Diseño de Transmisor Óptico

PROYECTO INTEGRADOR
CARRERA DE INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES
DESARROLLO DE UN O´ PTICO PARA

TRANSMISOR
REDES DE ACCESO
G. Zoireff
Dr. L. A. Bulus Rossini Dr. P. A. Costanzo Caso

Director Co-director
Diciembre de 2015
Comunicaciones O´ pticas y Microondas – Centro Atómico Bariloche
Instituto Balseiro
Universidad Nacional de Cuyo
Comisioń Nacional de Energ´ıa At
ómica Argentina
A mis padres, Miguel y Gilda
A mis abuelos, Gustavo y Chabela
A mis hermanos, Miguel y Nicola´s
A mi novia Agustina
A mis otros hermanos, que a veces
les digo ‘amigos’
Lista de abreviaturas
ADC Analog-to-Digital Converter

ADSL Asymmetric Digital Subscriber Line
ASIC Application-Specific Integrated Circuit
ASK Amplitude Shift Keying
BER Bit Error Rate
CW Continuous Wave
DAC Digital-to-Analog Converter
DDS Digital Direct Synthesis
DFB Distributed-Feedback
EAM Electroabsorption Modulator
EPON Ethernet PON
FC Ferrule Connector
FPGA Field-Programmable Gate Array
FttH Fiber to the Home
FttX Fiber to the x
GPON Gigabit-Capable PON
HDL Hardware Description Language
HSI High Speed Internet
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers
IP Internet Protocol
IPTV Internet Protocol Television
ISI Intersymbol Interference
ISP Internet Service Provider
ITU International Telecommunication Union
LD Laser Diode
LED Light-Emitting Diode
LUT Look-Up Table
LVCMOS Low Voltage Complementary Metal Oxide Semiconductor
MZM Mach-Zehnder Modulator
NRZ Non-Return Zero
ii
iii
OOK On-Off Keying

OPM Optical Power Meter
OSA Optical Spectrum Analyzer
PD Photodiode
PON Passive Optical Network
PRBS Pseudo-Random Binary Secuence
RIN Relative Intensity Noise
RoF Radio over Fiber
SNR Signal-to-Noise Ratio
TEC Thermoelectric Cooler
TEM Transverso Electromagnético
TO Transistor Outline
VDSL Very High-Bit-Rate Digital Subscriber Line
VHDL Very High Speed Integrated Circuit HDL
VNA Vector Network Analyzer
VoD Video on Demand
VoIP Voice over Internet Protocol
WDM Wavelength Division Multiplexing
WiMAX Worldwide Interoperability for Microwave Access
Índice de contenidos
Lista de abreviaturas ii
Índice de contenidos iv
Índice de figuras vii
Índice de tablas xii
Resumen xiii
Abstract xiv
1. Introduccioń 1
1.1. Redes de Acceso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1. Servicios IP en las Redes de Acceso . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.2. Ventajas de las Comunicaciones por Fibra O´ ptica . . . . . . . . 3
1.1.3. Fiber to the Home . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2. Transmisores O´ pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.1. Fuentes de Emisión de Luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.2. F´ısica del Láser Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2. El Láser Como un Dispositivo Optoelectrónico 10

2.1. Láseres de Realimentación Distribuida .........................................................10
2.2. Caracter´ısticas CW y Respuesta Estática .....................................................11
2.3. Caracterización Diodos Láseres ......................................................................12
2.3.1. El Módulo Láser Utilizado .................................................................12
2.3.2. Medición de las Caracter´ısticas CW y Estáticas ...........................13
2.3.3. Medición del Espectro O´ ptico ...........................................................15
3. Transmisores O´ pticos 17
3.1. Caracter´ısticas Fundamentales.....................................................................17
3.1.1. Modulación Directa ..............................................................................17
3.1.2. Modulación Externa .............................................................................18
iv
Índice de contenidos v
3.1.3. La Potencia O´ ptica ..............................................................................19

3.2. Aspectos Generales para el Disenõ del Transmisor de Modulación Directa
19 3.2.1.
Respuesta Dinámica ..........................................................................................20
3.2.2. El Circuito de Modulación Directa .....................................................21
3.2.3. Consideraciones Adicionales................................................................22
3.3. Prototipos de moduladores directos en RF..................................................23
3.3.1. Modulador Directo con Red de Adaptacioń Resistiva ......................23
3.3.2. Modulador Directo con Red de Adaptacioń Reactiva .......................27
3.3.3. Conclusiones......................................................................................32
4. El Transmisor O´ ptico de Modulación Directa de Alta Capacidad 34

4.1. Teor´ıa de las Pequenãs Reflexiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.1.1. El Transformador de Sección Simple . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.1.2. El Transformador de Mu´ltiples Secciones . . . . . . . . . . . . . 35
4.1.3. El Transformador de L´ınea Distribuida . . . . . . . . . . . . . . 37
4.2. Disenõ de Transformadores Distribuidos con Microtiras . . . . . . . . . 39
4.2.1. El Transformador de Microtira con Distribución Lineal . . . . . 39
4.2.2. Implementación en el Circuito del Modulador . . . . . . . . . . 44
4.2.3. Análisis de Componentes Parásitos . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.3. El Modulador de Alta Capacidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.3.1. Redisenõ del Modulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.3.2. Ensayo de Transmisión de Senãles . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5. Electrónica Digital de Modulación 52

5.1. Disenõ Digital con FPGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.1.1. La Placa de Desarrollo Altera DE2-115 . . . . . . . . . . . . . . 52
5.1.2. El Software de Disenõ y Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.1.3. Flujo de Disenõ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2. El Sistema Digital del Transmisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2.1. Sintetizador Digital Directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2.2. El Generador PRBS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.2.3. El Sistema Digital Completo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
6. Conformador de Pulsos 60
6.1. Conversor D/A de Alta Velocidad................................................................60
6.1.1. Conversor D/A R-2R.........................................................................61
6.1.2. Disenõ del DAC con Red R-2R ...........................................................61
6.2. Circuito de Acondicionamiento de Senãl ........................................................65
6.2.1. Disenõ del Filtro ...................................................................................66
Índice de contenidos vi
6.2.2. Disenõ del Adaptador de Impedancias y Atenuador .........................66
6.2.3. El Circuito Completo........................................................................67

6.3. Generación de Senãles .....................................................................................67
7. Transmisión de Datos por Fibra O´ ptica 72

7.1. Parámetros del Transmisor O´ ptico ...............................................................72
7.1.1. El Formato de Modulación ..................................................................72
7.1.2. Frecuencia de Reloj y Tasa de Transmisión .......................................73
7.2. Ensayos Preliminares...................................................................................74
7.2.1. Transmisión de Secuencias Pseudo Aleatorias ...................................74
7.2.2. Respuesta en Frecuencia del Enlace Electro-O´ ptico ........................75
7.2.3. Espectro Eléctrico de la Secuencia PRBS ..........................................76
7.3. El Transmisor O´ ptico Para Redes de Acceso ................................................76
8. Conclusiones Generales 80
A. Los Parámetros de Scattering 83

A.1. Definición de los Parámetros S en un Cuadripolo Lineal ............................83
A.2. Propiedades de las Redes de Dos Puertos..................................................84
Bibliograf´ıa 86
Agradecimientos 88
Índice de figuras
1.1. Arquitectura de las redes de acceso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.2. Coeficiente de atenuación de la luz por unidad longitud de la fibra en la regi
ón del infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3. Red óptica pasiva que emplea la topolog´ıa de Fiber to the Home . . . . 5
1.4. Diagrama en bloques de un tranmisor o´ptico con modulación externa . 5
1.5. Procesos fundamentales entre dos niveles de energ´ıa en un átomo . . . 7
1.6. Curva energ´ıa-vector de onda en un láser de semiconductor . . . . . . . 7
1.7. Esquema básico de un láser de semiconductor . . . . . . . . . . . . . . 8
1.8. Perfiles de ganancia y pérdida de un láser semiconductor . . . . . . . . 9
2.1. Perfiles de ganancia y pérdida de un láser semiconductor ..........................11

2.2. Estructura de un láser DFB .............................................................................11
2.3. Curvas P-I y V-I de un diodo láser ..................................................................12
2.4. Dependencia de la curva P-I vs Temperatura..............................................13
2.5. Láser DFB modelo DFB-1470-C5-2-A4-FA-A-A de AOI ..............................13
2.6. Diagrama esquemático de la disposición de los terminales del láser DFB
en estudio......................................................................................................14
2.7. Esquema para la medición de las caracter´ısticas estáticas del diodo láser
14
2.8. Curvas V-I y P-I para los láseres 1 y 2 ............................................................15
2.9. Resultado de la medición del espectro óptico del láser ..............................16
3.1. Diagrama de bloques de un transmisor de modulación directa ....................18

3.2. Diagrama de bloques de un transmisor de modulación externa ...................19
3.3. Corriente moduladora traducida en potencia óptica modulada ....................20
3.4. Topolog´ıa de la red ............................................................................................21
3.5. Bias-Tee operando en el ancho de banda del transmisor..........................22
3.6. Circuito del modulador del láser completo .....................................................23
3.7. Circuito del modulador con red de adaptación resistiva ...............................24
3.8. Fotograf´ıa del modulador con red de adaptación resistiva .........................25
3.9. Medición de la pérdida por retorno ................................................................25
vii
Índice de viii
figuras
3.10. Resultados para la simulación y medición del parámetro S11 del modu-
lador sin red de adaptación ..............................................................................26
3.11. Esquema experimental empleado para la transmisión y recepción de
senãles en fibra óptica con el modulador fabricado ......................................27
3.12. Imagen tomada del osciloscopio en donde se observan la senãl
transmitida (CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva amarilla) para
el ensayo del láser con red de adaptación resistiva, modulado con una
senãl sinusoidal
de 50MHz de frecuencia...............................................................................28
3.13. Disenõ con el software Smith V3.1 .................................................................29
3.14. Circuito del modulador del láser con red de adaptación ..............................29
3.15. Fotograf´ıas de la (a) vista inferior y (b) vista superior del modulador
con red de adaptación reactiva fabricado ........................................................30
3.16. Resultados para la simulación y medición del parámetro S11 del modu-
lador con red de adaptacion.........................................................................30
3.17. Comparación del parámetro S11 medido y simulado con una inductancia par
ásita para el caso del modulador con red de adaptación reactiva. .............31
sinusoidal transmitida (CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva
amarilla) en pantalla para el ensayo del láser con red de adaptaci
ón reactiva, modulado
con una senãl sinusoidal de 50 MHz de frecuencia .........................................32
cuadrada transmitida (CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva
amarilla) en pantalla para el ensayo del láser con red de adaptaci
ón reactiva, modulado
con una senãl cuadrada de 16 MHz de frecuencia ..........................................32
4.1. Respuesta en frecuencia del transformador de cuarto de onda..................35

4.2. Reflexiones parciales en un transformador de sección simple ........................36
4.3. El transformador de mu´ltiples secciones y los coeficientes de reflexión
parciales de cada uno de sus tramos............................................................36
4.4. (a) Adaptador de impedancias con l´ınea de transmisión distribuida a
lo largo del eje z de longitud L y (b) su modelo para los cambios
graduales
en su impedancia caracter´ıstica.....................................................................38
4.5. L´ınea de transmisión con microtira.(a) Geometr´ıa y (b) l´ıneas de campo
39
4.6. El transformador de microtira con distribución lineal ...................................40
4.7. Algoritmo para la obtencion del coeficiente de reflexión de un transfor-
mador de microtira con distribución lineal ......................................................41
4.8. Comparación de los resultados obtenidos numéricamente (azul) y anal´ıti-
Índice de ix
figuras camente (rojo) en el transformador exponencial.(a) Distribución de im-
pedancias y (b) coeficiente de reflexión ...........................................................42
4.9. Coeficiente de reflexión del transformador de microtira lineal ......................43
4.10.Resultado de la simulación para el módulo del coeficiente de reflexión
del transformador de microtira con distribución lineal ..................................43
4.11. Circuito del modulador con red de adaptación de microtira con distri-
bución lineal .......................................................................................................44
4.12. Imágenes del modulador fabricado en placa FR4 con el transformador
de distribución lineal de microtira. (a) Vista inferior y (b) vista superior 44
4.13. Comparación entre el resultado obtenido para el parámetro S11 y la
simulación del circuito del modulador con el adaptador de microtira con
distribución lineal ..............................................................................................45
4.14. Modelo del adaptador de microtira simulado en el software Genesys
que tiene en cuenta los componentes parásitos del láser y las
pistas que
conectan los componentes entre s´ı............................................................................46
4.15. Comparación entre el parámetro S11 de la medición y de la simulación
del modelo aproximado con componentes parásitos y pistas ........................47
4.16. El modulador redisenãdo.(a) Vista inferior .(b) Comparación entre las
dimensiones del modulador redisenãdo con su predecesor .............................48
4.17. Comparación de los parámetros S11 del primer modulador y el redisenãdo 49
4.18. Banco de trabajo del laboratorio con el modulador y el detector
operando en la transmisión y recepción de una senãl o´ptica; y el
instrumental abocado a la generación y medición de las senãles. (a)
Osciloscopio midiendo una senãl detectada. (b) Analizador de
espectro midiendo una
senãl detectada ..................................................................................................49
4.19. Distintas senãles sinusoidales y cuadradas detectadas. En algunos casos
se indica el efecto y la causa de la distorsión sufrida .....................................50
4.20........................................................................................................................Espectr
o medido de una senãl cuadrada de 600 MHz detectada ..............................50
5.1. Vista superior de la placa de desarrollo Altera DE2-115 en donde se

encuentra montada la FPGA Cyclone IV E con sus distintos bloques
funcionales
53
5.2. Flujo de Disenõ estándar en FPGA ..............................................................54
5.3. Senãl de tiempo continuo muestreada N veces ..............................................55
5.4. Diagrama en bloques del sintetizador digital directo..................................56
5.5. Resultados para la simulación del bloque DDS, en donde se generó un
pulso gaussiano.............................................................................................56
5.6. Generación de la secuencia a través de un registro de desplazamiento
realimentado
57
5.7. Bloque del generador PRBS que permite generar la secuencia recomen-
dada por el estándar ITU-T O.151 .................................................................58
5.8. Resultados de la simulación lógica del bloque generador de secuencias
PRBS..............................................................................................................58
5.9. Diagrama en bloques del sistema digital completo.....................................59
6.1. Senãl zero-order hold generada por un DAC ................................................60

6.2. Conversor D/A con red R-2R.......................................................................61
6.3. Esquema que representa el DAC R-2R como interfaz entre el sistema
digital de la FPGA y el modulador...............................................................62
6.4. Alternativas para circuitos de protección de la FPGA. (a) Buffer digital.
(b) Buffer analógico ..........................................................................................63
6.5. Diagrama esquemático del conversor D/A de 4 bits con impedancia de
salida de 50 Ω
65
6.6. Vistas (a) inferior y (b) superior del conversor D/A fabricado...................65
6.7. Filtro pasabajos disenãdo tipo Butterworth, de orden 4 y frecuencia de
corte 400 MHz..............................................................................................66
6.8. Atenuador-adaptador de impedancias disenãdo .............................................67
6.9. El circuito de acondicionamiento de senãl.(a) Diagrama esquemático. (b)
Circuito impreso
68
6.10.Parámetros S del circuito de acondicionamiento de senãl ...........................68
6.11. Diagrama esquemático del conformador de pulsos .........................................69
6.12. Senãl triangular generada y medida a la salida del conversor D/A sin el
filtro atenuador adaptador operando a una frecuencia de 50 MHz...........69
6.13. Primeros 4 niveles de la senãl triangular generada por el DAC sin
el filtro atenuador adaptador con una frecuencia de reloj de (a) 50
MHz y
(b) 250 MHz..................................................................................................70
6.14. Senãles cuadradas de distinto ancho de pulso generadas con una
frecuencia de reloj de 400 MHz y medidas sin (a, b, c) y con (d, e, f)
el filtro
atenuador adaptador....................................................................................70
6.15. Senãl cuadrada de 200 MHz generada con una frecuencia de reloj de 400
MHz sin filtrado............................................................................................71
7.1. Diagrama de la constelación del Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso

pticas..............................................................................................................73
7.2. Resultado de la forma de onda medida con el osciloscopio para la
trans- misión de una secuencia PRBS x23 + x18 + 1 a una tasa de
100 Mbps
con formato OOK NRZ.................................................................................74
7.3. (a) Circuito nuevo del modulador del láser con el capacitor de
bloqueo de 15 nF y (b) diagrama de ojos para el sistema de
comunicaciones
operando a 100 Mbps con formato de modulación OOK NRZ .....................75
7.4. Medición de la respuesta en frecuencia del modulador modificado con un
capactor de bloque de capacitor de bloqueo de 15 nF. (a) Esquema de
medición, (b) medición en proceso y resultados de los par
ámetros S11 y S21 del modulador (c) sin el filtro atenuador
adaptador y (d) con el
filtro atenuador adaptador...........................................................................76
7.5. Resultados para la medición del espectro eléctrico de la secuencia PRBS
x23 + x18 + 1 para los casos (a) sin el filtro atenuador adaptador y (b)
con el filtro atenuador adaptador conectado a la salida del conversor D/A 77
7.6. Diagrama esquematico del Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso ........77
7.7. Diagrama de ojos obtenido para la transmisión de una secuencia PRBS
x23 + x18 + 1 con formato de modulación OOK NRZ a una tasa de 100 Mbps
.......................................................................................................................
78
7.8. El Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso .................................................79
A.1. Red de dos puertos lineal..............................................................................83

Índice de tablas
1.1. Requerimientos de ancho de banda para distintos servicios IP . . . . . . 2

1.2. Comparación entre los diodos láseres y los LEDs como fuentes de luz . 6
2.1. Parámetros obtenidos de la medición de la respuesta estática de los láseres 16
6.1. Caracter´ısticas fundamentales del circuito integrado 74LVC32A.................64
7.1. Condiciones de funcionamiento nominal del Transmisor O´ ptico para Re-

des de Acceso...............................................................................................78
7.2. Resumen de las caracter´ısticas fundamentales del diagrama de ojos......79
xii
Resumen
Desarrollo de un Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso.
En este trabajo se realizó el disenõ, fabricación y puesta en marcha de un

transmisor o´ptico para redes de acceso o sistemas de radio sobre fibra. Inicialmente
se analizaron la teor´ıa de operación y el modelo de láseres de semiconductor tipo
DFB (Distributed Feedback). Luego, se estudiaron diferentes circuitos adaptadores
de impedancia y de polarización para la implementación de la modulación directa
de la corriente del láser. En principio, se construyeron, caracterizaron y ensayaron
diferentes adaptadores de componentes discretos que permit´ıan modular hasta
frecuencias del orden de las dece- nas de megahertz, pero fue necesario optar por otra
implementación basada en l´ıneas de transmisión de microtira para poder
modular con senãles de anchos de banda del orden del gigahertz. Para generar la
senãl de modulación se disen˜ó en una FPGA un conformador de pulsos digital. A
continuación, se disen˜ó y fabricó un conversor digital- analógico de 4 bits con
sus correspondientes circuitos de acondicionamiento de senãl para excitar la
entrada de modulación del transmisor. Finalmente, se ensambló y se ensayó el
transmisor óptico con un fotodetector comercial. Se logró obtener una tasa de
transmisión de 100 Mbps, utilizando pulsos digitales con el formato de modulación
On-Off Keying codificado a NRZ.
Palabras clave: TRANSMISORES

