FACULTAD DE CIENCIAS BÁSICAS. FÍSICA III. 1 P – 2019.

TALLER LASER

1. Explique en qué consiste la emisión estimulada de la

radiación.
INTERACCIÓN ÁTOMO-CUANTO
Ahora enunciaremos los procesos básicos de interacción entre la materia y la
radiación electromagnética que en su más pequeña escala se reducen a los
procesos de interacción entre átomos y cuantos de energía de radiación
electromagnética.
Supondremos un sistema atómico elemental con dos niveles de energía E1 y E2
en el cual el primer nivel corresponde a un electrón en su órbita inferior y el
segundo nivel corresponde a un electrón en su órbita superior. En el primer caso
diremos que el átomo se encuentra en su estado base y en el segundo caso en su
estado excitado. Como vimos en la sección anterior, este sistema atómico sólo
podrá interaccionar con cuantos que tengan una energía E igual a la diferencia de
energía E = E2 - E1. Por lo tanto, la frecuencia v asociada a dichos cuantos de
energía es
E2−E1
f=
h
Absorción:
El primer proceso de interacción
átomo-fotón que veremos es el
proceso de absorción, que se muestra
esquemáticamente en la figura.
Consiste en la interacción entre un
fotón y un átomo que inicialmente se
encuentra en su estado base. El
resultado de esta interacción es que el
átomo "absorbe" al fotón y usa su energía para pasar a su estado excitado.
 
Emisión Estimulada
Finalmente, el otro proceso importante de
interacción átomo-fotón es el proceso
de emisión estimulada. Su existencia fue
propuesta por Albert Einstein en 1917 y es el
proceso fundamental gracias al cual existe el
láser. La figura I.6 muestra esquemáticamente
tal proceso. En él tenemos la interacción entre un fotón y un átomo que
inicialmente se encuentra en su estado excitado. Como resultado de esta
interacción el átomo pasa a su estado base emitiendo en el proceso un fotón que
tiene las mismas características de dirección y de fase que el fotón inicial. Por lo
tanto, decimos que la radiación
electromagnética que resulta es coherente. 
Emisión Espontánea
El siguiente proceso importante de
interacción átomo- fotón es el proceso
de emisión espontánea, el cual se muestra
esquemáticamente en la figura I.5. Ahora
tenemos un átomo ya excitado inicialmente,
que en forma espontánea (y generalmente
en un tiempo breve, del orden de 10-8 segundos) pasa a su estado base
emitiendo en el proceso un fotón con energía igual a la diferencia de energía entre
los dos estados. El fotón se emite en una dirección totalmente aleatoria.
inversión de población
La inversión de población es el “principio vital” de los láseres, y se consigue
mediante el bombeo adecuado de ciertos materiales con niveles de energía
electrónicos metaestables, es decir, con niveles de energía en los cuales los
electrones tardan un tiempo relativamente largo en desexcitarse por emisión
espontánea, lo cual favorece precisamente la acumulación de electrones en el
estado de energía superior.

2. Explique a que se denomina estado metaestable.

Explique cómo aparecen estos estados en el LASER de
Rubí y en el de Helio – Neón.
Estructuras metaestables
La metastabilidad es la propiedad de un sistema de exhibir durante un
relativamente prolongado espacio de tiempo un estado de equilibrio débil o
ligeramente estable.
Bajo la acción de influencias externas, generalmente, dichos sistemas evolucionan
temporalmente hacia estados de mayor equilibrio o estabilidad que puede llegar a
ser muy fuerte o importante. 
Normalmente la metaestabilidad es debida a transformaciones de estado lentas.
Las transformaciones de estado rápidas o profundas pueden evolucionar hacia un
estado de menor equilibrio, hacia una inestabilización de todo el sistema que, de
carecer de una importante flexibilidad y capacidad de adaptación, puede llegar a la
perdida de cohesión y al colapso.  
La necesidad de la interfase para toda existencia, de una u otra forma, y fruto de la
imposibilidad de la no interacción, todas las estructuras tienen o sufren una
evolución y un cambio que determina o conlleva la incorporación de dicha
condición de metaestabilidad en la esencia de toda existencia. 
Láser Neodimio-
YAG (Rubi)
Como ejemplo de
un láser de estado
sólido, el de
Neodimio-YAG,
utiliza el ión
Nd3+ para dopar el
cristal anfitrión de
itrio-aluminio-
granate (YAG), para producir la geometría triplete que hace posible la inversión de
población. Los láseres neodimio-YAG, se han convertido en importantes láseres
debido a que se pueden usar para producir altas potencias. Se han construido
tales láseres, para producir potencias de alrededor de un kilovatio de láser
continuo a 1.065 nm, y pueden alcanzar potencias extremadamente altas en el
modo pulsado.
Los láseres de neodimio-YAG se utilizan en el modo de pulso en lopara la
investigacs osciladores láser, para la producción de una serie de pulsos muy
cortos ión, con unas resoluciones de tiempos de femtosegundos.

