INSTITUTO SUPERIOR DE TRANSPORTES

E COMUNICAÇÕES

Licenciatura em Engenharia Ferroviária

Electrónica Analógica

Transístor de Junção Bipolar

Eng.º Adélio Francisco Tembe, MSc.

 Sumário
Ω Definição de Transístor
Ω Classificação de Transístor
Ω Principio de Funcionamento do Transístor Bipolar
Ω Configurações do Transístor de Juncão Bipolar
Ω Regiões de Funcionamento do Transístor
Ω Reta de Carga
Ω Polarização do Transístor

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 Transístor
• O transistor é um dispositivo semicondutor que tem como função principal
amplificar um sinal elétrico, principalmente pequenos sinais, tais como:
– Sinal de TV
– Sinal de rádio
– Sinal biológico
– ...............
• O primeiro transistor de junção (Germânio) foi inventado em 1951, por
Shockley.
 Transístor

• O transístor substituiu as válvulas,

anteriormente utilizadas como dispositivos
amplificadores de sinais, as quais
apresentavam desvantagens, tais como:
– Alto aquecimento
– Pequena vida útil (alguns milhares de horas)
– Ocupa
A invenção domais
transístor
espaçopermitiu
que os transístores
uma revolução na integração de funções
em um único componente, o circuito integrado.
 Transístor Bipolar

NPN
Bipolares
PNP

Transístores Canal N (JFET-N)

União
Canal P (JFET-P)

Efeito de
campo Canal N (Mosfet-
N)
Metal-Oxido-
Semiconductor Canal P (Mosfet-
p)

* FET : Field Effect Transistor

 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

- - - -

+
- -

+
+

+
+

+
- - - - - -
+

+
+

+
- - - -
+ +

+ +
- -

+
+

+
- - - - - -

+
+

+
- -
+

+
- - - -
+

+
- -
+

+
P N N + - P

Concentração
de lacunas
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

P N N N P

Se a zona central for muito larga o comportamento é como o dos diodos em

série: o funcionamento da primeira união no afecta o da segunda
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

P N P
Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

P N P
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

P N P
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

Base

Emissor Colector

P Transistor
N PNP P
O terminal da Base atua como terminal de comando, controlando uma fração de
corrente muito menor que a corrente de Emissor e de Coletor.
O Emissor tem uma concentração de impurezas muito superior à do Coletor:
Emissor e Coletor não são intercambiáveis.
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

P N P
 Princípio de funcionamento do transístor
bipolar PNP

Base

Emissor Colector

P N NPN
Transistor P

A maior mobilidade dos eletrões faz com que as características do transístor NPN
sejam melhores que as de um PNP de forma e tamanho equivalentes. Os NPN são
usados num maior numero de aplicações.
 Correntes no
transistor
• IE = IB + IC

Modelo Real Modelo convencional

IC IC
IB IB

IE IE
 Transístor

• O que torna o transistor interessante e útil é o facto de que a corrente de colector é

bem maior que a corrente de base.
• Para um transistor típico, 95% a 99% dos portadores da carga do emissor são captados
pelo colector e constituem quase toda a corrente de coletor.

IC é ligeiramente menor do que IE

α = I C / IE α  0.95

O ganho de corrente de um transistor é definido como a corrente

do colector dividida pela corrente da base
 = IC / IB
 Transístor - Configurações
Características EC CC BC
Ganho de potência sim sim sim
Ganho de tensão sim não sim
Ganho de corrente sim sim sim
Resistência de entrada 3.5K 580K 30K
Resistência de saída 200K 3.5K 3.1M
Mudança de fase da tensão sim não não

Emissor comum Coletor comum Base comum

 Transístor EC Características
Curva da base
IB = (VBB - VBE )/RB

CE

0.7V

 VCE = VC – VE  IE = IB + IC
 VCB = VC – VB
 Transistor – Curvas do coletor
Corrente IC constante
(região activa) VBE =V
Joelho da curva IB > 0
IC/IB =  constante
Região de saturação

VBE =V
IB > 0
IC/IB < 

Região de corte
VBE < V
IB = 0
IC IE  0 Tensão de ruptura
 Transistor – regiões de
operação
Modo de Junção EB Junção BC Aplicações
operação (emissor-base) (emissor-
colector)
Zona activa Polarização Polarização Amplificadores
directa inversa

Zona de corte Polarização Polarização Interruptores,

inversa inversa Portas Lógicas,
Circuitos TTL,
Zona de Polarização Polarização etc.
saturação directa directa
 Transístor – Região de saturação

• Região de saturação
– Está região representa a região no qual a corrente do colector cresce bastante com
o aumento da tensão entre o colector e emissor (0 a 1 V)
– Nesta região o diodo colector- base está directamente polarizado.
– O valor de resistência da carga deve ser pequena bastante para levar o transistor
para a saturação, de forma que quase toda a tensão da fonte é aplicada na carga.

VBE >=0.7
VCE=0.2
IB > 0
IC/IB <=  carga
VB=0,8V

VE=0V
 Transístor – Região de corte

• Região de corte
– Nesta região a corrente de base é nula.
– Existe apenas nesta configuração uma pequena corrente de fuga do colector.

VBE < 0.7

IB = 0
VCE=VCC
I C I E  0 VC=10V

IC0mA
VBE<0,7V

VE=0V
 Transístor – Região ativa

• Região activa
– Está região representa a operação normal do transistor. Nesta região o diodo emissor
está polarizado directamente e o diodo colector inversamente polarizado.
– Nesta região, o colector captura praticamente todos os elétrons que o emissor está
jogando na base.

VBE =0.7; IB > 0

0.2<VCE<VCC
IC/IB =   constante
VC
VC> VB
IC
VBE>0,7V

VE=0V
 Transístor – Reta de carga
• A reta de carga possui todos os pontos de
operação do circuito, considerando as
características do transístor.

VCC=IC.RC+VCE

Ponto Q(operação)

Ponto de corte – corrente Ic mínima do circuito

 Circuitos de Polarização do
Transístor
Polarização Por Corrente De Base Constante

IC = IB

VCE = 0,5VCC

24
 Circuitos de Polarização do
Transístor
Polarização Por Corrente De Emissor Constante ou polarização por realimentação do
emissor.

V V
IC  CC BE
RE  R B / 

VRE = 0,1VCC

25
 Circuitos de Polarização do
Transístor
Polarização Por Realimentação Negativa ou polarização do Coletor

V V
IC  CC BE
RC  R B / 

26
 Circuitos de Polarização do
Transístor
Polarização do Coletor e do emissor

V V
IC  CC BE
RC  R E  R B / (   1)

27
 Circuitos de Polarização do
Transístor
Polarização Por Divisor De Tensão Na Base

R2 . VCC
V 
TH R1  R2

R1 . R2
R 
TH R1  R2 RTH  0,1RE
28
 Polarização Por Divisor De
Tensão Na Base

Apresentamos a seguir algumas regras práticas para a elaboração de um

projeto de polarização por divisor de tensão na base:

RBB . VCC
VRE = 0,1VCC R1 
VBB
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC RBB
R2 
VBB
RC = 4RE 1-
VCC
RBB = 0,1RE
29
Circuitos de Polarização do
Transístor

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