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Artículo de investigación Vol.

6, N ° 5 / mayo de 2019 / Optica 577

Optomecánica con cavidades de cristal fotónico de fosfuro de


galio unidimensionales
K ATARINA S CHNEIDER Y ANNICK si AUMGARTNER S ESTOY EN H ÖNL, PAGS OL W ELTER H ERWIG H AHN
re ALZIEL J. W ILSON L UKAS C ZORNOMAZ, Y PAGS AUL S EIDLER *
Investigación de IBM - Zurich, Säumerstrasse 4, CH-8803 Rüschlikon, Suiza
*A
* utor para correspondencia: pfs@zurich.ibm.com

Recibido el 10 de diciembre de 2018; revisado el 1 de abril de 2019; aceptado el 5 de abril de 2019 (Doc. ID 354512); publicado 30 de abril de 2019

El fosfuro de galio ofrece una combinación atractiva de un alto índice de refracción ( n> 3 para longitudes de onda de vacío de hasta 4 μ m) y un ancho de banda electrónico

amplio (2.26 eV), que permite cavidades ópticas con pequeños volúmenes de modo y baja absorción de dos fototones en longitudes de onda de telecomunicaciones. Por lo

tanto, el calentamiento debido a campos de luz fuertemente confinados se reduce considerablemente. Aquí, investigamos los beneficios de estas propiedades para la

optomecánica de la cavidad. Utilizando un esquema de fabricación recientemente desarrollado basado en la unión directa de obleas, realizamos cavidades de cristal fotónico

unidimensionales integradas hechas de fosfuro de galio con factores de calidad óptica tan altos como 1.1 × 10 5) Optimizamos su diseño para acoplar el modo propio óptico en ∼

200 THz a través de la presión de radiación a un modo mecánico co-localizado con una frecuencia de 3 GHz, produciendo dispositivos resueltos con banda lateral. La alta

tasa de acoplamiento optomecánico de vacío ( sol 0 0


2 π × 400 kHz)
permite la amplificación del modo mecánico en el denominado régimen de láser mecánico con una potencia de entrada tan baja como ∼ 20 μ W. La observación del
láser mecánico implica una cooperatividad multiphoton de C> 1, Un umbral importante para la realización de protocolos de transferencia de estado cuántico. Debido al
cambio de resonancia termoóptica reducido, la transparencia inducida optomecánicamente se puede detectar a temperatura ambiente incluso en dispositivos sin
resolución de banda lateral además de la absorción inducida optomecánicamente observada normalmente. Teniendo en cuenta que GaP también es piezoeléctrico,
estos resultados establecen GaP como un material atractivo para el futuro electro - Sistemas opto-mecánicos.
© 2019 Sociedad óptica

de América bajo los términos de la Acuerdo de publicación de acceso abierto de OSA

https://doi.org/10.1364/OPTICA.6.000577

1. INTRODUCCIÓN banda prohibida para evitar la absorción de dos fotones a una longitud de onda de vacío de λ vacaciones
1550 nm, pero a costa de un índice de refracción
Las microcavidades ópticas que poseen resonancias mecánicas con frecuencias de varios
muy por debajo de 3.
gigahercios tienen el potencial de crear electro - dispositivos opto-mecánicos con aplicaciones
Como alternativa para la optomecánica, presentamos PhCC hechos de
tan diversas como la transducción de qubits de microondas en qubits ópticos [ 1 , 2 ], la
fosfuro de galio ( mi sol 2,26 eV [ 11 ], norte 3,05
detección de señales de radio en astronomía [ 3 ] y comunicación de datos de alta velocidad y
[ 17 ]) [ 18 años ] El índice de refracción de GaP es el más alto entre los semiconductores
baja potencia [ 4 4 ] Una plataforma para tales sistemas de frecuencia de gigahercios es
binarios visiblemente transparentes. Además, su estructura cristalina no centtrosimétrica
proporcionada por cavidades de cristal fotónico (PhCC) de una y dos dimensiones [ 5 5 , 6 6 ],
ofrece la posibilidad de accionamiento piezoeléctrico. El acoplamiento optomecánico se
que anteriormente estaban hechas de materiales como el silicio [ 5 5 ], Nitrido de silicona [ 7 7 ],
ha observado previamente en microdiscos hechos de GaP [ 19 ] Los PhCC tienen la
arseniuro de galio [ 8 ], nitruro de aluminio [ 2 ] y diamante [ 9 9 ] Como los cristales fotónicos
ventaja de poseer un volumen de modo más pequeño, pero los pocos ejemplos de
dependen del índice de contraste, un alto índice de refracción norte Es una propiedad material
PhCC bidimensionales que se han fabricado con GaP [ 20 ] no han sido investigados por
beneficiosa. Para reducir las pérdidas ópticas y evitar el calentamiento del dispositivo, una
su comportamiento optomecánico. Aprovechando un nuevo proceso de fabricación para
banda ancha electrónica mi sol También es deseable porque, si es lo suficientemente grande,
la integración a nivel de chip de dispositivos fotónicos GaP basados ​en la unión directa
puede reducir la absorción de dos fotones en las longitudes de onda de infrarrojo cercano que
de obleas en sustratos de bajo índice de refracción [ 21 ], informamos, a lo mejor de
se usan normalmente. Estos dos requisitos son inherentemente conflictivos: un índice de
refracción grande implica una alta polarización a frecuencias ópticas [ 10 ], una propiedad
nuestro conocimiento, la primera investigación de optomecánica con un PhCC hecho de

generalmente asociada con electrones unidos de forma relativamente débil, mientras que un GaP.