Láser de Helio-Neón
El láser más barato y común,
el láser de helio-neón se
fabrica normalmente para
operar en el rojo a 632,8 nm.
También se construyen para
producir la acción láser en el
verde a 534,5 nm., y en el
infrarrojo a 1523 nm.
Uno de los niveles excitados
del helio a 20,61 eV. está muy
cerca del nivel del neón a
20,66 eV., de hecho tan cerca,
que en las colisiones de los
átomos de helio y neón, se puede transferir la energía del átomo de helio al átomo
de neón.
Los láseres de helio-neón son comunes en los laboratorios de introducción a la
Física. ¡Su manipulación puede resultar peligrosa!. De acuerdo con Garmire, un
láser de HeNe desenfocado de 1 mW., tiene un brillo equivalente a los rayos del
sol en un dia despejado (0,1 vatio/cm2) y es igualmente peligroso mirarlo
directamente. El gas de helio en un tubo láser, proporciona el medio de bombeo
para conseguir la inversión de población necesaria para la acción láser.

4 ¿Qué significa el término amplificación de luz? Explique

su respuesta
ABSORCIÓN Y AMPLIFICACIÓN DE LUZ
En esta sección discutiremos cómo podemos describir la interacción de grandes
cantidades de fotones con átomos. Consideremos un flujo S de fotones
propagándose a lo largo de una cavidad cilíndrica de longitud L.
Supondremos
que dicha
cavidad
tiene N átomos
por unidad de
volumen de los
cuales una
cantidad N2 son
átomos que se
encuentran en su
estado excitado y N1 en su estado base, que se representan como puntos blancos
o negros, respectivamente. Esto es, el número total de átomos por unidad de
volumen N está dado por la suma de los que se encuentran en el estado
excitado N2 y aquellos que están en su estado base N1:
N = N1 + N2
Al propagarse el flujo S de fotones a través de la cavidad y entrar en interacción
con átomos que estén excitados, ocurrirá el proceso de emisión estimulada. Como
hemos visto en el capítulo anterior, este proceso traerá como consecuencia la
amplificación del flujo inicial de fotones S. Esto debido a que, como ya sabemos,
cada fotón del flujo incidente que interactúe con un átomo inicialmente excitado
puede dar lugar por medio del proceso de emisión estimulada a la emisión de un
segundo fotón, conjuntamente con la transición del átomo del estado excitado al
estado base o no excitado.
considerar simultáneamente los dos procesos el resultado final dependerá de la
cantidad de átomos que se encuentran en el estado excitado y en el base. Si estas
cantidades son iguales, tendremos entonces que en promedio la amplificación y la
absorción que sufre el pulso inicial son iguales, y por tanto el flujo final no será ni
mayor ni menor que el flujo de fotones inicialmente incidente. Esto es, si
N2 = N1
entonces el cambio neto del flujo de fotones por unidad de longitud es cero, es
decir, la cantidad de fotones que sale de la cavidad cilíndrica mostrada en la figura
II.1 es la misma que la que entró.
Por otra parte, si el número de átomos excitados N2 que hay en la cavidad es
menor que el número de átomos en su estado base N1, el resultado promedio total
será de una reducción del flujo inicial de fotones. Esto es, si
N2 < N1
Finalmente, si el número de átomos excitados N2 que hay en la cavidad es mayor
que el número de átomos en estado base N1, el resultado promedio total será de
un incremento al flujo inicial de fotones. Entonces, si 
N2 > N1
el flujo inicial de fotones será amplificado. Entonces el flujo de
fotones Si se incrementa a lo largo de su propagación por la cavidad cilíndrica.
Esto es, el flujo de electrones es amplificado por el medio.

