Aislantes

Un aislante es un material que no conduce corriente eléctrica en condiciones normales. La

mayoría de los buenos aislantes son materiales compuestos, es decir, no formados por sólo un
electrón. Los electrones de valencia están estrechamente enlazados a los átomos; por
consiguiente, en un aislante hay muy pocos electrones libres. Algunos ejemplos de aislantes son el
hule, el plástico, el vidrio, la mica y el cuarzo.

Conductores

Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente. La mayoría de los

metales son buenos conductores. Los mejores conductores son materiales de sólo un elemento,
tales como cobre, plata, oro y aluminio, que están caracterizados por átomos con sólo un electrón
de valencia muy flojamente enlazado al átomo. Estos electrones de valencia flojamente enlazados
se convierten en electrones libres. Por consiguiente, en un material conductor, los electrones
libres son electrones de valencia.

Semiconductores

Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que a
su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en estado puro
(intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los semiconductores más comunes de sólo
un elemento son el silicio, el germanio y el carbón. Los semiconductores compuestos, tales como
el arseniuro de galio y el fosfuro de indio, también son de uso común. Los semiconductores de un
solo elemento están caracterizados por átomos con cuatro electrones de valencia.

Bandas de energía

La diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción se llama banda

prohibida. Ésta es la cantidad de energía que un electrón de valencia debe tener para saltar de la
banda de valencia a la de conducción. Una vez en la banda de conducción, el electrón es libre de
moverse por todo el material y no queda enlazado a ningún átomo dado. La figura 1-5 muestra
diagramas de energía de aislantes, semiconductores y conductores: la parte (a) muestra que los
aislantes tiene una banda prohibida muy ancha. Los electrones de valencia no saltan a la banda de
conducción excepto en condiciones de ruptura en las que se aplican voltajes extremadamente
altos a través del material. La parte (b) ilustra cómo los semiconductores tienen una banda
prohibida mucho más angosta, la cual permite que algunos átomos de valencia salten a la banda
de conducción y se conviertan en electrones libres. En contraste, como la parte (c) lo muestra, las
bandas de energía en conductores se traslapan. En un material conductor metálico siempre existe
un mayor número de electrones de valencia que electrones libres.

Comparación de un átomo semiconductor con un átomo conductor

El silicio es un semiconductor y el cobre es un conductor. La figura 1-6 muestra diagramas del

átomo de silicio y del átomo de cobre. Observe que la parte central del átomo de silicio tiene una
carga neta de +4 (14 protones - 10 electrones) y la parte central del átomo de cobre tiene una
carga neta de +1 (29 protones - 28 electrones). La parte central incluye todo, excepto los
electrones de valencia.

El electrón de valencia del átomo de cobre “siente” una fuerza de atracción de 1, en comparación
con un electrón de valencia del átomo de silicio, que “siente” una fuerza de atracción de 4. Por
consiguiente, existe más fuerza que trata de retener un electrón de valencia en el átomo de silicio
que en el de cobre. El electrón de valencia del cobre se encuentra en la cuarta capa, que está a
mayor distancia de su núcleo que el electrón de valencia del silicio, residente en la tercera capa.
Recuerde que los electrones más alejados del núcleo tienen más energía: el electrón de valencia
del cobre tiene más energía que el electrón de valencia del silicio. Esto significa que es más fácil
que los electrones de valencia del cobre adquieran suficiente energía adicional para escapar de sus
átomos y convertirse en electrones libres que los del silicio. En realidad, un gran número de
electrones de valencia en cobre ya tienen suficiente energía como para convertirse en electrones
libres a temperatura ambiente normal.