amplio intervalo de banda resulta de fuertes enlaces electrónicos entre átomos [ 11 ] De los
materiales antes mencionados, solo AlN ( mi sol
El acoplamiento optomecánico se produce entre un modo mecánico con frecuencia de
resonancia. Ω metro Superposición espacial de un modo propio óptico con frecuencia de
6.2 eV [ 12 ], resonancia ω 0 [ 22 ] Deformación mecánica del dispositivo (descrito como un
norte 2.03 [ 13 ]), diamante ( mi sol 5.4 eV [ 11 ], norte 2,39 [ 14 ]), desplazamiento generalizado X),
y Si 3 norte 4 ( mi sol ≈ 5 eV [ 15 ], norte 2.00 [ dieciséis ]) tener un tamaño suficientemente grande conduce a un cambio en la frecuencia de resonancia óptica. Para pequeños

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desplazamientos, este cambio se puede aproximar con una dependencia lineal


caracterizada por la tasa de acoplamiento optomecánico alffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pagsvacío sol 0 0
es el
∂ω00
ℏ ∕ 2 metro ef Ω metro
∂ X · X zpf dónde X zpf

movimiento de punto cero, metro ef es la masa efectiva, y ℏ es la constante de Planck


reducida. La transducción eficiente de un fotón a un cuanto de vibración mecánica y
viceversa requiere una alta cooperatividad C n cav
4 4 sol 20

κ Γ, dónde norte cav es la cantidad de intracavidad

fotones Las tasas de descomposición de las resonancias ópticas y mecánicas,


κ y Γ, respectivamente, por lo tanto, las cantidades se deben minimizar. Además, el
enfriamiento o la amplificación del modo mecánico es más eficiente en el llamado
régimen de banda lateral resuelta, donde
Ω metro ≥ κ.
Nuestros GaP PhCC unidimensionales tienen factores de calidad óptica tan altos como Q o
ωo ∕ κ 1.1 × 10 5 ( κ tan bajo como 2 π × 1,8 GHz).
Los dispositivos están optimizados para acoplar el modo óptico a un modo mecánico
con una frecuencia de resonancia de Ω metro 2 π ×
2.9 GHz, poner los dispositivos en el régimen de banda lateral resuelta, y una tasa de

acoplamiento optomecánico de sol 0 0 2 π × 400 kHz es


logrado. El dispositivo puede ser conducido a " láser mecánico "
[ 23 ] a temperatura ambiente, lo que implica una cooperatividad de múltiples fotones C> 1, con
potencia de entrada tan baja como 20 μ W. Además de la absorción inducida
Figura 1. Diseño optimizado del dispositivo obtenido a partir de simulaciones de elementos finitos. (a)
optomecánicamente inducida (OMIA), observamos la transparencia inducida
Dimensiones de agujeros elípticos y celda unitaria. (b) Campo eléctrico
optomecánicamente (OMIT) [ 24 , 25 ] a temperatura ambiente. Esto es posible solo porque el y- componente. El contorno superpuesto de la estructura del dispositivo está etiquetado con las
desplazamiento termoóptico en la resonancia óptica es lo suficientemente pequeño como dimensiones optimizadas en las simulaciones de elementos finitos. (c) Perfil de desplazamiento del
para permitir la desintonización roja del láser de control con respecto a la resonancia de la modo de respiración mecánica a 2,84 GHz. (d) Tensión principal para el modo de respiración. (e)

cavidad en el orden de Ω metro. Magnitud del campo eléctrico. (si) - ( e) son todos para un avión que pasa por el centro del PhCC, y las
escalas de color están normalizadas.

2. MÉTODOS
con las regiones de alto campo eléctrico [compárense las Figs. 1 (d)
Un diseño
y 1 (e) ]
El PhCC consiste en un haz independiente de GaP modelado con agujeros elípticos.
Los radios de los agujeros aumentan cuadráticamente con el número de agujeros desde B. Fabricación
el centro del dispositivo hacia afuera, seguido de un conjunto de agujeros idénticos, Para fabricar los PhCC, nos basamos en nuestro método previamente publicado para realizar
como se ilustra en la Fig. 1 (a) . De esta manera, se logra una adaptación gradual del dispositivos integrados GaP-on-insulator (GaPoI) [ 21 ], con algunas modificaciones. Los
modo entre el centro de la cavidad y la parte exterior de la estructura del espejo Bragg. detalles se dan en Suplemento 1 . Brevemente, un epitaxial Brecha ∕ Alabama X Georgia 1 - X PAGS ∕ Brecha
Para lograr un diseño que admita modos ópticos y mecánicos colocalizados con una la heteroestructura es cultivada por metal - deposición de vapor químico orgánico en una oblea
alta tasa de acoplamiento optomecánico, simulaciones numéricas con el solucionador GaP orientada [100], que posteriormente se une a una oblea de silicio oxidado. La oblea de
de elementos finitos COMSOL Multiphysics [ 26 ] fueron realizados. El algoritmo crecimiento GaP original se diluye primero mediante lapeado y luego se graba en seco con SiCl
COBLYA [ 27 ], que forma parte del paquete NLOPT [ 28 ], se empleó variando las 44 y SF 6 6 en un proceso que elimina selectivamente GaP en presencia de Alabama X Georgia 1 - X PAGS
dimensiones del PhCC indicadas en la Fig. 1 (b) para un espesor de capa GaP de 300 [ 32 ] los
nm y maximizar la aptitud, definida como F