5 ¿Qué es el sistema de bombeo? ¿Cuántos tipos de

bombeo existen? ¿Cómo influye este sistema en el
funcionamiento del LASER?
Sistema de bombeo Los emisores de radiación láser emplean sistemas de
bombeo para elevar los electrones a niveles energéticos superiores. Estos
sistemas aportan energía externa para aumentar el número de átomos excitados y
así garantizar la inversión de población. Existen diversos sistemas de bombeo. De
forma simplificada, pueden dividirse en: — Bombeo óptico (p. ej., láser de rubí), en
el que se emplea una fuente luminosa, del tipo de lámpara de flash de xenón u
otro láser, generalmente de menor longitud de onda. — Bombeo eléctrico, cuyo
fundamento consiste en hacer pasar una corriente eléctrica a través del material
activo, habitualmente un gas (láser de He-Ne, p. ej.), o a través de la unión PN de
un semiconductor (p. ej., láser de As-Ga). — Bombeo químico, basado en la
energía liberada en la creación y ruptura de enlaces químicos (p. ej., lá ser de
flúor-hidrógeno).
6. ¿Qué es el resonador óptico? ¿Cómo influye este
sistema en el funcionamiento del LASER?
OSCILADOR ÓPTICO
Después de exponer el principio básico
de operación de un amplificador óptico,
podemos fácilmente comprender el
principio de funcionamiento de
un oscilador óptico, también conocido
como oscilador láser, o
simplemente láser.
Consideremos una cavidad
amplificadora con un sistema de
bombeo, a la cual hemos colocado en
sus extremos un par de espejos planos
(o ligeramente cóncavos), donde la
línea punteada indica el eje óptico del sistema.
Este par de espejos paralelos recibe el nombre de resonador óptico. Uno de los
espejos del resonador es casi 100% reflejante, y el otro tiene una reflectancia
típica de alrededor del 90%.
Para comprender qué función tiene el resonador óptico nos referiremos a la figura
II.8, la cual muestra al oscilador óptico inmediatamente después de que el sistema
de bombeo fue disparado.
Podemos ver que cualquier fotón que sea emitido en una dirección diferente de la
definida por el eje óptico del resonador óptico se perderá, mientras que cualquier
fotón emitido a lo largo del eje óptico del oscilador será amplificado por el proceso
de emisión estimulada e inmediatamente generaremos un enorme flujo de fotones
confinados por el resonador óptico, que se propaga a lo largo del eje óptico. Si el
resonador óptico no estuviera allí, después de disparar el sistema de bombeo los
átomos que fueron excitados pasarían a su estado base debido al proceso de
emisión espontánea, emitiendo fotones en todas direcciones y perdiendo la
energía recibida por el sistema de bombeo.
La presencia del resonador óptico nos permite extraer en forma eficiente la
energía que el sistema de bombeo ha depositado en los átomos contenidos en la
cavidad amplificadora. Debido a que uno de los espejos del resonador tiene una
reflectancia del 90%, esto permitirá que el 10% de los fotones que incidan allí sean
transmitidos fuera del resonador óptico, formando un haz de luz muy intenso,
monocromático (formado por fotones de idéntica energía), coherente (pues todos
 sus fotones están en fase, ya que
fueron producidos por el proceso de
emisión estimulada) y altamente
direccional. Éstas son las propiedades
fundamentales de la luz láser que es
generada por todo oscilador óptico.En
el tercer capítulo veremos las
características específicas de
construcción y funcionamiento de varios de los láseres más importantes.

LÁSERES DE SEMICONDUCTORES
Los láseres de semiconductores son los láseres más eficientes, baratos y
pequeños que es posible obtener en la actualidad. Desde su invención en 1962 se
han mantenido como líderes en muchas aplicaciones científico-tecnológicas y su
continua producción masiva nos da un inicio de que esta situación se prolongará
por mucho tiempo.
Dispositivos Semiconductores
Hemos visto en el primer capítulo que podemos considerar a los átomos como
pequeños sistemas solares con electrones girando en órbitas específicas
alrededor de un núcleo con carga positiva. Los electrones localizados en la última
órbita son llamados electrones de valencia y no son retenidos tan firmemente
como los que se encuentran en las órbitas interiores. Cuando varios átomos se
combinan para formar una molécula o una estructura cristalina los electrones de
valencia son intercambiados libremente, ligando con esto a los átomos.
Elementos semiconductores típicos son el silicio y germanio. Un material
semiconductor como el silicio en su forma cristalina tiene sus cuatro electrones de
valencia entrelazadas con los átomos adyacentes.
La figura III.17 es una representación bidimensional de la estructura cristalina del
silicio, en ella se muestran sus electrones de valencia y sus núcleos. A muy bajas
temperaturas el silicio se comporta como un aislador, ya que no hay electrones
libres que puedan conducir corriente eléctrica. Sin embargo, a temperatura
ambiente, por la agitación térmica, algunos electrones serán separados de su
posición dentro de la red cristalina, quedando libres y dejando en su lugar un
"hueco" con carga positiva. Si a través del cristal se aplica un campo eléctrico
circulará una pequeña corriente eléctrica debido al movimiento de electrones libres
y de huecos.
 
