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Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Universidad Nacional del Altiplano

PRÁCTICA DE LABORATORIO N° 1
AMPLIFICADOR DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA

I. INFORME PREVIO

El informe previo puede desarrollarse a mano o en computadora, sin embargo, se requiere


de forma obligatoria la originalidad, puntualidad, brevedad y consistencia del informe.
Esto quiere decir que las respuestas deben ser muy concluyentes y evitar demasiados
reglones que no llegan a ninguna explicación o descripción consistentes. Por otra parte,
el informe previo es necesario y obligatorio antes de iniciar la experiencia en el
laboratorio, de otra forma el estudiante no podrá iniciar la sesión sin conocer y saber los
conceptos mínimos requeridos para iniciar la experiencia.

RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS CON PALABRAS SENCILLAS

1. Describa tres características importantes de un transistor.


2. ¿Cómo se polariza un transistor? Grafique y señales sus partes.
3. ¿Cuál es la zona o región de trabajo de un transistor? Grafique y señales sus partes.
4. ¿Qué es un amplificador de clase A? Grafique y señales sus partes.
5. ¿Qué es un amplificador de clase B? Grafique y señales sus partes.
6. ¿Qué es un amplificador de clase C? Grafique y señales sus partes.
7. ¿Qué es un amplificador de clase AB? Grafique y señales sus partes.
8. ¿Qué es un amplificador de simetría complementaria? Grafique y señales sus partes.
9. Incluya las páginas más importantes de las hojas de datos (datasheet) de los
semiconductores y circuitos integrados indicados en la sección II MATERIALES,
COMPONENTES Y EQUIPAMIENTO.

Sólo desarrollarán la experiencia de laboratorio los alumnos que entreguen el informe


previo de laboratorio.

II. MATERIALES, COMPONENTES Y EQUIPAMIENTO

1. 1 Generador de funciones (disponible en el laboratorio)


2. 3 Puntas de prueba (disponible en el laboratorio pero de preferencia cada
estudiante debe de tener sus propias puntas de prueba)
3. 1 Osciloscopio (disponible en el laboratorio)
4. 1 Fuente de Poder (disponible en el laboratorio)
5. 1 Multímetro (cada estudiante debe de tener su propio multímetro)
6. 1 Protoboard y cables (cada estudiante debe de tener su propio protoboard)
7. 1 Transistor TIP41 o equivalente (incluya la hoja de datos en el informe previo)
8. 1 Transistor TIP42 o equivalente (incluya la hoja de datos en el informe previo)
9. Resistencias: 100Ω (1u), 220Ω (2u), 2.2KΩ (2u)
10. Condensadores: 100uF (2u)

III. EXPERIMENTOS

Debe tomar apuntes, capturar las imágenes y tomar fotografías de cada paso a seguir en
el experimento.

Dr. Eudes Rigoberto Apaza Estaño


M.Sc. Christian Augusto Romero Goyzueta
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica
Universidad Nacional del Altiplano

Paso 1:
Implemente el circuito de la Figura 1, tome las medidas de los siguientes valores: Vce,
Ib, Ic.

Figura 1. Polarización del amplificador de simetría complementaria.

Paso 2:
Conecte el generador de señales al primer canal del osciloscopio y conecte la resistencia
de 100Ω al segundo canal del osciloscopio.

Paso 3:
Implemente el circuito de la Figura 2, establezca el generador de señales a 2Vp y 1KHz,
el generador de señales se considera la entrada y la resistencia de 100Ω se considera la
salida o carga; usando el multímetro y el osciloscopio tome las siguientes medidas:

Voltaje de entrada pico Vi-p


Voltaje de entrada RMS Vi-rms
Voltaje de salida pico Vo-p
Voltaje de salida RMS Vo-rms
Corriente de entrada RMS Ii-rms
Corriente de salida RMS Io-rms
Ganancia de voltaje Av
Ganancia de corriente Ai

Dr. Eudes Rigoberto Apaza Estaño


M.Sc. Christian Augusto Romero Goyzueta
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica
Universidad Nacional del Altiplano

Figura 2. Amplificador de simetría complementaria.

Paso 4:
Haciendo uso del osciloscopio, compare la señal de entrada y la señal de salida, compare
valores como frecuencia, voltaje pico, fase y otros detalles observados.

IV. INFORME FINAL

Presente los resultados obtenidos en el experimento paso a paso, mostrando los diagramas
de circuitos, cálculos, apuntes, anotaciones, capturas, gráficas, fotografías y
descripciones.

Dr. Eudes Rigoberto Apaza Estaño


M.Sc. Christian Augusto Romero Goyzueta

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