Alabama X Georgia 1 - X PAGS La capa de detención de ataque se elimina selectivamente con HCl
sol 0 0 · Q o ( con concentrado, produciendo el sustrato GaPoI deseado. Los PhCC, que están orientados a lo
Q o limitado a 1,5 × 10 6 6 para evitar valores irrealizablemente altos) [ 29 ] Ambos límites largo de la dirección del cristal [110], así como las guías de onda y los acopladores de rejilla a
móviles [ 30 ] y fotoelástico [ 31 ] se consideraron contribuciones a la tasa de acoplamiento los que están conectados, están diseñados en la capa del dispositivo GaP a través de la
optomecánico, donde el eje largo del PhCC está orientado en la dirección del cristal [110] litografía de haz electrónico y una técnica de grabado en seco a base de cloro que tiene
(ver Suplemento 1 para detalles). La estructura optimizada resultante (radios de elipse r una optimizado para precisión geométrica y dimensional. Los PhCC se liberan para formar
y r si y tamaño de celda unitaria una mostrado en la Fig. 1 (a) y estructuras independientes en un paso final mediante grabado húmedo con ácido fluorhídrico
tamponado para eliminar ∼ 1.1 μ metro del subyacente
w 542 nm) tiene un factor de calidad óptica Q o> 1.4 × 10 6 6 y un volumen de modo de 0.0971 λ vacaciones

∕ norte 3 a λ vacaciones 1493 nm. los SiO 2, durante el cual las guías de ondas de conexión y los acopladores de rejilla están
modo de respiración mecánica, para el cual el perfil de desplazamiento se muestra en la Fig. 1 protegidos por fotorresistencia.

(c) , se calcula que tiene una frecuencia de Ω metro Una imagen de microscopio electrónico de barrido (SEM) de un PhCC fabricado de este
2 π × 2,84 GHz, una masa efectiva de metro ef 8.6 × 10 - 13 sol, y modo se muestra en la Fig. 2 . Los dispositivos presentan paredes laterales lisas, casi
una tasa de acoplamiento optomecánico de sol 0 0 2 π × 760 kHz. los verticales, como se desprende de una imagen de sección transversal preparada mediante
contribución fotoelástica sol Educación física 2 π × 725 kHz) domina el fresado con haz de iones enfocado [Fig. 2 (c) ] La reproducción fiel del diseño simulado es
contribución límite móvil del mismo signo ( sol megabyte 2π× esencial, ya que el factor de calidad óptica disminuye en un 70% si los radios de los agujeros
35 kHz) porque el perfil de deformación inducido por el movimiento se superpone bien son demasiado grandes en un 10% (ver Suplemento 1 )
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filtro (BPF, JDS Uniphase TB3) y enviado a un receptor óptico que consiste en un
fotodiodo rápido con un amplificador de transimpedancia incorporado (JDS
Uniphase MAP Receiver RX10). La fotocorriente transducida del fotodiodo se
evalúa con un analizador de espectro eléctrico (HP8563A). Para las mediciones de
absorción y transparencia inducidas optomecánicamente, la salida del láser se
modula en fase con un modulador electroóptico (EOM, Thorlabs 10 GHz LN65S-FC)
antes de ingresar al dispositivo. Un generador de frecuencia (HP 8341A
Synthesized Sweeper 0.01 - 20 GHz) entrega la señal de entrada de radiofrecuencia
para el EOM, y un analizador de red vectorial (VNA) (HP8510B) monitorea la
respuesta dependiente de la frecuencia del dispositivo.

Figura 2. Imágenes SEM de un GaP PhCC unidimensional. (a) Dispositivo independiente con
ancho y altura de 542 nm y 300 nm, respectivamente. (b) Aumento de la parte central del PhCC 3. RESULTADOS
que muestra paredes laterales lisas y rectas. (c) Sección transversal del dispositivo antes de la
A. Transmisión óptica
liberación, preparada por fresado con haz de iones enfocados. La coloración falsa indica
diferentes materiales. Al ajustar una función lorentziana al espectro de transmisión de un PhCC, obtenemos

el factor de calidad óptica Q o ω o ∕ κ, dónde ω o


es la frecuencia de resonancia óptica y κ el ancho de línea lorentziano. El factor de

calidad más alto medido, Q o 111000 2000, es

C. Caracterización para un dispositivo con 12 agujeros en cada lado [Fig. 4 (a) ] y está cerca del factor de
calidad intrínseco Q yo, como es evidente en la Fig. 4 (b) . Con un número creciente de
El aparato utilizado para caracterizar las propiedades ópticas y mecánicas de nuestros
agujeros, la tasa de acoplamiento a las guías de onda adjuntas disminuye, el factor de
PhCC se muestra en la Fig. 3 . Para facilitar la interrogación, los PhCC están conectados
calidad externo Q mi se hace más grande que Q yo , y el factor de calidad medido Q o
a guías de onda terminadas con acopladores de rejilla diseñados con un ángulo de 1 1 -1
Qi
acoplamiento nominal de 10 ° desde la vertical [ 21 ] La luz infrarroja de onda continua de Qe

enfoques Q yo .
un láser de cavidad externa sintonizable (Photonetics Tunics-Plus) se dirige a través de
una fibra óptica monomodo escindida al acoplador de rejilla de entrada. Los
controladores de polarización de fibra (FPC) alinean la polarización de la luz con la
orientación de diseño TE del dispositivo. La luz transmitida a través del dispositivo se
recoge con una segunda fibra monomodo colocada sobre el acoplador de rejilla de salida.
Una parte de la luz recogida se divide con un divisor de haz de fibra (FBS) en un medidor
de potencia (EXFO IQ 1600) para controlar el nivel de potencia. Para las mediciones del
espectro de radiofrecuencia termomecánica, la luz transmitida se amplifica con un
amplificador de fibra dopada con erbio (EDFA, JDS Uniphase MAP Amplifier) ​seguido de
un paso de banda