O´ PTICOS, REDES DE ACCESO, LA´ SERES,
MODULACIO´ N DIRECTA, REDES DE ADAPTACIO´ N DE IMPEDANCIAS, CON-
FORMADOR DE PULSOS DIGITAL, CONVERSIO´ N DIGITAL A ANALO´ GICA,
TRANSMISIO´ N DE DATOS POR FIBRA O´ PTICA
xiii
Abstract
Development of an Optical Transmitter for Access Networks
This work decribes the design, manufacturing and start up of an optical

transmitter for access networks or radio-over-fiber systems. In the first place, they
were analyzed the operation theory and the model of semiconductor DFB
(Distributed-Feedback) lasers. Next, severals impedance matching and bias
networks were studied for direct modulation of the current applied to the laser. To
begin with, they were built, charac- terized and tested different kinds of matching
networks with lumped elements, which accomplished to modulate up to
frequencies about tens of megahertz. However, it was necessary to choose another
implementation based on microstrip transmission lines to achieve modulated signals
with gigahertz-bandwidth. To generate the modulation signal it was carried out a
digital pulse shaper in an FPGA. Then, a 4 bit digital-to-analog converter was
designed and set up, including their appropriate signal conditioning circuits to
excite the transmitter’s modulation input. Finally, the optical transmitter was
assembled and tested with a commercial photodetector. A 100 Mbps transmission
bit rate was achieved, using digital pulses with On-Off Keying NRZ-coded
modulation scheme.
Keywords: OPTICAL TRANSMITTERS, ACCESS NETWORKS, LASERS, DI-

RECT MODULATION, IMPEDANCE MATCHING NETWORKS, DIGITAL PULSE
SHAPER, DIGITAL-TO-ANALOG CONVERSION, DATA TRANSMISSION ON FIBER
OPTIC
xiv
Cap´ıtulo 1
Introduccio
ń
“El verdadero progreso es el que pone la tecnolog´ıa al

alcance de todos.”
— Henry Ford.
Previo a cualquier desarrollo se deben comprender los conceptos básicos sobre

los cuales se fundamenta el Proyecto Integrador. De manera introductoria, en este Cap
´ıtulo se explicarán qué son las redes de acceso, cuáles son sus caracter´ısticas y el
motivo por el cuál se utilizan los sistemas de comunicaciones ópticas en ellas,
como as´ı también el principio fundamental de funcionamiento de las distintas
fuentes emisoras de luz y cómo es posible convertir información en el dominio el
éctrico al dominio o´ptico.
1.1. Redes de Acceso

Una red de acceso es la parte de una red de telecomunicaciones que conecta
abonados a su proveedor de servicios de Internet (ISP, por sus siglas en inglés) m
ás cercano. E´ stas se diferencian de las redes centrales, las cuales conectan a los
proveedores entre s´ı. En la Figura 1.1 se muestra un esquema de la arquitectura de
la red descrita recientemente.
Hace un tiempo las redes de acceso se constru´ıan con cables de cobre y en el
mejor de los casos transmit´ıan datos a una tasa de 56 kbps. En la actualidad, los
cables de cobre permanecen presentes debido a que nuevas tecnolog´ıas y técnicas de
compresión les permitieron a los operadores su reutilización para proveer servicios
de banda ancha sobre ellas. Las tecnolog´ıas ADSL2+/VDSL (Asymmetric Digital
Subscriber Line y Very High-Bit-Rate Digital Subscriber Line, respectivamente)
pueden ser utilizadas para transmitir 24 Mbps a 20 Mbps, en una distancia t´ıpica
de 1 km a 1.5 km [1]. Estas tasas son interesantes para diversas aplicaciones de banda
ancha y algunos operadores consideran que son suficientes para brindar los distintos
servicios que se mencionarán
1
1.1 Redes de 2
Acceso
Figura 1.1: Arquitectura de las redes de acceso.
a continuación.
1.1.1. Servicios IP en las Redes de Acceso

Los proveedores de Internet se dieron cuenta que tendr´ıan mejores
oportunidades que simplemente ofreciendo servicios de banda ancha de 24 Mbps a
30 Mbps, especialmente si se adaptasen las redes de transporte para brindar
servicios montados sobre IP (Internet Protocol ). Estos tipos de servicios son
posibles si los operadores usan tecnolog´ıa IP para transmitir datos de Internet de
alta velocidad (HSI), servicios de voz (VoIP) y video IP, que incluye IPTV (televisi
ón), video on demand (VoD), y streaming en Internet. En la Tabla 1.1 se presentan
los diferentes requerimientos del ancho de banda para diferentes servicios basados
en IP brindados a los abonados en una red de acceso.
Servicios IP Definición est Alta definición

ándar
Windows Media, streams H.264 1-1.5 Mbps 7-8 Mbps
Streaming Video 1 Mbps (480p) 2.5 Mbps (720p)
MPEG-2 streams (IPTV, VoD) 3.5 Mbps 18-20 Mbps
MPEG-4 AVC streams (IPTV, VoD) 1.5 Mbps 9 Mbps
Llamadas VoIP (full-duplex ) 128 kbps -
Juegos de Internet en l´ınea 10 Mbps -
Intercambio de archivos en Internet Tanto como el ancho de banda de
Peer-to-Peer subida/descarga permitido por el ISP
Tabla 1.1: Requerimientos de ancho de banda para distintos servicios IP.

1.1.2. Ventajas de las Comunicaciones por O´ ptica
Fibra
Las fibras o´pticas tienen numerosas ventajas respecto a los cables de cobre.
Para empezar, las fibras ópticas pueden manejar un ancho de banda mucho más
grande que el cobre. Debido a la baja atenuación (0.2 dB/km en λ = 1550 nm,
fibra monomodo estándar), se requieren de repetidores solamente cada 50 km en l
´ıneas largas, mientras que cada 5 km en el cobre, resultando una importante reducci
ón en los costos. La fibra o´ptica también es inmune a descargas atmosféricas e
interferencias electromagnéticas. Tampoco la afectan los qu´ımicos corrosivos en el
aire, aspecto a tener en cuenta en los ambientes fabriles. En la Figura 1.2 se
muestra la curva de atenuación en función de la longitud de onda de una fibra
de s´ılice.
Figura 1.2: Coeficiente de atenuación de la luz por unidad longitud de la fibra en la región del
infrarrojo.
Sin embargo, los proveedores de servicios de telecomunicaciones prefieren la

fibra por dos razones: es delgada y liviana, entonces se pueden extraer los cables
de cobre las tuber´ıas existentes y reemplazarlas por fibras o´pticas. Cien pares
trenzados de cobre de 1 km de longitud pesan 8000 kg. Dos fibras tienen más
capacidad de transmisión de datos y pesan solamente 100 kg en la misma
longitud, con lo que se reducen los costos en sistemas de montaje mecánico y
mantenimiento. Por u´ltimo, las fibras o´pticas no irradian luz al exterior, por lo que
no se pueden extraer sus datos sin provocar una interferencia considerable, con lo
que se aumenta la seguridad contra potenciales escuchas telefónicas.
Por otro lado, esta tecnolog´ıa es menos familiar, por lo que requiere mano de
obra especializada. También las fibras o´pticas son propensas a danãrse si se
doblan excesivamente. Dado que la transmisión óptica es unidireccional, una
comunicación bidirec- cional requiere dos fibras o dos bandas de longitudes de onda
diferentes en una uńica
fibra. Además, cabe notar que, las interfaces de la fibra son generalmente más costosas
que las interfaces eléctricas.
1.1.3. Fiber to the Home

La evolución de las redes celulares, la incorporación de nuevos usuarios de
Internet y la necesidad por parte de los abonados de incluir todos los servicios IP
mencionados, demandan tasas de subida/descarga cada vez más elevadas. Esto hace
que, progresiva- mente, los proveedores de Internet reemplacen el par trenzado de
cobre tradicional por fibras ópticas que se aproximan cada vez más hacia el cliente
hasta llegar a su hogar, resultando en lo que se conoce como Fiber to the Home
(FttH). Existen numerosas variantes a la forma ”FttX”, donde la X denota la
proximidad del despliegue de fibra respecto del hogar (por ejemplo, el barrio, el cord
ón, etc). El resto se complementa con el cobre (par trenzado o cable coaxial), que
provee velocidad suficiente en distancias cortas.
Al igual que los cables de cobre, el lazo de abonado de fibra es pasivo. Esto
significa que no se requieren equipos amplificadores u otro tipo de procesamiento de
senãl de por medio. La fibra es simplemente el medio de transmisión de las senãles
entre el hogar y la oficina central del ISP. Este cambio reduce costos y mejora la
confiabilidad.
Usualmente, las fibras hacia los hogares se agrupan de tal manera que una u
ńica fibra alcance el extremo de la oficina central por grupo de hasta 100 casas. En
la dirección de bajada (downstream), divisores ópticos separan la senãl que
proviene de la oficina central para que llegue a todos los hogares. Los datos son
encriptados para que solamente un cliente pueda decodificar la senãl. En dirección
de subida (upstream), combinadores ópticos juntan las senãles de los hogares en una
uńica senãl que se recibe en la oficina central. Esta arquitectura se denomina red
óptica pasiva (PON por sus siglas en inglés), y se muestra en la Figura 1.3. Es comu
ń que se utilice una sola longitud de onda compartida entre todos los clientes para
la descarga de datos, y otra longitud de onda para la subida de datos.
A pesar de la división de potencia, el gran ancho de banda y la baja atenuación
de la fibra implica que las redes PON pueden proveer altas tasas de datos a los
usuarios en distancias de hasta 20 km. Las tasas de datos reales entre otros par
ámetros dependen del tipo de red PON. Se distinguen dos clases, las redes GPON
(Gigabit-capable PON ), que están definidas por un estándar ITU (International
Telecommunicaction Union); y las redes EPON (Ethernet PON), que están más
relacionadas con el mundo del Internet, y las define un estándar de IEEE (Institute of
Electrical and Electronics Engineers. Por ejemplo, las redes GPON proveen 2.4 Gbps
de velocidad de descarga y 1.2 Gbps o 2.4 Gbps de velocidad de subida.
1.2 Transmisores O 5
´ pticos
Figura 1.3: Red óptica pasiva que emplea la topolog´ıa de Fiber to the Home.
1.2. Transmisores O´ pticos
El objetivo principal de un transmisor o´ptico es convertir la senãl eléctrica en

su
equivalente en el dominio óptico y acoplarla en una fibra o´ptica. En la Figura 1.4
se puede ver el diagrama en bloques de un transmisor o E´ ste consiste en una
´ptico.
fuente óptica, un modulador y un acoplador de canal. La senãl óptica es
generada modulando la portadora o´ptica. Se puede usar un modulador externo o
bien modular directamente variando la corriente de alimentación. El acoplador es
t´ıpicamente una microlente que concentra la senãl o´ptica en plano de entrada
de una fibra óptica con la máxima eficiencia posible.
Figura 1.4: Diagrama en bloques de un tranmisor óptico con modulación externa.
Las tasas de datos de los transmisores o´pticos están limitadas principalmente

por la electrónica y no tanto por la fuente óptica en s´ı. Con disenõs
apropiados, algunos transmisores ópticos pueden operar a tasas de hasta 10 Gbps
con modulación directa y más de 40 Gbps con modulación externa 1 .
1estos datos pueden estar desactualizados

1.2.1. Fuentes de Emisión de Luz
El componente más importante de un transmisor o´ptico es la fuente de emisión
de luz. Las fuentes de luz más utilizadas en los sistemas de comunicaciones por
fibra o´ptica son los diodos emisores de luz (LEDs) y los láseres de semiconductor,
debido a la compatibilidad que poseen con el canal de comunicaciones de fibra o
´ptica. Adema´s, ambos ofrecen numerosas ventajas tales como tamanõ
compacto, alta eficiencia, confiabilidad, amplio rango de longitudes de onda,
reducida área de emisión, y posibilidad de modulación directa a frecuencias del
orden de los GHz. En la Tabla 1.2 se comparan las principales propiedades de estas
fuentes de luz.
Ítem LED Láser semiconductor
Tasa de datos Baja (hasta 100 Mbps) Alta ( ∼

Gbps)
Tipo de fibra Multimodo Multimodo y monomodo
Distancia Corta Larga
Tiempo de vida Largo Corto
Sensibilidad a la temperatura Menor Sustancial
Costo Bajo Medio a alto
Tabla 1.2: Comparación entre los diodos láseres y los LEDs como fuentes de luz.
1.2.2. F´ısica del Láser Semiconductor

El nombre de láser proviene del inglés Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation. Los láseres se distinguen de otras fuentes de luz
principalmente por su coherencia intr´ınseca. La coherencia espacial permite al láser
concentrar su haz en una superficie muy reducida, permaneciendo angosto en largas
distancias (haz colimado). También poseen gran coherencia temporal, con lo que
logran emitir luz con un espectro muy angosto.
Los procesos fundamentales que suceden entre dos niveles de energ´ıa de un a
´tomo son la absorción, emisión espontánea y la emisión estimulada. El proceso de
absorción se ilustra en la Figura 1.5a, en donde los niveles de energ´ıa E1 y E2
corresponden al estado fundamental y el estado excitado de los a´tomos del medio
absorbente. Si la energ´ıa del fotón hν, que proviene de un haz de luz con frecuencia
ν, es próxima a la diferencia de
energ´ıa Eg = E2 −E1 , el a´tomo puede absorber el fotón y as´ı alcanzar el estado
excitado.
La luz incidente es atenuada como resultado de numerosos eventos de absorción
que
ocurren en el medio. Este a´tomo en el estado excitado eventualmente regresa a su
estado fundamental, emitiendo luz en el proceso. Esta emisión puede producirse por
medio de dos mecanismos, la emisión espontánea o la emisión estimulada, los
cuales
(a) (b) (c)
Figura 1.5: Procesos fundamentales entre dos niveles de energ´ıa en un átomo: (a) absorción,
(b) emisión espontánea y (c) emisión estimulada.
se muestran esquemáticamente en la Figura 1.5. En el caso de la emisión espont

ánea, los fotones son emitidos en direcciones aleatorias y sin relación de fase entre
ellos. En cambio, la emisión estimulada es iniciada por un fotón existente, el cuál
coincide con el fotón original en energ´ıa, frecuencia y dirección de propagaci
ón. Todos los láseres, incluyendo a los láseres de semiconductor, emiten luz
principalmente debido a emisión estimulada, y de esta manera logran la coherencia
que los caracteriza. Por otro lado, los LEDs emiten luz por el proceso no coherente
de la emisión espontánea.
En los láseres de semiconductor, los a´tomos involucrados en el proceso de emisión
espontánea conforman una red cristalina, en donde los niveles de energ´ıa individuales
de cada a´tomo se unen para formar bandas de energ´ıa. Estas bandas se representan en
una curva de energ´ıa-vector de onda (E-k) como la que se muestra en la Figura 1.6.
Las bandas más relevantes son la de valencia (prácticamente llenas de electrones) y la
de conducción (prácticamente sin electrones). Cuando los electrones se promueven a
la
Figura 1.6: Curva energ´ıa-vector de onda en un láser de semiconductor.
banda de conducción a través de un bombeo de energ´ıa, los estados vac´ıos de la

banda
de valencia se comportan como portadores de carga positiva conocidos como
huecos. La luz se produce cuando un electrón de la banda de conducción se
recombina con un hueco de la banda de valencia, y se emite un fotón de energ´ıa hν
≈ Eg , en donde Eg se
conoce como energ´ıa del Gap. Sabiendo que ν = c/λ, se puede determinar la longitud
de onda de la luz emitida como λ = hc/Eg . Para que un láser de
semiconductor emita cerca de la banda de 1.55 µm, su energ´ıa del Gap debe ser
alrededor de 0.8 eV. Estos láseres se construyen en tres capas de material
semiconductor: una capa tipo p; una capa intermedia donde se emite la luz, llamada
medio activo; y otra tipo n. Esta estructura ayuda a confinar los portadores
inyectados y la luz, que es generada en el medio activo a través del proceso de
recombinación electrón-hueco. El bombeo se realiza alimentando con una corriente
en los contactos metálicos de las capas p y n. Cuando la densidad de portadores
inyectados excede cierto valor, se promueven la cantidad de a´tomos al estado
excitado (inversión de población) necesaria para que la región activa presente una
ganancia o´ptica. En la Figura 1.7 se muestra un esquema básico del láser de
semiconductor. La luz generada debe ser realimentada en el medio activo para que
Figura 1.7: Esquema básico de un láser de semiconductor.
sea amplificada a través de la emisión estimulada, convirtiéndolo en un oscilador.

Esta realimentación positiva se obtiene por medio del confinamiento de la región
activa en una cavidad resonante, que podr´ıa estar formada, por ejemplo, por dos
espejos. Uno de ellos no refleja la totalidad de la luz, sino que permite que una
pequenã fracción lo atraviese y de esta manera el haz pueda salir del dispositivo.
El estado estacionario de operación se alcanza cuando la ganancia óptica iguala
las pérdidas de la cavidad (condición umbral) y la frecuencia de la luz generada
coincide con la frecuencia de los modos longitudinales de la cavidad.
Un láser semiconductor en general emite luz en varios modos de la cavidad.
Co- mo se puede ver en Figura 1.8, el espectro de ganancia es tan ancho que
numerosos
modos son amplificados simultáneamente. El modo más cercano a la ganancia pico se
convierte en el modo dominante. En la práctica, la diferencia entre modos consecutivos
es extremadamente pequenã, con lo que la potencia del láser se distribuye en el modo
dominante y sus vecinos. [3].
Figura 1.8: Perfiles de ganancia y pérdida de un láser semiconductor.

Cap´ıtulo 2
El Láser Como un
Dispositivo Optoelectrónico
En este Cap´ıtulo se abordarán ciertos aspectos de funcionamiento y caracterizado

que están ´ıntimamente relacionados con el dispositivo láser que se utilizó en el
transmisor.
2.1. Láseres de Realimentación Distribuida

Como se discutió anteriormente, los láseres de semiconductor oscilan en
muchos modos longitudinales debido a la pequenã diferencia de ganancia entre
dos modos vecinos de la cavidad.
En algunas aplicaciones se requiere que se emita un uńico modo longitudinal
predominante, como ser por ejemplo en los sistemas de guiado WDM
(multiplexado por división de longitud de onda). Para lograr esto, los láseres se
disenãn de tal forma que el perfil de pérdidas sea diferente para cada modo
longitudinal de la cavidad, como se ve en la Figura 2.1.
Los láseres de realimentación distribuida, DFB por siglas en inglés, logran este
tipo de perfil de una manera particular.
Como su nombre lo indica, la realimentación no está localizada en los
extremos, sino a lo largo de la cavidad. Esto se logra a través de una red interna que
actuá como elemento selector de longitud de onda que, en conjunto con al menos uno
de los espejos, provee la realimentación, y refleja la luz hacia la cavidad para
conformar el resonador. Este tipo de estructura se conoce como red de Bragg [3] y
puede verse en la Figura 2.2. Este tipo de láseres poseen muchas ventajas que los
hacen un componente importante en los sistemas de comunicaciones, entre las que
se pueden destacar el ancho de linea angosto, tasas elevadas de transmisión, chirp
reducido y bajo ruido de intensidad relativa (RIN) [3]. Sin embargo, en ambientes
poco controlados la potencia de sali-
10
2.2 Caracter´ısticas CW y Respuesta Est 11
ática
Figura 2.1: Perfiles de ganancia y pérdida de un láser semiconductor con un uńico modo
longitudinal predominante.
Figura 2.2: Estructura de un láser DFB.
da puede variar considerablemente, con lo que, en ciertos casos, es necesario

realizar control de temperatura y de potencia o´ptica.
2.2. Caracter´ısticas CW y Respuesta Estática

La curva potencia o´ptica-corriente (P-I) caracteriza las propiedades de emisión
de un láser semiconductor en onda continua (CW por sus siglas en inglés).
Esta curva nos indica el valor umbral de corriente a partir del cual comienza la
emisión de luz y también que corriente necesita ser aplicada para obtener una
cierta potencia óptica.
Desde el punto de vista de la caracterización eléctrica de este tipo de
dispositivos, la curva tensión-corriente (V-I) se conoce como respuesta estática y
provee información necesaria para el disenõ del circuito de alimentación el
éctrica del transmisor. Usual- mente, esta curva es similar a la de un diodo comuń.
El diodo láser es un dispositivo altamente no lineal, sin embargo, en un
rango de operación se puede considerar que existe una relación directamente
proporcional entre
2.3 Caracterización Diodos L 12
áseres
la potencia o´ptica y la corriente, como as´ı también entre la tensión y la corriente.
A partir de la curva P-I se pueden determinar la corriente umbral Ith, que es el
valor de corriente para el cuál el láser comienza a e emitir luz, y la eficiencia de
pendiente Sef f , que se define como la pendiente de dicha curva en la zona lineal. De
la misma forma, la pendiente de la curva V-I en la zona lineal se denomina resistencia
dinámica Rd . En la Figura 2.3 se pueden apreciar representaciones t´ıpicas de las
mencionadas curvas de un diodo láser. Es importante resaltar que las propiedades
mencionadas anteriormente pueden cambiar en función de la temperatura de
operación [3]. Este efecto se puede ver en la Figura 2.4, en la que se muestra una
curva paramétrica t´ıpica de diodo láser que emite en una longitud de onda
central de λ = 1.3 µm.
Figura 2.3: Curvas Potencia O´ ptica-Corriente y Tensión-Corriente t´ıpicas de un diodo láser.
2.3. Caracterización Diodos Láseres
2.3.1. El Módulo Láser Utilizado

