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FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA,
Jefe de Prácticas:
MECÁNICA- Ing. Juan Carlos Cuadros M.
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
Código: 2017220911
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO Semestre: V
Grupo: FECHA:
Apellidos y Nombres: Canales Soto Juan Jonel Lab. Nº: 01 26/07/20

OBJETIVOS
✓ Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.
✓ Analizar las características técnicas de un diodo.

MARCO TEÓRICO

DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termínales que tiene el símbolo y las características siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducirá
corriente en la dirección definida por la fecha en el símbolo, se comporta como circuito cerrado para la región de conducción, y
actuará como un circuito abierto al intentar establecer corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:

Rdirecto = 0  (corto circuito)

Rinverso =   (circuito abierto)

DIODO SEMICONDUCTOR

Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinarán, dando como resultado
una carencia de portadores en la región cercana a la unión.
Esta región de iones positivos y negativos recibe el nombre de región
de agotamiento por ausencia de portadores en la misma.

La aplicación de un voltaje implica tres posibilidades:

No hay polarización (VD = 0v)
Polarización directa (VD > 0v)
Polarización inversa (VD < 0v)
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CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
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SIN POLARIZACIÓN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la región de agotamiento pasarán
directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la
región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos en el material tipo n, así
como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento del material tipo
p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habrá un pequeño
número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de agotamiento y llegar al
material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo
semiconductor es cero.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA

Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la terminal negativa conectado al material
tipo p, eI número de iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n, aumentará debido al mayor número de iones
libres arrastrados hacia el potencial positivo. El número de iones negativos se incrementará en el material tipo p. El efecto es un
ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios
puedan superarla reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA

O condición de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo
n. El VD presionará a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para recombinar con los iones
cerca de la frontera y reducir el ancho de la región de agotamiento. El flujo resultante de portadores minoritarios de los
electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud ( el nivel de conducción se controla por el
número limitado de impurezas en el material); la reducción en el ancho de la región de agotamiento resulta en un denso flujo
de portadores mayoritarios a través de la unión: Al aumentar el valor de la polarización, la región de agotamiento disminuirá
su ancho hasta producir un desbordamiento de electrones, resultando en un incremento exponencial en la corriente. El voltaje
a través de un diodo polarizado directamente será menor a 1 V.
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CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
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Las características de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la figura # 1. Note el cambio en la
escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la región de polarización inversa la comerte de saturación inversa es
justamente constarte de 0 V al potencial Zener. En la región de polarización directa la corriente crece realmente rápidamente
cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva está subiendo casi verticalmente a un volta je de
polarización directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarización directa se limitará solamente por la red en que el diodo es conectado o por la máxima
comento o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERÍSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO

La resistencia de DC o Estática de un diodo en un punto de la curva característica está determinada por la proporción del voltaje
del diodo en ese punto, dividido por la comente del diodo. Esta es:

𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼𝑑

La resistencia de AC o Dinámica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una
línea tangente dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje (𝛥𝑉) y corriente (𝛥𝐼) de desviación
puede ser determinado siguiendo la ecuación aplicada:

𝛥𝑉
𝑅𝑇𝑑 =
𝛥𝐼
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DIODO DE GERMANIO 1N60

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación

de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. La flecha del símbolo del
diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente.
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unión p-n y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo, los diodos de germanio, tienen una
tensión de polarización directa de 0,3 voltios.
Características del diodo de germanio 1N60
• Alta fiabilidad
• Baja corriente inversa y bajo voltaje hacia adelante
• Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Especificaciones del diodo de germanio 1N60

• Tipo: Recuperación rápida de germanio

• Voltaje de tensión de ruptura: 45 V

• Corriente máxima promedio: 50 mA

• Corriente máxima pico: 500 mA

• Temperatura de operación máxima: 125°C

• Encapsulado DO-35

• Axial: 2 puntas

Sustito al diodo de Germanio 1N60 podemos encontrar el NTE110P

¿Cómo Probar los diodos?
Los multímetros digitales pueden probar diodos utilizando uno de dos métodos:

1. Modo Prueba de diodos: casi siempre es el mejor enfoque.

2. Modo Resistencia: normalmente usado solo si el multímetro no está equipado con un modo de prueba de diodos.

Nota: En algunos casos puede ser necesario retirar un extremo del diodo del circuito para probar el diodo.

Cosas que debe saber sobre el modo Resistencia cuando pruebe los diodos:

• No siempre indica si un diodo está en buenas o malas condiciones.

• No se debe usar cuando se conecta un diodo en un circuito, ya que puede producir una lectura falsa.
• PUEDE usarse para verificar el mal estado de un diodo en una aplicación específica después de que una prueba
de diodos indique que está en malas condiciones.

