţa , antrenând ruperea legăturilor covalente şi trecerea electronilor
din banda de valenţă în banda de conducţie , conduce la apariţia de perechi electron-
gol. Acest mod de absorbţie a energiei radiaţiei incidente de către solidul
semiconductor poartă denumirea de absorbţie intrinsecă. În acest caz, energia
fotonului trebuie să fie mai mare decât lărgimea benzii interzise a semiconductorului.
Îndeplinind această condiţie , pe lângă perechea electron-gol se mai generează
şi fononi. În cazul semiconductoarelor cu impurităţi are loc o absorbţie datorată
impurităţilor , fenomen care constă în ionizarea atomilor de impuritate , donori sau
acceptori , pe seama energiei fotonilor radiaţiei electromagnetice incidente .
Deoarece la temperatura ambiantă toate impurităţile sunt deja ionizate pe cale termică
(pe seama energiei interne a corpului solid) , un asemenea fenomen nu poate fi
exploatat decât la temperaturi mai coborâte (sub 70 k , la care impurităţile nu sunt
ionizate pe cale termică) . Dispozitivele optoelectronice care folosesc acest tip de
absorbţie lucrează la temperaturi coborâte . În afara proceselor de absorbţie
menţionate mai există absorbţia datorată purtătorilor mobili de sarcină din
semiconductor , corespunzătoare interacţiunii dintre fotonii radiaţiei electromagnetice
incidente şi aceşti purtători , proces în urma căruia energia fotonilor este preluată de
purtătorii mobili , contribuind la creşterea energiei cinetice a acestora . Deoarece
pentru radiaţii infraroşii coeficientul de absorbţie este direct proporţional cu

25
concentraţia purtătorilor mobili , acest fenomen este exploatat la realizarea
modulatoarelor de radiaţie infraroşie. Absorbţia intrinsecă , absorbţia datorată
impurităţilor şi absorbţia datorată purtătorilor mobili constituie fenomene cu
aplicaţii practice , exploatate la realizarea dispozitivelor optoelectronice . Fată de
acestea , absorbţia reţelei şi absorbţia excitonică , sunt considerate şi poartă denumirea
de absorbţii parazite , deoarece irosesc din energia radiaţiei incidente fără a vputea fi
exploatate în scopuri practice

III.1.2 Recombinarea radiativă purtătorilor de sarcină în corpul

solid.Emisia radiaţiei luminoase în semiconductoare

Primind un surplus de energie , pe o cale oarecare electronii trec de pe nivele

energetice permise inferioare pe nivelele energetice permise superioare , eventual din
stare legată în stare liberă. După un timp oarecare de experienţă în această stare ei îşi
pierd surplusul de energie , revenind pe nivele energetice permise inferioare , ca
urmare a procesului cunoscut de recombinare . În procesul de recombinare purtătorii
cedează o parte din energia de care dispun , cel mai adesea (în favoarea ) reţelei ,
contribuind la sporirea numărului de fononi . În anumite cazuri , procesul de cedare a
energiei este însoţit de un fenomen de recombinare radiativă a purtătorilor de sarcină ,
situaţie în care surplusul de energie cedat conduce la emisia de fotoni , reţelei
revenindu-i numai o parte din energia cedată. Acest fenomen de emisie a radiaţie
luminoase în semiconductoare poartă numele de luminiscenţa semiconductoarelor .
Din consideraţiile precedente rezultă că fenomenul de luminiscenţă este
consecinţa unui proces de conversie a energiei , proces în cursul căruia energia
transmisă purtătorilor de sarcină este convertită în energie luminoasă , prin
mecanismul recombinării radiative . Acest proces se caracterizează printr-o fază de
excitaţie , în care purtătorilor li se injectează surplusul de energie necesar şi o fază de
dezexcitaţie , în care purtătorii eliberează sub formă de fotoni , respectiv ca radiaţie
luminoasă , energia preluată . Dacă procesele de excitaţie- dezexcitaţie se
caracterizează prin constante de timp de ordinul a 10 8  10 5 luminiscenţa poartă
denumirea de fluorescenţă . În cazul unor constante de timp mult mai mari (secunde,
ore, zile) este denumită fosforescenţă . Materialele care se bucură de această
proprietate se numesc luminofori.

Provocarea fenomenului de luminiscenţă necesită într-o primă fază – cea de

excitaţie , generarea unei cantităţi de purtători de sarcină în exces , purtători care apoi,
într-o a doua fază –cea de dezexcitare , se recombină radiativ . Există multiple căi
(surse ) de excitaţie pentru inducerea fenomenului de luminiscenţă , iar luminiscenţa
poate apărea în forme variate .
În cazul dispozitivelor optoelectronice luminiscenţa este provocată fie prin
bombardarea cu un fascicul de electroni cu energii medii , când poartă numele de
catodoluminescenţă , fie prin aplicarea (intermediul) unui câmp electric , când poartă
numele de elecrtoluminescenţă.
În cazul electroluminescenţei există următoarele moduri de excitaţie :
-excitaţie intrisecă , observată la unele semiconductoare omogene impurificate cu
elemente activatoare . Fenomenul are loc în urma ionizării impurităţilor activatoare,
sub influenţa unui câmp electric alternativ de frecvenţă audio . Revenirea electronilor

26
pe nivele energetice permise introduse de elemente activatoare se face prin emisia de
fotonii. Fenomenul este caracteristic sulfurii de zinc (ZnS) , spectrul radiaţiei emise
fiind dependent de activatorii utilizaţi (Mn, Cu, Cl) ;
-excitaţie prin injecţie de purtători minoritari de sarcină , observată in cazul unor
joncţiuni pn polarizate direct . Emisia radiaţiei luminoase este rezultatul unor procese
de recombinare directă sau prin intermediul impurităţilor , în vecinătatea regiunii de
trecere . Spectrul radiaţiei emise este dependent de impurităţile activatoare utilizate.
-excitaţie prin multiplicare în avalanşă , în cazul căreia în regim de trecere a unei
joncţiuni pn , polarizate invers , la tensiune de străpungere, se cedează perechi
electron-gol ca urmare a fenomenului cunoscut de multiplicare prin avalanşă .
Purtători liberi astfel apăruţi se pot reconbina radiativ direct sau prin intermediul
impurităţilor ;
-excitaţie prin efect tunel , în cadrul căreia purtătorii liberi apar prin efect tunel .

III.2 Tipuri de dispozitive optoelectronice

III.2.1 Fotorezistenţa
Fotorezistenţa este un rezistor realizat dintr-un material semiconductor
omogen , a cărui rezistenţă se modifică sub influenţa unui flux luminos incident.
Materialul semiconductor din care se realizează fotorezistenţa are forma unui strat
subţire sau a unei plăcuţe , prevăzute la capete cu contacte ohmice reprezentând
terminalele . Protecţia fotorezistenţei se asigură prin acoperirea cu lac sau prin
încapsularea în material plastic .
Performanţele fotorezistenţelor se apreciază prin intermediul mărimilor :
- rezistenţa la întuneric , dependentă de dimensiunile geometrice (w , d , l ) şi de
concentraţia de impurităţi de semiconductor ;
- pragul fotoelectric , reprezentând lungimea de undă maximă până la care
dispozitivul mai reacţionează;
- sensibilitatea spectrală sau sensibilitatea integrală , reprezentând raportul dintre
G
conducta fotorezistenţei şi fluxul luminos incident , S   . Sensibilitatea

integrală corespunde unui flux policromatic (şi este definită în acelaşi mod )
- inerţia fotorezistenţei
f , reprezentând timpul după care rezistenţa elementului se
stabilizează la noua valoare , atunci când fluxul luminos variază prin salt .

w
l

Aspectul constructiv al unei fotorezistenţe.

27
 III.2.2 Fotodioda

Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic constituit dintr-o joncţiune pn