El módulo láser que se utilizó para el disenõ del transmisor es el DFB-
1470-C5- 2-A4-FA-A-A de AOI, el cual emite en la longitud de onda central de 1470
nm. Este dispositivo está disenãdo espec´ıficamente para aplicaciones anal
ógicas, especialmente para repetidoras inalámbricas (RoF, radio sobre fibra),
entrega gran potencia de salida (∼ 2mW), tiene amplio rango de temperaturas de
operación, baja distorsión y un fotodiodo incorporado para monitoreo de la
potencia óptica. Una imagen del dispositivo se puede ver en la Figura 2.5. El
encapsulado de este diodo láser es tipo transistor outline (TO) 5.6 mm con pigtail
de fibra monomodo estándar coaxial que en su extremo posee un conector de ferrule
(FC) macho.
Figura 2.4: Dependencia de la curva P-I vs Temperatura para un diodo láser que emite en
λ = 1. µm [3].
Figura 2.5: Láser DFB-1470-C5-2-A4-FA-A-A de AOI.
En la Figura 2.6 se muestra un diagrama esquemático del dispositivo con la dispo-

sición de los terminales.
2.3.2. Medición de las Caracter´ısticas CW y Estáticas

Alimentando el diodo láser con una corriente continua conocida y midiendo la
ten- sión en sus bornes, se puede determinar su curva V-I. Asimismo, si se mide la
potencia o´ptica que entrega el dispositivo, es posible encontrar la relación P-I. En la
Figura 2.7 se muestra un esquema experimental empleado para relevar ambas curvas
caracter´ısticas. Se realizaron mediciones en dos láseres del mismo modelo y
fabricante, a los que se identificarán como láser 1 y láser 2. Se alimentó al láser
1 con una fuente de corriente continua variable en el rango de 1 mA a 28 mA, con
incrementos de 1 mA. Se midieron
Figura 2.6: Diagrama esquemático de la disposición de los terminales del láser DFB en
estudio. LD: Diodo Láser, PD: Fotodiodo de monitoreo.
Figura 2.7: Esquema para la medición de las caracter´ısticas estáticas del diodo láser.
OPM: Medidor de Potencia O´ ptico - OSA: Analizador de Espectro O´ ptico.
la tensión, la corriente que circula por el dispositivo y la potencia óptica

emitida. Luego, se repitió el procedimiento para el láser 2. En la Figura 2.8a y la
Figura 2.8b se muestran los resultados obtenidos para los láseres 1 y 2,
respectivamente. En las curvas obtenidas se aprecian las propiedades del
funcionamiento de los diodos láser. Existe un valor de corriente umbral Ith a partir
del cual el dispositivo comienza a emitir luz. También, se puede observar el rango
de corrientes para el cual la potencia o´ptica o la tensión son linealmente
proporcionales.
A partir de las curvas relevadas es posible determinar las condiciones deseadas
de operación del dispositivo. El fabricante indica la corriente nominal de
funcionamiento In, a la cual le que corresponde una potencia nominal Pn. Con
ambos valores queda fijado el punto de polarización del láser, en donde la potencia
óptica emitida seguirá a la corriente moduladora de entrada con el factor de
proporcionalidad Seff y el dispositivo presentará una impedancia de entrada Rd ;
siempre y cuando la amplitud de dicha corriente no sobrepase la máxima excursi
ón. Por medio de un ajuste lineal de los datos de las curvas se obtuvieron Rd y
Sef f . En la Tabla 2.1 se resumen los parámetros
(a) Láser 1
(b) Láser 2
Figura 2.8: Curvas Tensión-Corriente y Potencia O´ ptica-Corriente para los láseres 1 (a)
y 2 (b).
caracter´ısticos obtenidos de los láseres. Es importante destacar que, a pesar de que

ambos dispositivos son del mismo modelo y fabricante, poseen parámetros diferentes.
2.3.3. Medición del O´ ptico

Espectro
El instrumento utilizado para la medición del espectro de emisión del láser es el
analizador de espectro o´ptico (OSA, por sus siglas en inglés) marca Sunrise Telecom.
Se realizó la medición para el láser 2, el cual fue polarizado al valor nominal reco-
mendado por el fabricante, que en este caso fue In = 25 mA.
Parámetro Láser 1 Láser 2
Ith 10 mA 12 mA
In 24 mA 25 mA
Rd 5.3 Ω 8.2 Ω
Seff 0.125 W/A 0.140 W/A
Rangos dinámicos 1
de Corriente 11 mA a 37 mA 13 mA a 38 mA
de Tensión 920 mV a 1062 mV 972 mV a 1170 mV
de Potencia 0.02 mW a 3.28 mW 0.09 mW a 3.58 mW
Tabla 2.1: Parámetros obtenidos de la medición de la respuesta estática de los láseres.
El circuito de alimentación utilizado fue el mismo que se mostró en la Figura 2.7.

A continuación, se conectó la fibra o´ptica del láser en el OSA que imprimió en
pantalla el espectro de emisión en la banda E (1364nm a 1476nm). El resultado puede
apreciarse en la Figura 2.9. Se observa un espectro angosto, t´ıpico de láseres DFB,
con una longitud
Figura 2.9: Resultado de la medición del espectro óptico del láser.
de onda central en λ = 1471.2 nm. La potencia o´ptica medida en este caso difiere de
la medida por el OPM dado que el OSA posee un desperfecto en su conector de
entrada que introduce una gran pérdida de inserción.
1Determinados a partir de In e Ith.

Cap´ıtulo 3
Transmisores O´ pticos
En los Cap´ıtulos anteriores se discutió acerca de las propiedades de las fuentes
ópti- cas alimentadas por una corriente continua. A continuación se analiza cómo
modular la potencia óptica del láser con una corriente alterna, y as´ı transmitir
información en el haz de luz emitido.
En este cap´ıtulo se abarcarán los aspectos generales a tener en cuenta para
el desarrollo de un transmisor o´ptico y en particular se aplicarán estos
conceptos para disenãr un transmisor óptico de senãles de RF.
3.1. Caracter´ısticas Fundamentales

El diodo láser por s´ı solo no es capaz de transmitir información en su haz de luz
de manera confiable, sino que requiere de otros subsistemas que garanticen la
operación estable y que la información en el dominio eléctrico se traslade en forma
adecuada al dominio o´ptico. Entre los distintos subsistemas pueden mencionarse al
modulador, que en conjunto con el láser se encarga de convertir las senãles el
éctricas en senãles ópticas, y los circuitos controladores de potencia y
temperatura, que estabilizan al láser ante variaciones de estos parámetros.
3.1.1. Modulación Directa

Esta técnica consiste en polarizar al diodo láser en alguń punto de operación
con- veniente y aplicar senãles eléctricas que representan un flujo de datos.
Estas senãles modifican la corriente del láser de tal manera que se crean pulsos o
´pticos a la salida, que se traducen como bits digitales. La cuestión está en lograr
que los pulsos ópticos transmitidos sean réplicas de los pulsos eléctricos que
incialmente ingresaron al modulador. Para que la senãl sufra una distorsión m
´ınima al transformarse al dominio o´ptico, el diodo láser debe ser lineal y su
respuesta en frecuencia, denominada ancho de banda modulación, combinada con la
del modulador, deben ser acordes al ancho de
17
3.1 Caracter´ısticas Fundamentales 18
banda de dicha senãl [3]. En la práctica es imposible lograr esto y los pulsos o
´pticos transmitidos usualmente tienen transiciones más suaves respecto a los pulsos el
éctricos. En la Figura 3.1 se muestra un diagrama en bloques de un transmisor de
modulación directa.
Figura 3.1: Diagrama de bloques de un transmisor de modulación directa.
La modulación de amplitud en los láseres semiconductores está

acompanãda por una modulación de la fase. Una fase variante en el tiempo es
equivalente a cambios en la frecuencia central de la portadora óptica. Este fen
ómeno se conoce como chirp, y comienza a tener relevancia a partir de los 5
Gbps. El chirp es la causa principal de que el l´ımite en la tasa de transmisión con
modulación directa sea 10 Gbps.
La fabricación de estos dispositivos es sencilla, en donde se incluyen
componentes electrónicos pasivos y activos, convirtiendo a la modulación directa
en una opción de bajo costo. Por este motivo y también por la tasa de datos que
manejan, los transmisores de modulación directa se utilizan en redes de acceso,
sistemas de radio sobre fibra (RoF), interconexión de estaciones base celular,
WiMAX, etc.
3.1.2. Modulación Externa

A tasas de datos de 5 Gbps o mayores, el chirp impuesto por la modulación
directa se torna importante a tal punto que esta técnica es prácticamente
descartada. En los transmisores de alta velocidad, el láser se polariza a corriente
constante para proveer una salida CW, y un modulador o´ptico se coloca a continuaci
ón del láser para convertir la luz CW en un tren de pulsos de datos codificados
con el formato de modulación adecuado. En la Figura 3.2 se puede ver un
diagrama de bloques de un transmisor de modulación externa.
Comercialmente pueden encontrarse dos tipos de moduladores externos, que son el
modulador Mach-Zehnder (MZM) y el modulador de electroabsorción (EAM), siendo
este u´ltimo el más utilizado en sistemas de guiado de luz con formato ASK
(Amplitude Shift Keying), pues poseen menores pérdidas de inserción que el
modulador MZM [3].
3.2 Aspectos Generales para el Disenõ del Transmisor de Modulación 19
Directa
Figura 3.2: Diagrama de bloques de un transmisor de modulación externa.
El proceso de fabricación de estos moduladores es muy complejo, por lo que

resultan componentes costosos. En general, se aplican en sistemas WDM de alta
capacidad, en donde se integran en un mismo chip junto con los láseres para
obtener tasas de transmisión mayores 40 Gbps.
3.1.3. La Potencia O´ ptica
En todas las aplicaciones se requiere que la potencia óptica emitida por el

diodo láser, en condiciones CW, sea constante. Si no lo fuera, se corre el riesgo
de que las senãles alternas superen los rangos de funcionamiento especificados por el
fabricante.
La potencia o´ptica puede cambiar porque la corriente de polarización o la
temperatura no son estables. Las variaciones de temperatura ocasionan cambios
de la curva P-I y corrimientos de la longitud de onda de la portadora o´ptica [3],
efecto que ser´ıa catastrófico en sistemas WDM. Por estos motivos, algunos
transmisores tienen incor- porados controladores de corriente y temperatura. Las
senãles de control las entregan los sensores de potencia y temperatura (fotodiodos
y termistores). Los lazos de reali- mentación y los actuadores, que pueden ser
fuentes de corriente y TECs (enfriadores termoeléctricos), son los encargados de
mantener la potencia o´ptica y la temperatura constante. Estos componentes
pueden estar integrados en el mismo módulo láser o encontrarse en el mercado
como módulos adicionales.
3.2. Aspectos Generales para el Disenõ del

Trans- misor de Modulación Directa
Dadas las caracter´ısticas estáticas del diodo láser DFB estudiado, en
particular por la gran linealidad que presentan sus curvas caracter´ısticas, las tasas
de datos que operan las redes de acceso (desde los Mbps a Gbps) y la restricción del
costo bajo, el tipo de modulador que mejor se ajusta a estos requerimientos es el
3.2 Aspectos Generales para el Disenõ del Transmisor de Modulación 20
Directa
modulador directo. El
control de potencia quedó marginado, ya que se trabajó sobre un ambiente controlado
y el láser permite un amplio rango de temperaturas de trabajo, que no afectan el
correcto funcionamiento del transmisor, ya que éste deberá operar en un sistema de
una uńica longitud de onda.
3.2.1. Respuesta Dinámica

La respuesta dinámica del láser caracteriza su funcionamiento ante senãles
de corriente alterna de relativa pequenã amplitud. Conocer la respuesta en
frecuencia del dispositivo permite determinar qué tipo de senãles serán las
óptimas para modular la intensidad de corriente del láser, y por lo tanto, la
potencia óptica transmitida.
A partir del análisis de la respuesta estática del dispositivo, en general, se
determina como punto de operación aquel que permite una excursión de la senãl
de modulación que se encuentre en el rango lineal, como se muestra en la Figura
3.3. Para el diodo láser que se estudió, se consideró que el punto de operación es
el valor de corriente nominal indicada por el fabricante In = 25 mA con la potencia
nominal Pn que entrega. Como consecuencia de sobrepasar dicho rango se introduce
distorsión en la senãl transmitida, debido a la generación de armónicos
indeseados, e incluso es posible producir destrucción del dispositivo.
Figura 3.3: Corriente moduladora traducida en potencia óptica modulada.
Adema´s, cabe resaltar que con el fin de obtener una respuesta dinámica adecuada
del transmisor, es necesario tener en cuenta que si se modula el dispositivo con
frecuencias altas (RF y microondas) se debe buscar la máxima transferencia de
potencia al láser para minimizar la potencia reflejada por desadaptación de
impedancias. Entonces, el circuito modulador deberá ser capaz de adaptar
impedancias y proveer un nivel de
continua para la polarización del diodo láser, acordes a las condiciones mencionadas.
3.2.2. El Circuito de Modulación Directa

Un tipo de red pasiva que logra suministrar a una carga una senãl alterna
montada en un nivel de continua provenientes de dos generadores independientes, se
conoce como Bias-Tee y su topolog´ıa básica puede verse en la Figura 3.4. Posee
dos componentes, el capacitor C, cuya función es bloquear la corriente continua
(DC) hacia el puerto de modulación, y el inductor L, que remueve la corriente
alterna (AC) del puerto de alimentación. Con esto se asegura aislamiento entre
puertos RF y DC, protegiendo la electrónica interna de cada uno, de manera que la
senãl que llega a la carga RL sea la suma de la senãl de modulación con la de
alimentación.
Figura 3.4: Topolog´ıa de la red Bias-Tee.
Considerando que la impedancia del inductor L que presenta en AC es varios o

´rdenes de magnitud mayor que la impedancia de la carga RL, la frecuencia de corte
pasa altos de la rama RF-Carga es
fc,RF = 1 . (3.1)
2π(R R + )C
F R
L
De la misma forma, asumiendo que el capacitor debe bloquear la corriente

continua, la frecuencia de corte pasa bajos de la rama DC-Carga es
fc,DC RDC + RL
= . (3.2)
2πL
Con 3.1 y 3.2, eligiendo adecuadamente las frecuencias de corte, se determinan los
valores de los componentes de la red Bias-Tee.
En el Cap´ıtulo 2 se midieron las resistencias dinámicas de dos diodos láser y
ambas se encuentran en el orden de unos cuantos ohm. Teniendo en cuenta que la
entrada de modulación t´ıpica de un transmisor deberá tener una impedancia
caracter´ıstica de 50 Ω, resulta imprescindible incluir un circuito adaptador de
impedancias. En una primera aproximación, se debe intercalar una red de adaptaci
ón de impedancias, disenãda con componentes pasivos reactivos de tal forma que
no se consuma potencia activa. El lugar
donde se colocará esta red dependerá si se la disenã como pasa altos, pasa bajos o
pasa banda, pudiendo incorporar los componentes de bloqueo L o C. El ancho de
banda de la red de adaptación definirá, en un principio, el ancho de banda del
transmisor. En la Figura 3 . 5 se muestra un esquema del Bias-Tee con una red de
adaptación que opera en el ancho de banda del transmisor, en donde el capacitor
C y el inductor L pueden considerarse un cortocircuito y un circuito abierto,
respectivamente, a las frecuencias de operación. Las ondas reflejadas en los
puertos se minimizan y las transmitidas se maximizan.
Figura 3.5: Bias-Tee operando en el ancho de banda del Transmisor. La red de adaptación
minimiza las ondas de tensión reflejadas y maximiza la potencia transmitida a la carga
3.2.3. Consideraciones Adicionales

Los adaptadores de impedancias en RF están compuestos por elementos
discretos reactivos. Teóricamente, es posible adaptar dos impedancias reales en el
ancho de banda que se desee [4][5], sin embargo, cuando se disenã la red siguiendo los
pasos establecidos surgen los siguientes problemas
Nu´mero excesivo de componentes. Además de complicar circuito, los

componentes reales poseen dispersión en sus valores nominales y también
aportan su respuesta en frecuencia intr´ınseca, con lo que se aumenta la
probabilidad de que la red no funcione como se espera.
Los valores calculados son incompatibles con los valores comerciales. Si el

valor calculado no se aproxima a ninguń componente normalizado ofrecido en
el mercado, resulta muy dif´ıcil obtener la respuesta deseada para la
topolog´ıa de red elegida.
Este tipo de inconvenientes aparecen generalmente cuando se intenta disenãr

adaptadores con factor de calidad Q bajo (ancho de banda grande) y la relaci
ón entre impedancias de carga y del generador ZL /ZG es muy grande o muy
pequenã.
3.3 Prototipos de moduladores directos en 23
RF
La mayor´ıa de los generadores de senãles con frecuencias en el rango de las RF
poseen una impedancia de salida ZG de 50 Ω. La impedancia del láser,que se
corresponde con la resistencia dinámica, es del orden ZL = Rd ∼ 5 Ω. Con estos
valores se tiene
ZG /ZL = 10, relación que es poco práctica. Para obtener una relación de impedancias
que simplifique el disenõ, como ser ZG /ZL = 3/2 a 1, conviene modificar la carga
agre- gando una resistencia en serie Rs a la red de adaptación (ver Figura 3.6). El
agregado de este componente evidentemente implica una pérdida de potencia, ya que
en vez de transmitirse toda la potencia al láser, se disipa una parte en la resistencia.
Figura 3.6: Circuito del modulador del láser completo, que incluye el Bias-Tee, la red de
adaptación y una resistencia serie
En conclusión, existe claramente un compromiso entre el ancho de banda, la

potencia consumida, el nu´mero de componentes a utilizar y la factibilidad de la
fabricación que deben tenerse en cuenta a la hora de encarar el disenõ del
modulador.
3.3. Prototipos de moduladores directos en RF

En una primera aproximación y teniendo en cuenta lo mencionado
anteriormente, se disenãron prototipos de circuitos de moduladores directos en el
rango de las radiofrecuencias, de manera de verificar su funcionamiento correcto,
para luego extender el disenõ hasta las microondas, obviamente aplicando las t
écnicas de disenõ de circuitos correspondientes a tal banda de frecuencias.
3.3.1. Modulador Directo con Red de Adaptación Resistiva

