\documentclass[journal]{IEEEtran}

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\begin{document}
\title{Laboratorio 3\\ Transistores}
\author{Luis Alejandro Álvarez Franco,cod:20192372015, Diego Alberto
Anzola Bustos, cod:20192372002,}

\maketitle

%\begin{abstract}
%The abstract goes here jjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjjj
%\end{abstract}

\IEEEpeerreviewmaketitle

\section{Objetivo}

Diseñar y analizar por medio de simulaciones un circuito que permita

activar y desactirvar una carga resistiva de 4A a 80Vdc por medio de
diferentes configuraciones de los transistores MODFET,BJT y IGBT, donde
se analizaran los parametros de potencia disipada por el dispositivo,
tiempos de respuesta y tiempos de recuperación.

\section{Desarrollo 1}

Mosfet canal N como interruptor analógico:

\begin{figure}[H]%%h para que la imagen se ubique donde va el texto

\includegraphics[scale=0.8]{mosfetN.jpg}
\centering
\caption{Configuración Básica Mosfet canal N.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

%\subsubsection{Subsubsection Heading Here}

%Subsubsection text here.

Diseño del Mosfet canal N \\

En esta parte se procede a diseñar nuestro cirecuito a partir de calculos
teóricos y parametros especificados en el objetivo del laboratiorio,el
diseño que se realizara a continuación sera el de un Mosfet N como
interruptor analógico.\\

$v(dd)=80~~[V]$\\
$I(d)=4~~[A]$\\
$MOSFET-N=IRF520NS$\\
$Rg=1~~[k\Omega]$\\
$Rs=500~~[k\Omega]$\\

\subsection{Calculo de la resistencia de carga }

$R = \frac{V}{I} = \frac{80}{4} = 20~~[k\Omega]$

\subsection{Especificaciones del transistor}

Las especificaciones del fabricante nos dan algúnos parametros los cuales
son importantes para la funcionalidad del circuito diseñado para activar
y desactivar la carga.\\

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{CMN1.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{CMN2.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

En las caracteristicas podemos observar que el transistor seleccionado es

adecuado para el diseño del circuito ya que soporta una tensión máxima de
100V y corriente de drenaje de 9.7A,la tensión entre el Gate y el Source
no debe ser mayor a 20V por tanto se deja una fuente de 12V.\\

\subsection{Diseño del circuito}

*se selecciona una resistencia limitadora de corriente en Gate de

500kohm.\\
*se selecciona una resistencia en Source de 1 kohm dque pone el
transistor en un estado indeterminado.\\
*el interruptor especificado es con el fin de analisar el transitorio
generado cuando se enciende y se apaga el Mosfet utilizado.\\

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMN.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

\subsection{Comportamiento de las señales de tensión y corriente sobre la

carga.}

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMNVI.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

En la figura se muestra el comportamiento de las señales de tension y de

corriente en la carga.

\subsection{Tiempo de respuesta}
El Mosfet en canal N se comporta como un interruptor cerrado cuando la
ternsión entre Gate-Source es mayor a la tensión del umbral, en base a
esto veremos el comportamiento del tiempo de respuesta para nuestro
circuito.\\

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMNTR.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

Para este caso se hizo el estudio donde se logra determinar que el tiempo
de respuesta cuando el interruptor esta abierto y se cierra es
aproximadamente de 1.42mS

\subsection{Tiempo de recuperación}

El Mosfet en canal N se comporta como un interruptor abierto cuando la

ternsión entre Gate-Source es menor a la tensión del umbral, en base a
esto veremos el comportamiento del tiempo de recuperación para nuestro
circuito.\\

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMNTR2.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

Para este caso se hizo el estudio donde se logra determinar que el tiempo
de recuperación cuando el interruptor esta cerrado y se abre es
aproximadamente de 10.02uS

\subsection{Parametros del circuito}

el comportamiento de los aprametros del circuito como tensiones,

corrientes y potencias varian dependiento si el circuito esta activado o
desactivado para esto utilizamos el programa multisim donde se evidencia
el cambio de estos parametros según su estado.\\

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMNPA.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}

\begin{figure}[H]
\includegraphics[scale=0.5]{DMNPC.jpg}
\centering
\caption{.}%titulo imagen
\label{fig:Fig1}
\end{figure}
Como se puede evidenciar cuando el interruptor esta abierto los
aparametros de la corriente y potencia en la carga disminuyen cumpliendo
la funcionalidad del circuito, debido a que no hay una corriente entre el
Drain-Source por tanto el mosfet se comporta en estado off y no hay
potencia en la carga la cual no estara en estado on.\\

•Tabla de resultados \\
En la tabla se representan los datos obtenidos durante la práctica de
laboratorio.\\

\begin{table}[H]
\centering
\begin{tabular}{|c|c|c|c|}
\hline
\multicolumn{4}{|c|}{TABLA DE ERRORES} \\ \hline
& interruptor abierto & interruptor cerrado \\
\hline
VRG [V] & 0 & 12 \\
\hline
VCarga [V] & 80 & 0.673 \\
\hline
PCarga [W] & 0.128 & 315 \\
\hline
ICarga [mA] & 0.008 & 0.0397 \\
\hline
PMosfet [W]& 0.0640 & 2.67 \\
\hline

\end{tabular}
\caption{Comparación de resultados según estado del interruptor}
\end{table}

En la tabla se puede ver que los resultados fueron los esperados ya que
no hubo un error absoluto mayor a uno, esto quiere decir que el factor
armónico que agrega el diodo rectificador no afecto en gran cantidad a
nuestro circuito.