ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO SEDE LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA BÁSICA

TEMA: TRAZADO DE LA CURVA CARÁCTERÍSTICA DEL DIODO DE SI Y GE

1. Objetivos

Mediante el desarrollo de esta práctica se pretenden lograr los siguientes objetivos:

 Identificación de los terminales de diodo semiconductor.

 Obtención de las curvas características Voltaje vs Corriente del diodo
 Interpretación del código marcado por el fabricante sobre el cuerpo.
 Extracción y verificación de las características técnicas de los diodos.
 Simulación y realización práctica de circuitos electrónicos basados en diodos.

2.- Equipos

 Fuente de voltaje
 Amperímetro
 Voltímetro
 Diodo de silicio y germanio
 Una resistencia de 200Ω

3. Conocimientos previos necesarios

Para la realización de esta práctica es necesario saber a cerca de los materiales semiconductores. El
silicio es el material semiconductor más utilizado en la actualidad debido a su buen desempeño y muy
bajo costo. Es el componente principal de la arena y el cuarzo.

Son materiales que se comportan como aislantes o como conductores dependiendo de las condiciones
eléctricas a las que están sometidos.

Principalmente son el Silicio y el Germanio y en sus propiedades de conducción eléctrica se basa la

electrónica de potencia.

Un semiconductor se caracteriza por una densidad intermedia de portadores de carga y una banda
prohibida estrecha. La conductividad del semiconductor aumenta si se le proporciona la suficiente
energía por cualquier método, de tal forma que los electrones de la banda de valencia salten a la banda
de conducción.

Un diodo semiconductor de estado sólido es un componente electrónico fabricado a partir de un

material base semiconductor sobre el que se difunde una unión P-N.
El terminal correspondiente a la zona P se denomina ánodo (A) y el correspondiente a la zona N, cátodo
(K).

El diodo es una simple unión P-N como se sabe el diodo sólo deja pasar electricidad en una dirección.
Para permitir el paso de corriente, el diodo debe estar polarizado directamente (ánodo con voltaje
mayor al cátodo). Debido a que la estructura de la unión P-N no es perfecta, el voltaje entre el ánodo ( A)
y cátodo (K) debe ser mayor a 0.7V si el diodo es de silicio o 0.3V si es de germanio para comenzar la
conducción de electricidad.

Si se polariza inversamente (voltaje del cátodo mayor que el ánodo) el diodo no permite el paso de la
corriente (en realidad logra pasar una mínima cantidad, pero es tan pequeña que es despreciable).

Como recordatorio, cuando se quema un diodo, lo que lo quema es la corriente o en inversa lo que lo
quema es el voltaje.

Estructura interna

Algunos conocimientos de interés que conviene recordar son:

 Estructura y simbología

 Curva característica I-V de un diodo

 Valores límites
 Tensión umbral
 Tensión Zener ( Voltaje de ruptura inversa VPI)
 Intensidad inversa de saturación ( Is)
 Resistencia estática y dinámica ( RD , rd )
 Circuitos equivalentes

 Polarización

 Directa
 Inversa
 Cálculo del punto de trabajo
Codificación En la codificación de diodos se distinguen tres códigos fundamentales, que son:

 Europeo (PROELECTRÓN)
 Americano (JEDEC)
 Japonés (JIS)

4.- Procedimiento

Pruebe el estado del diodo mediante la medición de resistencia, tanto en polarización directa como
inversa y registre este valor.

4.1. Implemente el circuito de la figura con el diodo de silicio en polarización directa, Realice la medida
y observe la relación entre los valores de intensidad generada que circula a través del diodo y los valores
de la tensión medida entre los terminales del mimo.
4.2 Guarde los valores de la intensidad generada y la tensión medida en extremos del diodo en la tabla
1.1 Anote además el voltaje de entrada en cada caso.

Tabla 1.1 Polarización directa para el silicio

4.3 Complete con las nuevas medidas la gráfica con 6 valores de intensidad superiores a la última
medición y anote la tensión en la (tabla 1.1)

4.4 Polarice inversamente el diodo silicio, varíe la fuente según los valores indicados en la tabla 1.2

4.5 Repita los literales de desde el 4.1 al 4.4 para el diodo de germanio y llene los valores en la tabla 1.3
y 1.4

5.- Análisis de resultados

 Entregar como memoria los resultados obtenidos,

 Graficar las curvas voltaje – corriente del diodo para cada apartado.

