UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE ING.ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y
TELECOMUNICACIONES.

Apellido y Nombre: Código:

Flores Sánchez, Pedro Antonio 12190283

Curso: Tema:

RESPUESTA EN ALTA
LABORATORIO CIRCUITOS FRECUENCIA DE UN
ELECTRÓNICOS II AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
Informe: Fechas: Nota:

PREVIO Realización: Entrega:

Numero:

06/11/2019 06/11/2019

5
Horario: Profesor:
Miércoles: 12:00 – 14:00 ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

DE UNA SOLA ETAPA

I. OBJETIVOS

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un

amplificador de audio.

II. MARCO TEÓRICO

La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores

depende de los capacitores externos utilizados para acoplamiento y
paso. La respuesta en alta frecuencia depende de la capacitancia interna
del transistor. Se amplía el circuito equivalente simplificado para
incluir los efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen
entre las terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver
como si estuviese en serie con la resistencia equivalente (Thevenin) de
los circuitos asociados. Por tanto se comienza con el examen del
circuito RC de la figura 5.1. Conforme aumenta la frecuencia de la
señal de entrada, la señal de salida disminuye en amplitud a razón de
20dB/década de acuerdo con la expresión:

Se hace a la constante de tiempo

τ=RC. En general se ignoran las
capacitancias de alambrada y
distribuidas y se consideran sólo
las capacitancias parásitas entre
terminales.
Figura 5.1
Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación

En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de

importancia son las capacitancias entre electrodos (entre terminales)
internas al dispositivo activo y la capacitancia de alambrado entre los
cables de conexión de la red.

Todos los grandes

capacitores de la red que
controlaban la respuesta
en baja frecuencia
fueron reemplazados por
su equivalente de
cortocircuito debido a
sus muy bajos niveles de
reactancia. Para
amplificadores
inversores
(desfasamiento de 180°
entre la salida y la
entrada, que produce un
valor negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa
en un nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos
entre las terminales de entrada y salida del dispositivo y la ganancia del
amplificador. En la figura, esta capacitancia de “realimentación” está
definida por Cf.
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos

Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:

Pero entonces

El resultado es una impedancia

de entrada equivalente al
amplificador de la figura
anterior, que incluye Ri y un
capacitor de retroalimentación
aumentado por la ganancia del amplificador. En general, la
capacitancia de entrada de efecto Miller se define como:

El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de

salida, la que también hay que considerar cuando se determine la
frecuencia de corte superior, realizando un análisis similar al anterior se
obtiene la siguiente ecuación para la capacitancia de salida de efecto
Miller:

Respuesta del EC en alta frecuencia

En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el

punto de corte de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e
introducida) y la dependencia de la frecuencia de hfe ( β ).
En la figura 5.2 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (C be,
Cbc, Cce) del transistor junto con as capacitancias de alambrado (C Wi,
CWo) introducidas durante la construcción.

Figura 5.2

Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el

modelo π - híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los
parámetros de los modelos están relacionados entre sí. En la siguiente
figura se muestra el equivalente de ca de alta frecuencia para la red de
la figura 5.2
III. INFORME PREVIO

1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, Cb’e, Cb’c, gm, f β , fT.

En la figura 5.3 se muestra el modelo π – híbrido en bajas

frecuencias. El símbolo B’ representa la unión en la base y B la
terminal de la base.
Estas no son idénticas, ya que se conectan alambres a la unión en la
base, y la terminal de base se separa de la unión por medio de estos
alambres.

Figura 5.3

 Resistencia de difusión de la base (rbb’): La resistencia de

difusión de la base, rbb, se relaciona con el parámetro h, hie,
que es la resistencia de entrada con la salida en cortocircuito. Se
aplica un cortocircuito a la salida del circuito de la figura 5.3
con el fin de encontrar hie. Esto da:
 hie= rbb’ + rb’e||rb’c = rbb’ + rb’e ya que rb’c » rb’e. Un valor típico
para rbb’ es 100Ω a temperatura ambiente con IC aproximado a
1mA.

 Resistencia de entrada(rb’e): La resistencia de entrada, se

aproxima por la relación:

Vb' e
rb’e ≈ ib , ya que rb’c » rb’e
La corriente de colector en cortocircuito, iC, se encuentra de la
figura 5.3 haciendo un cortocircuito en la salida.

iC= gm vb’e ≈ gm×rb’e×ib.

Pero esta cantidad se relaciona con la corriente de base de

acuerdo con el parámetro hfe; es decir: iC= hfe×ib
iC hfe
Por tanto, se obtiene: rb’e= g m×i b = g m , donde se puede
ICQ
estimar el valor de gm a partir de la siguiente ecuación: g m≈
26
1
=
hib
Por tanto:
rb’e= hfe×hib = hie
Un valor típico para rb’e es 2kΩ

 rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector,

su valor característico se encuentra en el valor de los 4 MΩ.

 rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera

como una resistencia de salida su valor característico se
encentra entre los 100kΩ.

 Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da

la polarización directa.

 Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación

de cargas en la región desértica base colector.

 gm: Transconductancia del transistor.

  fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar
(ya no es constante).

 f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a

altas frecuencias el valor de beta varia.

 fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente

en cortocircuito en emisor común vale la unidad.

2. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo П del

transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para f β
/fT.

Figura 5.4
3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los
circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.

Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:

1
fLi = (1)
2 π ( Rs+ Ri) Ci

En este caso el valor de Ri(impedancia de entrada) viene dado por:

RTH//(hie)

Resultando: Ri = 2.05KΩ
Reemplazado este valor en la ecuación (10) la frecuencia de corte
para Ci, resulta:

fLi = 2.37 Hz

Co: El valor de la frecuencia de corte para Co, viene dado por:

1
fLo = (2)
2 π ( Ro+ RL) Co

Para este caso el valor de Ro viene a ser igual a RC//ro, dado que el
valor de ro es demasiado grande, es despreciable al efectuarse
paralelamente a RC, por lo que la frecuencia de corte para Co
depende de las resistencia RC y RL.

Reemplazado estos valores en la ecuación (2), el valor de la

frecuencia de corte para Co resulta:

fLo = 0.63 Hz

Ce: La frecuencia de corte para Ce, viene dado por:

 1
f Le = (3)
2 π ( ℜ' )Ce

Donde el valor de Re viene dado como sigue:

Rs’ = Rs//RTH

Haciendo el reflejado del circuito para obtener la impedancia de Re,

resulta:
Rs ´ + hie
Re’ = (( ¿)//Re= 17.5 Ω
hfe

Finalmente el valor de la frecuencia de corte para Ce resulta al

reemplazar los valores: fLe = 90.9 Hz
Considerando que Cb´c [0.1 – 50 pF], Cb´e [100 – 1000 pF], rb’e
=Vt hfe / IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado de
nuestro circuito.

Hacemos el análisis en alterna para circuito de alta frecuencia

considerando que las capacitancias físicas se hacen corto circuito y
que rbc= ∞ , rce= ∞ , Cwo=0, Cwi=0, entonces tenemos:
Por dato sabemos que los valores:
0.1 pF≤Cbc≤50 pF y 100 pF≤Cbe≤1000 pF
Debemos usar el teorema de Miller,así hacemos que la capacitancia
Cb’c se convierta en una de entrada y una de salida, pero para esto
debemos de hallar la ganancia de voltaje a frecuencias medias.
La ganancia de voltaje para frecuencias medias en el circuito es:
Rc // R L
A V =−
re

Para hallar esta ganancia de voltaje debemos hallar la corriente ICQ

entonces tenemos que:

La corriente ICQ es:

2.1 v−0 . 7 v
I CQ = =1 . 92 mA
9.9 K
+0. 68 k
200
Por lo tanto podemos hallar la resistencia dinámica:
26 mV 10 k // 1.5k
re =
I CQ =13.54Ω entonces AV= 13 .54 Ω =
-96.33
Entonces tenemos que la capacitancia Miller de entrada y de salida
varía entre un rango de valores debido a que la capacitancia Cb’c
está entre un margen de valores, entonces las capacitancias son:
0.1 pF(1−(−96 .33 ))≤C MI ≤50 pF (1−(−96. 33 ))
9 .733 pF≤C MI ≤4860 pF

y
1 1
0 .1 pF(1−( ))≤C Mo≤50 pF (1−( ))
−96 .33 −96 . 33
0 .1 pF≤C Mo ≤50 .5 pF

La resistencia rbe es: r be =β×r e =2 .7 k

Con estos datos tenemos ahora el circuito equivalente resultante:

Entonces hallamos los valores de las frecuencias de corte:

Para la frecuencia de entrada:
CTENT =C MI +Cbe

Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores

de:
109. 733 pF≤CTENT ≤5850 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTENT =Ri // R B // rbe
 RTENT =0 .67 k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 2 .375×10
−4
F Hi=
2 πRTENT ×C TENT = CTENT

Como 109. 733 pF≤CTENT ≤5850 pF entonces:

1 1 1
≤ ≤
109. 733 pF C TENT 5850 pF
−4
Multiplicando por 2. 375×10 entonces:
0. 0405 MHz≤F HI ≤2 .164 MHz

Para la frecuencia de salida:

CTSAL=C Mo

Entonces la capacitancia de entra se encuentra entre los valores de:

0 .1 pF≤CTSAL≤50 . 5 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTSAL=Rc // R L
RTSAL=1 .3k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 1. 22×10
−4
F Ho =
2 πRTSAL×C TSAL = C TSAL

Como 0 .1 pF≤CTSAL≤50 . 5 pF entonces:

1 1 1
≤ ≤
50 .5 pF C TSAL 0. 1 pF
−4
Multiplicando por 1.22×10 entonces:
1
f ' β=
2 . π .(Cb ' e +C b ' c ). β . re
 2. 415 MHz≤F H 0 ≤1210 MHz

Ahora encontraremos la frecuencia de corte debido a beta.

Tenemos que:

0 . 056 MHz≤f ' β ≤0 . 59MHz

100 .1 pF≤Cb ' e+Cb' c≤1050 pF

Por ultimo tomamos el valor más bajo de los tres valores que es
aproximadamente 0.0405 MHz.

IV. CONCLUSIONES

 La mejor manera de poder realizar el análisis en alta frecuencia es

utilizando el modelo de parámetro hibrido (π), puesto que aparecen
los parámetros deseados.
 Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en
frecuencias medias, observamos que se da a cierta frecuencia y en
ese momento ocurre la caída del ancho de banda hasta un valor casi
nulo.
 Cuando el valor de nuestro voltaje de salida es 0.707 del valor de
voltaje medido en las frecuencias medias, habremos pasado de
frecuencias medias a frecuencias altas.

V. BIBLIOGRAFÍA

 Electrónica Teoría de Circuitos – Robert L. BOYLESTAD.

 Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas – Savant C.J.
 Principios de Electrónica – A.Malvino