Fig.4. Análisis de medidas de transmisión óptica. (a) Espectro de un PhCC con el factor
de calidad óptica más alto medido Q o 1.11
0,02 × 10 5. ( b) Dependencia de Q o en la cantidad de agujeros a cada lado del PhCC. La curva verde
es una guía para el ojo. (c) Espectros de transmisión de un dispositivo con 11 agujeros en cada lado
para potencias de entrada que van desde 0.079 μ W a 7.7 μ W. (d) Aumento del factor de calidad
Fig. 3. Esquema del aparato de medición. Las líneas discontinuas indican equipo opcional óptica con la potencia de entrada. (e) Dependencia de la frecuencia de resonancia de la potencia

utilizado para ciertas mediciones. En la imagen del microscopio óptico, la franja rosa es disipada PAGS re. La línea roja es un ajuste lineal a los datos de potencia disipada.

donde ∼ 1.1 μ metro del subyacente SiO 2


la capa se ha eliminado mediante grabado húmedo para liberar los PhCC. ≥ 0,55 μ W.
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La dependencia de potencia típica del espectro de transmisión de un PhCC se muestra valor. Para el dispositivo GaP examinado aquí, esto corresponde a menos de 1000 fotones
en la Fig. 4 (c) , en este caso para un dispositivo con 11 agujeros en cada lado. Con el intracavitarios, muy por debajo del nivel utilizado en muchos experimentos de optomecánica.
aumento del número de fotones intracavitarios, la resonancia óptica cambia a una frecuencia También observamos que el mismo comportamiento general que se muestra en las Figs. 4 (c) -
más baja [Fig. 4 (e) ] debido a los efectos termoópticos y Kerr, donde el primero probablemente 4 (e) se observó para varios dispositivos. La medición en una atmósfera de nitrógeno no tuvo
domina [ 33 ] Para muchos experimentos en optomecánica, es deseable reducir este cambio efecto.
tanto como sea posible, ya que puede restringir severamente la capacidad de controlar de
C. Fluctuaciones termomecánicas
forma independiente la desafinación del láser con respecto a la resonancia de la cavidad para
altos niveles de energía intracavidad. El calentamiento debido a la absorción también limita la El movimiento térmico del GaP PhCC conduce a la modulación de fase de la luz
temperatura más baja posible en los experimentos criogénicos. Una gráfica de los factores de transmitida. El espectro de radiofrecuencia termomecánico resultante se obtiene mediante
calidad. el monitoreo de las fluctuaciones de potencia de un campo de sonda desafinado utilizando
un fotorreceptor rápido y un analizador de espectro eléctrico. Un ejemplo se muestra en la
Q o [ Higo. 4 (d) ] obtenido de los espectros dependientes de potencia en la Fig. 4 (c) revela un Fig. 5 5
aumento con la potencia de entrada, lo que implica una disminución en las pérdidas ópticas para un dispositivo con 10 agujeros en cada lado. Cada modo mecánico del PhCC
internas. Se observan dos regímenes generales, uno en las potencias más bajas donde Q o cambia produce un pico en forma de Lorentz, cuya amplitud es proporcional a la tasa de
rápidamente con el aumento de poder, y un segundo en el que Q o aumenta gradualmente y acoplamiento optomecánico al vacío. sol 0 0 para ese modo El modo de respiración para
eventualmente mesetas. Un aumento similar en el factor de calidad con la potencia de el que se optimizó el diseño del dispositivo se encuentra a 2.902 GHz. Se observa otro
entrada se informó anteriormente para los microdiscos GaP y se atribuyó a la presencia de modo fuertemente acoplado a 130 MHz y se asigna en base a las simulaciones
absorbedores saturables [ 19 ] Para la absorción de dos fotones, como ocurre con el silicio [ 34 numéricas a un modo de acordeón, en el que el nanohaz se estira longitudinalmente
], lo contrario, es decir, una disminución en Q o con creciente poder, se espera. de modo que todos los agujeros se desplazan simétricamente con respecto al centro
del dispositivo (ver el imágenes codificadas por color en la Fig. 5 5 )

B. Comportamiento termoóptico

Para obtener una medida más cuantitativa del efecto termoóptico, analizamos la
D. Tasa de acoplamiento optomecánico al vacío

dependencia de la frecuencia de resonancia óptica de la potencia disipada en la Para cuantificar la tasa de acoplamiento optomecánico al vacío sol 0, Se realizan dos
cavidad. PAGS re κ yo U cav [ Higo. 4 (e) ] mediciones independientes. En el primero, comparamos la densidad espectral de
[ 35 , 36 ], cuya derivada definimos como susceptibilidad térmica χ th potencia resultante de la fluctuación de frecuencia de la cavidad termomecánica con
re ω 0 0

Aquí, κ yo es la tasa de pérdida intrínseca de la cavidad y


dP d.
la producida por
U cav Es la energía intracavitaria. Estamos interesados ​en la fracción ζ
de la tasa de pérdida intrínseca que proviene de la absorción y conduce a un aumento de la

temperatura del dispositivo, a saber, κ abdominales ζκ yo .