POLARIZACION DIRECTA PARA EL SILICIO

POLARIZACION DIRECTA DEL GERMANIO

Vin

POLARIZACION INDIRECTA DEL GERMANIO

VR

 Deberán incluirse también las simulaciones resueltas de los circuitos

 Obtenga la hoja de datos del fabricante de los diodos Zener de la serie 1N4004 y anéxelas al
documento de la práctica.

 Tablas de identificación Con ayuda de los catálogos y de las hojas características complétese la
tabla de resultados (T1)
 IDENTIFICACION DE DIODOS

CODIGO 1N4007 OA90 1N4747 1N4148 BZX55C5V1

TIPO
(Ge/Si)
FABRICANTE
I f (mA)
I RM (V )
P(mW )
T jmax (° c)
I z max( mA )
V z (mV )
T (%)
C p (cF)
EQUIVALENTE
CAPSULA
APLICACIONES

6.- Cuestionario

¿Qué tiene de especial un diodo de potencia? Describa uno de los que viene referenciado en el manual
ECG. (NTE)

7.- Conclusiones
 Es importante tener en cuenta, cuando conectamos el diodo en forma inversa ósea el voltaje del
cátodo mayor que el ánodo, el diodo no permite el paso de corriente, más bien existe una
corriente muy pequeña que se la conoce como corriente de fuga.
 Para un diodo de unión P-N, entre el ánodo (A) y cátodo (K) el voltaje de conducción debe ser
mayor de 0,7v como es el caso del silicio.
 A un diodo la corriente es lo que lo quema, pero en inversa el voltaje es lo que lo quema.

8- Recomendaciones

 Revisar el valor de corriente que el diodo puede soportar, ya que si excede el valor indicado este
llega a quemarse.
 Realizar las conexiones de manera correcta, para evitar daños a los elementos que se estén
utilizando en el laboratorio.

9.- Bibliografía

 Electrónica Boylestad
 www.wikipedia.com
 Manual (ECG-NTE)
 ELECTRÓNICA BÁSICA - HOJA DE DATOS

TEMA: TRAZADO DE LA CURVA CARÁCTERÍSTICA DEL DIODO DE SI Y GE

NOMBRES:

1) Carvajal Ángelo
2) Herrera Diego A.

Prueba del diodo

Polarización Directa (SI) = Polarización Inversa (Si) =

Polarización Directa (Ge)= Polarización Inversa (Ge) =

Tabla 1.1 Polarización directa para el silicio

VF 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.603 0.607 0.611 0.615 0.618
(V)
IF 0 0 0.06 11.2 0.08 0.92 1mA 1.1mA 1,2mA 1.3mA 1.4mA
(mA) μA μA μA μA
Vin 0.106 0.2 0.3 0.52 0.61 0.89 0.91 0.94 0.97 1.01 1.04

VF 0.622 0.675 0.705 0.722

(V)
IF 1.5mA 5mA 10mA 15mA
(mA)
Vin 1.07 1.77 2.82 3.88
 Tabla 1.2 Polarización Inversa para el silicio

Vin (V) 1 2 3 4 5 10 15 20
0 0 0 0 0 0 0 0
Is (mA)
1 1.98 2.99 4.03 4.98 9.99 14.98 20
VR (V)

Tabla 1.3 Polarización directa para el diodo de germanio

VF 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.766 1.119 1.413 1.66 1.875
(V)
IF 10.8 0.12 0.48 1mA 1.6mA 2.4mA 4mA 8mA 12mA 16mA 20mA
(mA) μA mA μA
Vin 0.13 0.23 0.43 0.7 0.85 1.12 1.62 2.81 3.96 4.91 5.97

VF 2.3
(V)
IF 30mA
(mA)
Vin 8.61

Tabla 1.4 Polarización inversa para el diodo de germanio

Vin (V) 1 2 3 4 5 10 15 20
0.8 0.9 1μA 1.2 1.5 3 μA 5.8 10.6
Is (mA)
μA μA μA μA μA μA
1.01 2.01 3.01 4.01 4.99 9.98 14.96 19.92
VR (V)