Disenõ del Circuito
El circuito modulador más sencillo que se puede construir con las técnicas
mencionadas consiste en una red Bias-Tee y una resistencia Rs, cuyo valor es tal
que cumple con la relación Rs + Rd = 50 Ω. Se utilizó el láser 1, que tiene
su Rd = 5.3 Ω. Se
adoptaron los valores de Rs = 47 Ω, C = 220 pF y L = 47 nH. Considerando que la
fuente de DC tiene impedancia aproximadamente nula y la impedancia del
generador es 50 Ω, las frecuencias de corte del Bias-Tee determinadas de las
Ecuaciones 3.1 y 3.2 resultan
fc,RF = 1 1
2π(R = = 7 MHz
R + + Rd)C 2π × (50 Ω + 47 Ω + 5.3 Ω) × 220 pF
F Rs
y
fc,DC RDC + Rd = 5.3 Ω
= = 18 MHz.
2πL 2π × 47
nH
El circuito puede verse en Figura 3.7.
Figura 3.7: Circuito del modulador con red de adaptación resistiva.
Simulacioń y Medición de la Respuesta en Frecuencia
A continuación, se simuló el circuito eléctrico en el software Genesys

obtenien- do resultados favorables para sus parámetros S. Si se desea recordar la
definición de parámetros S se recomienda leer el Apéndice A. Luego, se fabricó el
circuito de modulador en una placa FR4 con componentes de montaje superficial con
dimensiones 0805 (80 mil × 20 mil = 2.00 mm × 1.25 mm, resistencias de 1/8 W).
En la Figura 3.8 se observa una fotograf´ıa del modulador armado.
Una vez soldados todos los componentes, el modulador quedó configurado
como una red de un puerto por donde ingresa la senãl moduladora, y, por lo tanto,
el uńico parámetro que fue posible medir fue el S11, que representa al coeficiente
de reflexión en el puerto 1 (RF).
El instrumental utilizado para la medición del coeficiente de reflexión fue el
analizador vectorial de redes Agilent 4395A, cuyo ancho de banda comprende
desde los 10 Hz a 500 MHz. Se incluyó un divisor de potencia de 3 dB y un
circulador para evitar que la onda reflejada retorne al generador. El esquema del
dispositivo experimental puede verse en la Figura 3.9. Con esta configuración se
logra medir la senãl transmitida en el puerto R y la reflejada en el puerto A.
Previamente a efectuar la medición es necesario calibrar el instrumento siguiendo
la rutina indicada por el fabricante.Teniendo en
Figura 3.8: Fotograf´ıa del modulador con red de adaptación resistiva fabricado en un circuito
impreso.
Figura 3.9: Medición de la pérdida por retorno con el analizador vectorial de redes
Agilent 4395.
cuenta la calibración adecuada, el coeficiente de reflexión se obtiene como el

cociente A/R. Para llevar a cabo la medición, es necesario que el dispositivo bajo
ensayo se encuentre funcionando en las condiciones de operación establecidas, y,
por consiguiente, se requiere polarizar el láser con el valor de corriente nominal y
verificar el valor la potencia óptica CW con un OPM.
Los resultados obtenidos del parámetro S11, simulado y medido, para In = 25
mA y Pn = 1.75 mW, se muestran en la Figura 3.10. A partir de los 20 MHz observa
que las curvas comienzan a separarse, hasta diferir completamente. Esta
discrepancia entre el comportamiento esperado (simulado) y el medido se debe a
un componente parásito en el circuito. A partir de la comparación de la curva
medida con nuevas simulaciones espec´ıficas se ha estimado que dicho
comportamiento podr´ıa ser atribuido a la existencia de de una inductancia parásita
que resuena con el capacitor de bloqueo
del circuito en 80 MHz. Más adelante se analizará en detalle la procedencia de
este componente parásito y cómo se pueden mitigar sus efectos y as´ı aumentar
el ancho de banda del modulador. Se puede estimar el valor de esta inductancia a
partir de la expresión de la frecuencia de resonancia f0 de un circuito resonante LC
serie
1
f0 = √ . (3.3)
2π LC
Despejando y reemplazando valores, se estima que la inductancia parásita es L
c 18 nH. Por u´ltimo, el ancho de banda del modulador queda definido desde 20
MHz a 400 MHz, en donde el parámetro S11 es menor que -10 dB.
Figura 3.10: Resultados para la simulación y medición del parámetro S11 del modulador
sin red de adaptación.
Ensayo de Transmisión de Senãles
Habiendo disenãdo el modulador y caracterizado su respuesta en frecuencia, el u

´ltimo paso que resta es mostrar que efectivamente se puede transmitir una senãl
alterna por la fibra o´ptica y recuperarla por medio de un circuito de detección.
Para ello, se utilizó un generador de senãles Rigol DG4062 con impedancia de
salida de 50 Ω y 60 MHz de ancho de banda. Con un osciloscopio Tektroniks TBS
1062, con 60 MHz de ancho de banda, se midió la tensión en bornes del diodo l
áser, es decir, entre el ánodo A y el cátodo K. Se buscó que la la amplitud de la
tensión alterna entre A-K no supere el rango dinámico de tensiones para una
corriente nominal In = 24 mA. Este rango se obtuvo de la curva V-I de la respuesta
estática del láser, y está comprendido desde 920 mV a 1062 mV, con lo cual, la
amplitud máxima pico a pico que se puede aplicar en
el diodo láser operando en condiciones nominales es
∆Vp−pmax = 1062 mV − 920 mV = 142 mV.
Se empleó como circuito de detección uno ya construido en el laboratorio, cuyas

caracter´ısticas se ajustaban a las necesidades en cuestión. Se requirió además de
una carga de 50 Ω, pues es necesario transformar la corriente que entrega el
fotodiodo del circui- to de detección en una tensión que pueda ser medida en
el osciloscopio. La corriente nominal de monitoreo medida fue Imon = 112 µA. El
esquema experimental empleado puede verse en la Figura 3.11.
Figura 3.11: Esquema experimental empleado para la transmisión y recepción de

senãles en fibra óptica con el modulador fabricado.
Se alimentó al modulador con una senãl senoidal de f = 50 MHz de frecuencia y

una amplitud de Vg,p−p = 400 mV. La tensión medida en el diodo láser VA−K,p−p
= 21.6 mV,valor con el cual no se supera el rango dinámico máximo. En la
Figura 3.12 se observa una imagen tomada del osciloscopio en donde se muestran
las senãles transmitidas y recibidas, medidas en los canales CH2 (curva azul) y
CH1 (curva amarilla), respectivamente, las cuales poseen la misma frecuencia (50
MHz), pero distinta fase.
3.3.2. Modulador Directo con Red de Adaptación Reactiva

Disenõ del Circuito
El segundo prototipo de modulador contiene una red de adaptación que adapta

la impedancia de salida Zg de 50 Ω del generador con la carga ZL , que está
constituida por el láser 2, con Rd = 8.2 Ω, y la resistencia serie Rs .
Figura 3.12: Imagen tomada del osciloscopio en donde se observan la senãl transmitida
(CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva amarilla) para el ensayo del láser con red de
adaptación resistiva, modulado con una senãl sinusoidal de 50MHz de frecuencia.
Para el disenõ de redes de adaptación de ancho de banda grande se hizo

uso de la carta de Smith. Esta técnica consiste en ubicar los valores de las
impedancias de del generador y la fuente, y lograr unirlas a través de las curvas
de suceptancias o inmitancias constantes. El sentido en el que se recorren dichas
curvas determinará el componente y su forma de conexión (serie o paralelo). Todo
el procedimiento se sigue dentro del c´ırculo de factor de calidad Q constante, que
establece el ancho de banda de la red.
En primer lugar, se definieron las impedancias del generador y la fuente. Para
obtener una red adaptación sin gran cantidad de componentes, se eligió Zg /Zg =
1/2, con lo que resultó ZL = 25 Ω. Con las resistencias disponibles, la
configuración que más se aproximó a 25 Ω es Rs = 20 Ω en serie con Rd =
8.2 Ω, de donde se obtiene ZL = 28.2 Ω. A continuación, se adoptó un factor de
calidad Q = 0.45 a una frecuencia central de operación fc = 100 MHz. A partir de la
siguiente expresión
fc
Q= , (3.4)
BW
se determinó el ancho de banda de la red, el cual es BW = 222 MHz. El

siguiente paso fue utilizar la carta de Smith. El trazado de las curvas y el c
álculo de cada elemento de la red de la manera tradicional puede resultar una
tarea engorrosa, por tal motivo se utilizó el software Smith V3.1. Como se observa
en la Figura 3.13, esta herramienta de cálculo provee una interfaz gráfica donde se
recorre la carta y además muestra el diagrama esquemático del circuito. Es
importante notar que la red es de tipo pasabanda, con lo que no es necesario
colocar un capacitor de bloqueo de DC. Se
Figura 3.13: Disenõ de la red de adaptación con el software Smith V3.1.
utilizo un inductor en la rama DC de valor L = 1000 nH, con lo que la nueva

frecuencia de corte queda
fc,DC RDC + Rd = 8.2 Ω

= = 1.3 MHz.
2πL 2π × 1000
nH
Para concluir el disenõ, se modificaron los valores obtenidos con los valores norma-
lizados más próximos, con lo que la red de adaptación final quedó configurada como
se muestra en el circuito de la Figura 3.14.
Figura 3.14: Circuito del modulador del láser con red de adaptación.
Finalmente, se fabricó el modulador con el láser 2 en un circuito impreso con placa

RF4 y componentes de montaje superficial de dimensiones 0805 (80 mil × 20 mil =
2.00 mm × 1.25 mm, resistencias de 1/8 W), el cual se muestra en la fotograf´ıa de la
Figura 3.15.
Figura 3.15: Fotograf´ıas de la (a) vista inferior y (b) vista superior del modulador con red de adaptaci
ón reactiva fabricado.
Simulacioń y Medición de la Respuesta en Frecuencia
El proceso para la simulación y medición del parámetro S11 de este

modulador es idéntico que el que realizó para el modulador con red de adaptación
resistiva (Subsec- ción 3.3.1). En este caso, se polarizó el láser con In = 25 mA y se
midió una corriente de monitoreo Imon = 140 µA. Los resultados de la medición y la
simulación del parámetro S11 del modulador con red de adaptación reactiva se
muestran en la Figura 3.16. Se
Figura 3.16: Resultados para la simulación y medición del parámetro S11 del modulador
con red de adaptación reactiva.
observa, al igual que en modulador sin red de adaptación, que las simulaciones
presentan discrepancias a los resultados experimentales, especialmente en las
frecuencias altas. De la misma manera, se estima que la causa principal de éstas
discrepancias es una inductancia parásita en serie con el láser, no tenida en
cuenta en el modelo
de simulación. En este caso es más dif´ıcil estimar su valor con una expresi
ón, por lo que se recurrió a simulaciones. En la Figura 3.17 se comparan las
mediciones con una
Figura 3.17: Comparación del parámetro S11 medido y simulado con una inductancia par
ásita de 15 nH en serie con el láser para el caso del modulador con red de adaptación
reactiva.
simulación del circuito que incluye una inductancia parásita de 15 nH. Ahora, las
simulaciones se aproximan más a lo medido. Considerando la dispersión de los
valores de los componentes se puede encontrar otra curva que se aproxime más auń.
Para terminar, el coeficiente de reflexión es menor a -7 dB en el ancho de banda
de 50 MHz a 150 MHz.
Ensayo de Transmisión de Senãles
El esquema experimental de transmisión y recepción de senãles para

ensayar el circuito modulador disenãdo este caso es idéntico al empleado para
ensayar el primer modulador. Se midió con el osciloscopio en los terminales del diodo
láser la tensión de la senãl moduladora. Se transmitió una onda sinusoidal de 50
MHz y luego una onda cuadrada de 16 MHz, ambas con Vg,p−p = 400 mV. En las
Figuras 3.18 y 3.19 se pueden ver las senãles transmitidas (CH2, azul) y recibidas
(CH1, amarillo), para las senãles sinusoidal y cuadrada, respectivamente. En ambos
casos, las senãl se recupera con la misma forma y frecuencia a la que fueron
transmitidas. Por otro lado, en el caso de la onda cuadrada, se puede apreciar que
ésta sufre distorsión introducida por el ancho de banda limitado de la red de
adaptación disenãda. El efecto de que la senãl recibida sea una reflexión de la
transmitida es posible que se deba al circuito de detección, el cual además
introduce una distorsión adicional.
Figura 3.18: Imagen tomada del osciloscopio en donde se observan la senãl sinusoidal
transmitida (CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva amarilla) en pantalla para el
ensayo del láser con red de adaptación reactiva, modulado con una senãl sinusoidal de 50
MHz de frecuencia.
Figura 3.19: Imagen tomada del osciloscopio en donde se observan la senãl cuadrada
transmitida (CH2, curva azul) y recibida (CH1, curva amarilla) en pantalla para el
ensayo del láser con red de adaptación reactiva, modulado con una senãl cuadrada de 16
MHz de frecuencia.
3.3.3. Conclusiones
A partir del análisis efectuado, se puede concluir que a pesar de que los
resultados de las mediciones en ambos moduladores no se condicen exactamente con la
simulación debido a la presencia de una inductancia parásita en serie con el l
áser, con un valor del orden de 20 nH, se obtuvo una respuesta en frecuencia
como la esperada. Ambos moduladores construidos lograron modular senãles
alternas en el rango de las radiofre-
cuencias y convertirlas en senãles o´pticas, que fueron transmitidas en la fibra
óptica y correctamente recuperadas a través de un receptor o´ptico.
La ventaja que posee el primer disenõ sobre el segundo es la simpleza, ya
que solamente posee tres componentes en su circuito eléctrico, y además posee
un ancho de banda mayor, que comprende desde los 10 Hz a 500 MHz, contra el
ancho de banda del modulador con red de adaptación reactiva que abarca desde 50
MHz a 150 MHz. Por otro lado, la desventaja del primer modulador es que
consume mayor potencia de la senãl de RF, pues tiene una resistencia serie Rs m
ás grande.
Cap´ıtulo 4
El Transmisor O´ ptico de
Modulación Directa de
Alta Capacidad
Los moduladores disenãdos en el cap´ıtulo precedente tienen el inconveniente de

que sus rangos de frecuencias de operación son insuficientes para transmitir datos a las
tasas que operan las redes de acceso o´pticas (∼Gbps). Por lo tanto, es necesario
migrar de la banda de las radiofrecuencias a las microondas, y redisenãr los
circuitos aplicando las técnicas correspondientes a dicha banda. Una posibilidad
es disenãr una red de adaptación de gran ancho de banda (Q bajo) con l´ıneas de
transmisión y conservar el Bias-Tee y la resistencia serie Rs. Este circuito ser´ıa el
equivalente en las microondas al circuito del modulador con red de adaptación
reactiva en RF, el cual consum´ıa menos potencia que el modulador con red de
adaptación resistiva. En este Cap´ıtulo se desarrollarán estas ideas que luego se
aplicarán en un disenõ en concreto.
4.1. Teor´ıa de las Pequenãs Reflexiones

El transformador de cuarto de onda provee una manera simple de adaptar dos
impedancias reales en un cierto ancho de banda . Se puede demostrar que si la
longitud eléctrica del tramo de l´ınea es l = λ0 /4, siendo λ0 alguna longitud de
onda particular de operación, el coeficiente de reflexión será nulo[5].
El ancho de banda de adaptación se define a través de un coeficiente de
reflexión máximo Γm , cuyo valor sera´ adoptado en función a alguń criterio
particular. En la Figura 4.1 se puede ver la respuesta en frecuencia del adaptador
de cuarto de onda. Es comuń trabajar con el retardo de fase θ = βl, o también
llamada longitud eléctrica, en donde β = 2π/λ. De esta manera, retardo de fase se
relaciona con la longitud de onda λ, o equivalentemente con la frecuencia f y la
velocidad de propagación de la onda en
34
4.1 Teor´ıa de las Pequenãs 35
Reflexiones
Figura 4.1: Respuesta en frecuencia del transformador de cuarto de onda.
la l´ınea v, por medio de la expresión
2π
θ = βl = l = 2π l, (4.1)
λ f
v
en donde se aprecia que cuando λ = λ0, se tiene θ = π/2.
Para aplicaciones que requieren un ancho de banda mayor, mu´ltiples
secciones de transformadores de cuarto de onda pueden ser u´tiles. Para el
disenõ de estos transformadores es necesario derivar algunos resultados
aproximados para el coeficiente de reflexión total Γ, que se compone de reflexiones
parciales de varias discontinuidades de pequenã amplitud. Este análisis se conoce
como teor´ıa de las pequenãs reflexiones.
4.1.1. El Transformador de Sección Simple

El transformador de sección simple consiste en un transformador de cuarto de
onda de impedancia caracter´ıstica Z1 que adapta dos impedancias Z0 y ZL reales.
Bajo la hipótesis de que los coeficientes de reflexión parciales entre dos impedancias
consecuti- vas es pequenõ, es decir |Γ0 |, |ΓJ1 |, |Γ1 | << 1, es posible derivar f
ácilmente, a partir del análisis del circuito de la Figura 4.2, que
Γ(θ) c Γ0 + Γ1 e−2jθ . (4.2)
4.1.2. El Transformador de Mu´ltiples Secciones

Si se se colocan N transformadores de sección simple se obtiene la
configuración de la Figura 4.3, que se conoce como el transformador de mu´ltiples
secciones. En este
Figura 4.2: Reflexiones parciales en un transformador de sección simple.
Figura 4.3: El transformador de mu´ltiples secciones y los coeficientes de reflexión parciales de

cada uno de sus tramos.
caso, los coeficientes de reflexión parciales se pueden escribir como

Z1 − Z0
Γ = , (4.3a)
0
Z1 + Z0
Zn+1 − Zn
Γ = , (4.3b)
n
Zn+1 + Zn
ZL − ZN
Γ = . (4.3c)
N
ZL + ZN
Bajo la suposición de que todas las impedancias Zn son monótonas

decrecientes o crecientes a lo largo del transformador y que ZL es real, todos los
Γn serán reales y tendrán el mismo signo (Γn > 0 si ZL > Z0 ; Γn < 0 si ZL < Z0 ).
Utilizando el resultado mencionado anteriormente para el transformador de sección
simple y generalizando para el caso de N secciones se tiene el coeficiente de reflexi
ón total
Γ(θ) = Γ0 + Γ1 e−2jθ + Γ2 e−4jθ + ... + ΓN e−2jN θ . (4.4)
La importancia de este resultado está en el hecho de que se puede sintetizar

cualquier coeficiente de reflexión deseado en función de la frecuencia (θ),
eligiendo el Γn adecuado y el nu´mero de secciones N . La s´ıntesis puede realizarse
definiendo una fun- ción arbitraria Γ(θ)J , que es una función periódica, de per´ıodo
π, con transiciones suaves (derivada segunda continua), cuya serie de Fourier viene
dada por
∞
nΣ=−
Γ(θ)J = ∞ Γn e−2jnθ , (4.5)
y sus coeficientes de Fourier Γn se calculan como
∫
Γn = 1π/2 Γ(θ)J e2jnθ dθ. (4.6)
π −π/2
Por lo tanto, la función Γ(θ) se aproxima a la función arbitraria Γ(θ)j , para n ≥

0, como se puede ver a continuación
N
Σ
Γ(θ) |n≥0 ∼ Γ(θ) =
J
Γn e−2jnθ . (4.7)
n=0
La aproximación será mejor mientras más coeficientes de la serie se utilicen,

pero se debe tener en cuenta que aumentarán el nu´mero de secciones N y, por
consiguiente, la longitud total del transformador.
Existen además soluciones anal´ıticas extensamente desarrolladas que permiten
di- senãr adaptadores en forma rápida y sencilla, generalmente por medio de la
utilización de tablas. Ejemplos de estas soluciones son los transformadores
binomial y de Chebys- hev [5].
4.1.3. El Transformador de L´ınea Distribuida

A medida que el nu´mero N de secciones aumenta, los saltos en sus
impedancias caracter´ısticas se reducen cada vez más, y la geometr´ıa del
transformador se aproxima a una l´ınea de transmisión continuamente distribuida.
En la práctica, un transformador adaptador debe tener longitud finita, a lo sumo
con unas cuantas secciones de cuarto de onda. Esto sugiere que, en vez de
utilizar un transformador con mu´ltiples secciones discretas, éste puede ser
distribuido, como se muestra en la Figura 4.4a. En este caso, la impedancia de la l
´ınea es una función dependiente de la posición Z(z). Las caracter´ısticas
pasabanda dependerán del adaptador utilizado, en particular, de su distribución de
impedancias.
Considerando el esquema de la Figura 4.4b, en donde cada tramo de la l´ınea
distribuida está constituida por un nu´mero de secciones incrementales de
longitud ∆z, con una variación de impedancia ∆Z(z) de una sección a la otra, el
coeficiente de reflexión incremental puede escribirse como
(Z + ∆ Z ) − ∆Z
∆Γ
Z = c . (4.8)
(Z + ∆Z) + Z 2Z
En el l´ımite cuando ∆z → 0, se tiene el diferencial exacto
dZ
dΓ = 1 d(ln(Z/Z0))
2Z = 2 dz . (4.9)
(a)
(b)
Figura 4.4: (a) Adaptador de impedancias con l´ınea de transmisión distribuida a lo largo del
eje z de longitud L y (b) su modelo para los cambios graduales en su impedancia caracter´ıstica.
Utilizando la teor´ıa de las pequenãs reflexiones, se puede hallar el

coeficiente de reflexión total en z = 0 suponiendo todas las reflexiones parciales
con sus correspondientes retardos de fase [5]:
∫ .
1 d Z (z )
Γ(θ) = e −2jβz
Σ
ln dz. (4.10)
L
2 z=0 dz Z0
Si se conoce la distribución de impedancias Z(z), Γ(θ) puede encontrarse como funci