Asumiendo el cambio de frecuencia δω o se debe completamente a los efectos termoópticos,

podemos escribir δω o β ω o Δ T dónde β ω o es una frecuencia


coeficiente dependiente que incorpora tanto el efecto termorrefractivo como la
expansión térmica, y Δ T Es el aumento de la temperatura local. El poder absorbido, PAGS
abdominales
κ abdominales U cav, también es el calor
fluir a través del dispositivo, y así Δ TR th PAGS abdominales, dónde R th Es la resistencia térmica de

la estructura. La combinación de estas ecuaciones da κ abdominales


κ yo χ th ∕ β ω o R th .
Tomando un ajuste lineal de la porción de mayor potencia de la gráfica de
Fig.5. Espectro de radiofrecuencia termomecánica de un dispositivo con 10 agujeros en cada lado. Los
desplazamiento de frecuencia versus potencia disipada en la cavidad [ver Fig. 4 (e) ], nosotros dos modos dominantes son el modo de acordeón a 130 MHz y el modo de respiración a 2.902 GHz.

estimamos χ th - 2 π × 0,76 THz ∕ mW para este par- Los perfiles de desplazamiento simulados con una escala de color normalizada se muestran para cada
dispositivo ticular, cuya magnitud consideramos un límite superior, dado que el factor de modo. En el recuadro se proporciona una vista ampliada de la resonancia del modo de respiración.

calidad aún no se ha estancado en estos niveles de potencia. Nosotros determinamos β ω o


- 0.00683 THz ∕ K directamente por
medir la frecuencia de resonancia óptica en función de la temperatura de la muestra (ver Suplemento
1 ) A diferencia de, R th no se determina fácilmente experimentalmente, pero a partir de
simulaciones de elementos finitos, estimamos un valor de 1,93 × 10 3 K ∕ mW ( ver Suplemento 1 )
Entonces tenemos κ abdominales ≈ 2 π × 0.12 GHz. Para dispositivos comparables hechos de silicio
[ 37 ], encontramos κ abdominales ≈ 2 π × 0,60 GHz y κ abdominales ≈ 2 π ×

0,84 GHz. Concluimos que κ abdominales es al menos un factor de 5 más pequeño en los GaP
PhCC para niveles de potencia en los que el factor de calidad óptica ya no cambia. El
cambio de frecuencia termoóptico
δω β ω o R th κ abdominales U cav esperado para una energía intracavitaria dada
U cav también debe ser al menos un factor de 5 más pequeño en el GaP PhCC, ya que
ambos R th y β ω o son casi iguales para los dispositivos GaP y Si considerados aquí. (Ver Suplemento
1 para detalles.) Fig.6. Densidad espectral de potencia de la resonancia mecánica cerca
Las conclusiones anteriores se mantienen cuando el poder circulante en la cavidad es 2,9 GHz (pico izquierdo) y el tono de calibración (pico derecho) utilizado para la determinación de la
suficiente para que el factor de calidad haya alcanzado un nivel estable tasa de acoplamiento optomecánico de vacío sol 0.
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un tono de calibración [ 38 ] (ver Fig. 6 6 ) Generamos el tono de calibración Creemos que en nuestro experimento, la medición del tono de calibración
modulando en fase la luz láser que ingresa a la cavidad a una frecuencia cercana a proporciona un valor más confiable para sol 0 0 que el valor de la técnica OMIA porque
la de la resonancia mecánica y con una profundidad de modulación conocida. La no requiere el conocimiento del número de fotones intracavitarios. El número de

comparación del área debajo del pico termomecánico con la del pico de calibración fotones intracavitarios es difícil de estimar con precisión en nuestro experimento

da sol 0 0 debido al conocimiento imperfecto de la transmitancia de los acopladores de rejilla de


2 π × 370 40 kHz. Los detalles se proporcionan en Suplemento 1 . El segundo método explota entrada y salida. El valor medido de sol 0 0 difiere del valor simulado en
OMIA [ 24 , 25 ] En este caso, la luz láser se modula débilmente en fase antes de ingresar a aproximadamente un factor de dos. Esto puede deberse a imprecisiones de
la cavidad, lo que resulta en un fuerte campo de control a la frecuencia del láser ω C con fabricación o a una estimación incorrecta de los coeficientes fotoelásticos. Ambas
bandas laterales débiles que sirven como campos de sondeo a frecuencia ω pags. causas potenciales de error se tratan en

La interferencia constructiva de la luz modulada mecánicamente en la cavidad con el campo Suplemento 1 .


de la sonda en la desintonización de frecuencia coincidente da como resultado la ventana de
E. Transparencia inducida optomecánicamente
transmisión mejorada conocida como OMIA. Para maximizar el pico OMIA, el campo de
control se desintoniza en azul desde la resonancia de la cavidad por la frecuencia de OMIT es análogo a OMIA, solo el láser está desafinado en rojo con respecto a la cavidad,

resonancia mecánica, es decir, Δ jefe - Ω metro, tal que la sonda y


es decir Δ jefe ωo- ωC Ω metro. La desafinación de control de la sonda Δ ordenador personal los campos de control interfieren destructivamente con la luz láser modulada mecánicamente