fotosensibilă sau un contact metal-semiconductor fotosensibil , utilizate totdeauna în
regim de polarizare inversă, deoarece în acest regim se poate fructifica în condiţii
optime influenţa fluxului luminos asupra curentului prin dispozitiv .
Pastila semiconductoare în care s-a implantat joncţiunea se montează într-o
capsulă prevăzută cu o fereastră transparentă prin intermediul căreia fluxul luminos
are acces la suprafaţa semiconductorului . Presupunând că prin fereastra respectivă
fluxul luminos are acces la (fotonii fluxului luminos incident bombardează) întreaga
suprafaţă a joncţiuni .
În urma procesului de absorbţie intrinsecă , prezentată în paragraful A.1 se
generează perechi electron-gol , în ambele tipuri semiconductoare ale joncţiunii .
Coeficientul de absorbţie al radiaţiei fiind foarte mare ,procesul de absorbţie are loc în
preajma suprafeţei , ceea ce conduce la apariţia unei concentraţii mai mari de purtători
liberi la suprafaţa de incidenţă cu fluxul luminos . Prin difuziune aceşti purtători se
răspândesc şi în profunzimea plăcuţei semiconductoare.
Concentraţia purtătorilor liberi , care apar prin efectul fotoelectric intern ,
datorită absorbţiei radiaţiei , este mult mai mică decât cea a purtătorilor majoritari ,
dar este mai mare sau chiar mult mai mare – în funcţie de intensitatea fluxului
luminos incident – decât concentraţia purtători minoritari . Se deduce că purtători care
apar prin efectul fotoelectric şi sunt de acelaşi tip cu purtători majoritari , nu sunt în
măsură să antreneze variaţii ale curenţilor datoraţi purtătorilor majoritari , respectiv
ale curenţilor de difuziune , aceşti curenţi rămânând (practic) independenţi de fluxul
luminos . Deoarece în cazul polarizării în sens direct curentul printr-o diodă este dat
de curenţi de difuziune , iar la fotodiodă curenţii de difuziune nu depind (practic) de
fluxul luminos , aceasta trebuie polarizată în sens invers , mod de polarizare în care
curenţii de difuziune sunt anulaţi .
În felul acesta prin diodă mai circulă doar curenţi datoraţi purtătorilor
minoritari din cele două semiconductoare ( electronii din semiconductorul p şi
golurile din semiconductorul n ) . Condiţia ca aceşti purtători să participe la conducţia
curentului electric , adică să traverseze regiunea de trecere ( de barieră , de sarcină
spaţială ) , este ca ei să ajungă în această regiune , în care – dacă pătrund –câmpul
electric existent (intern ţi cel datorat tensiuni de polarizare externe , câmp rezultant
notat z ) îi accelerează spre semiconductorul opus.

f(hv)
Fotodioda se utilizează ca detector de radiaţie , având însă o sensibilitate mult
mai mare (sute de miliamperi pe lumen ) decât o fotorezistenţă , dimensiuni reduse şi
durată mare de viaţă . Fotodioda prezintă de asemenea inserţie mai mică decât
iA p .
fotorezistenţa  n


Ln l Lp

UA
+
-
28 b
a
 Fotodioda
a-secţiune , mod de polarizare ; b- simbol.

III.2.3 Fotoelementul

Fotoelementul este o fotodiodă care lucrează fără polarizare din exterior . Sub
influenţa unui flux luminos exterior la bornele fotoelementului ia naştere o tensiune
electromotoare . Conectând la bornele sale o rezistenţă de sarcină prin această
rezistenţă circulă un curent electric , ceea ce arată că fotoelementul constituie un
generator de tensiune , care poate debita o anumită putere .
Fotoelementul converteşte direct energia luminoasă în energie electrică ,
constituind o sursă de energie . Deoarece sursa de energie luminoasă este în mod
curent soarele , fotoelementele se mai numesc baterii solare . Pentru ca energia
debutată să fie cât mai mare , trebuie ca energia fluxului luminos incident recepţionat ,
să fie –de asemenea – cât mai mare . De aceea dioda utilizată ca fotoelement se
realizează de suprafaţă expusă cât mai mare , mult mai mare decât dioda utiliyată ca
fotodiodă (ca detector de radiaţie ) .

În cazul unei diode obişnuite curentul anodic este dat de relaţia:

qu A (+)
i A  i sat (exp  1)
kT

în care : f
i sat -reprezintă curentul de saturaţie

iquA– sarcina electronului

a -tensiunea de polarizare

k – constanta p lui Boltzmann n

T – temperatura în grade absolute

RS
29
(-)
a b
 Fotoelementul

Dacă dioda fotosensibilă este polarizată invers , se află în regim de fotodiodă ,

iar dacă nu se polarizează din exterior , la bornele sale apare o tensiune
electromotoare , dioda aflându-se în regim de fotoelement .
Fotoelementul debitează puteri de ordinul zecilor de miliwaţi.

III.2.4 Fototranzistorul

Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic semiconductor , constituit

dintr-un tranzistor , al cărui curent de colector este comandat de către un flux luminos.
Fluxul luminos se poate aplica pe oricare (unul) dintre cele trei semiconductoare din
structura tranzistorului (reprezentând colectorul , baza sau emitorul )
Deoarece comanda curentului de colector revine fluxului luminos incident ,
structura poate fii realizată fără electrodul prin intermediul căruia comanda curentului
de colector se face pe cale electrică , respectiv fără electrodul de bază.Ca atare în mod
curentul fototranzistorul este un dispozitiv cu doi electrozi , emitorul şi colectorul .
Pentru a oferi facilităţi legate de stabilizarea punctului static de funcţionare la
variaţiile de temperatură , uneori structura este prevăzută cu electrodul de bază .
Fiind un dispozitiv cu doi electrozi , atunci când este conectat intr-un circuit
împreună cu o sarcină , datorită conectări în serie a celor două elemente de circuit
(ordinea în care sunt conectate fiind arbitrată ) , noţiunile de sarcină conectată în
colector ( ca la amplificatorul în conexiune emitor comun ) sau de sarcină conectată în
emitor ( ca la repetorul pe emitor ) îşi pierd semnificaţia . Deci nu se poate afirma că
tranzistorul (fototranzistorul ) este utilizat în conexiune EC sau CC . Rolul de emitor ,
respectiv colector , revine acelui semiconductor extrem , din structura tranzistorului ,
care , face parte din joncţiunea polarizată de bateria din circuit în sens direct ,
respectiv în sens invers . Polarizarea structurii trebuie făcută întocmai ca la un
tranzistor , respectând rolul de colector (respectiv de emitor ) al terminalului destinat
de fabricant a fi colector (respectiv emitor).

30
 Fototranzistorul se plasează într-o capsulă prevăzută cu o fereastră , in care
este montată o lentilă al cărei rol este acela de a focaliza fluxul luminos asupra regiuni
fotosensibile a structurii .

Simbol

III.2.5 Fototiristorul

Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic semiconductor , realizat după

structura tiristorului , a cărui intrare în conducţie (aprindere ) este declanşată de către
un flux luminos . Fluxul luminos se aplică pe regiunea bazelor si are asupra
caracteristicilor i A  u A ale tiristorului o acţiune similară cu cea a tensiunii aplicate pe
poarta unui tiristor obişnuit . Deci , caracteristicile au acelaşi aspect , cu deosebirea că
parametrul nu este tensiunea de pe poartă , ci fluxul luminos incident . Cu cât fluxul
incident este mai mare , cu atât fototiristorul prezintă o tensiune de amorsare
(aprindere , deschidere ) mai mică.

III.2.6 Dioda electroluminescentă (LED)

Dioda electroluminescentă reprezintă un dispozitiv fotoelectronic constituit

dintr-o joncţiune pn polarizată direct , realizată dintr-un material semiconductor a
cărui bandă interzisă este astfel aleasă (suficient de largă) încât în procesul de
recombinare radiativă (direct sau prin intermediul impurităţilor ) să rezulte radiaţiei în
spectrul vizibil.

Dioda electroluminescentă este prin urmare un convertor de energie , cu

ajutorul căruia energia electrică este transformată în energie luminoasă . Din acest
punct de vedere , un parametru important pentru acel dispozitiv îl constituie
randamentul de conversie al energiei electrice în energie radiantă. Ca sursă de
lumină , prezintă importanţă caracteristică spectrală a dispozitivului (culoarea ) .
Aceştia sunt cei mai importanţi parametri ai unei diode fotoluminescente .
Culoarea emisă depinde de semiconductorul utilizat şi de dopat (impurităţile
folosite).
Dioda electroluminescentă se comportă în circuit ca o diodă obişnuită . În
aplicaţiile curente ea este folosită ca indicator luminos sau pentru realizarea
instalaţiilor de afişare numerice sau alfanumerice . De remarcat faptul că în cazul
elementelor de afişare cu 7 segmente şi punct zecimal , mai cunoscute , dimensiunile

31
diodelor Pastilelor de siliciu sunt mai mici decât dimensiunile segmentelor ,
dimensiunile mai mari ale segmentelor fiind obţinute pe cale optică.

Simbol

III.2.7 Fotocuplorul

Fotocuplorul este un ansamblu de două dispozitive optoelectronice

semiconductoare , o diodă electroluminescentă (un LED) şi un fototranzistor
amplasate intr-o aceeaşi incintă (capsulă) astfel ca radiaţia luminoasă emisă de diodă
să comande fototranzistorul . În locul fototranzistorului poate fii şi un fototiristor.

Fotocuplorul
Fotocuplorul are multe şi variate aplicaţii practice . Cea mai importantă este însă ceea
de a transfera o comandă , prin intermediul undei de lumină , între două echipamente
electrice care fie că nu trebuie să aibă legătura electrică , fie că se află la potenţiale
electrice diferite , între cele două echipamente existând o diferenţă mare (sau foarte
mare ) de potenţial .
Se deduce că în majoritatea cazurilor fotocuplorul se utilizează în locul
transformatoarelor ,piese costisitoare , cu gabarit mare grele .

32
 În echipamentele menţionate pe lângă eleganţa soluţiei se asigură şi o
fiabilitate sporită, ca şi un grad sporit de protecţie a muncii , evitându-se pericolul de
electrocutare .
Un alt avantaj al fotocuplorului îl constituie imunitatea la zgomote .
Parametri importanţi ai fotocuplorului sunt : curentul care trebuie injectat în LED
pentru a asigura emisia de lumină care să poată fii sesizată de tranzistorul şi curentul
pe care îl poate asigura fototranzistorului , în circuitul în care este conectat.

