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Universidade Tecnológica Federal do Paraná EL65E – Eletrônica Básica

EXPERIMENTO NO 06 – Transistor de Efeito de Campo

OBJETIVO: Estudar o funcionamento do J-FET

MATERIAIS:
Instrumentos: 2 Transistor BF245
Osciloscópio duplo traço Resistors diversos
Gerador de funções Capacitores diversos
Potenciômetro linear de 1MΩ, 570kΩ, 4k7Ω e 1kΩ
Materiais (responsabilidade do aluno): 3 pares de pontas de provas (banana-jacaré)
Fonte de alimentação 2 pontas de provas (BNC-jacaré) para osciloscópio
Multímetro 1 ponta de prova (BNC-jacaré) para o gerador de funções.
Régua de proto-board
“Data Sheets em anexo a folha tarefa”
[Obs.:alguns disponíveis www.labiem.cpgei.ct.utfpr.edu.br]

2. Resumo teórico

A figura 1 apresenta um esboço da polarização de um J-FET canal N: junção PN inversamente polarizada,


VGS ≤ 0, e VDS positivo (VDS > 0).

ID – corrente de dreno
VDS – tensão dreno (drain) fonte (source)
G – porta (gate)
D – dreno (drain)
S – fonte (source)

Figura 1 – Polarização de um J-FET canal N

A figura 2 esboça a evolução da região de depleção de portadores (cinza), para VGS = 0, em função da tensão
VDS. Aplicando-se uma pequena tensão positiva no dreno o J-FET comporta-se como um resistor, figura
2(a), ou seja, haverá uma corrente de dreno ID. A corrente ID aumenta proporcionalmente com o aumento de
VDS, figuras 2(b) e 2(c). A partir da figura 2(c) a queda tensão ao longo do canal N aumenta a região de
transição de forma não uniforme. A partir desse ponto o aumento na tensão VDS, aumenta as regiões de
transição, diminuindo a largura do canal e aumentado a sua resistência. Logo, a corrente ID permanece,
aproximadamente, constante. O valor de VDS na figura 2(c) é denominado tensão de pinçamento (drain-
source pinch-off voltage), abreviada Vpo.

Após o pinçamento a largura do canal permanece constante. Já o comprimento do canal aumenta e a corrente
ID permanece praticamente constante. Em operação normal a máxima corrente de saturação de um J-FET é
denominada de corrente dreno-fonte de saturação, IDSS, e é obtida para VGS=0.

O valor de VDS não pode ser aumentado indefinidamente. VDS < VDSmáx, tensão de ruptura VR na qual as
junções do JFET se rompem.

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(a) (b) (c)

(d) (e) (f)


Figura 2 - Evolução das regiões de depleção em umJ-FET canal N

Do aumento simultâneo de VDS e da resistência do canal ocorre que ID cresce, a princípio, linearmente, após
cada vez mais lentamente, permanecendo quase que constante. O gráfico na figura 3 apresenta a
característica de saída do J-FET BF245C. Note que na medida em que VGS é mais negativa o valor da
corrente IDS diminui.

Figura 3 – Características de saída dos J-FETs B, direita, e C, esquerda.

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Equações para o cálculo dos capacitores:

⎛ V ⎞ ⎛ 1 ⎞
gm = 2 × I DSS × ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ × ⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ VP ⎠

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3. Prática

3.1 Gráfico ID x VDS para VGS=0:

No circuito da figura 1, determine os valores de VCC e


(P+RD) para que a corrente I D ≥ 1.5 ⋅ I DSS (VGS=0 consulte o
datasheet). Para isso considere que a resistência dreno-fonte
como sendo igual a zero. Assim, garante-se que quem
limitará a corrente IDSS será o FET e não (P+RD). Escolha
um potenciômetro adequado para permitir que a corrente ID
varie desde zero até 1.5 ⋅ I DSS . Preencha a tabela abaixo e
trace o gráfico. Indique no gráfico os valores de VPo e IDSS. Figura 1

No circuito da figura 1, o que acontece com ID se curto-circuitarmos (P+RD)? Explique.