ω pags - ω C se varía cambiando la frecuencia de la unidad del modulador de fase, [ 24 , 25 ] Esto conduce a una disminución de la transmisión en

que es proporcionada por el puerto de salida de un VNA. La transmisión resultante Δ ordenador personal
Ω m [ Las figs. 7 (c) y 7 (d) ] Para llevar a cabo esta medición, la potencia de entrada

se evalúa enrutando la salida del fotorreceptor al puerto de respuesta del VNA y debe establecerse lo suficientemente baja como para que el desplazamiento termoóptico sea

realizando un S 21 medición. Un barrido grueso de la frecuencia de modulación pequeño y el desafinamiento rojo cercano Δ jefe - Ω metro

sobre 10 GHz mapea la resonancia óptica del PhCC, como se muestra en la Fig. 7 es estable. Esto a menudo es difícil a temperatura ambiente con los PhCC de silicio debido a

(a) para el mismo dispositivo utilizado para la medición del tono de calibración la pronunciada biestabilidad termoóptica, pero es posible siempre que el dispositivo esté bien

anterior. Un barrido más fino alrededor del máximo de j S 21 j señal [Fig. 7 (b) ] revela dentro del régimen de banda lateral resuelta [ 24 ] Sin embargo, OMIT se observa más

el pico OMIA en Ω metro 2 π × 2.902 GHz. De un ajuste del perfil de transmisión fácilmente a temperatura ambiente con PhCCs hechos de diamante [ 9 9 ] y Si 3 norte 4 [ 7 7 ],

esperado (ver Suplemento 1 para más detalles), inferimos sol que, como GaP, tienen una banda ancha electrónica amplia y, por lo tanto, una absorción
débil de dos fotones. El diamante tiene la ventaja adicional de una alta conductividad térmica,
que mitiga aún más el calentamiento [ 42 ] Observamos OMIT en un dispositivo con un factor
pags · sol 0 [ 39 , 40 ] Con el conocimiento de la potencia óptica que entra y sale de los
ffiffiffiffiffiffiffi
norte cav de calidad óptica degradado (posiblemente debido a la fotodegradación) que ya no estaba en
acopladores de la rejilla, las pérdidas promedio del acoplador de la rejilla y la desintonización el régimen de banda lateral resuelta [Figs. 7 (c) y 7 (d) ] En consecuencia, la caída OMIT
de la cavidad láser Δ oc, el número de fotones intracavitarios norte cav puede estimarse [ 41 ] Para medida es poco profunda en comparación con la magnitud del pico OMIA en la Fig. 7 (b) debido

la medida mostrada en las Figs. 7 (a) y 7 (b) , norte cav a la necesidad de usar una potencia de entrada láser más baja y operar a j Δ jefe j> Ω metro para

2100 700 Promedio sobre varios asegurar una desafinación estable.

mediciones con diferentes desafinamientos Δ jefe da sol 0 0 2π×


680 320 kHz de acuerdo con el resultado obtenido en el experimento del tono de
calibración, aunque con mayor incertidumbre.

F. Backaction dinámico

Si el PhCC se expulsa de la resonancia, la presión de radiación da lugar al


endurecimiento (o ablandamiento) y la amortiguación (o amplificación) de sus modos
mecánicos [ 43 ] Medimos estos efectos solo para la desafinación azul del láser, ya que
solo en el lado azul de la resonancia óptica podríamos variar la desafinación
continuamente sin competir con la biestabilidad termoóptica. El cambio de frecuencia
esperado δ Ω metro y cambio en el ancho de línea Γ optar inducidos por el campo de luz son [ 43
]

Δ jefe - Ω metro Δ jefe Ω metro


δ Ω metro sol 20 norte cav
κ 2 ∕ 4 4 Δ jefe - Ω metro 2 κ 2 ∕ 4 4 Δ jefe Ω metro 2 ,

(1)

κ κ 2 ∕ 4 4 Δ jefe Ω metro 2 - κ κ 2 ∕ 4 4 Δ jefe - Ω metro 2:


Γ optar sol 20 norte cav

(2)
Fig.7. Rastros de VNA medidos (puntos azules) con ajustes al modelo (curvas rojas). (a), (b)
Determinamos la frecuencia de resonancia mecánica efectiva resultante Ω ef
Medición de OMIA con la frecuencia de control del láser desafinada en azul desde la resonancia
Ω metro δ Ω optar y ancho de línea mecánico efectivo
óptica. (c), (d) Medición de OMIT con la frecuencia de control del láser desintonizada en rojo
desde la resonancia óptica. El pico OMIA y la caída OMIT en (b) y (d), respectivamente, no son
Γ ef Γ metro Γ opt ( Γ metro es el ancho de línea mecánico intrínseco) del espectro de
evidentes en los espectros de banda ancha (a) y (c) debido al número limitado de puntos de radiofrecuencia termomecánico al variar la desafinación de la cavidad láser Δ oc. Debido
datos. al desplazamiento termoóptico de la resonancia óptica, no es sencillo determinar
Δ jefe
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temperatura y presión atmosférica. La cooperatividad de un solo fotón para este


4 4 sol 20

dispositivo es C 0 0 6 6 × 10 - 5)
κ Γ metro

Si la desafinación Δ jefe se mantiene constante y, en cambio, el número de fotones


intracavitarios varía, la frecuencia mecánica y el ancho de línea cambian linealmente con norte
cav, que se muestra en las Figs. 8 (c) y 8 (d) . La desafinación constante se obtuvo ajustando Δ
jefe para maximizar la altura del pico OMIA. Como esto implica una desintonización de

Δ jefe Ω metro, esperamos que el efecto de resorte óptico sea insignificante [ 22 ] Las
intersecciones de los ajustes lineales con el ancho de línea mecánico y la frecuencia
mecánica dan una tasa intrínseca de decaimiento mecánico de Γ metro 2 π × 3.13 0.06 MHz y
una frecuencia mecánica intrínseca Ω metro 2 π × 2,90 0,03 GHz, respectivamente, de acuerdo
con los valores obtenidos de las mediciones dependientes de la desafinación.