Se puede probar mejor un diodo si se mide la caída de voltaje a través del diodo cuando está polarizado en directo. Un
diodo polarizado en directo actúa como un interruptor cerrado, lo que permite que la corriente fluya.
El modo Prueba de diodos del multímetro produce un pequeño voltaje entre los cables de prueba. El multímetro luego
muestra la caída de voltaje cuando los cables de prueba están conectados a través de un diodo polarizado en directo.
El procedimiento de prueba de diodos se lleva a cabo de la siguiente forma:

1. Asegúrese de que a) toda la energía del circuito esté APAGADA y b) no haya tensión en el diodo. Puede haber
voltaje en el circuito debido a capacitores cargados. Si es así, los capacitores se deben descargar. Ajuste el
multímetro para medir el voltaje de CA o CC según se requiera.
2. Gire el selector (perilla giratoria) al modo Prueba de diodos ( ). Es posible que comparta un espacio en el
selector con otra función.
3. Conecte los cables de prueba al diodo. Anote la medición que se muestra.
4. Invierta los cables de prueba. Anote la medición que se muestra.

Análisis de la prueba de diodos

• Un buen diodo polarizado en directo muestra una caída de voltaje que va de 0.5 a 0.8 voltios para los diodos de
silicio más comúnmente utilizados. Algunos diodos de germanio tienen una caída de voltaje que va de 0.2 a 0.3 V.
• El multímetro muestra OL cuando un diodo bueno está polarizado en directo. La lectura OL indica que el diodo
funciona como un interruptor abierto.
• Un diodo malo (abierto) no permite que la corriente fluya en ambos sentidos. El multímetro mostrará OL en ambas
direcciones cuando el diodo esté abierto.
• Un diodo en cortocircuito tiene la misma lectura de caída de voltaje (aproximadamente 0.4 V) en ambas
direcciones.

Un multímetro configurado en el modo Resistencia (?) puede usarse como una prueba de diodo adicional o, como ya
se mencionó, si el multímetro no incluye el modo Prueba de diodos.

Un diodo está polarizado en directo cuando el cable de prueba positivo (rojo) está conectado al ánodo y el cable de
prueba negativo (negro) está conectado al cátodo.

• La resistencia del polarizado en directo de un diodo bueno debe oscilar entre 1000 Ω y 10 MΩ.
• La medición de la resistencia es alta cuando el diodo está polarizado en directo porque la corriente desde el
multímetro fluye a través del diodo, lo que provoca la medición de alta resistencia necesaria para la prueba.

Un diodo se polariza de forma invertida cuando el cable de prueba positivo (rojo) está conectado al cátodo y el cable
de prueba negativo (negro) está conectado al ánodo.
 • La resistencia de la polarización de forma invertida de un diodo bueno muestra OL en el multímetro. El diodo es
malo si las lecturas son las mismas en ambas direcciones.

El procedimiento del modo resistencia se lleva a cabo de la siguiente manera:

1. Asegúrese de que a) toda la energía del circuito esté APAGADA y b) no haya tensión en el diodo. Puede haber
voltaje en el circuito debido a capacitores cargados. Si es así, los capacitores se deben descargar. Ajuste el
multímetro para medir el voltaje de CA o CC según se requiera.
2. Gire el selector al modo Resistencia (Ω). Es posible que comparta un espacio en el selector con otra función.
3. Conecte los cables de prueba al diodo después de que se le haya retirado del circuito. Anote la medición que se
muestra.
4. Invierta los cables de prueba. Anote la medición que se muestra.
5. Para obtener los mejores resultados cuando se usa el modo Resistencia para probar diodos, compare las lecturas
tomadas con un diodo conocido en buen estado.

EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC , DMM Resistores
1/4W : 1K, 1M,
Diodos : Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60

PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo
✓ Escala de prueba de diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

CONEXIÓN DIRECTA

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PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

✓ Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 1000Ω

✓ Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V

Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

DIODO 1N4007 (Si)

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0,531 0,554 0,572 0,58 0,59 0,60 0,60 0,61 0,61
ID = VR/ RMed (mA) 0,114 0,201 0,3 0,405 0,505 0,604 0,705 0,807 0,906

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0,58 0,61 0,63 0,65 0,66 0,66 0,67 0,68 0,68
ID = VR/ RMed (mA) 1 2 3 Tabla4 3. 5 6 7 8 9

DIODO 1N4148 (Si)

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0,56 0,59 0,60 0,61 0,62 0,63 0,64 0,64 0,65
ID = VR/ RMed (mA) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0,65 0,68 0,7 0,71 0,72 0,73 0,74 0,74 0,75
ID = VR/ RMed (mA) 1 2 3 Tabla4 4. 5 6 7 8 9

PARTE 3: Polarización Inversa

✓ Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 1MΩ
Circuitos para el diodo 1N4007 Y 1N4148 ambos de silicio
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✓ Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación 𝑉𝑅

𝐼𝐷 =
𝑅𝑚𝑒𝑑 ||𝑅𝑚
Rm es la resistencia interna del DMM (10M)

(Si) (Ge)
Rm 10MΩ -
VR -0,20V - MEDIDO
ID -0,04µA - CALCULADO

✓ Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

𝑉 − 𝑉𝑅
𝑅𝐷𝐶 =
𝐼𝐷

RDC (Si 1N4007) = 495 MΩ

RDC (Si 1N4148) = 495 MΩ
RDC (Ge 1N60 ) = No hay diodo de Germanio

PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla
6, 7 y 8

Diodo 1N4007 (Si)

ID (mA) VD (V) RDC (Ω)

0,2 0,51 2,55k
1 0,58 580
5 0,66 132
10 0,7 70
Tabla 6.