Silicio y germanio

El silicio es, por mucho, el material más utilizado en diodos, transistores, circuitos integrados y
otros dispositivos semiconductores. Observe que tanto el silicio como el germanio tienen los
cuatro electrones de valencia característicos. Los electrones de valencia del germanio residen en la
cuarta capa, mientras que los del silicio están en la tercera, más cerca al núcleo. Esto significa que
los electrones de valencia del germanio se encuentran a niveles de energía más altos que aquellos
en el silicio y, por consiguiente, requieren una cantidad de energía adicional más pequeña para
escaparse del átomo. Esta propiedad hace que el germanio sea más inestable a altas
temperaturas, lo que produce una excesiva corriente en inversa. Por eso el silicio es un material
semiconductor más utilizado.

Enlaces covalentes

Un átomo de silicio (Si), con sus cuatro electrones de valencia, comparte un electrón con cada uno
de sus cuatro vecinos. Esto crea efectivamente ocho electrones de valencia compartidos por cada
átomo y produce un estado de estabilidad química. Además, compartir electrones de valencia
produce enlaces covalentes que mantienen a los átomos juntos;

Un cristal intrínseco es uno que no tiene impurezas. El enlace covalente en el germanio es similar
porque también tiene cuatro electrones de valencia.

CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES

los electrones de un átomo pueden existir sólo dentro de bandas de energía prescritas. Cada capa
alrededor del núcleo corresponde a cierta banda de energía y está separada de bandas adyacentes
por bandas prohibidas, en las cuales no pueden existir electrones. La figura 1-10 muestra el
diagrama de bandas de energía de un átomo no excitado (sin energía externa tal como calor) en
un cristal de silicio puro. Esta condición ocurre sólo a una temperatura del 0 absoluto en Kelvin.

Electrones de conducción y huecos

Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura ambiente tiene energía calorífica (térmica)
suficiente para que algunos electrones de valencia salten la banda prohibida desde la banda de
valencia hasta la banda de conducción, convirtiéndose así en electrones libres, que también se
conocen como electrones de conducción.

ocurre una recombinación cuando un electrón de banda de conducción pierde energía y regresa a
un hueco en la banda de valencia. Resumiendo, un trozo de silicio intrínseco a temperatura
ambiente tiene, en cualquier instante, varios electrones de banda de conducción (libres) que no
están enlazados a ningún átomo y en esencia andan a la deriva por todo el material. También
existe un número igual de huecos en la banda de valencia que se crean cuando estos electrones
saltan a la banda de conducción.

Corriente de electrón y hueco

Cuando se aplica voltaje a través de un trozo de silicio intrínseco, como muestra la figura 1-13, los
electrones libres generados térmicamente presentes en la banda de conducción (que se mueven
libremente y al azar en la estructura cristalina) son entonces fácilmente atraídos hacia el extremo
positivo. Este movimiento de electrones es un tipo de corriente en un material semiconductor y se
llama corriente de electrón. La corriente de electrones en silicio intrínseco se produce por el
movimiento de electrones libres generados térmicamente.

Como ya se ha visto, se considera que la conducción en semiconductores es el movimiento de

electrones libres en la banda de conducción o el movimiento de huecos en la banda de valencia,
que en realidad es el movimiento de electrones de valencia a átomos cercanos con lo que se crea
corriente de hueco en la dirección opuesta.

SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P

Dopado

La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente mediante la adición

controlada de impurezas al material semiconductor intrínseco (puro). Este proceso, llamado
dopado, incrementa el número de portadores de corriente (electrones o huecos). Los dos
portadores de impurezas son el tipo n y el tipo p.

Semiconductor tipo N

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos
del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que
da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los
átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de
valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica —p. ej., fósforo (P), arsénico (As)
o antimonio (Sb)—, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese
átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como
resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los
huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia
tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre
en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo
N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos
del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos
del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.6 En el caso del silicio, un átomo
tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones
de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y
un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos
superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
EL DIODO
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo sentido,1 bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario,
no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto hace que el
diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de
la corriente (polarización inversa).
Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad;
consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de
vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con
dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.