Con el aumento de la potencia de entrada, el ancho de línea de la resonancia


mecánica finalmente se reduce drásticamente [ver Fig. 8 (e) ], señalando el inicio del láser
mecánico (oscilaciones autosostenidas, correspondientes a Γ optar
- Γ m) [ 45 - 47 ] Para esta medida, el
desafinación Δ jefe se ajusta gradualmente para maximizar la amplitud de la señal de
radiofrecuencia termomecánica a medida que aumenta la potencia de entrada, lo que nos
permite encontrar el umbral mínimo. La transición al régimen de láser mecánico ocurre por
debajo de 47 μ W para el dispositivo particular utilizado para las mediciones en la Fig. 8 . El
umbral de potencia de entrada más bajo observado para el láser mecánico fue 20 μ W para
un dispositivo con 10 agujeros en cada lado. El logro del láser mecánico indica que

Fig.8. Reacción de presión de radiación dinámica. (a), (b) rigidez óptica y amortiguación nuestro sistema alcanza una cooperatividad mejorada con fotones C n cav

dependientes de la afinación (los puntos azules son datos medidos; las curvas rojas son la 4 4 sol 20

predicción del modelo, donde el área sombreada indica incertidumbre en sol 0 0 de κ Γ> 1 [ 22 ] Este es un importante
2 π × 20 kHz). ( c), (d) Depende de la potencia umbral: la transducción entre la luz y la mecánica es más rápida que la tasa de
rigidez y amortiguación óptica (los puntos azules son datos medidos; las líneas rojas son la decoherencia mecánica [ 43 ], que es un requisito previo para los protocolos de
predicción del modelo). (e) Reducción dramática del ancho de línea de la resonancia mecánica al transferencia de estado cuántico. Además, la observación de oscilaciones
aumentar la potencia de entrada, donde el recuadro muestra la densidad espectral de potencia autosostenidas implica que, para una desafinación roja equivalente, la temperatura del
máxima de los espectros individuales. (f) Señal de transmisión resuelta en el tiempo para 77 μ Potencia modo mecánico puede reducirse al menos en un factor de dos [ 48 ]
de entrada W que oscila a una frecuencia de 2.91 GHz, es decir, frecuencia de resonancia
mecánica. La forma no sinusoidal se debe a que la retroacción optomecánica se vuelve no lineal.
Curiosamente, el fondo del espectro termomecánico cae en la transición al
La señal es efectivamente filtrada en paso bajo a esta frecuencia por el ancho de banda de 10 GHz
láser mecánico. La causa de este comportamiento se hace evidente cuando la
del fotodiodo. (g) Espectro de radiofrecuencia que muestra la resonancia mecánica fundamental y
potencia transmitida se examina en el dominio del tiempo con un osciloscopio de
su primer armónico.
alta velocidad (Tektronix CSA 8000). La amplitud cambia de un valor casi
constante a una señal que oscila fuertemente a la frecuencia mecánica [ver Fig. 8
(f) ] La forma no sinusoidal es característica de las oscilaciones de ciclo límite y
ocurre cuando la magnitud del cambio de frecuencia de la cavidad es mayor que κ
para una frecuencia láser dada ω C. Utilizamos los espectros OMIA y la potencia [ 47 , 49 ] La no linealidad también es evidente en el espectro termomecánico de
transmitida como dos medidas independientes a partir de las cuales inferir la radiofrecuencia [ver Fig. 8 (g) ] como armónicos del modo mecánico (limitado al

desintonización (ver Suplemento 1 para mas detalles). Calculamos δ Ω metro y Γ optar del cuarto orden por el ancho de banda del fotodiodo).

promedio de los dos valores así determinados. Los resultados, que demuestran la
presencia tanto del efecto de resorte óptico como de la amplificación paramétrica, se
muestran en las Figs. 8 (a) y 8 (b) . Las curvas rojas muestran la acción de retroceso
esperada según las ecuaciones. ( 1 ) y ( 2 ) con sol 0 0
4. CONCLUSIÓN
2π× El trabajo presentado aquí es la primera investigación de la opto-mecánica de la cavidad
400 kHz tomado de la medición del tono de calibración (Sección 3.D ) y κ con PhCC hechos de GaP. Hemos desarrollado y fabricado un diseño PhCC que permite
2 π × 3.15 GHz tomado de la óptica el acoplamiento resuelto en banda lateral de un modo óptico a un modo mecánico
Perfil de transmisión. Para este experimento en particular, el número de fotones
estacionario con una frecuencia de 2.902 GHz. Los dispositivos fabricados exhibieron
intracavitarios se estimó a partir de la potencia medida que dejaba la cavidad norte cav factores de calidad ópticos tan altos como Q o
10, 000 3300 en resonancia y 1.1 × 10 5) El alto vacío
se supone que tiene una distribución lorentziana con desafinación correspondiente a la tasa de acoplamiento optomecánico de sol 0 0 2 π × 400 kHz da lugar a
resonancia óptica. El modelo produce un ancho de línea mecánico intrínseco de Γ metro 2 π fenómenos como OMIA, el efecto de resorte óptico y la amplificación
× 3,12 MHz y una frecuencia mecánica intrínseca de Ω metro 2 π × 2.9023 GHz. El factor de paramétrica, que hemos caracterizado y comparado con los modelos
calidad mecánica correspondiente Q metro ≈ 930 es similar a la de los PhCC teóricos. La amplificación eficiente del modo mecánico por la bomba óptica
unidimensionales hechos de otros materiales cristalinos (por ejemplo, Si [ 5 5 , 44 ], se manifestó en forma de láser mecánico con un umbral de potencia de
diamante [ 9 9 ] y GaAs [ 8 ]) operado en la habitación entrada tan bajo como
∼ 20 μ W. El láser mecánico implica una cooperatividad multiphoton
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C> 1, que es un prerrequisito para la transducción cuántica y el enfriamiento eficiente. 6. TPM Alegre, A. Safavi-Naeini, M. Winger y O. Painter, " Cuasi-
cristales optomecánicos bidimensionales con una banda fónica completa, " Optar. Rápido 19, 5658
También pudimos observar OMIT a temperatura ambiente incluso para un dispositivo que
- 5669 (2011) .
no está en el régimen de banda lateral resuelta debido a la débil biestabilidad termoóptica
7. M. Davanço, S. Ates, Y. Liu y K. Srinivasan, " Si 3 norte 4 4 optomecánico
en comparación con la de dispositivos comparables hechos de silicio. Al medir la cristales en el régimen de banda lateral resuelta, " Appl. Phys. Letón. 104, 041101 (2014) .