Diodo 1N4148 (Si)

ID (mA) VD (V) RDC (Ω)

0,2 0,59 2,95k
1 0,65 650
5 0,72 144
10 0,8 80
Tabla 7.
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CUESTIONARIO FINAL

1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Para poder identificar los terminales de un diodo podríamos utilizar un multímetro, cabe decir que siempre se pone
en modo para medir las resistencias o modo ohmímetro y así podremos identificar cada terminal de acuerdo a los
valores proporcionados por el multímetro.

2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados en laboratorio?

La resistencia del diodo es aquella que trabaja en un estado con polarización directa y tienen un máximo de 2.55k y
2,95k los diodos de silicio respectivamente.

3. ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados en laboratorio?

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de

la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se denomina "Polarización Inversa" y se
llama así ya que es la resistencia que presenta un diodo al trabajar con un voltaje a polarización inversa.
Los dos tienen una resistencia de 495 MΩ.

4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o usuales a consultar para los
diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general. Anote los valores de acuerdo a la
elección hecha.

El diodo rectificador 1N4007 es uno de los dispositivos más utilizados en proyectos de electrónica,
es muy utilizado en fuentes de voltaje para evitar una alimentación de voltaje negativa la cual puede
ocasionar que nuestro circuito se queme por polaridad inversa, y por su puesto es usado para
rectificar una señal de corriente alterna o corriente continua. Este diodo soporta una corriente
de 1A de forma continua con un voltaje de hasta 700V. También puede soportar picos de voltaje
inverso de 1000v y corrientes de sobre tensión de 30A. Se presenta en un encapsulado de tipo DO-
41.
1. Voltaje inverso (Vr): 700v.
2. Voltaje inverso pico (Vrm): 1000v.
3. Corriente directa máx. (Io): 1A.
4. Caída tensión directa (Vf): 1,1v a 1A.
5. Corriente de sobretensión máxima: 30A.
6. Encapsulado: DO-41
7. Tensión operativa: -55ºC a +150ºC.

El 1N4148 es uno de los diodos de conmutación para señales de silicio mas conocidos y de más
larga vida debido a su fiabilidad y al bajísimo costo de producción. Gracias al tiempo de recuperación
inversa de solo 4 nanosegundos puede ser usado en aplicaciones de conmutación con frecuencias
bastante elevadas, hasta 100MHz.
1. Voltaje inversivo (Vr): 75V
2. Corriente Máxima (Imáx): 300Ma
3. Caída de Tensión directa (Vfmáx): 1V
4. Tiempo de recuperación (trr): 4 nSeg.
 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Valores nominales de tensión:

VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.
VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.
Valores nominales de corriente:
Io = Corriente máxima con polarización directa
IF = Corriente directa.
IR = Corriente inversa.
AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)
Valores nominales de temperatura:
Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los semiconductores.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado.

• Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que siempre se va a trabajar con diodos
reales así que no siempre se debe esperar los resultados teóricos.
• El voltaje inverso para los dos diodos es prácticamente el mismo, lo cual nos da una resistencia igual.
• Los valores finales de las resistencias varian ya que las polarizaciones directas e inversas influyen
demasiado en el resultado de esta.
• Para poder conocer los terminales de un diodo que no está marcado basta con usar un multímetro en
modo para medir resistencias.
• Los valores calculados en el simulador en ocasiones se alejan de los valores reales que podríamos hallar
en la práctica real, ya que cuando vamos a realizar procesos de medición se cometen muchos errores
tales como los sistemáticos, accidentales, entre otros, sin embargo en el simulador se obtienen valores
cercanos a los teóricos, hay que considerar que en esta práctica usamos diodos reales y no ideales.

BIBLIOGRAFÍA
[1] ficha técnica de un diodo de germanio
https://www.carrod.mx/products/diodo-1n60-recuperacion-rapida-germanio-75-v-50-ma
[2] Diodos de germanio
https://www.brickrknowledge.de/es/brick/diode-germaniumdiode-
aa118/#:~:text=El%20diodo%20de%20germanio%20es,el%C3%A9ctrica%20en%20una%20sola%20d
irecci%C3%B3n.
[3] Prueba del diodo
https://www.risoul.com.mx/blog/como-utilizar-un-multimetro-para-probar-diodos