Figura III.17.
Todos los materiales existentes pueden clasificarse en las siguientes categorías:
conductores, aislantes o semiconductores. Los primeros son materiales que
conducen con facilidad una corriente eléctrica a través de ellos. Los segundos
difícilmente conducen corrientes eléctricas y los últimos están en una situación
intermedia.
Un buen conductor como la plata tiene una conductividad de 6 x 10 7 mohs/ metro,
mientras que un buen aislante como el cuarzo fundido tiene una conductividad de
2 x 10-17 mohs/ metro. Es decir que hay 24 órdenes de magnitud de diferencia en
su conductividad. Un semiconductor tiene una conductividad típica de 7 a 14
órdenes de magnitud menor que un buen conductor. Ejemplos de materiales
semiconductores son el germanio (Ge), el silicio (Si) y algunos compuestos como
el arsenuro de galio (GaAs) y el sulfuro de plomo (PbS).
Es posible aumentar en forma controlada la conductividad de un semiconductor.
Para realizar esto, durante la formación del semiconductor puro se introduce una
pequeña cantidad de átomos "contaminantes" con tres o con cinco electrones de
valencia en lugar de sólo cuatro. La introducción de átomos contaminantes con
tres electrones de valencia como por ejemplo el bario (Ba), el galio (Ga) o el indio
(In), da lugar a una estructura cristalina imperfecta en la cual han quedado
"huecos positivos" que aumentan la conductividad del material. Este tipo de
materiales se conocen como semiconductores tipo P y su representación
bidimensional se muestra en la figura III.18. De manera similar, la introducción de
átomos contaminantes con cinco electrones de valencia, como por ejemplo el
fósforo (P), el arsénico (As), el bismuto (B) o el antimonio (Sb), da origen a una
estructura cristalina imperfecta en la cual han quedado electrones en exceso qué
incrementan la conductividad del material. Estos materiales contaminados con
átomos con cinco electrones de valencia son llamados semiconductores tipo N. Su
representación bidimensional se muestra en la figura III.19.
 

Figura III.18.
 
Figura III.19.
Diodos y láseres semiconductores
Cuando un trozo de material semiconductor tipo P y uno tipo N se unen tenemos
una "unión P-N que es también conocida como diodo.
Si en este diodo colocamos una batería, conectando el polo positivo con el
material tipo N y el polo negativo con el material tipo P, el resultado es que los
huecos son atraídos por el potencial negativo de la batería y el potencial positivo
de la batería atrae a los electrones libres. En este caso no puede haber circulación
de corriente eléctrica a través del diodo y décimos que está polarizado en sentido
inverso como se muestra en la figura III.20. Por el contrario, si conectamos una
batería con el polo positivo al material tipo P y el negativo al material tipo N, los
huecos positivos son repelidos por el potencial positivo de la batería y dirigidos
hacia la unión de los materiales P y N. Por otra parte, los electrones libres de la
región N son repelidos por el potencial negativo de la batería y dirigidos también
hacia la unión de los materiales P y N. En dicha unión los electrones y los huecos
se recombinan y permiten así el paso de corriente.
 
Figura III.20.
En este caso decimos que tenemos polarización en sentido directo, como se
muestra en la figura III.21. Durante la recombinación de huecos y electrones
pueden ser emitidos fotones que generalmente caen en la región infrarroja del
espectro.
 

Figura III.21.
Diseñando una unión P-N de forma adecuada, podemos formar una cavidad láser,
cuya región activa está formada por la región de unión de los materiales P y N. La
realización práctica de un láser de semiconductor se muestra esquemáticamente
en la figura III.22.