GUÍA DE LABORATORIO

GT-DEP5101-L02M

TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

CURRICULUM : 447501

CARRERA : INGENIERÍA EN ELECTRICIDAD Y AUTOMATIZACIÓN INDUSTRIAL

ASIGNATURA : DEP5101 “CONFIGURACIÓN DE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA”
SEMESTRE : V

PROFESOR : Guillermo Vallejos

1. Introducción

La presente experiencia permite interpretar a partir del uso de

software de simulación, el comportamiento del transistor bipolar
y las zonas de operación activa, saturación y corte.

2. Objetivos

Al completar esta guía el alumno será capaz de:

- Identificar los terminales del transistor bipolar.
- Reconocer las zonas de operación del transistor: corte,
saturación y activa

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- Utilizar software de simulación de sistemas electrónicos y en base a ello implementar circuitos con
transistor bipolar.

3. Duración

Tiempo estimado de duración de la guía 120 minutos

4. Prerrequisitos

Ninguno

5. Bibliografía previa

● Título: Electrónica de potencia.

Autor: Muhammad Rashid.
Datos de Publicación: México. Pearson: 2004

6. Marco teórico

Descripción del transistor bipolar.

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor,

colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de
dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los símbolo
de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la
flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta
hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia
dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica
el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor

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Figura 1: Representación del transistor BJT

Zonas de operación.

Para la configuración Emisor común mostrado en la Figura 2 el transistor podrá trabajar en tres zonas de
operación:
● Corte: El transistor se comporta como un circuito abierto. No fluye corriente por el colector, y la
corriente de base es nula o no es suficiente para permitir
la conducción del bjt.
● Activa: El transistor se comporta como un amplificador,
en donde la corriente de base se amplifica por cierta
ganancia (Ic = β*Ib), y la tensión entre colector y emisor
VCE comienza a disminuir al aumentar la corriente de
base.
● Saturación: Cuando un aumento adicional de la
corriente de base no produce que V CE disminuya más, el
transistor está saturado. En tal caso, el transistor se
comportará como un circuito cerrado, en donde la
tensión VCE será muy pequeña (VCEsat) y la corriente de
colector dependerá principalmente de la resistencia de
colector (la carga) y la tensión de alimentación V cc. Ya
no se cumple la relación Ic = β*Ib.

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Figura 2: Características del transistor NPN

Característica de entrada.

La característica de entrada se refiere a la relación entre base y

emisor. El comportamiento que tendrá el transistor entre la base
y emisor será prácticamente la misma que tendrá un diodo. La
Fig. 2 (b) muestra la relación entre la tensión base- emisor V BE y
la corriente de base Ib

Característica de salida

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Esta característica muestra la relación entre Ic y VCE. En la Fig. 2(c) se puede identificar las tres zonas de
operación: corte, activa y saturación.

Funcionamiento en convertidores de electrónica de potencia

En el ámbito de la electrónica de potencia, se busca que siempre el transistor bipolar trabaje en zona de corte y
saturación.
● En zona de corte, la corriente de colector es muy cercana a cero y la tensión colector-emisor será la
tensión de la fuente. En tal caso, la potencia que disipa el transistor será muy reducida.
● En zona de saturación, la tensión colector-emisor alcanzará un valor mínimo, típicamente entre 0.2V y
0.8V y la corriente de colector será la máxima, dada por la carga y fuente. La potencia disipada por el
transistor será superior que en zona de corte, pero será reducida.

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7. Actividades a realizar

Actividad: Zonas de operación del BJT NPN

a. Elementos virtuales requeridos

- Multitester digital.
- 1 Transistor NPN (2N2222)
- Datasheet del transistor.
- Fuente de poder continua variable.
- 2 Resistencias de 1kΩ.
- 1 potenciómetro de 500kΩ (o similar)

b. Número de alumnos sugerido por equipo

Se recomienda realizar esta actividad con un máximo de dos alumnos.

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c. Descripción y procedimiento

1.- Implemente el circuito mostrado en el software de simulación. Distribuya adecuadamente los

componentes para medir sin dificultad las tensiones de las resistencias y del transistor. Busque en
internet el datasheet del transistor para identificar cuáles son sus terminales y cuáles son sus datos o
características técnicas.