ón de la frecuencia y viceversa. Ana´logamente al transformador de mu´ltiples
secciones, el coeficiente de reflexión también se puede obtener como la transformada
de Fourier de la función f (z) definida por
1 d . Z (z)
f (z) = ln dz, (4.11)
2d Σ Z0
z
en donde f (z) es una función con derivada segunda continua definida en el

intervalo (0, L), con Z(z) una función monótona creciente o decreciente.
Los transformadores más desarrollados y utilizados en todo tipo de aplicación son
el exponencial, el triangular y el Klopfenstein, debido a que su distribución de
impedancias es tal que permite derivar una expresión anal´ıtica al coeficiente de
reflexión total. En particular, el adaptador de Klopfenstein minimiza el coeficiente de
reflexión en la banda de paso.
4.2 Disenõ de Transformadores Distribuidos con 39
Microtiras
Idealmente, el coeficiente de reflexión total tiene caracter´ısticas pasa altos. Sin
embargo, en la práctica con l´ıneas de transmisión reales, esto no ocurre debido a
efectos no lineales que surgen como consecuencia de trabajar en un amplio rango
de frecuencias. Algunos ejemplos de estos efectos son la dispersión no lineal,
como consecuencia de la variación de la permitividad del medio con la frecuencia, y
la excitación de modos de propagación de o´rdenes mayores, los cuales limitan el
ancho de banda de operación para un largo determinado del adaptador.
4.2. Disenõ de Transformadores Distribuidos

con Microtiras
La microtira es una l´ınea de transmisión ampliamente utilizada debido a la
facilidad de ser implementada en circuitos los impresos de microondas. Su geometr´ıa
puede verse en la Figura 4.5a, y consiste en un sustrato de espesor d y permitividad
relativa (o constante dieléctrica) sr , que en una de sus caras posee una placa
conductora que cumple la función de plano de tierra, y en la otra cara una tira
conductora de espesor W . Ambas caras conductoras conforman el sistema de
guiado de ondas.
(a) (b)
Figura 4.5: L´ınea de transmisión con microtira.(a) Geometr´ıa y (b) l´ıneas de campo eléctrico
(E) y magnético (H) en su sección transversal.
Cuando el sustrato es extremadamente delgado (d << λ), los efectos de la distorsi

ón de las l´ıneas de campo como consecuencia de la discontinuidad en el medio de
guiado pueden despreciarse, con lo que estos campos pueden aproximarse al caso est
ático (DC). Este modo de propagación se conoce como cuasi-TEM (transverso
electromagnético), y se ilustra en la Figura 4.5b.
4.2.1. El Transformador de Microtira con Distribucioń Lineal

Los transformadores exponencial, triangular o Chebyshev pueden ser una
buena alternativa para adaptar dos impedancias reales. A la hora de
implementarlos con microtiras en un circuito impreso, la traducción de la
distribución de impedancias Z(z) a los distintos anchos de pista W (z) puede resultar
una tarea engorrosa. Además, cuando
la longitud del transformador L es muy larga (L >> WL, W0), se puede considerar
que W (z) c αz. Por lo tanto, es de interés encontrar la curva del coeficiente de
reflexión total Γ(θ) del transformador de microtira con distribución lineal, que
puede verse en
la Figura 4.6, la cual permitirá implementar un adaptador de gran ancho de banda de
manera simple en un circuito impreso.
Figura 4.6: El transformador de microtira con distribución lineal.
Solucioń Numérica
Se tiene la función que calcula un ancho de una microtira Wx con

impedancia Zx , la cual se llamará mstrip : Wx = mstrip(Zx , f, d, s). Tal funci
ón no posee una expresión anal´ıtica para su inversa, por lo que una manera de
calcular la distribución de impedancias Z(z) es por el método de aproximaciones
sucesivas. El método consiste en definir el vector de anchos de la microtira W , el cual
está compuesto por incrementos diferenciales tol del ancho de una l´ınea W0 hasta la
carga, de ancho WL. Se determina además una impedancia de prueba Ztest la cual
sirve de comparación entre el ancho de la microtira actual W (i) y el ancho
calculado mstrip(Ztest, f, d, s). Si el resultado de la comparación, que es en
definitiva una variable error, es menor que tol, quiere decir que Ztest es una buena
aproximación a la impedancia del tramo de microtira de espesor W (i). Caso
contrario, se reajusta Ztest y se itera para disminuir la magnitud de error. El proceso
se repite para la siguiente sección W (i + 1), y as´ı sucesivamente hasta completar
las M muestras. Cada aproximación se almacena en el vector Z, el cual representa la
distribución de impedancias del transformador. Finalmente, se grafica la función
Γ(θ), que será de utilidad para el disenõ del transformador. El algoritmo que
implementa el procedimiento de cálculo se muestra en la Figura 4.7.
Para la obtención del coeficiente de reflexión es necesario resolver num
éricamente la integral de 4.10. Una manera de hacerlo consiste en expresar dicha
integral en su forma discreta, como se puede ver en la siguiente expresión
Σ−1
M Σ .
ln . ΣΣ
Z(i Z (i)
Γ(θ) = gammaf (Z) 1 2e
−2jθ i
+ 1) − ln
= Σ Z0
Z0
. i=1 (4.12)
Figura 4.7: Algoritmo para la obtención del coeficiente de reflexión de un transformador de
microtira con distribución lineal.
Una observación importante es que el programa también puede ser utilizado

para calcular el coeficiente de reflexión de cualquier vector de anchos de l´ınea W , que
cumpla por supuesto las hipótesis mencionadas.
El método numérico se verificó a partir de las expresiones anal´ıticas del
transfor-
mador exponencial
Z(z) = Z0eaz (4.13a)

ln(ZL /Z0 ) −jθ sin θ
Γ(θ) = e . (4.13b)
2 θ
Con la función mstrip se calcularon los anchos de las microtiras para la distribuci
ón exponencial Z(z). En la Figura 4.8a se comparan las distribuciones de
impedancias obtenidas numéricamente (azul) y anal´ıticamente (rojo); y, de la
misma forma, en la Figura 4.8b, los módulos de los coeficientes de reflexión
calculado numéricamente (azul) y anal´ıticamente (rojo). En ambos casos, no se
pueden distinguir diferencias entre las curvas de los resultados numéricos con la
expresión anal´ıtica.
(a) (b)
Figura 4.8: Comparación de los resultados obtenidos numéricamente y anal´ıticamente en el
transformador exponencial.(a) Distribución de impedancias y (b) coeficiente de reflexión.
Disenõ y Simulación
Habiendo verificado el funcionamiento correcto del algoritmo, se procedió a

calcular el coeficiente de reflexión del transformador de microtira con distribución
lineal, cuyo resultado se muestra en la Figura 4.9.
Para el disenõ es necesario, en primer lugar, elegir la placa con la que se fabricar
án las microtiras. La placa elegida fue FR4 con sr = 4.4 y d = 1.8 mm. Los anchos
de las microtiras que se obtienen para esta placa con las impedancias de 50 Ω y 25
Ω son W0 = 3.44 mm y WL = 9.42 mm, con constantes dieléctricas efectivas se0 =
3.33 y seL = 3.63, respectivamente. Se considera para el disenõ el promedio
entre ambas
constantes dieléctricas se = 3.48. A continuación, se define el coeficiente de atenuaci
ón máximo admisible en la banda de paso Γm ≤ 15 dB, a la frecuencia f =
0.400 GHz. Se eligió este valor de frecuencia y no uno menor para evitar que el
adaptador no sea
Figura 4.9: Coeficiente de reflexión del transformador de microtira lineal.
excesivamente largo, en donde la atenuación por efecto Joule se torna importante. Para
este caso se obtiene la longitud del transformador L a partir de
√
c/ se
θm = βL = 0.6π ⇒ L = θm = 120 mm
2πf
Luego, se simuló el adaptador en el rango de DC a 3 GHz. Los resultados se

muestran en la Figura 4.10. Se observa una leve discrepancia entre la frecuencia de
disenõ, f =
Figura 4.10: Resultado de la simulación para el módulo del coeficiente de reflexión del trans-
formador de microtira con distribución lineal.
0.400 GHz, y la que se determina a partir de la simulación, fsim = 0.450 GHz.

Esto se debe principalmente a la variacion de la permitividad del sustrato con la
frecuencia de operación. La atenuación también var´ıa con la frecuencia, pero no
se puede apreciar
fácilmente a través del coeficiente de reflexión.
4.2.2. Implementación en el Circuito del Modulador

Una vez disenãdo el adaptador se procede a utilizarlo en el circuito del modulador,
el cual queda configurado como se muestra en la Figura 4.11.
Figura 4.11: Circuito del modulador con red de adaptación de microtira con distribución
lineal.
El circuito se fabricó sobre una placa FR4 con las caracter´ısticas mencionadas
anteriormente. El modulador armado puede verse en las imágenes de la Figura
4.12.
(a) (b)
Figura 4.12: Imágenes del modulador fabricado en placa FR4 con el transformador de distribuci
ón lineal de microtira. (a) Vista inferior y (b) vista superior.
El procedimiento para la medición del coeficiente de reflexión del modulador es

el mismo que se describió en el Cap´ıtulo 3 Sección 3.3. El láser se polarizó con In =
24mA. En este caso se utilizó el analizador vectorial de redes (VNA) Rhode and
Schwarz ZNC 3 que posee un ancho de banda de 9 kHz a 3 GHz. El resultado
de la medición se puede ver en la Figura 4.13, en donde se lo compara con una
simulación del circuito del modulador. Se observa que el resultado discrepa
considerablemente de la simulación debido a los componentes parásitos del circuito
real, disminuyendo el ancho de banda
Figura 4.13: Comparación entre el resultado obtenido para el parámetro S11 y la
simulación del circuito del modulador con el adaptador de microtira con distribución lineal.
de operación considerablemente. A continuación se analizarán de dónde provienen

estos componentes parásitos y cómo es posible mitigar sus efectos.
4.2.3. Análisis de Componentes Parásitos

Como se mencionó anteriormente, los adaptadores, suelen presentar un
comportamiento que se desv´ıa de la respuesta que posee el modelo, especialmente
a frecuencias altas. De esta manera el ancho de banda resultante es menor al
esperado debido, principalmente, a las respuestas y componentes parásitos no
incluidos en el modelo. Luego de varias simulaciones de prueba y de una observación
minuciosa de la palca de circuito impreso fabricada, se hizo la suposición de que se
trataba de una inductancia serie al láser del orden de los 15 nH. Se consideró que
dicha inductancia podr´ıa provenir de los terminales del láser, que son de tipo
through-hole y no fueron solados al ras de la placa. Para corroborar esta hipótesis, se
estimó el valor de la inductancia que introduce un alambre de cobre de diámetro
d y longitud l por medio de la expresión [4]
L = 2 l[mm] {ln(4 l/d) − 1} [nH]. (4.14)
Para el caso de los terminales del diodo láser, con l = 9.16: mm y d = 0.44
mm, se tiene L = 6.3 nH por cada terminal, es decir que Ltot = 12.6 nH.
Algo más que no se tuvo en cuenta a la hora de simular fue la respuesta en
frecuencia de componentes electrónicos involucrados, y las pistas que los
interconectan. Los componentes de montaje superficial responden de la manera
esperada hasta frecuencias
4.3 El Modulador de Alta 46
Capacidad
alrededor de 2 GHz, pudiendo llegar hasta 10 GHz [6], por lo que, en este caso, es
dif´ıcil suponer que sus componentes parásitos afecten en forma considerable al
modulador.
Las pistas son también l´ıneas de transmisión y poseen una cierta impedancia
caracter´ıstica. Su influencia podrá ser mayor o menor en relación a sus
dimensiones f´ısicas, y, en este caso en particular, es necesario tener en cuenta su
respuesta en frecuencia.
Por u´ltimo, es importante mencionar que los cordones de soldadura también
tienen una respuesta en frecuencia, pero es dif´ıcil encontrar un modelo que se
ajuste al comportamiento real. Por tal motivo, no se tendrá en cuenta su influencia en
el circuito. Considerando todo lo que se mencionó recientemente, si se incluyen en la
simulación algunas resistencias de contacto, las dimensiones f´ısicas de las pistas
como l´ıneas de transmisión y dos inductancias en serie al láser se tiene un
modelo aproximado al circuito f´ısico. El modelo implementado en el simulador
Genesys se muestra en la Figura 4.14. El resultado de la simulación de este
modelo compara con la medición del parámetro S11 en la Figura 4.15. Se puede
apreciar que ambas siguen el mismo
comportamiento desde DC hasta aproximadamente 1.5 GHz.
Figura 4.14: Modelo del adaptador de microtira simulado en el software Genesys que tiene
en cuenta los componentes parásitos del láser y las pistas que conectan los componentes entre
s´ı.
Las consideraciones y análisis realizados permiten tener un conocimiento más pro-

fundo acerca de qué medidas tomar para aumentar el ancho de banda del modulador, el
cual, por ahora, abarca desde 50 MHz a 300 MHz, en donde el coeficiente de reflexión
es menor a -7.5 dB.
4.3. El Modulador de Alta Capacidad

Con el objetivo de aumentar la capacidad de transmisión de datos del
modulador, o equivalentemente, incrementar su ancho de banda, es necesario
4.3 El Modulador de Alta 47
Capacidad mitigar los efectos
Figura 4.15: Comparación entre el parámetro S11 de la medición y de la simulación del modelo
aproximado con componentes parásitos y pistas.
parásitos y las reflexiones introducidas por las pistas. Los criterios que se
tomaron fueron los siguientes:
Reducción de la longitud de los terminales del diodo láser. Esto permitirá

disminuir la inductancia parásita asociada a cada alambre. Se requerirá
ademas soldar el componente al ras de la placa.
Utilizacioń de otro sustrato. Si se cambia el sustrato FR4 a otro tal que

tenga un espesor menor y además un dieléctrico más denso (s mayor), la
dimensión del circuito se reduce, y de esta forma se mejorará el
acoplamiento entre las pistas y los componentes discretos. También se acortar
án las v´ıas que unen las pistas y los planos de tierra de las caras superior e
inferior.
Reducir el tamanõ del circuito. De esta manera, se limita el

comportamiento como l´ınea de transmisión de los tramos de pista que se
emplean sólo con fines de interconexión.
Mu´ltiples v´ıas para conectar los planos de tierra. A través de

simulaciones se verificó que al agregar más v´ıas entre los planos de tierra
de ambas caras se introduce una leve mejora a la respuesta en frecuencia del
coeficiente de reflexión, pues sus circuitos equivalentes, que poseen un
comportamiento principalmente inductivo, pueden considerarse como
conectados en paralelo.
4.3.1. Redisenõ del Modulador
A partir de los criterios mencionados en la sección anterior, se procedió a
disenãr el circuito del modulador definitivo. Se utilizó una placa Rogers 4003 C 1 oz,
con 0.020 mil (0.508 mm) de espesor y constante dieléctrica sr = 3.55. Los anchos de
las pistas para 50 Ω y 25 Ω resultaron 1.14 mm y 3.02 mm, respectivamente. La
constante dieléctrica efectiva promedio resultó se = 2.9. Para realizar el disenõ
del adaptador lineal se procede en forma idéntica al desarrollo presentado en la
Sección previa, considerando que θm = 0.6π para la frecuencia de 450 MHz. Con
estos valores se obtiene una longitud del adaptador L = 120 mm.
(a) (b)
Figura 4.16: El modulador redisenãdo.(a) Vista inferior .(b) Comparación entre las
dimensiones del modulador redisenãdo con su predecesor.
Si bien se contaba con un material con una constante dieléctrica de valor mayor
al finalmente utilizado (placa Rogers 6010.2 LM 1oz, con 0.025 mil (0.635 mm) de
espesor y constante dieléctrica sr = 10.2), las dimensiones de las l´ıneas de
transmisión calcu- ladas fueron del orden de las décimas de mm, y las técnicas de
fabricación disponibles en el laboratorio no permit´ıan trabajar con tal precisión.
El circuito del modulador fabricado se muestra en la Figura 4.16. Debido a las
limitaciones f´ısicas del proceso de fabricación, no se logró conectar el láser al ras
de la placa, como se deseaba al inicio. Los alambres remanentes de 3.5 mm de
longitud se representaron en la simulación como inductancias parásitas. Para
reducir el tamanõ de la placa, se utilizó una l´ınea de transmisión curvada, cuyos
efectos son despreciables en la banda de frecuencia operación [7].
Los resultados de la medición del coeficiente de reflexión del modulador final y
la simulación de su circuito aproximado se observan en la Figura 4.17, donde se
incluye además los resultados coeficiente de reflexión del primer modulador de
microtira disenãdo. Se puede apreciar un incremento considerable en el ancho de
banda. Con-
siderando como coeficiente de reflexión máximo Γm = −7.5 dB, se tiene un ancho de
banda de 1.2 GHz.
Figura 4.17: Comparación de los parámetros S11 del primer modulador y el redisenãdo.
4.3.2. Ensayo de Transmisión de Senãles

De la misma forma que se hizo en el Cap´ıtulo 3, para el ensayo de transmisión
de senãles se requirieron un generador de senãles, un circuito de detección, un
osciloscopio para observar la senãl recibida y una fuente de corriente continua para la
polarización. En la Figura 4.18 se muestra el banco de trabajo del laboratorio con
el modulador y el circuito de detección funcionando, con los correspondientes
instrumentos de medición y generación de senãles conectados. Se utilizó el
generador de funciones arbitrarias Tektronix AWG 5014C, mediante el cual es
posible generar diferentes senãles por medio de la técnica de s´ıntesis digital
directa (DDS por sus siglas en ingles), la cual se estudiará en profundidad más
adelante. La senãl de frecuencia más alta que
(a) (b)
Figura 4.18: Banco de trabajo del laboratorio con el modulador y el detector operando en la
transmisión y recepción de una senãl; y el instrumental abocado a la generación y
medición de las senãles. (a) Osciloscopio midiendo una senãl detectada. (b) Analizador de
espectro midiendo una senãl detectada.
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)

Figura 4.19: Distintas senãles sinusoidales y cuadradas detectadas. En algunos casos se
indica el efecto y la causa de la distorsión sufrida.
Figura 4.20: Espectro medido de una senãl cuadrada de 600 MHz detectada.
se puede generar es una onda cuadrada de 600 MHz, que se corresponde a la

mitad de la frecuencia máxima de reconstrucción, 1.2 GS/s. El circuito de
detección empleado fue DET01CFC de Thorlabs con 1.2 GHz de ancho de banda. El
osciloscopio digital Tektronix TDS3054C con 500 MHz de ancho de banda permitió
medir las senãles detectadas. Para que el sistema funcione, es necesario cargar al
circuito de detección con
una impedancia de 50 Ω. La corriente nominal que aplicada al diodo láser fue 25
mA. En la Figura 4.19 se observan diferentes senãles sinusoidales, (4.19a, 4.19b
y 4.19c)
y cuadradas (4.19d, 4.19e y 4.19f) detectadas. En el caso de las senãles
cuadradas se indica la distorsión que sufrieron a causa del capacitor de bloqueo del
modulador o del osciloscopio.
Con el fin de verificar el funcionamiento del modulador a alta frecuencia, se utilizó
el analizador de espectro Rigol DSA 815 con ancho de banda de 9 kHz a 1.5 GHz,
con el cual se lograron ver algunos armónicos de una senãl cuadrada de 600 MHz
detectada. Esto puede verse en la Figura 4.20.
Cap´ıtulo 5
Electrónica Digital de Modulacioń
En los Cap´ıtulos previos se puso principal atención en el disenõ del

circuito del modulador del láser, sin tener en cuenta cómo se generaban las senãles
de modulación. Estas senãles fueron provistas por generadores configurables aptos
para ser utilizados en laboratorios, los cuales son costosos y tienen gran porte. Por
estos motivos, surge la necesidad de disenãr un sistema electrónico que genere las
senãles de modulación que alimentaran al transmisor de alta capacidad.
En la actualidad prácticamente no existe sistema electrónico que no tenga
incorporado un circuito digital entre los distintos bloques que lo conforman. Las
aplicaciones de los sistemas digitales son muy diversas, y, en particular, pueden
utilizarse para generar senãles analógicas. Como se verá en este Cap´ıtulo,
utilizando estas técnicas digitales de generación de senãles es posible disenãr un
sistema en donde, a partir de un flujo de datos, se generan senãles que ingresan al
transmisor o´ptico para luego ser convertidas en pulsos de luz.
5.1. Disenõ Digital con FPGA

