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1.- Un semiconductor extrínseco tipo N está formado por silicio con un dopado de
1017 átomos de antimonio / cm 3 . Teniendo en cuenta que la concentración intrínseca de
silicio a 300 K es ni 1.5x1010 partículas / cm 3 ¿Cuál es la concentración de electrones y huecos
en dicho semiconductor a 400 K?.
5.- Una barra de semiconductor con dopado no uniforme tiene una concentración de huecos en
sus extremos de p1 1016 hue cos/ m 3 , p 2 10 22 hue cos/ m 3 . ¿Qué diferencia de potencial
existirá entre los extremos?. Solución: -0,36 (V).
6.- Calcule la concentración de portador intrínseco del silicio, germanio y GaAs como una función
de la temperatura desde 4 K hasta 600 K. Suponga que la banda de separación está dada por:
T 2
E g (T ) E g (0)
T
donde E g (0), y están por
Si: E g (0) 1.17eV ; 4.37 x10 4 K 1 ; 636K
Ge: E g (0) 0.74eV ; 4.77 x10 4 K 1 ; 235K
GaAs: E g (0) 1.519eV ; 5.4 x10 4 K 1 ; 204K
7.- Calcule la densidad de electrones en el silicio si el nivel de Fermi es de 0.2 eV por debajo de la
banda de conducción a 300 K. Compare los resultados mediante el uso de la aproximación de
Boltzmann, la aproximación de Joyce-Dixon y la integral de Fermi-Dirac
8.- En una muestra de GaAs a 300 K, el nivel de Fermi coincide con el borde de la banda de
valencia. Calcule la densidad de huecos empleando: a) la aproximación de Boltzmann y
b) la aproximación de Joyce-Dixon. También calcule la densidad de electrones mediante la ley de
acción de masas.
10.- Una muestra de GaAs es de tipo N adulterada 5x1017 cm 3 . Suponga que todos los donadores
están ionizados. ¿Cuál es la posición de nivel de Fermi a 400 K?.
11.- Considere un silicio de tipo N con una energía de donador de 45 meV por debajo de la banda
de conducción. La muestra está adulterada a 1017 cm 3 . Calcule la temperatura a la que el 90% de
los donadores están ionizados.
12.- Considere una muestra de GaAs adulterada a N d 1017 cm 3 . La energía del donador es de 6
meV. Calcule la temperatura a la que 90% de los donadores están ionizados.
13.- Considere una muestra de GaAs con masa efectiva del electrón de 0.067mo . Si se aplica un
campo eléctrico de 1 kV/cm, ¿cuál es la velocidad de deriva producida si:
a) disp 10 13 s, b) disp 10 12 s, c) disp 10 11 s ?, ¿Cómo se compara la velocidad de
deriva con la velocidad térmica promedio de los electrones a temperatura ambiente?.
14.- Suponga a temperatura ambiente la movilidad del electrón en el silicio es de 1300cm 2 / Vs. Si
se aplica n campo eléctrico de 100 V/cm, ¿cuál es la energía de exceso de los electrones? ¿Cómo
se compara con la energía térmica?. Si se supone que la movilidad no se modifica, ¿cómo se logra
la misma comparación para un campo de 5 V/cm? (la energía en exceso es (1 / 2)m * v d2 , donde
v d es la velocidad de deriva).
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16.- La movilidad de los electrones en el material InAs es de 35000cm / Vs a 300 K en
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comparación con una movilidad de 1400cm / Vs para el silicio. Calcule los tiempos de dispersión
en los dos semiconductores ( masa del electrón 0.027mo y la masa del hueco
mdos 0.4mo ).
17.- En una muestra de GaAs los electrones se mueven bajo un campo eléctrico de 5 kV/cm y la
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concentración de portadores es uniforme a 10 cm . La velocidad del electrón es la velocidad
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saturada de 10 cm / s. Calcule la densidad de corriente de deriva. Si una corriente de difusión
debe tener la misma magnitud, calcule el gradiente de concentración necesario. Suponga que el
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coeficiente de difusión es 100cm / s.
18.- En un semiconductor tipo P un 65% de los átomos aceptores están ionizados a 300 K. Calcule
la localización del nivel de Fermi, respecto al nivel de energía de los aceptores.
19.- Calcule la distancia del nivel de Fermi al centro de la banda prohibida en el caso de que
mn* 2m *p . Considere un material intrínseco y la temperatura ambiente.
20.- Una lámina conductora de tipo N tiene una resistividad de 0.1cm y un espesor de 10 2 cm.
se aplica una diferencia de potencial de 1 V entre las caras de la lámina. Calcular J, el tiempo que
tardará en cruzar un portador la lámina y la relación entre la densidad de corriente de huecos y
electrones.
Datos: n 3900cm 2 / Vs, p 1900cm 2 / Vs, ni 2.4 x1013 cm 3 .
21.- Calcular los seudo- niveles de Fermi a 300 K de un semiconductor tal que
N a 1016 cm 3 , n 10s, ni 1010 cm 3 , y GL 1018 / cm 2 s.
23.- Se utiliza como resistencia en un circuito una barrita de silicio de tipo de longitud
Sabiendo que la concentración de impurezas es
y que a temperatura todas están ionizadas, calcular la resistencia a
demostrando además que la contribución de los huecos es despreciable.
Datos: ( ) ( )
27.- Tras añadir cierto tipo de impurezas a una muestra intrínseca de un semiconductor, la
posición del nivel de Fermi se coloca ( ) por debajo de la posición correspondiente
al caso intrínseco. Determinar qué tipo de impurezas se han añadido así como su concentración
expresando ésta en función de la concentración intrínseca (asumir la ionización total de
impurezas. Sol: Tipo
32.- Representar gráficamente la variación del nivel de Fermi respecto del nivel intrínseco de un
semiconductor en función de concentración de impurezas donadoras. Cual
el valor límite de para el cuál el semiconductor es no degenerado.
37.- La concentración intrínseca en Silicio tiene una dependencia con la temperatura dada
por la expresión:
( ) ( ) ( )
a) Calcule para qué temperatura ( ) adopta los siguientes valores: de
(variando la exponencial en 1)
b) Calcule y tabule
( )
39.- Para Silicio contaminado con impurezas de Fósforo, calcule el tiempo medio
entre choques y el camino libre medio (considere ). Ahora contaminado con
Boro. (Considere ). Compare los resultados.
40.- En una oblea de Si contaminado con circula una corriente por difusión
:
a) Calcular la concentración de electrones al comienzo de la oblea ( ) ( ),
b) Calcular el Campo Eléctrico que generaría una corriente de huecos por movilidad tal que
compense la Establecer dirección y sentido.