UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA
PROFESSOR: PAULO ROBSON MELO COSTA

PRÁTICA Nº 5:
TBJ OPERANDO COMO CHAVE

ALUNO MATRÍCULA

JOÃO PEDRO DA SILVA RODRIGUES 385518

Sobral – CE

2019
 SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO...................................................................................................... 3

2. OBJETIVO............................................................................................................. 4

3. MATERIAL UTILIZADO .................................................................................... 4

4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ................................................................ 4

5. QUESTIONÁRIO................................................................................................... 5

6. CONCLUSÃO........................................................................................................ 8

7. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS................................................................... 9
 1. INTRODUÇÃO

Um transistor pode operar como chave, bastando para isso que ele seja polarizado
de modo conveniente: corte ou saturação.

Quando um transistor está saturado opera como um curto (chave fechada) entre o
coletor e o emissor sendo VCE  0V. Quando está no corte, opera como um circuito aberto
(chave aberta) entre o coletor e o emissor, sendo que VCE  VCC. No ponto de saturação
(chave fechada) a corrente de base é alta e no ponto de corte (chave aberta) a corrente de
base é zero. A figura a seguir mostra um transistor operando como chave e sua respectiva
reta de carga.

Figura 1.

Fonte:<https://www.electronica-pt.com/images/fbfiles/files/Chaveamento_Transistor.pdf>

Quando a base não tiver sinal, o transistor funcionará como uma chave
aberta, Ic=0 e Vce = Vcc.

Figura 2

Fonte: < http://blog.baudaeletronica.com.br/transistor-chave-eletronica/>

Para o transistor funcionar como uma chave fechada é necessário aplicar sinal na
base de forma que Vce seja aproximadamente 0,2V. Quando o transistor está
acionado, Vbe será igual a 0,7V.
 2. OBJETIVOS DA PRÁTICA

- Projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como chave, mediante simulação

e experimentação.

3. MATERIAL UTILIZADO

- Osciloscópio digital;
- Multímetro;
- Fonte de tensão CC;
- Placa protoboard;
- Gerador de sinais;
- Transistor BC548.

4. PRODECIMENTO EXPERIMENTAL
Com base na figura 3 foi montado o circuito na placa protoboard.
Figura 3: circuito montado durante a prática.

Fonte: Roteiro da prática.

Para isso, as fontes foram mantidas desligadas e os resistores foram calculados
de acordo com as equações 1 e 2.
𝑉𝑏𝑏 − 𝑉𝑏𝑒
𝑅𝑏 = (1)
𝐼𝑏
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒𝑆𝐴𝑇𝑈
𝑅𝑐 = (2)
𝛽 . 𝐼𝑏
Sendo Vbb, a tensão aplicada na base com amplitude de 2,2V e Vcc, a tensão
aplicada no coletor. Vbe é a tensão entre coletor e emissor, que é uma junção pn (diodo),
sendo aproximadamente 0,7V. O ganho de corrente do transistor Q1 𝛽 é 30, a corrente na
base Ib é de 100µA e o Vcesat, tensão de coletor-emissor no modo de saturação, é de
0,3V. Utilizando esses valores, foram obtidos Rb=15kΩ e Rc=3,9kΩ.
A partir destes valores, podemos calcular os valores de VRc, e de Vce. No modo
de saturação, considerando que o Vce saturado é de 0,3V, o emissor está aterrado, logo a
tensão no coletor é de 0,3V. O valor de VRc pode ser obtido através da equação 3.
𝑉𝑅𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐 (3)
Desse modo, obtemos o valor de 11,7V para VRc. No modo de corte, não há
corrente, assim VRc=0V e Vcc=Vc, sendo Vc=12V, e estando o emissor aterrado, temos
Vce=12V. A fonte de tensão CC foi conectada na saída do circuito, representado a tensão
Vcc=12V, e o gerador de sinais foi conectado na entrada, representado a tensão
Vbb=2,2V, sendo a frequência do sinal de entrada-onda quadrada ajustada para
fc=10KHz. Utilizando o osciloscópio foram observadas as formas das tensões de saídas
de VRc, Vce e Vcc.

5. QUESTÕES
a) Traçar as formas de onda de tensão experimental e simulada para o TBJ:
Vbb, Vce e VRC.
Resposta: A seguir as formas de onda observadas no osciloscópio durante a
prática.
Figura 4. Forma de onda de Vbb.

Fonte: Autor
Figura 5. Forma de onda de VRc.
 Fonte: Autor.

Figura 6. Forma de onda de Vce.