Una FPGA (del inglés Field Programmable Gate Array) es un dispositivo
semiconductor que contiene bloques de lógica cuya interconexión y
funcionalidad puede ser configurada ’in situ’ mediante un lenguaje de descripción
especializado. A diferencia de los ASICs (circuito integrado para aplicaciones espec
´ıficas), las FPGAs son pro- gramables, lo que las convierten en una opción
interesante a la hora de implementar disenõs digitales con cierto grado de
complejidad, siempre y cuando no se sobrepasen los recursos disponibles.
5.1.1. La Placa de Desarrollo Altera DE2-115

Las FPGAs destinadas a disenõs de propósito general vienen montadas sobre
una placa de desarrollo, en donde además se incluyen diferentes bloques funcionales,
como
52
5.1 Disenõ Digital con 53
FPGA
ser DACs, ADCs, memorias, puertos USB, RS232, LEDs, pulsadores, llaves,
bloques de DSP (procesamiento digital de senãles), puertos de entrada/salida, etc.
Estos bloques son de gran ayuda pues son el medio de comunicación entre el
usuario y la FPGA, y agilizan el proceso de verificación de un disenõ en particular.
La placa de desarrollo disponible en el laboratorio es la Altera DE2-115, que
puede verse en la Figura 5.1, sobre la cual está montada la FPGA Cyclone IV E.
Esta FPGA
Figura 5.1: Vista superior de la placa de desarrollo Altera DE2-115 en donde se encuentra
montada la FPGA Cyclone IV E con sus distintos bloques funcionales.
contiene 114480 bloques lógicos para la s´ıntesis de lógica combinacional y

secuencial, 423 bloques de memoria M9K, 3888 kb de memoria embebida y 4 PLLs
(lazos de enganche de fase). El clock interno es de 50 MHz.
5.1.2. El Software de Disenõ y Simulacioń

Altera provee su propia interfaz para el disenõ digital en sus FPGAs, que se
lla- ma Quartus II. Este software interpreta distintos lenguajes de descripción de
hardware (HDL), como VHDL y Verilog, y admite disenõs esquemáticos con
diagramas en bloques. Los bloques se pueden generar a través de código VHDL o
Verilog, y combinarlos con los bloques propios de Altera (IP cores), los cuales en
algunos casos son de gran ayuda pues sintetizan sistemas complejos.
En Quartus II se escribe el código, se compila y se programa la placa a través
del puerto USB Blaster. El proceso de simulación se realiza por medio de otro
programa
5.2 El Sistema Digital del 54
Transmisor
llamado ModelSim. El simulador permite verificar desde bloques individuales hasta
sistemas completos con varios bloques interconectados.
5.1.3. Flujo de Disenõ

El flujo de disenõ estándar en FPGA comienza con el disenõ usando
diagramas esquemáticos o lenguaje de descripción de hardware. En este paso, es
posible crear un circuito digital que se implementa luego en la FPGA. El flujo de
disenõ prosigue hacia la compilación, simulación, programación de la placa, y
verificación en el hardware de la FPGA, como se muestra en la Figura 5.2.
Figura 5.2: Flujo de Disenõ estándar en FPGA.
5.2. El Sistema Digital del Transmisor

A continuación se describirá el funcionamiento de los bloques fundamentales
que constituyeron al sistema digital del transmisor. Es importante mencionar que
todos disenõs fueron implementados en código VHDL y son sincrónicos, es
decir, todo el sistema funciona con el mismo reloj y se reinicializa en el mismo
instante, en forma sincrónica y/o asincrónica con el reloj.
5.2.1. Sintetizador Digital Directo

Un sintetizador digital directo (DDS) es un sistema que puede crear formas de
onda arbitrarias a partir de una uńica frecuencia de referencia de reloj. Entre sus
aplicaciones se pueden mencionar: generación de senãles, osciladores locales en
sistemas de comunicaciones, generadores de funciones , mezcladores, moduladores,
sintetizadores de sonidos y como parte de lazos de enganche de fase. La aplicación de
principal interés en este trabajo es el DDS como generador de senãles.
Principio de Funcionamiento
Considérese un vector de datos x que representa las N amplitudes de una senãl

analógica x˜(t) muestreada N veces a una tasa fs = 1/Ts , como se muestra en la Figura
5.3. La mejor aproximación de la senãl x˜(t) se obtendrá cuando conviertan al dominio
Figura 5.3: Senãl de tiempo continuo muestreada N veces.
analógico los N datos del vector x siguiendo el incremento de su ´ındice n en una

unidad cada ciclo de reloj Tclock = 1/fclock del sistema digital. La duración total
de la senãl generada será Ts = N Tclock . Si se repite continuamente el barrido, la
senãl generada será periódica con periodo T = Ts .
Cuando el incremento en el ´ındice no es unitario, sino que se realizan saltos de k
muestras por ciclo de reloj, la senãl periódica generada será una peor
aproximación
de la senãl original, pero con una nueva duraci = N/k Tclock. De esta manera,
ón TsJ
modificando el valor de k se puede generar una senãl de frecuencia variable. El l
´ımite del valor de k se obtiene a partir del teorema del muestreo de Nyquist-Shannon
[8], en donde la relación que deben cumplir la frecuencia de reconstrucción fclock
y el ancho de banda de la senãl generada 1/TsJ para recuperar la senãl original
viene dada por
1
k
fclock > 2
Ts = 2 N fclock ⇒ k < N/2. (5.1)
J
Implementación del Bloque
El DDS implementado en la FPGA, cuyo diagrama en bloques se muestra en la

Figura 5.4, está dividido en 2 etapas: el contador-sincronizador-selector de
frecuencias y la look-up table (LUT). La primera etapa consiste en un contador de
4 bits, que cuenta seguń el vector constante que se haya elegido con el selector
de frecuencias. Por ejemplo, si se selecciona el vector constante “0000” el contador
contará de 0 a 15, si se selecciona “0010” contará de 0, 2, 4, y as´ı
sucesivamente hasta 14; y luego se reinicia la cuenta. El resultado de la cuenta es el
´ındice del vector de senãles. La otra función que tiene es la de habilitar la generaci
ón de datos de otro bloque que se verá a continuación, que es el generador de
secuencias pseudo aleatorias (PRBS). Con esto se logra el sincronismo necesario para
convertir un bit en una senãl, a la frecuencia de trabajo que se requiera.
Figura 5.4: Diagrama en bloques del sintetizador digital directo.
La segunda etapa consiste en un bloque llamado look-up table, al que le ingresa el

´ındice del vector, el cual es asociado al valor que tiene almacenado en su memoria.
Este valor luego se transfiere a los terminales de salida de la FPGA para la conversi
ón D/A (Digital a Analógica). Al bloque LUT además le llega un flujo de
datos provenientes del generador PRBS, el cual le indica, si el bit es ‘0’ o ‘1’,
habilitar o no la salida de senãl. Cargando un vector de datos con todos sus valores
iguales, se genera un patrón de ceros o unos en la salida de la FPGA.
Este bloque se disen˜ó para ser utilizado con un con un Conversor Digital Analo
´gico (DAC) de 4 bits (16 niveles). Se realizó una simulación del bloque, con
un vector de datos conten´ıa las amplitudes de un pulso gaussiano. Los resultados
se muestran en la Figura 5.5, en donde se puede apreciar el funcionamiento
correcto del bloque.
Figura 5.5: Resultados para la simulación del bloque DDS, en donde se generó un pulso
gaussiano.
5.2.2. El Generador PRBS
En los sistemas de comunicaciones analógicos, el mensaje de prueba estándar es
la onda sinusoidal, seguido de dos tonos para un ensayo más riguroso. La propiedad
que requiere ser optimizada es la relación senãl a ruido (SNR).
En los sistemas digitales es comuń transmitir una secuencia binaria de ’1’s y
’0’s para la prueba del enlace. Las secuencias generalmente utilizadas son las
secuencias bi- narias pseudo aleatorias (PRBS), las cuales poseen ciertas propiedades
de aleatoriedad y autocorrelación. En este caso, la propiedad que deberá ser
optimizada será la tasa de error de bits (BER).
Generación de Secuencias Pseudo Aleatorias
La forma más directa de generar una secuencia de este tipo es a través de un

registro de desplazamiento realimentado, como se puede ver en la Figura 5.6. La
longitud máxima de la secuencia es N = 2k − 1, en donde k el nu´mero de etapas
del registro de desplazamiento.
Figura 5.6: Generación de la secuencia a través de un registro de desplazamiento realimentado.
Los diferentes tipos de patrones PRBS y la tasa de datos sugerida para cada patr
ón se describen las recomendaciones ITU-T O.150, O.151, O.152 y O.153
correspondientes a las secuencias para la prueba de sistemas digitales. Seguń la
especificación O.151, para una tasa de datos comprendida entre 34368 kbps y
139264 kbps, el tipo PRBS que se requiere utilizar es 223 − 1 con una realimentaci
ón proveniente de las etapas 18va y 23ra , en donde previamente se le aplica la
operación lógica XOR antes de ingresar al registro. Otra forma análoga de
expresar esta secuencia es en términos del polinomio caracter´ıstico
PRBS23 = x23 + x18 + 1. (5.2)
Implementación del Bloque
El bloque del generador PRBS puede apreciarse en la Figura 5.7, el cual

consiste en los bits 18 y 23 realimentados, junto con la lógica habilitación de
generación de datos. Todos los bits deben contener un ’1’ al momento de ser
inicializados, seguń lo indica el
estándar. La senãl de control que habilita o no el desplazamiento proviene del
bloque del DDS, en particular del contador de 4 bits. Esto permite el sincronismo
entre los bits generados y la frecuencia seleccionada. La salida del generador PRBS
es la secuencia pseudoaleatoria de bits. En la Figura 5.8 se muestran los
resultados de la simulación
Figura 5.7: Bloque del generador PRBS que permite generar la secuencia recomendada por
la recomendación ITU-T O.151.
del generador PRBS. Se observa que la duración de un bit corresponde con la duraci
ón de un ciclo de reloj.
Figura 5.8: Resultados de la simulación lógica del bloque generador de secuencias PRBS.
Como se mencionó en las caracter´ısticas de la FPGA, el reloj interno con el

que trabaja por defecto es de 50 MHz. Con esta frecuencia de reloj, la tasa m
áxima de transmisión de bits, utilizando la técnica de s´ıntesis digital directa, ser
´ıa 25 Mbps. Para incrementar la tasa de transmisión se debe aumentar la
frecuencia del reloj. Esto se logra a partir de un IP core de Altera llamado ALT
PLL. Esta herramienta administra los PLLs de la FPGA y permite utilizarlos
para la generación de relojes con distinta frecuencia.
5.2.3. El Sistema Digital Completo

En la Figura 5.9 se muestra un diagrama en bloques simplificado del sistema
digital completo en el que se incluyen las interfaces de la placa, como llaves y
terminales de salida de la FPGA. Para explicar su funcionamiento se considerar
á el siguiente caso particular: se requiere que el sistema trabaje con un reloj de
400 MHz y que se transmitan datos a 100 Mbps. Para lograr esto, en primer lugar,
se configura el bloque ALT PLL para que multiplique el reloj interno de 50 MHz
por 8. Luego, se elije la combinación de llaves SW3 y SW4 que permita dividir
la frecuencia por 4. A
continuación, se selecciona la forma de onda con las llaves SW5 y SW6, que se
debe corresponder a una tabla que contenga el vector constante con el valor “1111”.
Cuando se pone en marcha el sistema, el contador incrementa de a “0100”, y, a través
de la senãl enable data, el bloque del DDS le indica al generador que genere un bit
cuando tenga un valor alto. La senãl bit stream generada será un ‘1’ o ‘0’ cuyo valor
se mantendrá hasta
Figura 5.9: Diagrama en bloques del sistema digital completo.
que se reinicie el contador, es decir, cuando éste alcance la cuenta “1100”(4

ciclos de reloj). En el tiempo que tarda el bloque del generador PRBS en desplazar
otro bit, se extrae la amplitud de la senãl codificada en 4 bits por los 4 terminales
de salida de la FPGA.
Cap´ıtulo 6
Conformador de Pulsos
En el Cap´ıtulo anterior se disen˜ó el sistema digital del transmisor, el cual

entregaba los 4 bits en los terminales de salida de la FPGA que representaban el
nivel de amplitud de la senãl analógica codificado en binario. Para poder
migrar del mundo digital al
analógico, sobre el cual opera el transmisor o´ptico de alta capacidad, es necesario
realizar la conversión D/A y acondicionar esta senãl para que sea modulada en forma o
´ptima.
6.1. Conversor D/A de Alta Velocidad

Un conversor D/A (DAC) convierte una secuencia de nu´meros de precisión
finita (usualmente con punto fijo) en una tensión eléctrica. Los nu´meros de la
secuencia se escriben en el DAC a una determinada tasa de reloj. Cada cambio de
reloj implica actualizar el valor de tensión de salida del DAC para generar una
senãl con saltos discretos en la amplitud. Esta senãl se conoce como zero-order
hold, la cual se muestra en la Figura 6.1.
Figura 6.1: Senãl zero-order hold generada por un DAC.
Existen numerosos tipos de DACs, pero en este Cap´ıtulo se tratará en particular

al DAC con red resistiva R-2R, ya que su disenõ es sencillo, económico y se puede
fabricar fácilmente en el laboratorio con componentes de montaje superficial para
garantizar una buena respuesta en alta frecuencia.
60
6.1 Conversor D/A de Alta 61
Velocidad
6.1.1. Conversor D/A R-2R
La red R-2R consiste básicamente en un arreglo de divisores resistivos. Su
circuito eléctrico puede verse en la Figura 6.2. El bit bN −1 representa el bit más
significativo
Figura 6.2: Conversor D/A con red R-2R.
y b0 el menos significativo. Las entradas pueden tomar los valores de V = 0 V (‘0’ l

ógico) y V = Vref (‘1’ lógico). Cada bit provee un nivel de tensión que contribuye a la
tensión total de salida Vout . El valor de Vref depende del tipo de familia lógica a la que
pertenecen las entradas digitales.
Para un determinado valor digital V AL, de un DAC con red R-2R de N bits y
niveles lógicos 0 V /Vref , la tensión de salida Vout es [10]
Vout = Vref × V AL/2N . (6.1)
Considerando el caso de un DAC de N = 4 bits, es decir, 2N = 16 niveles de

cuantización; y Vref = 3.3 V , la tensión de salida Vout variara´ entre 0 V ( V AL = 0 =
00002 ) y el máximo ( V AL = 15 = 11112 )
Vout−max = 3.3 V × 15/24 = 3.09 V.
Los incrementos de tensión correspondientes a V AL = 1 = 00012 será
∆Vout = 3.3 V × 1/16 = 0.2 V.
6.1.2. Disenõ del DAC con Red R-2R

Para el disenõ se considera el esquema de la Figura 6.3a, el cual muestra al
DAC R-2R de 4 bits como interfaz entre el sistema digital de la FPGA y el circuito
del transmisor, representado por una resistencia de carga RL = 50 Ω. Se eligió
que el conversor sea de 4 bits ya que provee 16 niveles con los cuales se puede
lograr una precisión aceptable para la generación de pulsos.
El equivalente de Thévenin del DAC R-2R se muestra en la Figura 6.3b. Se puede
(a)
(b)
Figura 6.3: (a) Esquema que representa el DAC R-2R como interfaz entre el sistema digital
de la FPGA y el modulador, y (b) su circuito equivalente de Thévenin.
mostrar fácilmente que su resistencia y tensión de Thévenin son
Rth = R, (6.2a)
b3 b2 b1 b0
Vt = V re × . + + + Σ. (6.2b)
h f 2 4 8 16
Para lograr máxima transferencia de potencia de la fuente Vth a la carga RL

se requiere que Rth = RL = 50 Ω, de donde se desprenden los valores de las
resistencias de la red R = 50 Ω y 2R = 100 Ω.
El problema que existe en usar estos valores de resistencias en el circuito del
DAC es la intensidad de corriente que demanda a la FPGA. Analizando el circuito
de la red R-2R se puede encontrar que la peor condición de corriente se da
cuando se tiene la
combinación de bits “1000”, en donde la corriente de la rama del bit más significativo
es
3
I3 = Vref . (6.3)
8R
La FPGA Altera Cyclone IV E utiliza la familia lógica LVCMOS (Low Voltage
Comple- mentary Metal Oxide Semiconductor ) con una tensión de referencia de 3.3 V.
Entonces, la corriente máxima que entregar´ıa la rama 3 ser´ıa I3 = 24.75 mA.
El valor máximo de corriente que puede circular en sus terminales de salida (fan-
out ) es Ifo = 8 mA. Por lo tanto, es necesario colocar un circuito interfaz o
separador que permita entregar la corriente necesaria y el correcto funcionamiento
del circuito digital sin danãr las salidas de la FPGA. Las alternativas para tal
circuito de protección pueden verse en la Figura 6.4. Estos circuitos están
constituidos básicamente por buffers. La alternativa de la Figura 6.4a consiste en
intercalar cuatro buffers digitales compuestos por compuertas lógicas que
pueden entregar mayor corriente. La alternativa de la Figura 6.4b representa un
buffer analógico, es decir, un amplificador de RF de ganancia unitaria, con alta
impedancia de entrada e impedancia de salida baja. En este caso, es necesario
(a)
(b)
Figura 6.4: Alternativas para circuitos de protección de la FPGA. (a) Buffer digital. (b) Buffer
analógico.
implementar la red R-2R con resistencias de valores más elevados (∼kΩ) de manera de
reducir la corriente entregada por la FPGA.
Se optó por la alternativa (a) como solución al problema planteado, pues
representa la solución de simple implementación y la más económica, dado que en
el mercado local se pueden encontrar una gran variedad de circuitos digitales a un
costo relativamente bajo. Se eligió el circuito integrado 74LVC32A, que está
compuesto por 4 compuertas OR, en base a la compatibilidad con los niveles l
ógicos de la FPGA y a sus caracter´ısticas de operación, las cuales se resumen
en la Tabla 6.1, en donde se observa que
Parámetro Condición Valor m