Polarización en directa
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él. Polarización en directa es la
condición que permite la circulación de corriente a través de la unión pn. La figura 1-19 muestra
una fuente de voltaje de cc conectada por un material conductor (contactos y alambres) a través de
un diodo en la dirección que produce polarización en directa. Este voltaje de polarización externo se
expresa como VPOLARIZACIÓN. El resistor limita la corriente en condición de polarización en
directa a un valor que no dañe al diodo. Observe que el lado negativo de VPOLARIZACIÓN está
conectado a la región n del diodo y el lado positivo está conectado a la región p: éste es un requisito
para que se dé la polarización en directa. Un segundo requerimiento es que el voltaje de
polarización, VPOLARIZACIÓN, debe ser más grande que el potencial de barrera.
Una imagen fundamental de lo que sucede cuando un diodo está en condición de polarización en
directa se muestra en la figura 1-20. Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la
fuente de voltaje de polarización “empuja” a los electrones libres, los cuales son los portadores
mayoritarios en la región n, hacia la unión pn. Este flujo de electrones libre se llama corriente de
electrones. El lado negativo de la fuente también genera un flujo continuo de electrones a través de
la conexión externa (conductor) y hacia la región n como muestra la figura.
Característica V-I en condición de polarización en directa
Cuando se aplica un voltaje de polarización en directa a través de un diodo se produce corriente.
Esta corriente se conoce como corriente de polarización en directa y se expresa como IF. A medida
que el voltaje de polarización en directa se incrementa positivamente desde 0 V. Se utiliza el
resistor para limitar la corriente de polarización en directa a un valor que no sobrecaliente el diodo y
no provoque daños.
Con 0 V a través del diodo, no se produce corriente de polarización en directa. A medida que se
incrementa gradualmente el voltaje de polarización en directa, la corriente de polarización y el
voltaje a través del diodo se incrementan gradualmente. Una parte del voltaje de polarización en
directa decae a través del resistor limitador. Cuando el voltaje de polarización en directa se
incrementa a un valor en el que el voltaje a través del diodo alcanza aproximadamente 0.7 V
(potencial de barrera), la corriente de polarización en directa comienza a incrementarse con rapidez,
como muestra la figura 1-25(b). Conforme el voltaje de polarización en directa se incrementa, la
corriente continúa incrementándose muy rápidamente, aunque el voltaje a través del diodo se
incrementa sólo gradualmente por encima de 0.7 V. Este pequeño incremento en el voltaje del
diodo por encima del potencial de barrera se debe a la caída de voltaje a través de la resistencia
dinámica interna del material semiconductor.
Polarización en inversa
La polarización en inversaes la condición que en esencia evita la circulación de corriente a través
del diodo. La figura 1-22 muestra una fuente de voltaje de cc conectada a través de un diodo en la
dirección que produce polarización en inversa. Este voltaje de polarización externo se designa como
VPOLARIZACIÓN, como en el caso de polarización en directa. Observe que el lado positivo de
VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado negativo está conectado a la
región p. Observe también que la región de empobrecimiento se muestra mucho más ancha que la
condición de polarización en directa o equilibrio.
Conexión para polarización en directa: Un diodo está polarizado en directa cuando se conecta a
una fuente de voltaje con La terminal positiva de la fuente se conectada al ánodo mediante un
resistor limitador de corriente. La terminal negativa se conecta al cátodo. La corriente de
polarización en directa (IF) circula del ánodo al cátodo.