Cap. IV Simularea numerică a circuitului

IV.1 INTRODUCERE

Analiza circuitelor electrice şi electronice liniare constă în găsirea soluţiilor unui

sistem de ecuaţii algebrice sau diferenţiale care rezultă din aplicarea celor două
teoreme ale lui Kirchhoff şi din relaţiile constitutive ale elementelor de circuit. Dacă

33
circuitul supus analizei conţine elemente neliniare, analiza implică rezolvarea
relaţiilor constitutive neliniare simultan cu ecuaţiile obţinute din teoremele lui
Kirchhoff. Evident, o astfel de analiză poate fi efectuată manual numai pentru circuite
de mici dimensiuni. Gradul ei de complexitate şi deci efortul de calcul, creşte nu
numai cu dimensiunea circuitului, dar şi când analiza trece de la funcţionarea în
curent continuu la studiul comportării circuitului în timp şi/sau în frecvenţă, în acest
caz ecuaţiile algebrice (liniare sau neliniare) devenind ecuaţii integro-diferenţiale,
care pot fi rezolvate manual numai în condiţiile unor aproximaţii sau restricţii.
Automatizarea proiectării circuitelor electrice şi electronice necesită un circuit electric
(sau o placă de circuit imprimat) virtual (virtuală) care poate fi realizat (realizată) de
un calculator prin intermediul unui program de simulare sau de analiză.
Programele destinate analizei circuitelor electrice şi electronice, bazate pe topologia
circuitului, pe sistemul de ecuaţii obţinut prin aplicarea teoremelor lui Kirchhoff şi pe
relaţiile constitutive (liniare sau neliniare) ale elementelor de circuit, se numesc
simulatoare de circuit.
Majoritatea programelor de simulare a circuitelor electrice sunt numerice. În astfel de
programe laturile circuitului sunt descrise prin intermediul numerelor reale sau
complexe, iar mărimilor de ieşire li se asociază valori numerice.
Un simulator numeric cu o largă utilizare este programul SPICE (Simulation Program
with Integrated Circuit Emphasis – Program de Simulare Orientat spre Circuite
Integrate). Deşi programele de simulare a circuitelor electrice şi electronice diferă ca
mărime şi performanţe, structura majorităţii lor, deci şi a programului SPICE, este
similară, conţinând în principal subprograme de editare, analiză şi prezentare a
rezultatelor obţinute (programul fiind de tipul IDE - Integrated Development
Environment).
SPICE are o variantă adaptată pentru calculatoarele personale numită PSpice. La
rândul său, PSpice are o versiune numită versiunea şcoală, care poate fi furnizată
gratuit tuturor universităţilor sau colegiilor interesate în simularea circuitelor electrice
şi electronice. Această versiune şcoală poate fi multiplicată fără nici o restricţie. Deşi
capabilă să analizeze circuite electrice şi electronice cu complexitate limitată,
versiunea şcoală a programului PSpice este deosebit de utilă cursului de Teoria
Circuitelor Electrice şi Electronice şi altor cursuri legate de simularea şi proiectarea
circuitelor electronice analogice sau digitale.
Cea mai mare parte a programului de simulare o reprezintă subprogramul de analiză,
care execută analizele de circuit specificate în fişierul de date de intrare (furnizat de
utilizator), ieşirile din acest subprogram furnizând date pentru a fi utilizate ulterior de
subprogramul de prezentare a rezultatelor care, de regulă, materializează aceste date
sub formă de grafice şi texte. Subprogramul de analiză conţine procedeele numerice
ale reprezentării matematice a circuitului.
Programul PSpice poate efectua următoarele tipuri de analiză: analiza în curent
continuu (.DC), analiza în curent alternativ (.AC), analiza în regim tranzitoriu
(.TRAN), analiza Fourier, calculul şi analiza funcţiilor de transfer, analiza
zgomotului, analiza distorsiunilor şi calculul şi analiza senzitivităţilor.
Un program în Spice cuprinde instrucţiunile pentru titlu, de comentariu, de descriere a
elementului, de model, de comandă (control) şi de sfârşit (.END). Prima instrucţiune
într-un program în Spice este obligatoriu o instrucţiune de titlu, iar ultima trebuie să
fie una de sfârşit, ordinea celorlalte fiind arbitrară (exceptând cazul continuărilor, care
trebuie să fie imediat după linia care se continuă). Programul în limbaj Spice se
editează sub forma unui fişier care trebuie să aibă extensia .cir.

34
Instrucţiunea pentru titlu – prima instrucţiune dintr-un program – conţine un nume
oarecare – de exemplu, tipul (numele) circuitului analizat. Numele (titlul) atribuit
circuitului analizat va fi tipărit în fiecare secţiune a fişierului de ieşire (cu extensia
.out), împreună cu rezultatele obţinute din analiza respectivă.
Instrucţiunea pentru titlu este ignorată de calculator în procesul efectuării operaţiilor
impuse de analiza cerută prin program. În cazul când aceasta lipseşte, calculatorul
interpretează ca declaraţie cu rol de titlu prima instrucţiune a programului, ceea ce
conduce la o analiză greşită, deoarece din program va lipsi o instrucţiune.
Instrucţiunea de titlu poate să înceapă şi cu caracterul ‘*’, care desemnează declaraţia
respectivă ca fiind linie de comentariu.
Instrucţiunile de descriere ale fiecărui element de circuit indică: numele elementului
de circuit (identificator), poziţia în schema circuitului (nodurile la care este conectat
elementul respectiv) şi valorile parametrilor ce determină caracteristicile electrice ale
elementului respectiv. Litera mare, specifică fiecărui element de circuit, este indicată
în tabelul 1.1.

Tabelul 1.1
Element de circuit Litera mare
Rezistor R
Condensator C
Bobină L
Bobine cuplate magnetic K
Linie de transmisie T
Linii de transmisie cuplate K
Diodă D
Tranzistor bipolar Q
Tranzistor unipolar (TEC-J) J
Tranzistor unipolar (TEC-MOS) M
Tranzistor GaAsFET B
Sursă independentă de tensiune V
Sursă independentă de curent I
Sursă de tensiune comandată în tensiune E
Sursă de curent comandată în curent F
Sursă de tensiune comandată în curent H
Sursă de curent comandată în tensiune G
Intrare digitală N
Ieşire digitală O
Primitivă digitală U
Stimul digital U
Întrerupător (switch) comandat în tensiune S
Întrerupător (switch) comandat în curent W
Subcircuit X

35
 Nodurile circuitului se numerotează de la 0 la n şi nodul 0 se consideră ca nod
de referinţă.
Simulatorul PSpice utilizează, pentru analiza circuitelor, metoda nodală
modificată. Prin urmare, fiecare nod trebuie să primească un număr. Numerele alocate
nodurilor trebuie să fie întregi şi pozitive, ele nu trebuie să fie atribuite secvenţial. Ca
nod de referinţă (masă) se consideră implicit nodul zero. Pentru ca programul PSpice
să poată să analizeze un circuit se impune respectarea obligatorie a următoarelor
reguli:
 în fiecare nod să fie conectate cel puţin două elemente de circuit, excepţie
făcând nodurile liniilor de transmisie şi ale substratului la tranzistoarele TEC-MOS;
 pentru fiecare nod al circuitului trebuie să existe cel puţin o cale de curent
continuu la masă, cu o rezistenţă proprie. Acolo unde această cale nu există se poate
conecta un rezistor cu valoarea rezistenţei foarte mare, care să nu influenţeze
funcţionarea circuitului, între nodul respectiv şi masă;
 circuitul analizat nu trebuie să conţină bucle formate numai din surse ideale
de tensiune şi/sau bobine ideale (astfel de bucle au rezistenţa ohmică zero). Acolo
unde există asemenea situaţii, se pot conecta în serie cu bucla respectivă câte un
rezistor liniar cu valoarea rezistenţei foarte mică, care să nu influenţeze funcţionarea
circuitului;
 circuitul analizat nu trebuie să conţină secţiuni formate numai din surse
ideale de curent şi/sau condensatoare. Acolo unde există asemenea cazuri, se
conectează în paralel, cu sursele de curent sau cu condensatoarele unei astfel de
secţiunii, rezistoare liniare cu valori foarte mari ale rezistenţelor, care să nu
influenţeze funcţionarea circuitului.
Instrucţiunile de model sunt proprii fiecărui dispozitiv, specificând valorile
parametrilor pentru descrierea dispozitivelor semiconductoare. Cuvântul cheie pentru
tipul de model este prezentat în tabelul 1.2.
Tabelul 1.2
Tipul dispozitivului Cuvânt cheie pentru
modelat tipul de model
Diodă D
Tranzistor NPN NPN
Tranzistor PNP PNP
TEC-J canal n NJF
TEC-J canal p PJF
TEC-MOS canal n NMOS
TEC-MOS canal p PMOS
Instrucţiunile de comentariu încep cu simbolul ‘*’, după care urmează un
text ce conţine indicaţii sau explicaţii pentru utilizator. Conţinutul lor este ignorat de
calculator, dar apare în listingul de ieşire.
Instrucţiunile de comandă (control) precizează tipurile de analiză,
complexitatea şi modul de editare a rezultatelor. Instrucţiunile de comandă (control)
încep cu un punct, urmat imediat de un cuvânt cheie specific fiecărui tip de analiză,
prezentat în tabelul 1.3.
Tabelul 1.3