áximo
Tensión de alimentación Vcc - +6.5 V
Tensión de salida Vo - Vcc + 0.5 V
Corriente de salida Io Vo = 0 V a Vcc ±50 mA
Retardo de propagación tpd Vcc = 3.0 V a 3.6 V 3.8 ns
Tiempo de pendiente de la salida tsk(o) Vcc = 3.0 V a 3.6 V 1.0
ns Capacidad de disipación de potencia CP D Vcc = 3.0 V a 3.6 V 11 pF
Tabla 6.1: Caracter´ısticas fundamentales del circuito integrado 74LVC32A.
el circuito integrado soporta hasta 50 mA de corriente en la salida para proveer la

corriente requerida por la red R-2R. El retardo de propagación y el tiempo de
pendiente de la salida son los parámetros que definen el ancho de banda de operaci
ón del dispositivo. Para que un pulso que pasa a través del circuito integrado no
sufra efectos considerables de distorsión y filtrado, la frecuencia de trabajo l
´ımite sobre la cual se puede garantizar el funcionamiento correcto es
flim 1
∼ pd = 172.4MHz.
+ 2 × sk(o)
t
t
El diagrama esquemático del conversor D/A se puede ver en la Figura 6.5

con el circuito integrado 74LVC32A. Para que el dispositivo funcione como buffer,
fue necesario conectar uno de los terminales de la compuerta OR a tierra, de tal
forma que a la salida siempre se tenga el valor lógico del terminal restante ( bn OR
‘0’ = bn ). La ten- sión de alimentación la provee la FPGA (Vcc = 3.3 V). Se
incluyeron dos capacitores en paralelo, uno electrol´ıtico de 1 µF, que se encarga de
proveer la carga para estabilizar las variaciones en la tensión de alimentación; y
otro de 100 nF, cuya función es filtrar las frecuencias altas. El circuito se armó
en una placa Taconic RF30 1 oz 60 mil con componentes de montaje superficial
0805. En la Figura 6.6 se pueden ver imágenes del conversor D/A fabricado.
6.2 Circuito de Acondicionamiento de 65
Senãl
Figura 6.5: Diagrama esquemático del conversor D/A de 4 bits con impedancia de
salida de 50 Ω.
(a) (b)
Figura 6.6: Vistas (a) inferior y (b) superior del conversor D/A fabricado.
6.2. Circuito de Acondicionamiento de Senãl

En la Sección previa se vio que la senãl que entrega el conversor D/A es
de tipo zero-order hold. Esta senãl tiene gran contenido armónico debido a que está
compuesta por saltos escalonados en las amplitudes. Para eliminar este contenido
armónico se requiere de un filtro que esencialmente promedie entre segmentos de la
senãl zero-order
hold, lo cual se puede lograr mediante un filtrado pasabajos.
Por otro lado, se mencionó que los valores de tensión que entrega el DAC
variaban entre 0 V y 3.09 V. Estos valores corresponden a la tensión de salida en vac
´ıo. Cuando se coloca una carga de 50 Ω, la tensión indefectiblemente cae a la mitad,
es decir Vout(L) =
1.55 V. En los Cap´ıtulos anteriores se determinó que la tensión pico a pico m
áxima con la que se pod´ıa alimentar al circuito del modulador sin danãrlo ni
sobrepasar el régimen lineal es Vpp = 1 V. Dado que la tensión de salida del
DAC es mayor que la requerida en el modulador, es necesario colocar un
atenuador en la salida para evitar estos inconvenientes.
A partir de los requerimientos anteriormente expuestos, un filtro pasabajos y
un atenuador conforman el circuito de acondicionamiento de senãl.
6.2.1. Disenõ del Filtro

Se disen˜ó un filtro pasabajos de orden 4 tipo Butterworth con una
frecuencia de corte fc = fclock = 400 MHz. Se utilizó la herramienta para disenõ de
filtros del software Genesys para evitar el uso de tablas y a´bacos. En la Figura 6.7 se
muestra el diagrama esquemático del filtro pasabajos.
Figura 6.7: Filtro pasabajos disenãdo tipo Butterworth, de orden 4 y frecuencia de corte 400
MHz.
Cabe aclarar que, a pesar de que la frecuencia de disenõ es mayor que el valor l
´ımite, calculado a partir de la hoja de datos del circuito 74LVC32A (ver Sección
6.1.2), pudo comprobarse experimentalmente que el componente respond´ıa en
forma satisfactoria hasta los 400MHz.
6.2.2. Disenõ del Adaptador de Impedancias y Atenuador

El atenuador además de disminuir la amplitud de la senãl, debe adaptar las
impedancias de la fuente y la carga. Esto se puede lograr por medio de distintas
redes resistivas, en particular con una red tipo T. El coeficiente de atenuación
viene dado por las amplitudes de la senãl a la salida del DAC y la amplitud deseada
en la entrada
6.3 Generación de 67
Senãles
del modulador
1V
A= = 0.645 = −3.8066 dB.
1.55 V
Teniendo en cuenta que se desea adaptar y atenuar dos impedancias de carga y
de fuente Zg = ZL = 50 Ω, a partir de las ecuaciones de disenõ del atenuador T [11]
Rx = Ry 1−A
=Z , (6.4a)
g
1+A
Z2 − R 2
Rz = s y
. (6.4b)
2R
b
La red disenãda se puede ver en la Figura 6.8.
Figura 6.8: Atenuador-adaptador de impedancias disenãdo.
6.2.3. El Circuito Completo

Se colocaron el filtro y el atenuador-adaptador en cascada como se muestra en
la Figura 6.9a para conformar el circuito de acondicionamiento de senãl. El
mismo se montó en una placa de alta frecuencia que se encontraba disponible en el
laboratorio, sobre la cual se soldaron componentes de montaje superficial de
dimensiones 0402.
Se midieron los parámetros S11 y S21 del filtro con el analizador vectorial de
redes Rhode and Schwarz ZNC 3, y los resultados se muestran en la Figura 6.10, los
cuales se contrastan con los resultados de las simulaciones. Se aprecia que la
frecuencia de corte del filtro está en los 330 MHz y el parámetro S21 cae 0.3 dB
respecto al nivel de atenuación de disenõ en baja frecuencia, el cual resultó -4.12
dB en 50 MHz.
6.3. Generacioń de Senãles

Una vez disenãdo el conversor D/A y el circuito de acondicionamiento de
senãles, se procede a probar el funcionamiento del conformador de pulsos, cuyo
diagrama es- quemático se muestra en la Figura 6.11. En primer lugar, se evaluó el
funcionamiento del conversor D/A sin el filtro adaptador atenuador. Se configuró
6.3 Generación de 68
Senãles
en la FPGA una frecuencia de reloj fclock = 50 MHz y se generó una senãl
triangular de 3.125 MHz con
(a)
(b)
Figura 6.9: El circuito de acondicionamiento de senãl.(a) Diagrama esquemático. (b) Circuito
impreso.
Figura 6.10: Parámetros S del circuito de acondicionamiento de senãl.
el DDS, cargándole un vector con los niveles del “0000” al “1111”. Se midió la senãl
de salida del conversor D/A por medio del osciloscopio digital Tektronix
TDS3054C, que posee 500 MHz de ancho de banda. Los resultados se muestran en
la Figura 6.12. La forma de onda resultante posee los niveles esperados de tensión,
sin embargo presenta
Figura 6.11: Diagrama esquemático del conformador de pulsos.
Figura 6.12: Senãl triangular generada y medida a la salida del conversor D/A sin el filtro
atenuador adaptador operando a una frecuencia de 50 MHz.
problemas en las transiciones de un valor lógico ‘0’ a ‘1’. El problema se agrava en la

transición “0111” “1000”, en donde se observa un pico en la senãl que intenta llegar a
cero. Esto se debe a que algunos bits cambian más rápidamente que otros, ya sea por
la diferencia entre la longitud de los cables, las pistas o el ruteo interno de la FPGA.
En la Figura 6.13a se observa la misma senãl triangular, salvo que en este caso
solo se generaron los primeros 4 niveles. En este caso se observa otro
inconveniente que son
las respuestas de segundo orden del sistema. Cuando se aumenta la frecuencia del
reloj a 250 MHz (Figura 6.13b), las oscilaciones amortiguadas no llegan a
estabilizarse en un periodo de reloj, y como consecuencia se genera una senãl
distorsionada.
(a) (b)
Figura 6.13: Primeros 4 niveles de la senãl triangular generada por el DAC sin el
filtro atenuador adaptador con una frecuencia de reloj de (a) 50 MHz y (b) 250 MHz.
A continuación, se generaron pulsos cuadrados de 1.2 V de amplitud y con la

misma frecuencia de reloj, pero modificando el valor del selector de frecuencias del
DDS para obtener pulsos de distinta duración. Se realizaron mediciones de las
formas de onda con el osciloscopio, con y sin el efecto del filtro atenuador
adaptador. Los resultados se muestran en la Figura 6.14. Se aprecia claramente la
degradación de la forma de onda
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
Figura 6.14: Senãles cuadradas de distinto ancho de pulso generadas con una frecuencia
de reloj de 400 MHz y medidas sin (a, b, c) y con (d, e, f) el filtro atenuador adaptador.
a medida que el tiempo del pulso se aproxima al periodo del reloj, sin embargo, los
pulsos de 10 ns de duración todav´ıa son distinguibles. El filtro atenuador
adaptador disminuye la amplitud de las oscilaciones amortiguadas, en particular el
pico que se observa en las transiciones, el cual podr´ıa llegar a ser peligroso para el
transmisor.
Por u´ltimo, en la Figura 6.15 se muestra la senãl cuadrada de 200 MHz, que es la
senãl con mayor frecuencia que se puede generar con la técnica de DDS a una
frecuencia de reloj de 400 MHz. Se puede apreciar un pulso altamente degradado.
Figura 6.15: Senãl cuadrada de 200 MHz generada con una frecuencia de reloj de 400
MHz sin filtrado.
De esta manera queda caracterizado el funcionamiento del DDS y del circuito

conformador de pulsos, con los cuales se podrán generar las senãles deseadas
simplemente configurando el vector de amplitudes y estableciendo la frecuencia de
operación.
Para las transmisiones digitales de tipo On-Off Keying codificado a NRZ (Non-
Return Zero) no tiene sentido la utilización del filtro atenuador adaptador, pues
se puede generar el patrón de unos y ceros simplemente cargando un vector
constante que represente el nivel de tensión deseado. Sin embargo, para aplicaciones
analógicas, que ser´ıa el caso de los sistemas de radio sobre fibra (RoF), si no
existiera este bloque se deber´ıan utilizar menos bits para representar una senãl
variante en el tiempo que cumpla con el nivel de tensión requerido en el modulador
y, por consiguiente, se perder´ıa resolución.
Cap´ıtulo 7
Transmisión de Datos por

Fibra O´ ptica
Luego de haber caracterizado el funcionamiento del sistema digital para la

genera- ción de pulsos, el conversor D/A, el circuito de acondicionamiento de senãl y
el circuito del modulador, la etapa siguiente consiste en unir todos estos
subsistemas para conformar el Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso y de
esta manera culminar con el Proyecto Integrador.
7.1. Parámetros del O´ ptico

Transmisor
Antes de realizar cualquier maniobra, es necesario definir los parámetros de
opera- ción nominales del transmisor sobre los cuales se asegura el
funcionamiento correcto del sistema. Algunos ya fueron mencionados a lo largo de
este trabajo, sin embargo faltan definir el formato de modulación, la frecuencia de
reloj y la tasa de transmisión de datos.
7.1.1. El Formato de Modulación

En los Cap´ıtulos precedentes se vino haciendo énfasis en que las senãles que se van
a transmitir son pulsos, en particular pulsos cuadrados con potencias o´pticas nulas
hasta un nivel máximo. Esto se debe a que se modula la potencia o´ptica del l
áser, y, por consiguiente, no tiene sentido hablar de senãles con potencias o
´pticas negativas. Las senãles transmitidas pueden escribirse como [12] [13]
√
  P cos(2πfc t) 0 ≤ t ≤ Tb , si i = 1,
s i(t) = 
0 0 ≤ t ≤ T , si i = 0;
b
72
7.1 Parámetros del Transmisor O 73
´ ptico
en donde fc es la frecuencia de la portadora óptica y el ´ındice i denota si se
transmite
√ un nivel lógico ‘1’ o ‘0’, en un tiempo de bit T , con una amplitud A
b
= P , con P
la potencia de la senãl. El diagrama de la constelación del transmisor se
muestra en la Figura 7.1, en donde se representan las posibles senãles que se
pueden transmitir. Del lado del receptor, el circuito de detección comuńmente
utilizado es un detector
Figura 7.1: Diagrama de la constelación del transmisor para redes de acceso ópticas.
de envolvente, constituido principalmente por un fotodiodo. Este formato de

modula- ción/demodulación no coherente se conoce como On-Off Keying
(OOK) codificado a NRZ, y es el que se emplea en las redes de acceso o´pticas.
Para generar este tipo de senãles con el DDS basta cargar un vector constante
tal que la amplitud pico a pico a la salida del conformador de pulsos esté alrededor
de 1
V. Luego, el generador PRBS se encargará de mantener la senãl en ese valor
alto, o cambiar a 0 V que corresponde al ‘0’ lógico.
7.1.2. Frecuencia de Reloj y Tasa de Transmisión

En base a las senãles que se mostraron en el Cap´ıtulo previo, es posible
trabajar con un reloj de 400 MHz para generar ondas cuadradas con duración de
pulso 5 ns, 10 ns, 20 ns y 40 ns. El pulso cuadrado de 5 ns ten´ıa gran distorsión, de
tal modo que se eligió al pulso de 10 ns como forma de onda. Entonces, la tasa de
transmisión de datos queda definida por
B = 1/Tb = 1/10 ns = 100 Mbps.
De esta manera, el generador PRBS producirá un flujo de datos binarios, unos y

ceros, a una tasa de 100 Mbps, que luego se convertirán en pulsos cuadrados de
10 ns de duración.
7.2 Ensayos 74
Preliminares
7.2. Ensayos Preliminares
7.2.1. Transmisión de Secuencias Pseudo Aleatorias

Una vez que se definieron los parámetros de operación, se armó el transmisor o
´ptico completo, conectando el sistema digital, el conversor D/A y el filtro
atenuador adaptador. A este conjunto se lo denominará a partir de ahora transmisor
a secas. Se polarizó el láser a una corriente nominal de 25 mA, y se transmitió una
secuencia PRBS de 100 Mbps en la fibra o´ptica. Las senãles transmitidas se
detectaron por medio del circuito de detección DET01CFC de Thorlabs, y se midió
con el osciloscopio digital Tektronix TDS3054C. Dado que se transmitió un patr
ón de bits pseudoaleatorios, se esperaba ver en la pantalla del osciloscopio el
diagrama de ojos correspondiente del sistema de comunicaciones. El resultado de
la medición del diagrama de ojos se muestra en la Figura 7.2. Se observa gran
distorsión en los bits recibidos y en las cadenas largas, es decir, varios unos o ceros
consecutivos, la senãl decae hasta el valor de DC, en vez de mantenerse en un nivel
alto o bajo. Este comportamiento se debe fundamentalmente
Figura 7.2: Resultado de la forma de onda medida con el osciloscopio para la transmisión de
una secuencia PRBS x23 + x18 + 1 a una tasa de 100 Mbps con formato OOK NRZ.
al capacitor de bloqueo C del modulador, que ve estas cadenas de bits como

senãles cuadradas de baja frecuencia que puede filtrarlas sin inconvenientes. Por
lo tanto, se requirió reducir la frecuencia de corte pasa altos de la rama AC del
modulador.
Para el recálculo del capacitor de bloqueo se consideró la expresión de la descarga
de un circuito RC
V (t) = Vmaxet/τ , (7.1)
en donde τ = RC y R = 50 Ω, pues es la resistencia que ve el capacitor de bloqueo

hacia la carga. A pesar de que un generador PRBS nunca generar´ıa cadenas de 10
bits consecutivos idénticos, se realizó el cálculo para que, en el tiempo que
transcurra esta cantidad de bits, es decir, 100 ns, la amplitud de la tensión sea V (100
ns)/Vmax = 0.95.
De la expresión 7.1 se despejó el nuevo capacitor C = 15 nF. Este capacitor fue
soldado en paralelo al capacitor anterior de 190 pF, como se muestra en la Figura
7.3a, de tal manera que para frecuencias altas actue el capacitor de menor valor,
mientras que el otro provea la carga necesaria para estabilizar la tensión (a
medida que aumenta la carga, empeora la respuesta en frecuencia de un capacitor
[4]).
(a)
(b)
Figura 7.3: (a) Circuito nuevo del modulador del láser con el capacitor de bloqueo de 15
nF y (b) diagrama de ojos para el sistema de comunicaciones operando a 100 Mbps con
formato de modulación OOK NRZ.
Se repitieron las mediciones anteriores y los resultados obtenidos se observan

en la Figura 7.3b. En este caso, se puede apreciar un diagrama de ojos.
7.2.2. Respuesta en Frecuencia del Enlace Electro-O´ ptico

Dado que se modificaron los componentes del circuito eléctrico del modulador,
fue necesario volver a caracterizar su respuesta en frecuencia, midiendo el
coeficiente de reflexión (S11) con el analizador vectorial de redes. Adema´s, se
midió la ganancia (parámetro S21) del enlace de comunicaciones incluyendo el
circuito de detección. El esquema para la medición se muestra en la Figura
7.4a. Se midieron los parámetros S11 y S21 con el modulador sin el filtro
atenuador y luego con el filtro atenuador. Los resultados se pueden apreciar en las
Figuras 7.4c y 7.4d, en donde se puede ver
7.3 El Transmisor O´ ptico Para Redes de 76
Acceso
(a)
(b)
(c) (d)
Figura 7.4: Medición de la respuesta en frecuencia del modulador modificado con un

capactor de bloque de capacitor de bloqueo de 15 nF. (a) Esquema de medición, (b) medición
en proceso y resultados de los parámetros S11 y S21 del modulador (c) sin el filtro atenuador
adaptador y
(d) con el filtro atenuador adaptador.
que el coeficiente de reflexión empeora para frecuencias mayores a 1.5 GHz debido al
capacitor de 15 nF que se colocó.
7.2.3. Espectro Eléctrico de la Secuencia PRBS

A modo complementario y si se requiere a futuro realizar un análisis más
profun- do, se midió el espectro de eléctrico de la secuencia PRBS a la salida
del conversor D/A, utilizando el analizador de espectro Rigol DSA 815. Los
espectros resultantes se muestran en las Figuras 7.5a y 7.5b.
7.3. El Transmisor O´ ptico Para Redes de Acceso
Diagrama Esquemático
El diagrama esquemático del Transmisor O´ ptico Para Redes de Acceso se
muestra en la Figura 7.6.
(a) (b)
Figura 7.5: Resultados para la medición del espectro eléctrico de la secuencia PRBS
x23 +x18 +1 para los casos (a) sin el filtro atenuador adaptador y (b) con el filtro atenuador
adaptador conectado a la salida del conversor D/A
Figura 7.6: Diagrama esquemático del Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso.
Condiciones de Funcionamiento Nominal

Las condiciones de funcionamiento nominal del Transmisor O´ ptico para Redes de
Acceso se resumen en la Tabla 7.1.
Diagrama de Ojos en el Receptor

El diagrama de ojos se puede ver en la Figura 7.7 y sus caracter´ısticas principales
se resumen en la Tabla 7.2.
Parámetro Valor
Caracter´ısticas Estáticas
Tensión nominal del láser VLD -1.060 V
Corriente nominal del láser In 25 mA
Potencia o´ptica nominal Pn 1.78 mW
Caracter´ısticas Dinámicas del Modulador

Coeficiente de reflexión a 1.2 GHz -7.5 dB
Coeficiente de reflexión a 0.1 GHz (filtrado) -18 dB
Caracter´ısticas de Transmisión de Datos

Formato de modulación On-Off Keying NRZ
Amplitud de la senãl pico a pico 1V
Tipo de secuencia PRBS x + x18 + 1
23
Frecuencia de reloj 400 MHz

Tasa de transmisión de datos 100 Mbps
Tabla 7.1: Condiciones de funcionamiento nominal del Transmisor O´ ptico para Redes de Ac-
ceso.
Figura 7.7: Diagrama de Ojos obtenido para la transmisión de una secuencia PRBS x23 +x18 +1
con formato de modulación OOK NRZ a una tasa de 100 Mbps.
Parámetro Valor
Tasa de transmisión de datos 100 Mbps

Tiempo de bit 10 ns
Instante de muestreo óptimo 7.6 ns
Apertura del ojo máxima 0.148 mV
Intervalo de muestreo 0.2 ns a 9.8
ns Jitter en cruces por cero 0.18 ns
Distorsión en el instante de muestreo o´ptimo 0.0254 mV
Tabla 7.2: Resumen de las caracter´ısticas fundamentales del diagrama de ojos.
Figura 7.8: El Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso

Cap´ıtulo 8
Conclusiones Generales
Para tener una noción básica acerca de los conceptos fundamentales que
envuelven a este Proyecto Integrador fue necesario investigar acerca de caracter´ısticas
principales de las redes de acceso para conocer qué tasas de datos manejan y c
ómo fueron evo-
lucionando hasta la actualidad, en donde las comunicaciones o´pticas tienen un alto
grado de penetración. De esta manera, se comprendió que el transmisor óptico
es un componente indispensable en este tipo de redes, en especial para las
aplicaciones que requieran alta velocidad.
Abarcando en general el tema de los transmisores o´pticos, se analizaron y
compara- ron los distintos esquemas de modulación y fuentes ópticas disponibles
comercialmente. Se llegó a la conclusión, en base a criterios económicos, que la
modulación directa de un láser es la mejor alternativa para la transmisión de
datos a tasas del orden de los Gbps en las redes de acceso.
El disenõ del transmisor empezó por la caracterización de un láser DFB para
comunicaciones o´pticas sobre el cual se desarrolló la electrónica del transmisor. Se
midieron sus curvas caracter´ısticas P-I y V-I de donde se obtuvieron algunos par
ámetros fundamentales para el disenõ del modulador directo. Luego, se desarrollaron
dos prototipos de moduladores directos para la banda de las radiofrecuencias que
sirvieron, en primer lugar, para corroborar que la estrategia de disenõ era la correcta y,
en segundo lugar, como primera aproximación a los transmisores o´pticos de alta
capacidad que trabajan en la banda de las microondas.
A partir del estudio de los prototipos de moduladores directos en RF, se con-
cluyó que la mejor alternativa en términos de consumo de potencia era el
modulador directo con red de adaptación reactiva. Esto motivó a estudiar la
teor´ıa de pequenãs reflexiones con el fin de disenãr adaptadores de gran ancho de
banda en las frecuencias de microondas.
Se implementó un método numérico que permitió encontrar la curva del
coeficiente de reflexion en función de la frecuencia de cualquier transformador de
impedancias
80
81
de distribución continua. Este método se aplicó al transformador de microtiras

con distribución lineal, de donde se obtuvo su correspondiente curva de disenõ.
Se fabricó un modulador, cuya red de adaptación estaba constituida por el
transformador en cuestión, sobre el sustrato FR4. Los resultados obtenidos no
fueron los esperados debido a efectos parásitos del circuito del modulador. Este
inconveniente generó la necesidad de analizar con más profundidad el modelo
del circuito en alta frecuencia, teniendo consideraciones adicionales como ser la
longitud de las pistas, los terminales de los componentes y las v´ıas de interconexi
ón.
Una vez que se obtuvo un modelo de circuito que respond´ıa en forma
aproximada al circuito real, se analizaron las formas de mitigar los efectos par
ásitos. Se tuvo que redisenãr el transmisor en la placa Rogers 4003C. En este
caso, las simulaciones se ajustaron a los resultados experimentales en la banda de
frecuencias de interés. El ancho de banda de este modulador comprende desde 50
MHz a 1.2 GHz, que introduce una mejora considerable respecto al modulador
disenãdo con FR4, el cual llegaba hasta
los 300 MHz, teniendo un criterio de coeficiente de reflexión máximo Γm = −7.5 dB.
Se verificó el funcionamiento del modulador a través de la transmisión de
senãles sinusoidales y cuadradas de distintas frecuencias, que, en algunos casos,
resultaron distorsionadas a causa del capacitor de bloqueo del modulador en baja
frecuencia, y por el osciloscopio en alta frecuencia.
Una vez disenãdo el modulador, el próximo paso que se siguió fue
desarrollar los sistemas electrónicos para la generación de senãles de modulaci
ón. Dadas las ventajas que poseen los sistemas digitales para este tipo de
aplicación, la l´ınea de trabajo continuó a través del disenõ digital.
Los disenõs digitales se implementaron en una FPGA. Para la generación de
senãles se elaboró un bloque sintetizador digital directo para ser utilizado con un
conversor D/A de 4 bits. Luego, se disen˜ó el bloque generador PRBS, necesario para
el ensayo del enlace de comunicaciones. Ambos bloques pose´ıan sus respectivas
senãles de sincronismo para que cada bit se corresponda a una determinada forma
de onda, con posibilidad de seleccionar la frecuencia de operación.
En esta etapa del Proyecto, se requer´ıa un otro sistema electrónico adicional
que sea la interfaz entre la electrónica digital de la FPGA y la electrónica del
modulador. Este sistema se lo llamó conformador de pulsos.
El circuito conformador de pulsos se implementó con un conversor D/A con
red resistiva R-2R y un circuito de acondicionamiento de senãl, que estaba
constituido por filtro pasa bajos conectado con un atenuador adaptador.
Se ensayó el circuito del conformador de pulsos a través de los códigos
implementados en VHDL y posteriormente ejecutados en la FPGA. A continuación,
se observaron en el osciloscopio las formas de onda resultantes. Se apreciaron
oscilaciones amortiguadas en las transiciones entre cambios de bits, cuyos efectos
82
fueron mitigados gracias al
filtro atenuador adaptador. A pesar de estos inconvenientes, fue posible generar pulsos
de 10 ns de duración.
Con todos los sistemas electrónicos disenãdos, desarrollados y verificados, se
proce- dió al armado del Transmisor O´ ptico de para Redes de Acceso mediante la
interconexión
estos sistemas. Se corrigieron algunos detalles sobre la marcha, y se tuvieron que
repe- tir algunas mediciones. El Proyecto Integrador tuvo su conclusión cuando se
obtuvo el diagrama de ojos de un sistema de comunicaciones digitales o´ptico, en
donde se trans- mitió una secuencia de bits pseudoaletorios x23 + x18 + 1 con
formato de modulación On-Off Keying codificado a NRZ a una tasa de 100 Mbps.
La limitación principal en la tasa de transmisión de datos está impuesta
por los circuitos digitales que se utilizaron y por el método de fabricación de circuitos
impresos. Utilizando técnicas de fabricación de circuitos impresos de alta precisi
ón y circuitos digitales de alta velocidad es posible mejorar notablemente la
capacidad de transmisión de datos hasta alcanzar tasas del orden de los Gbps.
Para terminar, es de suma importancia resaltar que, a pesar de que la
configura- ción final del Transmisor es espec´ıfica para generar pulsos con formato
de modulación digital OOK NRZ, la versatilidad en el disenõ permite la generación
de formas de onda arbitrarias. Esta propiedad permite ampliar su ámbito de
aplicación a otros sistemas de comunicaciones con tecnolog´ıa de fibra o´ptica, como
ser por ejemplo los sistemas de tipo radio sobre fibra.
Apéndice A
Los Parámetros de Scattering
A.1. Definición de los Parámetros S en un

Cuadri- polo Lineal
Dada una red de dos puertos lineal como la que se puede ver en la Figura A.1 la
relación entre las amplitudes ondas de tensión reflejadas bi e incidentes ai viene dada
por medio de la matriz de scattering
b1 S11 S12 a1
. Σ=. Σ. Σ. (A.1)
b2 S21 a2
Expandiendo las matrices en ecuaciones lineales se tiene
Figura A.1: Red de dos puertos lineal.
b1 = S11a1 + S12a2, (A.2)

b2 = S21a1 + S22a2. (A.3)
Cada ecuación expresa la relación entre las ondas de tensión reflejada e

incidente en los puertos 1 y 2 de la red, en términos de los parámetros de red
individuales S11 , S12 , S21 y S22 . Para el caso en que el puerto 2 esté cargado con
la impedancia caracter´ıstica del sistema Z0 , por el teorema de la máxima
transferencia de potencia la onda de tensión b2 sera´ absorbida por la carga haciendo
a2 = 0. En estas condiciones, definiendo las amplitudes de las ondas de tensión
1
+
incidentes al cuadripolo a1 = V y
83
A.2 Propiedades de las Redes de Dos 84
Puertos
a2 = V +, y las ondas reflejadas como b1 = V − y b2 = V −, del sistema de ecuaciones
2 1 2
A.3 se pueden determinar
V1
S11 = ba1 = −, (A.4)
1 V1+
b2 V2
S21 = a1 = V +− . (A.5)
1
De manera similar, si el puerto 1 se carga con la impedancia caracter´ıstica del
sistema entonces la onda reflejada a1 es nula, resultando
V
S12 = ba1 = 1+− , (A.6)
2 V2
b2 V2
= = −. (A.7)
S22 a2 V2+
Cada parámetro del cuadripolo tienen las siguientes descripciones genéricas
S11 es el coeficiente de reflexión del puerto 1.
S12 es la ganancia de tensión inversa.
S21 es la ganancia de tensión directa.
S22 es la coeficiente de reflexión del puerto 2.
A.2. Propiedades de las Redes de Dos Puertos

Reciprocidad
Un amplificador operando en condiciones de pequenã senãl es una red de dos
puertos no rec´ıproca (S12 ƒ= S21 ) y un atenuador adaptador es un ejemplo de una red
rec´ıproca (S12 = S21)
Ganancia Lineal Compleja

La ganancia lineal compleja viene dada por
G = S21. (A.8)
Esto resulta as´ı dado que la ganancia de tensión es la relación entre la tensión de
salida respecto de la de entrada. En forma equivalente, se puede definir la ganancia
lineal como
|G| = |S21|, (A.9)
y la logar´ıtmica
g = 20 log10 |S21| dB. (A.10)
Pérdida de Inserción
En el caso de que las mediciones en ambos puertos utilicen la misma
impedancia de referencia, la pérdida de inserción se define como
IL = −20 log10 |S21| dB. (A.11)
Pérdida por Retorno

Esta propiedad puede interpretarse como una medida de cuanto difiere la
impedancia de la red respecto de la impedancia de referencia. La pérdida por
retorno de la entrada se expresa por
RLin = −20 log10 |S11| dB, (A.12)
y la de la salida como
RLout = −20 log10 |S22| dB. (A.13)
Coeficientes de Reflexión
Los coeficientes de reflexión de los puertos de entrada ρin y de salida ρout son
equivalentes a los parámetros S11 y S22 , respectivamente.
Bibliograf´ıa
[1] A. Shami, M. Maier, C. Assi, ‹ The Anatomy of an Access Network› , in

Broadband Access Networks: Technologies and Deployments, Ed.
Springer, 2009. 1
[2] A. S. Tanenbaum, D. J. Wetherall, ‹ The Physical Layer› , in Computer

Networks, 5th ed., Ed. Prentice Hall, 2009.
[3] G. P. Agrawal, ‹ Optical Transmitters› , in Fiber-Optic Communication

Systems, 4th ed., Ed. New Jersey: John Wiley and Sons, 2010. 9, 10, 12, 13,
18, 19
[4] C. Bowick, ‹ Impedance Matching› , in RF Circuit Design, Ed. Newnes, 1982.

22, 45, 75
[5] D. M. Pozar, ‹ Impedance Matching and Tuning› , in Microwave

Engineering, 4th ed., Ed. New Jersey: John Wiley and Sons, 2012. 22, 34, 37,
38
[6] Vishay Intertechnology, Inc., ‹ Technical Note› , in Frequency Response of

Thin Film Chip Resistors, Document Number: 60107, February 2009. 46
[7] D. M. Pozar, ‹ Microstrip Overview› , in Lumped Elements for RF and

Microwave Circuits, 4th ed., Ed. Artech House, 2003. 48
[8] A. V. Oppenheim, R. W. Schafer, J. R. Buck, ‹ Sampling of Continuous-Time

Signals› , in Discrete-Time Signal Processing, 2nd ed., Ed. Prentice Hall:
New Jersey, 1999. 55
[9] International Telecommunication Union, ‹ General requirements for instrumenta-

tion for performance measurements on digital transmission equipment› , in
Series O: Specifications of Measuring Equipment.
[10] T. L. Floyd, ‹ Introduction to Digital Signal Processing› , in Digital

Fundamentals, 10th ed., Ed. Prentice Hall, 2009. 61
[11] M. E. Valkenburg, in Reference Data for Engineers: Radio, Electronics,

Computer and Communication, 8th ed., Ed. Newnes, 1998. 67
86
Bibliograf´ıa 87
[12] B. Sklar, ‹ Bandpass Modulation and Demodulation/Detection› , in Digital

Com- munications, 2nd ed., Ed. Prentice Hall. 72
[13] S. Haykin, ‹ Signaling Over Band-Limited Channels› , in Digital

Communication Systems, Ed. John Wiley and Sons, 2014. 72
Agradecimientos
En primer lugar, le agradezco a Dios.

En segundo lugar, le agradezco a la vida, por haberme tra´ıdo hasta aqu´ı.
Al Pueblo Argentino, que financió mis estudios. Ahora siento que es mi
turno de colaborar para que hacer que crezca la Patria.
Agradezco de corazón a mis padres, Miguel y Gilda, por haberme criado con amor
y carinõ, y además por garantizar de que nunca me falte nada. Este Proyecto
Integrador es de ustedes también! Los amo, viejos!
A mi abuelo Gustavo, que forma parte de m´ı, y lo voy a tener presente en mi coraz
ón y en mi mente hasta los u´ltimos d´ıas de mi vida. Una gran persona, con la que
tuve la suerte de compartir mi infancia y gran parte de mi adolescencia.
A mi abuela Chabela, que dio todo por nosotros, sus nietos. Ahora nos toca dar
lo mejor de nosotros para ella. Te quiero un montón abuelita.
A mi t´ıo Conrado, otra gran persona con la que compart´ı lindos momentos y
pro- fundas charlas. Gracias por todo T´ıo!
Este trabajo es para mis hermanos también, que en los momentos dif´ıciles
dieron la cara por m´ı. No puedo esperar a que estemos juntos de nuevo!
A mi t´ıa Tinky, y mis primas Naty y Car. Las quiero mucho a las tres! Las extranõ
todos los d´ıas.
A mi novia hermosa Agustina, que me apoyó incondicionalmente en todo
momento. Siempre me ayudó a superar los momentos dif´ıciles, brindándome
amor y carinõ. Te amo Gordita!
A Mauricio Tosi, mi compan˜ero de 3 anõs y medio de cursado, con el que sufrimos
las idas y vueltas de la carrera. Más que un compan˜ero, un hermano, el cual recibirá
mi ayuda incondicional siempre. Salud por nosotros!
A mis amigos Leo y Lobo, les deseo lo mejor en sus vidas y espero que sigamos
yendo a los bares a tomar una buena cerveza.
A todos mis verdaderos amigos y mis compan˜eros del Técnico, que siempre
me brindaron su apoyo a la distancia y cada vez que vuelvo a Tucumán, la confianza
sigue intacta. Pupu´, Spike, Buba, Tolosa, Pechoso, Mamaza, Mono, Preidy,
Lucho, Moisé, Mamu´, Yeti, Grafito, Naruto y Chichilo, son unos capos!
A mis Directores de Proyecto Integrador, Laureano Bulus y Pablo Costanzo Caso.
88
Dos excelentes personas, y grandes profesionales, que ponen todo su esfuerzo para
que la carrera siga para adelante. Siempre ayudando en todo momento. Además,
supieron motivar en esos momentos dif´ıciles cuando las cosas no sal´ıan. Gracias
por todo!
A Leo M., que siempre se quedó colaborando en el laboratorio.
A los excelentes docentes de la carrera de Ingenier´ıa en Telecomunicaciones,
que ponen todo su empenõ para que los cursos salgan de la mejor manera.
Al Instituto Balseiro, por haberme alojado y darme el espacio f´ısico para dedicarme
´ıntegramente al estudio. En particular, a toda la gente que conoc´ı en este ambiente
al pasar los anõs, excelentes personas. Me llevo grandes amigos.
A Cristina y el gobierno saliente, que fueron los responsables de la creación de esta
carrera.
A la Escuela Normal J.B. Alberdi, en donde realicé los estudios primarios, y
gracias a su taller de electrónica comenzó el interés en esta rama de la ingenier´ıa.
Por u´ltimo, al Instituto Técnico, un lugar donde pasé la mejor etapa de
mi vida. Espero poder devolverle un poquito de todo lo que me dio. Hierro T,
Doble T, Instituto ES!

Diseño de Transmisor Óptico

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PROYECTO INTEGRADOR

CARRERA DE INGENIER´IA EN TELECOMUNICACIONES

DESARROLLO DE UN O´ PTICO PARA

Dr. L. A. Bulus Rossini Dr. P. A. Costanzo Caso

Comunicaciones O´ pticas y Microondas – Centro At´omico Bariloche

ADC Analog-to-Digital Converter

OOK On-Off Keying

´Indice de figuras vii

´Indice de tablas xii

2. El L´aser Como un Dispositivo Optoelectr´onico 10

3.1.3. La Potencia O´ ptica ..............................................................................19

4. El Transmisor O´ ptico de Modulaci´on Directa de Alta Capacidad 34

5. Electr´onica Digital de Modulaci´on 52

6.2.3. El Circuito Completo........................................................................67

7. Transmisi´on de Datos por Fibra O´ ptica 72

A. Los Par´ametros de Scattering 83

1.1. Arquitectura de las redes de acceso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

2.1. Perfiles de ganancia y p´erdida de un l´aser semiconductor ..........................11

3.1. Diagrama de bloques de un transmisor de modulaci´on directa ....................18

4.1. Respuesta en frecuencia del transformador de cuarto de onda..................35

5.1. Vista superior de la placa de desarrollo Altera DE2-115 en donde se

6.1. Sen˜al zero-order hold generada por un DAC ................................................60

7.1. Diagrama de la constelaci´on del Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso

A.1. Red de dos puertos lineal..............................................................................83

1.1. Requerimientos de ancho de banda para distintos servicios IP . . . . . . 2

2.1. Parámetros obtenidos de la medición de la respuesta estática de los láseres 16

6.1. Caracter´ısticas fundamentales del circuito integrado 74LVC32A.................64

7.1. Condiciones de funcionamiento nominal del Transmisor O´ ptico para Re-

Desarrollo de un Transmisor O´ ptico para Redes de Acceso.

En este trabajo se realizó el disenõ, fabricación y puesta en marcha de un

Palabras clave: TRANSMISORES

Development of an Optical Transmitter for Access Networks

This work decribes the design, manufacturing and start up of an optical

Keywords: OPTICAL TRANSMITTERS, ACCESS NETWORKS, LASERS, DI-

“El verdadero progreso es el que pone la tecnolog´ıa al

Previo a cualquier desarrollo se deben comprender los conceptos b´asicos sobre

1.1. Redes de Acceso

Figura 1.1: Arquitectura de las redes de acceso.

1.1.1. Servicios IP en las Redes de Acceso

Servicios IP Definici´on est Alta definici´on

Tabla 1.1: Requerimientos de ancho de banda para distintos servicios IP.

Sin embargo, los proveedores de servicios de telecomunicaciones prefieren la

1.1.3. Fiber to the Home

1.2. Transmisores O´ pticos

El objetivo principal de un transmisor o´ptico es convertir la sen˜al el´ectrica en

Figura 1.4: Diagrama en bloques de un tranmisor ´optico con modulaci´on externa.

Las tasas de datos de los transmisores o´pticos est´an limitadas principalmente

1estos datos pueden estar desactualizados

´Item LED L´aser semiconductor

Tasa de datos Baja (hasta 100 Mbps) Alta ( ∼

1.2.2. F´ısica del L´aser Semiconductor

se muestran esquem´aticamente en la Figura 1.5. En el caso de la emisi´on espont

Figura 1.6: Curva energ´ıa-vector de onda en un l´aser de semiconductor.

banda de conducci´on a trav´es de un bombeo de energ´ıa, los estados vac´ıos de la

Figura 1.7: Esquema b´asico de un l´aser de semiconductor.

sea amplificada a través de la emisión estimulada, convirtiéndolo en un oscilador.

Figura 1.8: Perfiles de ganancia y p´erdida de un l´aser semiconductor.

En este Cap´ıtulo se abordar´an ciertos aspectos de funcionamiento y caracterizado

2.1. L´aseres de Realimentaci´on Distribuida

Figura 2.2: Estructura de un l´aser DFB.

da puede variar considerablemente, con lo que, en ciertos casos, es necesario

2.2. Caracter´ısticas CW y Respuesta Est´atica

Figura 2.3: Curvas Potencia O´ ptica-Corriente y Tensi´on-Corriente t´ıpicas de un diodo l´aser.