Característica V-I para polarización en inversa

Cuando se aplica un voltaje de polarización en inversa a través de un diodo, existe sólo una
corriente en inversa extremadamente pequeña (IR) a través de la unión pn. Con 0 V a través del
diodo, no existe corriente en inversa. Amedida que se incrementa gradualmente el voltaje de
polarización en inversa, existe una corriente en inversa muy pequeña y el voltaje a través del diodo
se incrementa. Cuando el voltaje de polarización aplicado se incrementa a un valor en el que el
voltaje en inversa a través del diodo (VR) alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente en inversa
comienza a incrementarse con rapidez. A medida que continúa incrementándose el voltaje de
polarización, la corriente continúa incrementándose muy rápido, pero el voltaje a través del diodo se
incrementa muy poco por encima de VBR. La ruptura, con excepciones, no es un modo normal de
operación de la mayoría de los dispositivos con unión pn.
Un diodo está polarizado en inversa: cuando se conecta una fuente de voltaje, como muestra la
figura 1-31(b). La terminal negativa de la fuente se conecta al ánodo del circuito y la positiva al
cátodo. No es necesario un resistor de polarización en inversa pero se muestra, por consistencia, en
el circuito. La corriente de polarización en inversa es extremadamente pequeña y puede ser
considerada cero. Observe que todo el voltaje de polarización (VPOLARIZACIÓN) aparece a
través del diodo.
El modelo práctico de un diodo El modelo práctico incluye el potencial de barrera. Cuando el diodo
está polarizado en directa, equivale a un interruptor cerrado en serie con una pequeña fuente de
voltaje equivalente (VF) igual al potencial de barrera (0.7 V) con el lado positivo hacia el ánodo,
como lo muestra la figura 1-33(a). Esta fuente de voltaje equivalente representa el potencial de
barrera que debe ser excedido por el voltaje de polarización antes de que el diodo conduzca y no sea
una fuente de voltaje activa. Cuando conduce, aparece una caída de voltaje de 0.7 V a través del
diodo.
Cuando el diodo está polarizado en inversa, equivale a un interruptor abierto exactamente como el
modelo ideal, como lo ilustra la figura 1-33(b). El potencial de barrera no afecta la polarización en
inversa, así que no es un factor. La curva característica para el modelo práctico del diodo se muestra
en la figura 1-33(c). Como el potencial de barrera está incluido y la resistencia dinámica se omite,
se supone que existe un voltaje a través del diodo cuando está polarizado en directa, como lo indica
la parte de la curva a la derecha del origen.
El modelo completo de diodo El modelo completo de un diodo es la aproximación más precisa e
incluye el potencial de barrera, la pequeña resistencia dinámica de polarización en directa y la gran
resistencia interna de polarización en inversa (r’R). La resistencia de polarización en inversa se
toma en cuenta porque proporciona una trayectoria para la corriente de polarización en inversa, la
cual está incluida en este modelo de diodo. Cuando el diodo está polarizado en directa, actúa como
un interruptor cerrado en serie con el voltaje de potencial de barrera equivalente (VB) y la pequeña
resistencia dinámica de polarización en directa como lo indica la figura 1-34(a). Cuando el diodo
está polarizado en inversa, actúa como un interruptor abierto en paralelo con la gran resistencia
interna de polarización en inversa como lo ilustra la figura 1-34(b). El potencial de barrera no afecta
la polarización en inversa, por lo que no es un factor.

RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva
de una señal de corriente alterna, de lleno conducen cuando se polarizan inversamente. Además
su voltaje es positivo.
Valor promedio del voltaje de salida de media onda
El valor promedio del voltaje de salida rectificado de media onda es el valor que se mediría con un
voltímetro de cd. Matemáticamente, se determina calculando el área bajo la curva
correspondiente a un ciclo completo. Se calcula (Vprom= Vp/pi)

Función:  funcionan a base de transformar la corriente alterna en corriente directa; Los

rectificadores de media onda funcionan haciendo pasar la mitad de la corriente alterna a través
de uno o más diodos, convirtiendo en este paso dicha mitad de la corriente alterna
en corriente eléctrica directa. Los rectificadores de media onda no son muy eficientes porque
sólo convierten la mitad de la corriente alterna (bien la positiva, bien la negativa)
en corriente directa. Por lo tanto, los rectificadores de media onda son mucho menos
complicados, siendo así que con tan solo un diodo basta para su funcionamiento.