Gráfico de ID x VDS
VDS ID

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3.2. Medição do valor de VP:

No circuito da figura 2, para o valor de (P+RD), que


permitiu a corrente IDSS, varie o valor de VGS (note
que a gate tem de ser negativo em relação ao
terminal de source).

Trace o gráfico de ID em função de VGS e indique o


valor de VP=VGSoff
Figura 2

Gráfico de ID x VGS
-VGS ID
0

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3.3 Amplificador Fonte-Comum

Para uma aplicação qualquer, deseja-se fixar o ponto de trabalho Q segundo os valores de VGS e ID.
Escolha VDS para que o transistor opere em classe A (região central da reta de carga):
(verificar os valores de VGS e ID nas curvas do data sheet)
VCC=15V;
BF245A: VGS = -0,5V ID = 2,4mA VDS=
BF245B: VGS = -1.5V ID = 4,0mA VDS=
BF245C: VGS = -2.0V ID = 8,0mA VDS=

Exemplo:
Na malha de saída temos que: VCC = VDS + ( RS + RD ) , logo:

( RS + RD ) = 1500 Ω

Na malha de entrada não circula corrente (IG=0), temos que: VRS + VGS = RS × I D + VGS = 0 , logo:

− VGS − (−1.5)
RS = = = 375 Ω e RD = 1125 Ω
ID 4mA

Observe que a tensão negativa de polarização VGS é fornecida através do resistor RS, que faz o potencial cair
de VS para VT. Como VT < VS e VG = VT (potencial de massa), pois não há circulação de corrente na malha
de entrada, temos que VG < VS, isto é, VG-VS=VGS<0. O resistor RS também permite a realimentação
negativa que estabiliza o J-FET, de modo similar ao verificado com o resistor de emissor no transistor
bipolar.

VCC
Sabendo que a reta de carga fica determinada pelos pontos P1 (VCC; 0) e P2 (0; ) , determine as
R D + RS
coordenadas:

P1= P2=

Indique esses pontos no gráfico de ID por VDS no gráfico do data sheet correspondente ao J-FET.

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No circuito amplificador, quando a Vi=0, estaremos no ponto de trabalho e VDS será igual a VDS=VCC-VRDQ,
aproximadamente. A medida que Vi cresce, VGS torna-se menos negativo e ID cresce e aumenta a queda de
tensão em RD.

Cálculo de VGS: Com os valores de IDSS e VP medidos anteriormente e ID da curva, determinar o valor de
VGS e compará-lo com o valor fornecido nas curvas. Utilizar esses dados para o projeto

Cálculo de gm: Com IDSS, VP e VGS, determine gm :

1
Determinação de rds: No manual verificar o parâmetro yos (gos) que corresponde a .
rds

Valor RG: O resistor RG deve ser tal que não represente uma carga excessiva para o circuito anterior. Nesse
projeto utilizar-se-á o valor de 22kΩ.

Montar o circuito e medir VDS, ID e VGS:

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Cáculo dos capacitores: Para RL=1k, Rg (medido na Tarefa 5) determine os capacitores para a freqüência
de corte de 100Hz.

Calcular Gv, Ri e Ro

Medir Gv e Ro na freqüência de 1kHz e comparar com os valores calculados.

Verificar a freqüência de corte inferior.

Trabalho extra-classe: Estudar e preparar uma resenha sobre os transistores do tipo MOS, incluindo
circuitos de polarização. Pesquise e inclua a data sheet de pelo menos um MOS-FET que contenha as
curvas.

A resenha deverá ser entregue em CD, no formato DOC, compatível com o Office 2003. É
responsabilidade da equipe garantir que o arquivo esteja compatível. No CD deve estar identificada a
equipe e os e-mails.

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