República Bolivariana de Venezuela

Instituto Politécnico Universitario

Santiago Mariño
Escuela Ingeniería en Eléctrica
Sede Barcelona – Anzoátegui

ELECTRÓNICA I

Profesor: Bachiller:

Ing. Luis Medina Luzmeli Ñambre

V-27612445

Carrera: Ing. Eléctrica

Barcelona, Junio 2019

 INTRODUCCION

En el siguiente trabajo se presentaran varias materiales semiconductores los

cuales permiten conducir y aislar la electricidad, también se definirá lo que son
los materiales tipo P y N.

Como también se definirá lo que son los diodos, se nombraran sus tipos y se
desarrollara 2 tipos de diodos, estos son el diodo rectificador y el diodo zener,
de igual forma se con los transistores que son capaces de modificar una señal
eléctrica de salida como respuesta a una de entrada.

Nostante,
 Material Semi-Conductor

Son aquellos materiales que actúan como un conductor o como un

aislante dependiendo de muchos factores, como por ejemplo el campo
magnético o campo eléctrico, la presión, o la temperatura del ambiente en el
que se encuentre.

Semiconductores intrínsecos: son aquellos que poseen una

conductividad eléctrica fácilmente manejable y, al combinarlos de forma
correcta, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.

Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un

semiconductor intrínseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad
dependerá de la concentración de esos átomos dopantes.

Material Tipo N

Los materiales tipo N se obtiene agregando un cierto tipo de átomos al

semiconductor para aumentar el número de portadores de cargas. Los átomos
que se añaden son átomos pentavalentes, como el arsénico, antimonio y el
fósforo.

El átomo pentavalente estará rodeado de cuatro átomos de silicio, que

compartirán un electrón con el átomo central, pero en este caso quedará un
electrón adicional. Como en el orbital de valencia sólo pueden situarse cuatro
electrones, el electrón libre queda en un orbital mayor por lo que se trata de un
electrón libre
 Materiales Tipo P

Se produce igual que en el caso anterior pero añadiendo una impureza

trivalente (átomos con tres electrones en la capa de valencia, como el aluminio,
el boro o el galio).

Cada uno de estos átomos comparte uno de sus electrones de valencia

con la impureza. Así, tendremos siete electrones en el orbital valencia, lo que
significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada átomo
trivalente. A un átomo trivalente se el denomina también impureza aceptadora
porque cada uno de los huecos que contribuye puede aceptar un electrón libre
durante la recombinación.

Diodos

Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar

prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican en
versiones de silicio y de germanio Constan de dos partes una llamada N y la
otra llamada P, separados por una juntura también llamada barrera o unión.
Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios
aproximadamente en el diodo de silicio.
 Tipos de Diodos

 Diodo Detector O De Baja Señal

 Diodo Varactor
 Diodo Emisor de Luz (LED)
 Diodo Laser
 Diodo Estabilizador
 Diodo Tunel
 Diodo PIN
 Diodo Backward
 Diodo SCHOTTKY

Diodo Rectificador

Son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en

polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen.
Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una
señal.

Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el

voltaje en inverso que pueden soportar.

Diodo Zener

Es un dispositivo semiconductor compuesto por la unión de dos

materiales con diferente dopado. Básicamente, se estructura igual que un diodo
semiconductor o diodo de pequeña señal. La gran diferencia, es que el diodo
zener trabaja en la región de ruptura o zener. Esta región se da cuando el
diodo se polariza en inversa. Por lo tanto, el diodo zener, se utilizará como un
diodo polarizado en inversa. Una de las aplicaciones más comunes de estos
diodos es la de regular voltaje.

Transistores

Es un tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar

una señal eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como

relojes, lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).

Tipos de Transitores

 Transistor de contacto puntual

 Fototransistor

Transistores Bipolares (PNP y NPN)

El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT es un

dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector.
 La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN
dispuestas una a continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base
hay una unión PN, denominada unión emisora, y entre los de base y colector
otra unión PN, llamada unión colectora.

Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. En el transistor

NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es
tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando
las regiones P por regiones N, y las N por P.

El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+).
Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores
podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar
poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente
que proviene de emisor pase a colector. Además, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y
trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las
características de esta región tienen que ver con la recombinación de
los portadores que provienen del emisor.

Transistores FET

Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un

canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la
trayectoria de la corriente.

El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual

se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta y que
están unidas entre sí.
 Triacs

El triac es un dispositivo semiconductor con tres terminales que es

utilizado para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por
inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la
polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.

Rectificador Controlado De Silicio

Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn

con la disposición pnpn Está formado por tres terminales, llamados Ánodo,
Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el
terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
 El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el ánodo es positivo
en relación al cátodo no circulará la corriente hasta que una corriente positiva
se inyecte en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagará hasta que
no se remueva la tensión en el ánodo-cátodo, de allí el nombre rectificador
controlado.