Fonte: Autor.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas na questão 1
tomando como referência o comportamento do circuito e a curva característica do
circuito de saída.
Resposta: Na parte de metodologia, temos os valores de Vce e de VRc. Com esses
valores é possível prever tanto os valores simulados como experimentais.
 c) Determine as perdas de condução do TBJ usando a curva característica Ic
= f(Vce).
Resposta: Na situação de chaveamento é possível que haja perdas durante a
condução e no estado em que está desligado. Em baixas frequências há poucas perdas,
sendo expressa a seguir:
𝑃𝑜𝑓𝑓 ≅ 𝑉𝑐𝑐 × 𝐼𝑐(𝑓𝑢𝑔𝑎) × 𝑇𝑜𝑓𝑓 × 𝑓𝑠
As perdas com o chaveamento contínuo causado pela fonte de 2,2V e 10kHz de
frequência, aumentam com a frequência de comutação.
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡𝑎çã𝑜 ≅ 𝑉𝑐𝑐 × 𝐼𝑐(𝑚𝑎𝑥) 6 × 𝜏 × 𝑓𝑠
Onde: Vcc: tensão de polarização do coletor (fonte de 12V) Ic (max): máxima
corrente de coletor τ: duração do transitório de chaveamento (τ = ton ou τ = toff) fs:
frequência de chaveamento
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.
Resposta: Os transistores apresentam diversos tipos de encapsulamento. A seguir
são apresentados alguns deles:
TO-220

É um modelo de encapsulamento utilizado normalmente para semicondutores

como transistores e retificadores controlados de silício, bem como circuitos integrados.
Este invólucro contém três terminais, podendo ser encontrado com dois, quatro, cinco ou
sete ligações também. Uma característica importante é um guia de metal com um furo,
utilizado na montagem onde se necessita de um dissipador de calor.

TO-126

Este modelo é similar ao TO-220, senda a única diferença a ausência do guia

metálico. No entanto, porém ele contém o furo para se prender o componente no
dissipador.

TO-247

Este encapsulamento é utilizado para semicondutores de potência.

TO-92

O encapsulamento TO-92 é empregado em transistores de baixa potência, do tipo

TBJ e FET, em alguns casos podem ser encontrados outros modelos como: TO-92, TO-
94 e TO96. Eles têm as mesmas dimensões, porém a distribuição dos pinos varia de um
tipo para outro.

Figura 4.

Fonte: < http://on-electronic.blogspot.com/2016/01/tipos-de-encapsulamentos-de-

transistores.html>

e) Pesquisar a respeito das principais especificações do TBJ

encontradas na folha de dados dos fabricantes de modo que o componente
trabalhe como chave.

Resposta: Para operar como uma chave, o TBJ deve operar nas regiões de
saturação ou de corte. No datasheet da FAIRCHILD, tem especificado os seguintes
valores: Ic=10mA, Ib=0,5mA e VceSAT=250mV. O β forçado é o valor do ganho para a
região de saturação que é dado pela razão de Ic com Ib, sendo assim, temos o valor de β
que é de 20. E ainda temos a corrente no coletor para a região de corte IcBO=15nA (Para
Vcb=30V e Ie=0V).

f) Pesquise aplicações que fazem uso do TBJ funcionando como chave.

Resposta: Uma das aplicações é funcionar como portas lógicas como a porta
AND, ou OR, das famílias dos CI 74XX. Outra muito utilizado é em construção de
microprocessadores, como chaveadores em multiplexadores internos.

6. CONCLUSÃO

Os valores experimentais ficaram bem próximos dos valores calculados. Dessa

maneira, o experimento ocorreu de uma maneira esperada pela teoria, sendo que o TBJ
no modo de saturação funcionou como uma chave fechada com uma pequena queda de
tensão, e como uma chave aberta em modo de corte. Sendo o Vbb um sinal de onda
quadrada, o TBJ funcionou como uma chave que comuta a uma frequência de 10kHz.
 7. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] O Transistor como Chave Eletrônica. Disponível em: < https://www.electronica-

pt.com/images/fbfiles/files/Chaveamento_Transistor.pdf>. Acesso em 10 de novembro
de 2019.

[2] Tipos de Encapsulamentos de Transistores. Disponível em: < http://on-

electronic.blogspot.com/2016/01/tipos-de-encapsulamentos-de-transistores.html>.
Acesso em 11 de novembro de 2019.

[3] MORAES. Fernando. Utilizando o Transistor Como Chave Eletrônica. Disponível

em: < http://blog.baudaeletronica.com.br/transistor-chave-eletronica/>. Acesso em 11 de
novembro de 2019.