DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA

ENERGIA Y MECANICA
CARRERA DE ASIGNATURA

x Mecánica Automatización Industrial Mecánica

X Instrumentación Industrial Mecánica
Mecatrónica Instrumentación Mecatrónica

TRABAJO PREPARATORIO No. 1

INTEGRANTES Paralelo
Nombre

ERICK WLADIMIR SOLANO YÉPEZ 5552

FECHA DE ENTREGA HORA

02/06/2020
 TRABAJO PREPARATORIO GUIA A
a. Consulte la forma como se ingresa la característica estática de un sensor
por medio de una tabla LOOKUP en SIMULINK, la forma de ingresar datos
estáticos y dinámicos y como obtenemos los resultados, ayúdese de los
enlaces indicados en la página WEB de la asignatura (link Archivos).

1) Ejecutar Matlab, una vez ingresado al programa, podemos digitar la palabra

“Simulink” en el espacio de trabajo o hacer click directamente en el icono
mostrado en la barra de tareas de Matlab en la pestaña HOME.

2) Una vez en la ventana de Simulink seleccionamos la opción “Blank Model”

para crear un nuevo proyecto.

3) En la ventana del nuevo proyecto buscamos el icono de “Library Browser”

ubicado en la barra de tareas, el cual abrirá un submenú donde se despliegan
los recursos del programa.
4) Buscamos la sección “Lookup Tables” y arrastramos con el puntero del
mouse el icono de la opción “1D - Lookup Table” hacia el espacio de trabajo
de Simulink.

5) Haciendo doble click sobre el icono “1D - Lookup Table” aparecerá una
ventana emergente e ingresamos los valores de entrada (Input) y salida
(output) si es el caso la función algebraica con un rango especifico de la
característica estática del sensor.

Output

Input
 6) Finalmente colocamos una fuente y una salida en el espacio de trabajo y las
conectamos para interactuar con la característica estática ingresada.

b. Consulte las características estáticas de TRES SENSORES. Obtenga las

tablas de valores o la ecuación para ingresarlas en la tabla LOOKUP y
simular su operación.

1) Detectores de Temperatura Resistivos (RTD)

Los detectores de temperatura basados en la variación de una resistencia

eléctrica se suelen designar con sus siglas en ingles RTD (Resistance
Temperature Detector). El fundamento de las RTD es la variación de la
resistencia de un conductor con la temperatura.

En un conductor, el número de electrones libres no cambia apreciablemente

con la temperatura. Pero si esta aumenta, las vibraciones de los átomos
alrededor de sus posiciones de equilibrio son mayores, y así dispersan más
eficazmente a los electrones, reduciendo su velocidad media. Esto implica
un coeficiente de temperatura positivo, es decir, un aumento de la resistencia
con la temperatura. Los materiales para la fabricación de este tipo de
sensores suelen ser conductores como: platino, niquel, cobre, molibdeno.

La variación de resistencia se debe tanto al cambio de resistividad como al

cambio de dimensiones asociado al incremento de temperatura. Esta
relación se puede expresar mediante la forma:

= (1 + ∙∆ )

Donde:
: es la resistencia a la temperatura de referencia
∆ : es la desviación de temperatura
: es el coeficiente de temperatura del conductor especificado a
0°C

Parámetros de la ecuación característica del sensor RTD

 Para un sensor de Niquel NI100 tenemos:

: − 60 ℎ 200 °
= 100 [ ] , = 0.00681 [ / ∙ ]
= 100(1 + 0.00681 ∙ ∆ )

Resistencia
100 106.81 127.24 140.86 154.48 168.1
(Ω)
Temperatura
0 20 40 60 80 100
(°C)

2) Termistores NTC / PTC

Los termistores son resistores variables con la temperatura asociados a

materiales semiconductores. Si el coeficiente de temperatura es negativo se
denominan NTC, mientras que si es positivo se denominan PTC. Su principio
de funcionamiento se basa en la dependencia de la resistencia de los
semiconductores con la temperatura, debido a la variación con esta del
número de portadores. Esta dependencia varia con la concentración de
impurezas.

En un rango de temperaturas reducido, la dependencia entre la resistencia y

la temperatura se puede expresar de forma aproximada por la siguiente
ecuación:

∙
= ∙

Donde:
: es la resistencia a la temperatura de referencia
: es la temperatura de referencia
: es la constante de temperatura del semiconductor
especificado
Por lo tanto:
= 12000 [ ] , = 3740, = 25 ° = 298 °

∙
= 12000 ∙
: − 15 50 ° = 258 323 °

Resistencia
(Ω)
83989.7 37871.7 12000 6576.1 4542.6
Temperatura
(°K)
258 273 298 313 323
3) Fotoresistencia (LDR)

Las LDR (Light Dependent Resistors) se basan en la variación de la

resistencia electrica de un semiconductor al incidir en él radiación óptica
(radiación electromagnética con longitud de onda entre 1 mm y 10 nm). La
radiación óptica aporta la energía necesaria para aumentar el número de
electrones libres (efecto fotoeléctrico) disminuyendo la resistividad.

La relación entre la resistencia de una LDR y la intensidad luminosa recibida

es fuertemente no línea. Un modelo de dependencia simple es:
= ∙
Donde:
: son constantes del material
: es la iluminación en lux
Parámetros