36
Comanda Descriere
1 2
Analiza standard
.DC Analizează circuitul pentru mai multe valori ale unei
variabile de tip DC (curent continuu)
1 2
.AC Calculează răspunsul în frecvenţă pentru un domeniu de
frecvenţe specificat
.OP Stabileşte şi detaliază informaţii despre punctul static de
funcţionare (PSF)
.TF Calculează funcţia de transfer pentru semnal mic, prin
liniarizarea circuitului în jurul PSF
.SENS Calculează senzitivităţile nodurilor la variaţii mici ale
semnalului în jurul PSF (liniarizare)
.NOISE Determină efectuarea analizei în condiţiile considerării
zgomotului componentelor
.TRAN Efectuează analiza în domeniul timp (în regim tranzitoriu)
.FOUR Efectuează analiza Fourier a semnalului de ieşire specificat
.DISTO Analiza distorsiunilor în c.a.
Analiza multi-run
.STEP Efectuează analiza dorită modificând valoarea unui
parametru al unei componente
.TEMP Setează valorile temperaturii la care se efectuează
analiza
Analiza statistică
.MC Analiza statistică de tip Monte Carlo
.WCASE Analiza statistică de tip senzitivitate (cazul cel mai
defavorabil)
Condiţii iniţiale
.IC Setează PSF în momentul iniţial al analizei
.NODESET Propune o valoare de început pentru PSF, dar nu o
impune (ca .IC)
.SAVEBIAS Salvează parametrii PSF într-un fişier specificat
.LOADBIAS Încarcă fişierul cu parametrii PSF
Modelare elemente de circuit
.MODEL Defineşte un set de parametri pentru un tip de
componente
.SUBCKT Început descriere subcircuit
.ENDS Sfârşit descriere subcircuit
. Specifică distribuţia toleranţei parametrilor modelului
DISTRIBUTIO
N

37
 Comanda ieşirii
.PLOT Comandă exprimarea rezultatelor într-o forma grafică ce
poate fi tipărită la imprimantă
.PRINT Comandă exprimarea rezultatelor sub formă de tabele
.PROBE Trimite rezultatele simulării în postprocesorul Probe sub
forma unui fişier cu extensia dat
.WATCH Permite vizualizarea rezultatelor simulării pe măsură ce
aceasta avansează
.WIDTH Specifică numărul de coloane pe care se doreşte
vizualizarea Fişierului Ieşire
1 2
Comenzi de prelucrare
.FUNC Defineşte o funcţie
.PARAM Defineşte unul sau mai mulţi parametri
.END Sfârşit de Fişier Circuit
.INC Include fişierul specificat în Fişierul Circuit
.LIB Apelează la o bibliotecă specificată, necesară pentru a
găsi modelul unui element de circuit
Diverse
.EXTERNAL Indică nodurile exterioare (porturi) şi tipul lor
.OPTIONS Setează diverşi parametri ai simulării
.STMLIB Specifică un fişier conţinând informaţia despre stimuli
.STIMULUS Indică fişierul cu numele stimulilor
.TEXT Expresie de tip text utilizată la descrierea circuitelor
digitale

Când o instrucţiune este prea lungă, ea poate fi continuată pe rândul următor

dacă pe noul rând se începe cu caracterul „+“ . Prelungirea se poate face pe oricâte
rânduri, cu respectarea regulii menţionate.
Instrucţiunea de sfârşit (.end) este ultima declaraţie dintr-un program în
PSpice. Instrucţiunea de sfârşit semnifică, pentru calculator, terminarea programului
introdus. În cazul când această instrucţiune lipseşte, calculatorul ia în considerare
instrucţiunea .end din programul următor, inclusiv instrucţiunile acestui program,
motiv care duce de cele mai multe ori la întreruperea executării programului în Spice.
Dacă calculatorul nu găseşte nici o instrucţiune .end, se întrerupe, de asemenea,
execuţia programului.
Blank-urile, tab-urile şi virgulele sunt echivalente şi nu contează numărul
acestora între două cuvinte semnificative, cu excepţia titlului şi a expresiilor.
Ordinea în care sunt scrise instrucţiunile nu are importanţă, excepţie făcând
următoarele instrucţiuni:
1. Linia de titlu trebuie să fie prima.
2. Definirea subcircuitelor trebuie să înceapă cu .SUBCKT şi să se termine
cu .ENDS.
3. Definirea funcţiilor cu .FUNC trebuie făcută înainte de utilizarea acestora.
4. Instrucţiunea .END trebuie să fie la sfârşitul fişierului.

38
 Dacă o instrucţiune apare de mai multe ori, este luată în consideraţie doar
ultima apariţie, excepţie făcând următoarele instrucţiuni: .LIB, .PRINT, .PLOT,
.PROBE, .INC, .PARAM, .FUNC, .IC şi .NODSET.
Valorile numerice se scriu cu semn, utilizând simboluri pentru ordinele de
multiplicitate sau scrierea standard în virgulă mobilă. Astfel sunt scrise corect
următoarele valori:
2 2000. –25.1 1E6 3.71E-4 2E-5
care mai pot fi scrise şi astfel:
2000m 2k -251E-1 1Meg 0.371m 0.2u
Factorii de scară (multiplicatori). Anumite puteri zecimale pot fi declarate
prin abrevieri.
Exemple:
Introducere Echivalenţă în Spice Semnificaţie
-3.75K -3.75E3 -3,75x103
45.9P 45.9E-12 45,9x10-12
2.25M 2.25E-3 2,25x10-3

În tabelul 1.4 sunt prezentaţi factorii de scară utilizaţi în programul Spice (PSpice).

Tabelul 1.4
Valoare Simbol Forma exponenţială
-15
10 F 1E-15
10-12 P 1E-12
10-9 N 1E-9
10-6 U 1E-6
10-3 M 1E-3
103 K 1E3
106 MEG 1E6
109 G 1E9
1012 T 1E12

În unele aplicaţii este mai comod să folosim expresii în care să nu intervină

numai valori numerice, ci şi parametri definiţi de utilizator. Evident, în expresii pot fi
utilizate şi funcţiile predefinite în PSpice. Funcţiile cu ajutorul cărora se pot construi
expresii în PSpice sunt prezentate în tabelul 1.5.
În cadrul expresiilor pot interveni şi variabile sistem, care sunt:
TEMP – valori ale temperaturii rezultate în urma setării condiţiilor iniţiale de
funcţionare a componentelor sau rezultate în urma simulării;
TIME – valori ale timpului, în cazul efectuării analizei în domeniul timp.
De asemenea, pot apărea şi parametri de model – componentă. În cazul când
variabilele sistem sau parametrii componentelor se modifică în cursul analizei, la
fiecare pas nou sunt introduse noile valori la calcularea expresiilor. Dacă nu se face
nici o specificare a temperaturii, valoarea implicită a acesteia este de 270C.
Tabelul 1.5

39
 Funcţia Semnificaţia Observaţii
ABS(x) x

SQRT(x) x

EXP(x) e x

LOG(x) ln  x  Logaritm în baza

“e”
LOG10(x) log x  Logaritm în baza
10
PWR(x,y) xy
PWRS(x,y)  x
y
, x  0;  x
y
, x 0

SIN(x) Sin(x) x în radiani

COS(x) Cos(x) x în radiani
TAN(x) Tg(x) x în radiani
ATAN(x) Ctg(x) x în radiani
ARCTAN(x) Arctg(x) Rezultatul în
radiani
 min, 

LIMIT(x,min,max)
p entru x min

 max, pentru x  max
  
x , pe ntru min x max

Pentru formalizarea declaraţiilor şi instrucţiunilor se vor utiliza parantezele <

> pentru a indica elemente obligatorii şi [ ] pentru elemente opţionale.