Rectificador de onda completa

El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la señal senoidal de entrada, para
obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos negativos de la onda senoidal. El
rectificador de onda completa es un circuito empleado para aprovechar ambos semiciclos de la
corriente alterna y obtener corriente directa como resultado ideal (positivo y negativo) aunque
el resultado aparenta ser el mismo que en el rectificador de media onda, en este caso los niveles
de intensidad son superiores y la caída de tensión es menor cuando se le aplica una carga al
sistema. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se
convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa, según se necesite una
señal positiva o negativa de corriente continua.

Voltaje de pico inverso (PIV)

El voltaje de pico inverso (PIV)es igual al valor pico del voltaje de entrada y el diodo debe ser capaz
de soportar esta cantidad de voltaje en inversa repetitivo.

Capacitor

¿Qué es un capacitor?
Un capacitor o también conocido como condensador es un dispositivo capaz de
almacenar energía a través de campos eléctricos (uno positivo y uno negativo).
Este se clasifica dentro de los componentes pasivos ya que no tiene la capacidad
de amplificar o cortar el flujo eléctrico. Los capacitores se utilizan
principalmente como filtros de corriente continua, ya que evitan cambios bruscos
y ruidos en las señales debido a su funcionamiento.

¿Qué es un regulador de voltaje?

Un regulador de voltaje es un circuito que, sin importar lo que conectes a su salida, mantendrá
un voltaje constante en sus terminales. A grandes rasgos esa es la utilidad de este circuito, pero
los hay de distintos diseños con propósitos y aplicaciones diferentes, en este artículo
revisaremos los distintos tipos de reguladores que existen y sus características.

MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Los multiplicadores de voltaje utilizan la acción de sujeción para incrementar voltajes pico
rectificados sin la necesidad de incrementar la capacidad de voltaje del transformador. Son
comunes los factores de multiplicación de dos, tres y cuatro. Se utilizan multiplicadores de
voltaje en aplicaciones de alto voltaje y baja corriente tales como tubos de rayos catódicos
(CRT) y aceleración de partículas.

Duplicador de voltaje: Duplicador de voltaje de media onda Un duplicador de voltaje es un

multiplicadorde voltaje con factor de multiplicación de dos. La figura 2-49 muestra un
duplicador de voltaje de media onda. Durante el semiciclo positivo del voltaje secundario, el
diodo D1 está polarizado en directa y D2 está polarizado en inversa. Los duplicadores de
voltaje producen el doble de tensión en DC (corriente directa) de la que podría producir un rectificador
común. Se pueden implementar de dos diferentes maneras: duplicadores de media onda y duplicadores
de onda completa y en ambos casos la frecuencia de la tensión de rizado es la misma que la de la tensión
de entrada. En el caso de la rectificación de onda completa en los rectificadores tradicionales, la
frecuencia de la tensión de rizado es el doble de la frecuencia de la tensión de entrada. En el circuito
doblador de tensión, la tensión que se aplica sobre los diodos, es el doble, por lo que estos deberán
soportar el doble de tensión. La característica de tensión de los capacitores dependerán del circuito en
particular.

Triplicador de voltaje

Cuadriplicador de voltaje
En el caso de la rectificación de onda completa en los rectificadores tradicionales, la frecuencia de la
tensión de rizado es el doble de la frecuencia de la tensión de entrada. En el circuito doblador de tensión,
la tensión que se aplica sobre los diodos, es el doble, por lo que estos deberán soportar el doble de
tensión. La característica de tensión de los capacitores dependerán del circuito en particular. En el caso
de la rectificación de onda completa en los rectificadores tradicionales, la frecuencia de la tensión de
rizado es el doble de la frecuencia de la tensión de entrada. En el circuito doblador de tensión, la tensión
que se aplica sobre los diodos, es el doble, por lo que estos deberán soportar el doble de tensión. La
característica de tensión de los capacitores dependerán del circuito en particular.

EL DIODO ZENER

En el caso de la rectificación de onda completa en los rectificadores tradicionales, la frecuencia de la

tensión de rizado es el doble de la frecuencia de la tensión de entrada. En el circuito doblador de tensión,
la tensión que se aplica sobre los diodos, es el doble, por lo que estos deberán soportar el doble de
tensión. La característica de tensión de los capacitores dependerán del circuito en particular. es la parte
esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se presenten grandes
variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura. Una aplicación importante de
los diodos zener es regular voltaje para producir voltajes de referencia estables para usarlos en fuentes de
alimentación, voltímetros y otros instrumentos.

