Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
TREINAMENTO EXPERT
ONLINE
MATERIAL DIDÁTICO
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Semicondutores
SUMÁRIO
Definições 1
Materiais Elétricos 4
Semicondutor tipo P 7
Semicondutor tipo N 8
V- JUNÇÃO PN 9
Polarização Direta 10
Polarização Reversa 11
Curva Característica 12
IX- BIBLIOGRAFIA 16
ii
LISTA DE ILUSTRAÇÕES
Definições
Átomo
• Eles se apresentam em níveis de energia predispostos a partir do núcleo conforme a Figura II.2
Valência
Eletrovalência
Covalência
Materiais Elétricos
• Para um condutor, o número de elétrons livres na última camada dever ser igual a um.
• Para os semicondutores esse número sobe para 4, sendo assim os semicondutores são
elementos de valência quatro (ou tetravalentes).
• E por fim, os isolantes possuem oito elétrons na camada de valência (de 5 a 8)
Condutores
Isolante
Semicondutor
Semicondutor tipo P
Elementos Trivalentes
Por trivalente, entende-se todo elemento que possui em sua última camada
(camada de valência) um total de três elétrons. Ex: alumínio, índio, boro e gálio.
Dopagem
O material do tipo P é obtido dopando-se um cristal de Germânio ou Silício
puro com átomos de impureza que possuam três elétrons de valência, esse efeito é
mostrado na Figura IV.1 com adição do Boro.
Semicondutor tipo N
Elementos Pentavalentes
Entende-se por pentavalente, todo elemento que possui em sua última
camada um total de cinco elétrons. Ex.: antimônio, fósforo, arsênico.
Dopagem
Um material do tipo N é obtido dopando-se um cristal de germânio ou silício
puro com átomos de impureza que possuam 5 elétrons de valência, denominado
pentavalente. O efeito do antimônio é mostrado na Figura IV.3.
V- JUNÇÃO PN
do lado P que os repelirá; o mesmo ocorre com as lacunas, ficando claro que o
resultado é um equilíbrio de cargas em torno da junção.
O acúmulo de íons na junção cria uma camada de carga espacial (CCE) ou
barreira de potencial, cuja diferença de potencial (DDP) vale aproximadamente 0,7V
para silício e 0,3V para germânio a temperatura ambiente (CIPELLI, MARKUS E
SANDRINI, 2007).
Polarização Direta
1. Após ter deixado o terminal negativo da fonte, ele entra pela extrema direita do
cristal.
2. Ele viaja através da região N como um elétron livre.
3. Na junção, ele se recombine com uma lacuna e se torna um elétron de valência.
4. Ele viaja através da região P como um elétron de valência.
5. Após deixar a extrema esquerda do cristal, ele circula para o terminal positivo da
fonte.
Polarização Reversa
Curva Característica
Onde:
IS = Corrente de saturação reversa.
VZ = Tensão Zener.
Resposta = 4
2. Classifique cada um dos elementos a seguir de acordo com sua condutividade (MALVINO,
1997).
a) Germânio: Semicondutor
b) Prata: Condutor
c) Silício: Semicondutor
d) Ouro: Condutor
3. Classifique cada um dos seguintes semicondutores como tipo N ou tipo P (MALVINO, 1997)
a) Determine a resistência de uma amostra de silício que tenha uma área de 1 cm2 e
comprimento de 3 cm.
𝑙 3 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 150 𝐾Ω
𝐴 1 𝑐𝑚2
𝑙 1 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 12,5 𝐾Ω
𝐴 4 𝑐𝑚2
𝑙 8 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 800 𝐾Ω
𝐴 0,5 𝑐𝑚2
𝑙 3 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 10−6 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 3 𝜇Ω
𝐴 1 𝑐𝑚2
Rsi : RCu = 50 x 109 : 1
5. Qual é a energia em Joules para mover uma carga de 6C através da diferença de potencial de
3V? (BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004).
𝑊 = 𝑄𝑥𝑉 = 6𝐶 𝑥 3𝑉 = 18𝐽
6. Se 48eV de energia são necessários para mover uma carga através de uma diferença de
potencial de 12V, determine a carga envolvida? (BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004).
1 𝑒𝑉 = 1,6 𝑥 10−9 𝐽
Logo, 48 𝑥 1,6 𝑥 10−9 𝐽 = 76,8 𝑥 10−9 𝐽
𝑊 76,8 𝑋 10−9 𝑗
Então, 𝑄= = 6,40 𝑋 10−9 𝐶
𝑉 12𝑣
16
IX- BIBLIOGRAFIA
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4.ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2009.