2.- Para asegurarse que el circuito funcione correctamente, mueva el potenciómetro a la posición extrema
(R o superior) y registre la tensión V CE. Ahora mueva el potenciómetro a la otra posición extrema (L o
inferior) y registre nuevamente la tensión V CE. El valor de tensión en un caso deberá ser menor o
cercano a 0,8V (saturación) y en otro caso cercano a V cc (corte). Si esto no sucede, no podrá seguir al
siguiente paso y deberá encontrar la falla hasta que
funcione como se describe en este ítem.
3.- Desde el punto de corte del ítem anterior.(registre ese
valor), comience a ajustar el potenciómetro hasta que
VCE alcance 9V, 6V, 3V y 2V. Luego registre tres
mediciones adicionales desde el punto de la última
medición hasta que el potenciómetro alcance el otro
extremo. En cada medición deberá registrar V CE, VR1 y
VR2. Complete la tabla adjunta con estos 8 puntos
solicitados.
4.- Utilizando la ley de Ohm, calcule la corriente de la base
y la corriente de colector a partir de las mediciones de
tensión de R2 y R1 respectivamente. Complete la tabla
adjunta.

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5.- Dibuje en un gráfico la característica V-I, donde V CE corresponde al eje x, y la corriente de colector al eje
y utilizando cada punto registrado de la tabla.

VCE VR1 VR2 Ib Ic

17,53 mv 10,91 v 11,71 v 11,71 mA 10,91 mA
12 v 0v 83,59 uV 0 0
8,92 v 9,63 mV 3,04 v 3,04 mA 9,62 uA
6,41 v 17,54 mV 5,52 v 5,52 mA 17,54 uA
3,37 v 27,99 mV 8,53 v 8,53 mA 27,99 uA
2,53 v 31,08 mV 9,36 v 9,36 mA 31,08 uA
1,59 v 34,64 mV 10,29 v 10,29 mA 34,64 uA
508,01 mV 38,89 mV 11,36 v 11,36 mA 38,89 uA
166,09 mV 44,16 mV 11,69 v 11,69 mA 44,16 uA

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Cuestionario

1.- A partir
del

datasheet ¿Se superan algunos de los límites máximos que da el fabricante?

No se superan los limites

2.- Evalúe la división Ic / Ib = β en la zona activa (3V, 6V,

9V) y compare estos resultados con la (o las)
ganancia(s) que da el fabricante en el datasheet.
Comente.

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3.- ¿En qué punto el transistor disipa mayor potencia? Comente.

Discipa mayor potencia a los 17,53 mV.

4.- ¿Por qué no se hace trabajar el transistor en zona activa para aplicaciones de electrónica de potencia?.
Argumente
Porque al ser VIN > 0, la corriente de emisor tendría que venir desde la conexion a tierra, que es la tensión más
negativa del circuito. Esto no puede ocurrir ya que la corriente circula de + a - Si fuera negativo la unión BC
estaría inversamente polarizada por lo que no sería admisible que el transistor estuviera en zona activa

5.- Investigue y describa un procedimiento que permita, a través, de mediciones con un multímetro
determinar el estado de un transistor.

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Pauta de evaluación de la guía

Rut Nota

Alumno
CONFIGURACIÓN DE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA
Asignatura Sigla DEP5101 Sección
DE POTENCIA

N° Actividad 02 Nombre
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

Fecha

Habilidades evidenciadas 40%

Ponderación de
1.0 a 7.0 % Descripción

Utiliza las herramientas acorde a lo necesario para realizar la

U/ Herramientas 10%
experiencia
Utiliza los instrumentos de medición adecuadamente. Los ajusta
U/ Instrumentos 10%
en el rango correcto sin que exista peligro de daño.
Utiliza el protoboard de forma correcta. Realiza el circuito de
U/ Protoboard 10%
forma segura y ordenada.

Organización 10% Realiza la experiencia en coordinación con los demás alumnos.

Diagnóstico o solución de la falla propuesta 60%

Ponderación de
Descripción
1.0 a 7.0

Tabla de datos 40% Obtiene la tabla de datos requerida

Gráfico 20%

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Grafica correctamente lo solicitado

N1:

Actitudes : Descuento (si se aplica) en cada ítem 🗷 - Máximo 3,5 puntos menos de la nota

🗷 - No Descripción
🗹 - Logrado Logrado  
Mantiene el espacio de trabajo ordenado. Realiza el circuito
Orden 0.5
ordenadamente en el protoboard.
No deja residuos de aislación de cable o alambre botados en el
Limpieza 0.5
suelo. No raya la mesa.
Realiza la experiencia cuidando no producir daños físicos a los
Cuidado 1.0
componentes, compañeros y a sí mismo.
Se asegura re verificar el correcto funcionamiento e instalación de
Seguridad 1.0
los equipos
Se mantiene controlado a pesar de los intentos fallidos y ante la
Autocontrol 0.5
presión del tiempo para realizar las actividades
Descuento
El alumno debe Repetir la experiencia Pasar a la experiencia siguiente

Firma Alumno

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