Ruptura Zener

Los diodos zener se diseñan para operar en condición de ruptura en inversa; en un diodo tal, los dos tipos
de ruptura en inversa son la de avalancha y zener. El efecto de avalancha, ocurre tanto en diodos
rectificadores como en los zener a un voltaje inverso suficientemente alto. La ruptura zenerocurre en un
diodo zener a voltajes en inversa bajos. Un diodo zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de
ruptura; esto crea una región de empobrecimiento muy estrecha. En consecuencia, existe un intenso
campo eléctrico adentro de la región de empobrecimiento. Cerca del voltaje de ruptura zener (VZ), el
campo es suficientemente intenso para jalar electrones de sus bandas de valencia y crear corriente.

Regulación zener La característica clave del diodo zener es su capacidad de mantener el voltaje en
inversa esencialmente constante a través de sus terminales. Un diodo zener que opera en condición de
ruptura actúa como regulador de voltaje porque mantiene un voltaje casi constante a través de sus
terminales durante un intervalo especificado de valores de corriente en inversa. Se debe mantener un
valor mínimo de corriente en inversa, IZK para mantener el diodo en condición de ruptura para
regulación de voltaje.

Coeficiente de temperatura

El coeficiente de temperatura especifica el cambio en porcentaje del voltaje del zener por cada cambio
de un grado Celsius de la temperatura. Por ejemplo, un diodo zener de 12 V con coeficiente de
temperatura positivo de 0.01%/°C experimenta un incremento de 1.2 mVen VZ cuando la temperatura
de la unión aumenta un grado Celsius. La fórmula para calcular el cambio en el voltaje del zener para un
cambio de temperatura de la unión dado, con un coeficiente de temperatura dado, es:

deltaVz = Vz*Tc*deltaT

donde VZ es el voltaje nominal del zener a la temperatura de referencia de 25°C, TC es el coeficiente de

temperatura y Tes el cambio de temperatura con respecto a la temperatura de referencia. Un TC positivo
significa que el voltaje del zener se incrementa con un aumento de la temperatura o decrece con una
reducción de la temperatura. Un TC negativo significa que el voltaje del zener decrece con un
incremento de la temperatura o se incrementa con una reducción de la temperatura.

Disipación y reducción de la potencia nominal del Zener

Los diodos zener se especifican para que operen a una potencia máxima llamada disipación de potencia
máxima en cd, PD(máx). Por ejemplo, el zener 1N746 tiene una PD(máx) de 500 mW y el 1N3305Ade
50 W. La disipación de potencia en cd se determina con la fórmula, Pd = Vz*Iz

Regulación con diodo zener de un voltaje de entrada variable

Los reguladores con diodo zener producen un nivel de cd razonablemente constante a la salida, aunque
no son particularmente eficientes. Por esta razón, están limitados a aplicaciones que requieren sólo baja
corriente en la carga.

Regulación con diodo zener de una carga variable

Regulación: Desde cero carga hasta plena carga

Cuando las terminales de salida del regulador zener están abiertas (RL q), la corriente de carga es cero y
toda la corriente circula a través del zener; ésta es una condición sin carga. Cuando se conecta un resistor
de carga (RL), una parte de la corriente total circula a través del zener, y una parte a través de RL. La
corriente total a través de R permanece en esencia constante en tanto el zener esté regulando. Amedida
de RL se reduce, la corriente de carga, IL, se incrementa e IZ se reduce. El diodo zener continúa
regulando el voltaje hasta que IZ alcanza su valor mínimo, IZK. En este momento la corriente de carga
es máxima y existe una condición de plena carga. El siguiente ejemplo ilustra esta condición.

Limitadores con Zener