dependencia de la potencia del cambio de frecuencia del modo óptico, demostramos


8. KC Balram, M. Davanço, JY Lim, JD Song y K. Srinivasan,
además que el ancho de banda electrónico amplio de GaP reduce la absorción de dos
" Límite móvil y acoplamiento fotoelástico en resonadores optomecánicos de GaAs, " Optica 1, 414
fotones en las longitudes de onda de telecomunicación típicas. Por lo tanto, confirmamos
- 420 (2014) .
que GaP es ventajoso para aplicaciones que requieren altos números de fotones 9. MJ Burek, JD Cohen, SM Meenehan, N. El-Sawah, C. Chia,
intracavitarios mientras se mantiene una frecuencia de resonancia óptica estable. T. Ruelle, S. Meesala, J. Rochman, HA Atikian, M. Markham, DJ Twitchen, MD Lukin, O.
Painter y M. Lon C Arkansas, " Cristales optomecánicos de diamante, " Optica 3, 1404 - 1411
(2016) .
10. E. Hecht, Óptica, 4ta ed. (Addison Wesley, 2016).
Una pregunta que no se pudo resolver completamente dentro del alcance de este
11. C. Kittel, Introducción a la física del estado sólido, 8a ed. (Wiley, 1986).
trabajo es la aparente existencia de absorbedores saturables en el GaP, lo que conduce a 12. H. Yamashita, K. Fukui, S. Misawa y S. Yoshida, " Propiedades ópticas
un aumento inicial en el factor de calidad óptica con una potencia creciente. Además, la de películas delgadas epitaxiales de AlN en la región ultravioleta al vacío, " J. Appl. Phys.
50, 896 - 898 (1979) .
degradación gradual de las propiedades del dispositivo óptico con el tiempo aún no se
13. J. Kischkat, S. Peters, B. Gruska, M. Semtsiv, M. Chashnikova, M. Klinkmüller, O. Fedosenko, S.
comprende completamente. Tenemos alguna indicación de otro trabajo sobre resonadores
Machulik, A. Aleksandrova, G. Monastyrskyi, Y. Flores y W. Ted Masselink, " Propiedades
de anillo [ 33 ] que una capa protectora, como unos pocos nanómetros de Alabama 2 O 3, puede ópticas del infrarrojo medio de películas delgadas de óxido de aluminio, dióxido de titanio,
afectar el deterioro, sugiriendo algún tipo de fotooxidación como la causa subyacente. Las dióxido de silicio, nitruro de aluminio y nitruro de silicio. " Appl. Optar. 51, 6789 (2012) .

respuestas a ambas preguntas requieren un estudio más extenso. Además, las propiedades
14. HR Philip y EA Taft, " Análisis de Kramers-Kronig de datos de reflectancia
anisotrópicas elásticas y fotoelásticas de GaP justifican una mayor investigación. Los
para diamante, " Phys. Rdo. 136, A1445 - A1448 (1964) .
experimentos que varían la orientación en el plano del PhCC con respecto a la red cristalina
15. SM Sze y KN Kwok, Física de dispositivos semiconductores ( Wiley
GaP podrían proporcionar información valiosa sobre las posibilidades para optimizar sol 0 [ 8 ] 2006).
16. K. Luke, Y. Okawachi, MRE Lamont, AL Gaeta y M. Lipson,
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centro-simétrica de GaP abre la puerta para la potencial actuación piezoeléctrica. En 18. K. Schneider, P. Welter, S. Hönl, H. Hahn, L. Czornomaz, Y. Baumgartner y PF Seidler, " Optomecánica

conjunto con su baja absorción de dos fotones y su gran índice de refracción, que con cavidades de cristal fotónico de fosfuro de galio unidimensionales, " Proc. SPIE 10359,

permiten un fuerte confinamiento de la luz con un calentamiento reducido a altas


103590K (2017) .
potencias ópticas, el material es un buen candidato para la transducción de microondas a
19. M. Mitchell, AC Hryciw y PE Barclay, " Optomecánica de cavidad en
óptica a través de un mecanismo mecánico intermedio. modo [ 2 , 50 ] microdiscos de fosfuro de galio, " Appl. Phys. Letón. 104, 141104 (2014) .
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