IV.2. Instrucţiuni utilizate în Pspice

Instrucţiunea .DC are forma:

.DC srcnume start1 stop1 incr1 [scr2 star2 stop2 incr2]
în care: scrnume – este denumirea sursei independente de tensiune sau de curent din
circuit; start1 – valoarea tensiunii (curentului) de la care se începe analiza în c.c.,
inclusiv UM (unitatea de măsură); stop1 – valoarea tensiunii (curentului) la care se
termină analiza în c.c., inclusiv UM; incr1 – valoarea pasului de incrementare în
analiza de c.c., inclusiv UM; scr2 – denumirea celei de-a doua surse independente (de
tensiune sau curent), opţională; start2 – valoarea de început a analizei în c.c. pentru
cea de-a doua sursă, inclusiv UM; stop2 – valoarea de sfârşit a celei de-a doua surse,
inclusiv UM; incr2 – valoarea pasului de incrementare pentru cea de-a doua sursă,
inclusiv UM.
Exemple:
.DC VIN1 0.2 20 .5
.DC VCE 0 25 0.1 IB 0 .1m 1u
Instrucţiunea .DC este utilizată pentru specificarea valorilor limită şi a
incrementului tensiunii sau curentului sursei independente. În cazul când se specifică
şi o a doua sursă, pentru fiecare valoare de tensiune sau curent a primei surse se
parcurge domeniul de variaţie al celei de-a doua. Această facilitate poate fi folosită în
situaţiile în care se trasează familiile de caracteristici ale dispozitivelor electronice.
Fişierul de intrare poate să conţină cel mult o instrucţiune de comandă .DC.
Instrucţiunea .OP are forma:
.OP

40
şi introducerea ei în SPICE are drept scop determinarea punctelor statice de
funcţionare ale dispozitivelor electronice ale circuitului analizat (cu bobinele
scurtcircuitate şi condensatoarele eliminate).
Analiza în c.c. este efectuată automat în situaţiile în care se cere calculul
regimului tranzitoriu – pentru determinarea condiţiilor iniţiale de lucru – şi la analiza
în c.a. – pentru determinarea parametrilor din modelele de semnal mic ale
dispozitivelor electronice liniarizate pe porţiuni.
Instrucţiunea .TF are structura:
.TF outvar ins
unde: outvar reprezintă numele variabilei de ieşire pentru analiza de semnal mic
(tensiune sau curent), iar ins este denumirea sursei de intrare pentru analiza de semnal
mic (tensiune sau curent). Această sursă determină calculul funcţiei de transfer la
semnal mic în punctele statice de funcţionare ale circuitului (variabila de
ieşire/variabila de intrare), rezistenţa de intrare şi cea de ieşire, în raport cu nodurile
specificate, faţă de nodul de referinţă (masă).
Exemple:
.TF V(9) VIN
.TF V(1) IGEN
Instrucţiunea .NODESET are forma:
.NODESET V(n1) = val1 V(n2) = val2 … V(np) = valp
în care: V(n1) = val1 – reprezintă valoarea iniţială a tensiunii nodului n1 în raport cu
nodul de referinţă (masa); V(n2) = val2 – este valoarea iniţială a tensiunii nodului n2
în raport cu nodul de referinţă (masa); …; V(np) = valp – constituie valoarea iniţială a
tensiunii nodului np în raport cu nodul de referinţă (masa).
Toate programele de simulare neliniară calculează soluţia iterativ. Procesul
iterativ porneşte cu o estimare iniţială (de început) a potenţialelor. Programul PSpice
presupune că la început toate potenţialele nodurilor sunt nule. În majoritatea cazurilor
nu este necesar să se specifice nici o informaţie despre valoarea iniţială a potenţialelor
nodurilor. Există însă şi excepţii, în cazul în care programul Spice nu poate găsi
soluţia în 100 de iteraţii (acest număr este o valoare predefinită). În aceste situaţii se
apelează la instrucţiunea .NODESET care iniţializează potenţialele nodurilor. Soluţia
finală poate să difere de valorile specificate prin declaraţia .NODESET. PSpice
foloseşte aceste valori iniţiale numai ca o indicaţie până când găseşte prima soluţie.
După aceasta, restricţiile de iniţializare se înlătură şi se continuă căutarea soluţiei de
c.c. până se ajunge la soluţia finală. Soluţia finală va fi probabil în concordanţă cu
valorile specificate prin declaraţia .NODESET dacă ele sunt corecte, dar nu trebuie să
fie identice cu ele.
Prin urmare, instrucţiunea .NODESET este utilizată pentru obţinerea
convergenţei soluţiei şi este folosită pentru analiza circuitelor bistabile şi astabile.
Exemple:
.NODESET V(3) = 2..3 V(9) = 4.8
.NODESET V(11) 5.2
Instrucţiunea .SENS determină calculul senzitivităţilor de semnal mic, în
regim continuu, pentru variabilele de ieşire specificate, în raport cu fiecare parametru
de circuit. Formatul acestei instrucţiuni este
.SENS outvar1 [outvar2 …]

41
unde: outvar1 este variabila de ieşire 1 (tensiune sau curent) şi outvar 2 reprezintă a
doua variabilă de ieşire (tensiune sau curent).
Exemple:
.SENS V(3) V(7) I(RC)
.SENS V(4,5) I(Q5) I(R6)
Declaraţia .AC efectuează analiza de semnal mic a circuitului în regim
sinusoidal, relativ la punctul de funcţionare calculat, în gama de frecvenţe specificată.
Pentru ca această analiză să fie efectuată, trebuie ca cel puţin o sursă independentă să
aibă specificată valoarea în regim sinusoidal.
Declaraţia .AC are una din următoarele trei forme:
.AC DEC ND FSTART FSTOP
.AC OCT NO FSTART FSTOP
.AC LIN NP FSTART FSTOP
în care: DEC – indică faptul că analiza de c.a. se efectuează pe decade, în gama de
frecvenţe [FSTART, FSTOP]; OCT – analiza de c.a. se efectuează pe octave, în gama
de frecvenţe [FSTART, FSTOP]; frecvenţa se variază liniar în gama de frecvenţe
[FSTART, FSTOP]; ND – este numărul de puncte pe decadă, plasate logaritmic; NO -
numărul de puncte pe octavă, plasate logaritmic; NP – numărul de puncte în gama de
frecvenţă, plasate echidistant; FSTART – frecvenţa de început a analizei de c.a.;
FSTOP – frecvenţa de sfârşit a analizei de curent alternativ.
Instrucţiunea .NOISE calculează zgomotul echivalent la intrarea şi ieşirea
menţionate. Instrucţiunea acţionează numai în cazul când se specifică şi efectuarea
analizei de semnal mic, în regim alternativ, printr-o instrucţiune .AC. Calculul
zgomotului se face ţinând seama de zgomotul termic, de alice şi de licărire. Zgomotul
de licărire este simulat numai în cazul când se specifică valorile parametrilor de model
AF (exponentul pentru zgomotul de licărire) şi KF (coeficientul pentru zgomotul de
licărire), diferite de cele implicite. Zgomotul la ieşire, precum şi cel echivalent de la
intrarea specificată, se pot tipări sau reprezenta grafic utilizând instrucţiunile .PRINT
şi .PLOT.
Instrucţiunea .NOISE are structura:
.NOISE outvar inspsrc intrv
unde: outvar – este variabila de ieşire (tensiune sau curent) ce defineşte punctul de
însumare, în care se calculează zgomotul total generat de componentele din circuit, la
toate frecvenţele din gama [FSTART, FSTOP] specificate în instrucţiunea .AC;
inspsrc – numele sursei independente de tensiune sau curent ce defineşte referinţa de
intrare a zgomotului; intrv – numărul de puncte din intervalul pentru care se tipăreşte
contribuţia la zgomotul total al componentelor ce conţin cel puţin o sursă de zgomot.
Exemple:
.NOISE V(3) VIN 20
.NOISE V(7) I(3) 60
Instrucţiunea .DISTO este luată în consideraţie numai dacă a fost indicată
analiza în curent alternativ de semnal mic. Ea determină calculul distorsiunilor de
semnal mic şi anume: distorsiunile de intermodulaţie şi modulaţie încrucişată.
Calculul se efectuează pentru una sau două frecvenţe (f1, f2) impuse la intrare
(respectiv la sursa independentă de c.a. specificată prin cuvântul cheie .AC).
Prin intermediul instrucţiunii .DISTO, ca parte a analizei în regim alternativ la
semnal mic sinusoidal, se calculează următoarele componente ale distorsiunilor:

42
 HD2 – amplitudinea componentei de frecvenţă 2f1, dacă componenta de
frecvenţă f2 nu există;
HD3 – amplitudinea componentei de frecvenţă 3f1, dacă componenta de
frecvenţă f2 nu există;
SIM2 – amplitudinea componentei de frecvenţă f1 + f2;
DIM2 – amplitudinea componentei de frecvenţă f1 - f2;
DIM3 – amplitudinea componentei de frecvenţă 2f1 - f2.
Formatul instrucţiunii .DISTO este:
.DISTO RLOAD [INTER [SKW2 [REFPWR [SPW2] ] ] ]
unde: RLOAD – reprezintă denumirea rezistorului de sarcină din circuit, pe care se
însumează toate componentele ce produc distorsiunea totală, corespunzătoare puterii
disipate pe el; INTER – este intervalul pentru care se tipăreşte contribuţia tuturor
dispozitivelor semiconductoare neliniare (diode şi tranzistoare) la distorsiunea totală;
dacă INTER nu este specificat sau valoarea sa este 0, nu se tipăresc aceste contribuţii;
SKW2 – reprezintă raportul dintre frecvenţele f2 şi f1, cu valori cuprinse între 0 şi 1,
pentru care se face calculul distorsiunilor; f1 este frecvenţa cuprinsă între limitele
FSTART şi FSTOP specificate în instrucţiunea de comandă .AC, iar f2 este un
submultiplu al frecvenţei f1 (dacă parametrul se omite, valoarea implicită este 0,9);
REFPWR – reprezintă nivelul puterii de referinţă, utilizat în calculul distorsiunilor
(dacă nu se menţionează, se consideră valoarea implicită de 1 mW) şi SPW2 –
reprezintă amplitudinea semnalului de frecvenţă f2 (dacă nu se specifică, valoarea
implicită se consideră 1).
Tipurile de distorsiuni, menţionate mai sus, pot fi tipărite şi reprezentate grafic
prin intermediul instrucţiunilor .PRINT şi .PLOT.
Exemple:
.DISTO RL3 4 0.8 1.0E+3 0.75
.DISTO R7
Instrucţiunea .TRAN este utilizată pentru analiza în regim tranzitoriu a
circuitului, respectiv pentru determinarea răspunsului acestuia în domeniul timp.
Această instrucţiune are forma:
.TRAN TSTEP TSTOP [TSTART [TMAX]] [UIC]
în care: TSTEP – reprezintă pasul de timp cu care se face tipărirea rezultatelor,
inclusiv UM; TSTOP – este momentul de timp până la care se face analiza
rezultatelor, inclusiv UM; TSTART – reprezintă momentul de timp de la care se
tipăresc rezultatele, inclusiv UM (dacă se omite, valoarea implicită este 0); TMAX –
este pasul maxim de calcul (dacă se omite, valoarea sa implicită este minimum dintre
TSTEP şi (TSTART – TSTOP)/50.0) şi UIC – cuvânt cheie opţional (Use Initial
Conditions), indicând utilizarea condiţiilor iniţiale specificate prin parametrii IC = …,
la descrierea elementelor de circuit, pentru începerea analizei în regim tranzitoriu
(omiterea acestui cuvânt determină calculul condiţiilor iniţiale în mod automat de
către program).
Exemple:
.TRAN 20n 2u
.TRAN 2n 1000n UIC

43
 Instrucţiunea .TRAN este utilizată pentru analiza în regim tranzitoriu a
circuitului dat, respectiv pentru determinarea răspunsului acestuia în domeniul timp.
Analiza începe întotdeauna de la momentul de timp 0. În intervalul (0, TSTART),
analiza este efectuată, dar rezultatele nu sunt păstrate în memoria calculatorului. În
intervalul (TSTART, TSTOP), analiza este efectuată cu păstrarea rezultatelor. Spice
selectează în mod automat pasul de calcul, care nu va depăşi valoarea TMAX.
Instrucţiunea .IC are forma:
.IC V(N1) = val1 V(N2) = val2
unde: V(N1) = val1 – reprezintă valoarea tensiunii în nodul N1, V(N2) = val2 –
valoarea tensiunii în nodul N2 etc.
Exemple:
.IC V(2) = 1.5 V(3) = 1.5 V(6) = 2.5
.IC V(4) = 3.5
Instrucţiunea .IC este utilizată pentru setarea condiţiilor iniţiale la analiza de
regim tranzitoriu. Această instrucţiune are două interpretări posibile:
1) când parametrul UIC este utilizat în instrucţiunea .TRAN, atunci tensiunile
în nodurile specificate prin instrucţiunea .IC sunt folosite pentru calculul condiţiilor
iniţiale la condensatoare, bobine, diode, tranzistoare bipolare şi tranzistoare unipolare
(TEC-J, MOS-FET). Acest lucru este echivalent cu specificarea condiţiilor iniţiale la
fiecare dispozitiv, prin folosirea parametrului IC = … Utilizarea instrucţiunii .IC este
avantajoasă. Deoarece analiza în regim tranzitoriu se efectuează înaintea determinării
soluţiei iniţiale de regim continuu, la calculul condiţiilor iniţiale de operare ale
dispozitivelor trebuie avut în vedere să se specifice toate sursele de tensiune continue,
folosind instrucţiunea .IC;
2) dacă nu se specifică parametrul UIC în instrucţiunea .TRAN, soluţia iniţială
de regim continuu se calculează înaintea analizei în regim tranzitoriu. În acest caz,
tensiunile în nodurile specificate prin instrucţiunea .IC vor forţa valorile iniţiale
pentru polarizări. Pe durata efectuării analizei în regim tranzitoriu constrângerile
impuse acestor noduri sunt înlăturate.
Exemple:
.IC V(2) = 1.5 V(6) = 2.5 V(8) = 5.0
.IC V(1) = 4.5
Instrucţiunea .FOUR are structura:
.FOUR freq outvar1 [outvar2 …]
în care: freq – este frecvenţa fundamentalei semnalului de intrare la care se efectuează
analiza Fourier; outvar1 – reprezintă variabila de ieşire 1 pentru care se realizează
analiza Fourier; outvar2 – variabila de ieşire 2 pentru care se realizează analiza
Fourier.
Prin instrucţiunea .FOUR se realizează o analiză Fourier, ca parte a analizei în
regim tranzitoriu, la frecvenţa fundamentală freq, pentru variabilele de ieşire
specificate. Analiza Fourier se efectuează în intervalul [TSTOP - PER, TSTOP], în
care: TSTOP este timpul final specificat în analiza de regim tranzitoriu şi PER
reprezintă perioada frecvenţei fundamentalei.
Sunt calculate primele nouă componente, precum şi componenta de curent
continuu. Pentru mărirea acurateţei, la circuite având factorul de calitate Q foarte
mare trebuie setat parametrul TMAX (în instrucţiunea .TRAN) la cel mult

44
perioada/100.0. În vederea eliminării reziduurilor tranzitorii, analiza trebuie efectuată
pe mai multe perioade ale semnalului.
Instrucţiunea .PRINT este utilizată pentru tipărirea sub formă de tabel a
valorilor variabilelor de ieşire specificate. Forma acestei instrucţiuni este:
.PRINT tip var1 [var2 … var8]
în care: tip – este tipul analizei (DC, AC, TRAN, NOISE, DISTO) pentru care se
doreşte tipărirea; var1 – variabila de ieşire ale cărei valori se tipăresc (tensiune sau
curent), forma de descriere a unei tensiuni între nodurile N1 şi N2 este V(N1[, N2]),
dacă N2 este omis, tensiunea se consideră între nodul N1 şi masă (nodul de referinţă
căruia i se atribuie indicele 0); var2 … var8 – variabile de ieşire ale căror valori se
tipăresc (opţional), numărul lor este limitat la 8.
Pentru analiza AC sunt posibile şi următoarele notaţii adiţionale în descrierea
variabilelor de ieşire: VR – partea reală a tensiunii V; VI – partea imaginară a lui V;
VM – amplitudinea tensiunii V; VP – faza tensiunii V şi VDB – 20lg(amplitudinea
tensiunii V).
I(V_nume) reprezintă curentul prin sursa independentă de tensiune V_nume.
Sensul de referinţă al curentului prin sursă se consideră de la nodul pozitiv la cel
negativ al acesteia. În cazul analizei AC, curenţii se descriu asemănător tensiunilor.
Variabilele de ieşire pentru analiza zgomotului şi a distorsiunilor au o formă
generală diferită de celelalte tipuri de analize. Forma este: var[x], unde var poate
reprezenta: ONOISE – zgomotul de ieşire; INOISE – zgomotul echivalent de intrare;
D2 – dioda semiconductoare D2; HD3 – amplitudinea componentei de frecvenţă 3f1,
dacă componenta de frecvenţă f2 nu există; SIM2 – amplitudinea componentei de
frecvenţă f1 + f2; DIM2 – amplitudinea componentei de frecvenţă f1 – f2; DIM3 –
amplitudinea componentei de frecvenţă 2f1 – f2, iar x poate fi: R – partea reală; I –
partea imaginară; M – amplitudinea (implicită dacă nu este specificată); P – faza şi
DB – 20lg(amplitudine).
Astfel, SIM2 (sau SIM2(M)) descrie amplitudinea distorsiunii SIM2, iar HD3
 R  – partea reală a distorsiunii HD3.
Exemple:
.PRINT DC V(4) I(VIN1)
.PRINT AC VM(6,8) VP(5,6) VR(8) II(VIN)
.PRINT NOISE INOISE
.PRINT DISTO D3 SIM2(DB)
.PRINT TRAN V(7) I(R5)
Numărul instrucţiunilor de tip .PRINT folosite pentru fiecare tip de analiză nu
are limite.
Instrucţiunea .PLOT este utilizată pentru reprezentarea grafică a variabilelor
de ieşire specificate. Reprezentarea grafică se realizează prin tipărirea simbolului „*“
în punctele graficului. Punctele de intersecţie ale mai multor grafice sunt marcate prin
x. Când mai multe variabile apar pe acelaşi grafic, pentru prima variabilă se tipăresc şi
valorile numerice. Dacă se doreşte acest lucru şi pentru celelalte variabile este
necesară adăugarea altei instrucţiuni .PLOT. Nu există limite pentru numărul
instrucţiunilor .PLOT folosite în fiecare tip de analiză.
Forma instrucţiunii .PLOT este:
.PLOT tip var1 [linf1, lsup1] [var2 [linf2, lsup2] …]
unde: tip – este tipul analizei (DC, AC, TRAN, NOISE, DISTO) pentru care se
doreşte reprezentarea grafică; var1 – variabila de ieşire 1 care se reprezintă grafic

45
(tensiune sau curent), specificaţiile prezentate la instrucţiunea .PRINT rămân valabile
şi aici; linf1, lsup1 – limitele opţionale – inferioară, respectiv superioară – ale
reprezentării grafice pentru variabila de ieşire var1; dacă aceste limite nu sunt
specificate, în mod automat sunt calculate valorile minime şi maxime ale variabilelor
de ieşire, realizând o scalare adecvată a reprezentărilor grafice; var2 – variabila de
ieşire 2 care urmează să se reprezinte grafic (opţional); numărul acestor variabile este
de maxim 8 şi linf2, lsup2 – limitele opţionale – inferioară, respectiv superioară – ale
reprezentării grafice pentru variabila de ieşire var2.
Exemple:
.PLOT DC V(4) IE(Q3)
.PLOT TRAN V(5,7) I(R5) V(4)
.PLOT DISTO HD2 HD3(R) SIM2
.PLOT AC VM(9) VDB(3,4) VP(11)

Instrucţiunea .WIDTH este folosită pentru specificarea numărului de caractere

dintr-o linie a fişierului de intrare, precum şi a numărului de caractere dintr-o linie a
fişierului de ieşire.
Instrucţiunea .WIDTH are următoarea structură:
.WIDTH IN = ncol1 OUT = ncol2
în care: IN = ncol1 – semnifică numărul coloanelor citite din fiecare linie de intrare.
Dacă acest număr nu este specificat, implicit ncol1 = 80; OUT = ncol2 – specifică
numărul coloanelor de tipărire. În cazul când acest număr nu este specificat, implicit
ncol2 = 80. Valorile permise pentru ncol2 sunt 80 şi 133.
Exemple:
.WIDTH IN = 75 OUT = 133
.WIDTH IN = 72
IV.3.S Ursă de curent pentru LED-uri

Dacă un LED este utilizat într-un circuit , curentul pentru LED este în mod
obişnuit fixat cu o rezistenţă de limitare . LED-ul poate fi stins sau aprins de un
+
tranzistor. Totuşi metoda dată în figură nu ia în considerare nici o variaţie de tensiunii
de alimentare . O mică variaţie a curentului prin LED poate fi foarte dăunătoare , mai
ales când sunt utilizate LED-uri de mare eficienţă .
Suplimentarea cu numai un tranzistor poate transforma circuitul din figură
într-o sursă de curent care poate fi cuplată şi decuplată (de exemplu , cu nivele TTL) .
În circuitul din figură se observă că rezistenţa R1 a fost mutată în emitorul lui T1 .
Când o tensiune de comandă este aplicată la intrarea lui T1 , acest tranzistor conduce ,
determinând apariţia unui curent prin R1 . Tranzistorul T2 comandă curentul de bază
a lui T1 astfel încât tensiunea ce cade pe R1 rămâne 0,6  V . Curentul I prin LED-uri şi
T1
R1 se calculează cu relaţia I=0,6/R1
R2 . Dacă , de exemplu , R1 este 12Ω, curentul prin
LED-uri este de 50mA . De reţinut că disiparea pe T1 este întrucâtva mai mare decât
 4k7

în circuitul dat în figură dar cu toate acestea , disipaţia pe R1 nu este atât de ridicată.
T2
BC 140

R1 I=0.6/R1
BC 547

P=Ub*I
46 B3590-1

Fig 4.1. Schema circuitului

47
Cap. V. Protecţia Muncii

Protecţia muncii este un ansamblu de măsuri tehnice , sanitare şi

organizatorice , având ca scop ocrotirea vieţi şi sănătăţii celor ce muncesc în timpul
procesului de producţie şi asigurarea unor condiţii optime de muncă .
În ţara noastră statul acordă o deosebită atenţie creării la locul de muncă a unor
condiţii ne periculoase , care să asigure deplina securitate a muncii.
Spre deosebire de cele mai tipuri de instalaţii , la care pericolele posibile sunt
sesizate de simţurile omeneşti , la instalaţiile electrice , tensiunea electrică nu poate fii
astfel sesizată , pentru ca omul să fie prevenit asupra pericolului posibil .

2.Efectul curentului electric asupra corpului omenesc

În cazul în care omul atinge simultan două corpuri bune conductoare de
electricitate între care există o diferenţă de potenţial electric de exemplu , două
conductoare electrice neizolate, corpul său va fii străbătut de un curent electric ,
accident care se numeşte electrocutare.
Electrocutarea poate avea loc prin atingerea directă a părţilor din circuitele
electrice , sau prin atingerea indirectă , adică atingerea unei părţi metalice care nu fac
parte din circuitul electric , dar este pus accidental sub tensiune , de exemplu carcasa
unui motor electric cu izolaţia înfăşurării deteriorată .
Tensiunea la care este supus omul la atingerea unui obiect intrat accidental sub
tensiune este numită tensiune de atingere .
Efectele treceri curentului electric prin corpul omului sunt : şocul electric şi
electrotraumatismele .
Şocul electric – când valoarea curentului ce străbate corpul este sub 1 mA ,
omul nu simte trecerea acestuia .
La valori mai mari, până la 10 mA , au loc comoţii nervoase la mâinile şi
picioarele prin care trece curentul ; se manifestă contracţii ale muşchilor de la mâini ,
astfel omul se desprinde cu efort de obiectul aflat sub tensiune . Accidentul poate fi
însoţit de acţiuni necontrolate de apărare , care pot conduce la dezechilibrarea şi
căderea omului de la înălţime .
Peste 10 mA , omul nu se mai poate desprinde singur de obiectul aflat sub
tensiune şi se poate produce şocul electric , curentul putând acţiona asupra sistemului
nervos sau inimii.
Acţiunea curentului electric asupra sistemului nervos poate avea ca efecte mai
grave oprirea respiraţiei .
Electrotraumatismele sunt cauzate de arcurile electrice care pot apărea , de
exemplu, scurtcircuitarea accidentală a circuitelor electrice . Ele pot provoca orbirea ,
metalizarea pielii sau arsuri care pot distruge pielea , muşchii sau chiar oasele . Dacă
arsurile se produc pe o suprafaţă mare sau ating organele vitale , pot provoca moartea
accidentatului.
Factorii de care depinde gravitatea electrocutării sunt:
-Rezistenţa electrică a corpului omului . Ea poate fi considerată egală în medie cu
1000  , şi depinde în cea mai mare măsură de starea pielii. Când stratul cornos al
pielii este intact şi uscat, rezistenţa corpului omenesc poate avea valori mult mai mari.
Când pielea este umedă sau reprezintă , rezistenţa corpului omenesc poate scădea
până la 200 .

48
- Calea de trecere a curentului prin corp . Accidentul este mai periculos dacă în
circuitul electric stabilit intră inima (mână-mână) ; sau (mână-picior) sau locuri de
mare sensibilitate nervoasă (încheietura mâinii , ceafa , gâtul, talpa. etc . )
-Intensitatea curentului electric care trece prin corp . Limita maximă a curenţilor ne
periculoşi se consideră de 10 mA în curent alternativ şi 50 mA în curent continuu .

a b c

Accidentarea prin electrocutare

-Tensiunea la care este supus omul . Cu cât tensiunea este mai mare , cu atât
pericolul de electrocutare este mai mare .
-Frecvenţa curentului electric .Curentul continuu este mai puţin periculos decât
curentul alternativ. Curentul alternativ cu frecvenţa între 10 şi 100 Hz este cel mai
periculos în ce priveşte producerea de excitaţii. La frecvenţe foarte mari nu există
efecte de excitaţi periculoase , chiar la intensităţi foarte mari. Aceste frecvenţe (circa
500 000 Hz ) sunt folosite la unele aparate electromedicale .
-Durata de acţiune a medicamentului. Cu cât această durată este mai mare , cu
atât pericolul de fibrilaţie a inimii este mai mare . Dacă timpul este foarte scurt , de
ordinul miimilor de secundă , nu se produce fibrilaţia . Practic se consideră că un
accident poate fi mortal , dacă durata de acţiune a curentului depăşeşte 0,1 s .

3.Protecţia împotriva electrocutării

3.1. Clasificarea locurilor de muncă şi a măsurilor de protecţie a muncii

La alegerea măsurilor pentru protecţia împotriva electrocutărilor se au în
vedere caracteristicile locurilor de muncă :acesta se clasifică în trei categorii, în
funcţie de gradul de pericol;
-locurile de muncă foarte periculoase , în care există cel puţin unul din
următorii factori :umiditatea aerului de peste 97% , temperatura peste 35 C, medii
corozive ,obiecte conductoare în legătură electrică cu pământul care ocupă o suprafaţă
mai mare de 60% în zona de manipulare
-locurile de muncă periculoase, în care există cel puţin unul dintre factorii:

49
umiditatea aerului între 75 şi 97% , temperatura între 30 şi 35 C, pulbere
conductoare , obiecte conductoare în legătură cu pământul care ocupă o suprafaţă sub
60% din zona de manipulare;
-locurile de muncă cu grad mic de pericol , caracterizate prin pardoseală
izolatoare (lemn uscat , asfalt etc.), umiditatea până la 75%, temperatura între 15 şi 30
C , fără elemente conducătoare în contact electric cu pământul.

3.2 Protecţia împotriva electrocutărilor prin atingere directă

Principalele măsuri pentru evitarea electrocutărilor prin atingere directă

involuntară sunt:
-protecţia şi construirea instalaţiilor şi echipamentelor electrice astfel încât
elementele aflate normal sub tensiune (conductoare borne bare ) să nu poată fi atinse
întâmplător , iar producerea unor arcuri electrice să nu poată da loc la arsuri . Pentru
aceasta se folosesc închiderea în carcase de protecţie împotriva atingerii, izolarea
electrică a elementelor sub tensiune , amplasate conducătoarelor la înălţimi
inaccesibile atingerii întâmplătoare , îngrădirii care să nu permită trecerea persoanelor
spre elementele aflate sub tensiune , blocări electrice şi mecanice în instalaţie ;
- folosirea unor padoseli din materiale izolante ;
- folosirea unor tensiuni reduse .

3.3 Protecţia împotriva electrocutării prin atingere indirectă

Pentru evitarea electrocutării prin atingerea unor elemente aflate accidental sub
tensiune se iau una sau cel mult două dintre următoarele măsuri :
Legea lui nul constituie o măsură principală de protecţie pentru utilajele fixe
sau mobile , alimentate de la reţele cu nul , care au punctul neutru al sursei de
alimentare legat la pământ. Carcasele metalice ale echipamentelor electrice sunt legate
printr-un conductor de secţiune suficient de mare , la conductorul de nul de protecţie.
Dacă are loc un efect, de exemplu, străpungerea izolaţiei între o fază şi
carcasă, are loc practic un scurtcircuit între fază şi conductorul de nul de protecţie.
Curentul de scurtcircuit este mare, topeşte fuzibilul siguranţa sau determină
deconectarea întreruptorului automat care protejează circuitul respectiv , scoţând astfel
de sub tensiune carcasa . Până la declanşarea sau topirea fuzibilului , tensiunea de
atingere a carcasei este menţinută la valori ne periculoase.
Pentru realizarea unei protecţii corecte prin legarea la nul trebuie să se respecte
în principal , următoarele condiţii:
- legarea suplimentară la pământ a anumitor puncte al reţelei de nul pentru a
se evita pericolul ce s-ar ivi prin întreruperea reţelei de nul de protecţie . În cazul unei
astfel de întrerupere , toate carcasele echipamentele legate la nul pe partea întreruptă
ar rămâne fără protecţie .Cele mai importante puncte care trebuie legate la pământ
sunt tablourile de distribuţie , iar în cazul linilor aeriene , toate punctele de ramificare
capetele linilor şi puncte de traseu la distanţe de maxim 1 km ;
-separarea nulului de protecţie de nulul de lucru . De la ultimul tablou de
distribuţie în sensul transportului de energie (tabloul care are borna de nul legată la
pământ ) şi până la echipamentele protejate , nulul de protecţie nu poate fi folosit şi
drept nul de lucru .
-evitarea pericolului ce ar apărea prin inversarea rolului conductoarelor
(inversarea unui conductor de fază sau nulului de lucru cu conductorul de protecţie );

50
 -la instalaţi alimentare de la aceeaşi sursă este interzis să se folosească pentru o
parte a instalaţiilor protecţie prin legare la nul , iar pentru altă parte , protecţia prin
legare în pământ , deoarece pot apărea tensiuni de atingere periculoase la instalaţiile
legat la nul .

Tablou de
distribuţie
R
S
T
Nul de lucru
Nul de protecţie

1 2

Legarea la nul de protecţie :

1-receptor monofazat; 2-receptor trifazat

Legarea la pământ constituie o măsură principală de protecţie pentru utilajele

şi aparatele fixe sau mobile , mai ales a celor alimentate de reţele izolate faţă de
pământ . Se poate folosi ca mijloc suplimentar de protecţie în instalaţiile de protecţie
prin legarea la nul . Carcasele metalice ale echipamentelor electrice sunt legate printr-
un conductor de legare la pământ la o priză de pământ . Curentul de defect se închide
prin rezistenţa izolaţiei reţelei faţă de pământ Riz şi în cea mai mare parte prin
instalaţia de legare la pământ , iar tensiunea de atingere rămâne nepericuloasă . Ea
este cu atât mai mică , cu cât rezistenţa instalaţiei de legare la pământ este mai mică .
Separarea de protecţie are ca scop alimentarea receptorului cu un circuit izolat
faţă de pământ şi separat (izolat ) faţă de reţea . Se realizează cu ajutorul unui
transformator de separare , care alimentează un singur receptor .
În cazul unui defect , curentul care se închide prin om este foarte mic ,
deoarece trebuie să se închidă prin izolaţia circului de alimentare .Iolaţia cablurilor de
alimentare trebuie însă să fie totdeauna în stare bună .

51
 Izolarea suplimentară de protecţie constă din prevederea unei izolaţii
suplimentare faţă de izolaţia obişnuită de lucru a receptorului . Ea se poate realiza
izolându-se suplimentar receptorul fie prin aplicarea unei izolaţii suplimentare între
izolaţia obişnuiră de lucru şi carcasa care poate fi atinsă de om , fie prin aplicarea unui
înveliş izolant de protecţie pe carcasa receptorului , sau se poate realiza prin izolarea
locului de muncă (între om şi pământ ) , folosindu-se covoare izolante .

4. Acordarea primului ajutor în caz de electrocutare

Salvarea accidentului depinde de rapiditatea cu care acesta este scos de sub

tensiune şi i se face respiraţia artificială. Intervenţia după un minut creează şanse de
salvare de 95% , în timp ce după 8 minute şansele scad la 0,5%.
Acordarea primului ajutor constă din scoaterea accidentatului de sub tensiune
şi efectuare respiraţiei artificiale .
Scoaterea accidentatului de sub tensiune . Pentru aceasta se scoate de sub
tensiune instalaţia acţionându-se întreruptorul care o alimentează . La liniile aeriene se
poate arunca peste conductoarele liniei un conductor neizolat , care în prealabil a fost
legat la pământ.
În instalaţiile de joasă tensiune , dacă nu este posibilă deconectarea instalaţiei ,
se îndepărtează accidentatul de părţile de sub tensiune şi salvatorul trebuie să ia
măsuri să nu fie electrocutat ,folosind mănuşi sau cizme izolante , călcând pe un covor
izolant , o scândură uscată sau haine uscate . Se recomandă ca intervenţia să se facă cu
o singură mână şi să se apuce de hainele accidentatului dacă sunt uscate .
Efectuarea respiraţiei artificiale . Dacă accidentatul încă mai respiră , este
întins , i se deschid hainele şi eventual fricţionat pe corp. Dacă accidentatul nu mai
respiră i se face imediat respiraţie artificială , care va fi continuată în timp îndelungat ,
chiar 8-10 h , fără întrerupere . Destul poate fi constatat numai de medic .
Pentru respiraţiei artificiale se poate folosi una dintre metode manuale sau
metoda gură la gură sau gură la nas . Metoda manuală de respiraţie artificială , care
poate fi aplicată de o singură persoană este următoarea ;
-se aşază accidentatul culcat , cu spatele în sus , cu capul pe o mână , cu faţa pe
într-o parte şi mâna cealaltă de-a lungul corpului;
-se scoate limba accidentatului afară folosindu-se la nevoie un lemn introdus
între măsele (nu între dinţi din faţă) ;
-salvatorul se aşază în genunchi deasupra accidentatului cu faţa spre capul lui ,
cuprinzând între genunchi coapsele acestuia , şi îşi aşază palmele pe coapsele
inferioare apucându-l lateral cu degetele răsfirate degetele mari fiind paralele cu
coloana vertebrală ;
-salvatorul se apleacă înainte cu mâinile întinse numărând rar până la trei ,
realizând astfel respiraţia ;
se revine brusc la poziţia iniţială pentru a intra aer în plămâni (inspiraţia) şi se
numără rar 4,5,6;
-se repetă ciclul cu o frecvenţă de 12-15 apăsări pe minut.

52
 BIBLIOGRAFIE

1. Ana Amuzescu şi Dorina Popovici Îndrumar de electronică Editura Printech

Bucureşti 2002
2. Michael-Martin Buchholtzer 300 Circuite electronice Editura Teora 1998
3. Stephen L. Herman Delmars Standard Textbook of Electricity Editura Delmar
Publishers 1999
4. M. Iordache şi L. Dumitriu Teoria Modernă a Circuitelor Electrice Editura Teora
1999 Bucureşti
5. D. Mihoc , D. Simulescu şi A. Popa Aparate electrice şi automatizări Editura
Didactică şi Pedagogică 1984 Bucureşti
6. Eugenia Isac Măsuri electrice şi electronice Editura Didactică şi Pedagogică
Bucureşti 1991

53