Determinación del gap de energia del Germanio

D.F. Ortiz Gutierrez, J.C. Higuera Calderón, L.F. Flórez Cáceres

Dpto. de Fı́sica
Universidad Nacional de Colombia

28 de octubre de 2019

Resumen

En el presente trabajo se determino la energı́a necesaria para que un electrón en una red cristalina
de Germanio vaya de la banda de valencia a la banda de conducción, es decir el gap de energia, esto
se hizo utilizando una relación entre esta energı́a, la temperatura y la resistencia de un semiconductor
dada por la teorı́a de bandas. Se obtuvo un gap de energı́a de 0, 721 ± 0, 036eV que comparado con el
valor de referencia 0,661 eV tiene un error porcentual del 9,0 %

1. Introducción

Cuando los átomos se unen formando estructu-

ras cristalinas, los niveles energéticos de cada uno
de ellos se desdoblan, se desplazan ligeramente de su
posición en un átomo aislado. Al tener una gran can-
tidad de átomos, el desdoblamiento origina la forma-
ción de bandas de energı́a. La distribución electróni-
ca en las bandas ocupadas de mayor energı́a deter- Figura 1: Semiconductor a temperatura 0K
mina las propiedades electrónicas del material.
Un semiconductor es una red cristalina en la cuál
la banda de valencia, está completamente llena a
temperatura cero y se separa de la banda de conduc-
ción que está totalmente vacı́a a esta temperatura.
De tal forma que en el cero absoluto el semiconductor
es un aislante perfecto. Sin embargo a temperaturas
más altas, algunos electrones de la banda de valencia
pueden adquirir la suficiente energı́a térmica aleato-
ria para excitarse a través de la banda prohibida con
el fin de convertirse en electrones de conducción en
la banda de conducción, que hasta entonces estaba
vacı́a. Ası́ el semiconductor tendrá electrones en su
banda de conducción y huecos en su banda de valen-
cia, comportandose ası́ como conductor. Figura 2: Semiconductor a temperatura 300K

1
 Los semiconductores en los que los huecos y los Huecos
electrones se crean exclusivamente mediante una ex-
f − 
citación térmica a través de la banda prohibida de fp0 () = exp(− ) (4)
energı́a, se conocen como semiconductores intrı́nse- KT
cos. En un semiconductor intrı́nseco las concentra-
ciones de electrones y huecos siempre deben ser las al aplicar esta aproximación en (1) y (2) e inte-
mismas, ya que la excitación térmica de un electrón grando para obtener el número total de electrones
origina inevitablemente sólo un hueco. La población por unidad de volumen en la banda de conducción y
de huecos y electrones en un semicondcutor intrı́nse- de valencia se encuentra [1]:
co se describe [1] de acuerdo a la función de distri- Electrones
bución Fermi-Dirac y las funciones de densidad de
estados para las bandas de valencia y conducción. KT 1.5 exp(− c −f )(5)
n0 = 2(2πm∗n ) KT
h2
Los electrones y los huecos se ven raramente exci-
tados hacia las regiones de la banda de conducción y Huecos
valencia en donde sus propiedades pueden diferir del
comportamiento de una partı́cula libre a temperatu- KT 1.5 exp(− f −v )(6)
p0 = 2(2πm∗p ) KT
ras fı́sicamente posibles, de manera que los efectos h2
de estas excitaciones se pueden desechar para fines
prácticos. Ası́ el comportamiento de estos electrones Dado que en un semiconductor intrı́nseco p0 = n0 =
y huecos en la parte baja de la banda de conducción ni donde ni representa el número de portadores de
y la parte superior de la banda de valencia respecti- carga por unidad de volumen, y como para una subs-
vamente es esencialmente el de una partı́cula libre. tancia semiconductora dada, las masas efectivas y la
banda prohibida de energı́a ∆ = c − v son fijas.
En condiciones de equilibrio térmico, a una tem- Ası́ ni debe ser función unicamente de la temperatu-
peratura T, con K la constante de boltzmann, c la ra. haciendo el producto de p0 con no , sacando raiz
energı́a de la banda de conducción y v la energı́a cuadrada y reemplazando po y no por ni finalmente
de la banda de valencia, el número de electrones y nos queda [3]:
huecos dn0 y dpo por unidad de volumen que tie-
nen una energı́a dentro del rango d alrededor de  KT
)1. (7)
5 exp(− ∆ )
ni (T ) = 2(2π(m∗n m∗p )0,5( h2
2KT

en la banda de conducción y de valencia con ma-

sas efectivas m∗n y m∗p respectivamente, de cualquier
Dado que la conductividad eléctrica σ se relaciona
semiconductor es [1]:
con la densidad de portadores de carga por la si-
Electrones guiente relación [5] σ = ni (e− µe + e+ µp ) donde µe
es la movilidad de los electrones, µp es la movilidad
dn0 = f0 ()gc ()d (1)
de los huecos, e la carga del electrón y ni la densidad
Huecos de portadores de carga. la ecuación (7) nos queda:
dp0 = fp0 ()gv ()d (2) ∆
σ(T ) = σ0 exp(− ) (8)
Donde f0 () = 1
− ) representa la función 2KT
1+exp( KTf )
5 KT 1.5
de distribución de Fermi en el equilibrio, fpo () = Donde σ0 = (e− µe + e+ µp )2(2π(m∗n m∗p )0 . h2 ) .
1 − fo () representa la probabilidad de que un hue- Dado que µ la movilidad de los portadores de carga
co esté asociado
√
con un √estado cuántico de energı́a es directamente proporcional a T (−3/2) entonces σ0
5
, gc () = ( 8 h32π (m∗n )1. −c )d el factor de densi- es independiente de la temperatura.
dad√
de estados en la banda de conducción y gv () =
5√ Por último, sacando logaritmo natural a ambos
( h3 (m∗p )1. v −)d el factor de densidad de esta-
8 2π
lados tenemos:
dos en la banda de valencia.
La anchura de la region de energı́a prohibida es ∆
ln(σ) = ln(σ0 ) − (9)
casi siempre del orden de 1 eV y dado que kT a 2KT
temperatura ambiente es aproximadamente 1/40 eV
podemos aproximar las distribuciónes de Fermi a la Dado un material con area transversal A y lon-
aproximación de Boltzmann dada por [2]: gitud L su resistencia eléctrica R se relaciona con la
conductividad σ por medio de [4]:
Electrones
 − f L
f0 () = exp(− ) (3) σ= (10)
KT RA

2
2. Detalles experimentales de calentamiento presionando el botón nuevamente.
Desde el momento en el que se apagó el dispositi-
vo de calentamiento se tomaron mediciones para el
voltaje en el material y para la resistencia durante
diez minutos mientras la placa se enfriaba, obtenien-
do valores de resistencia y voltaje hasta que la dife-
rencia de potencial disminuyo a valores alrededor de
570mV o valores de temperatura de 57K.

3. Resultados y análisis

Figura 3: Montaje utilizado en el experimento

Para el desarrollo de este experimento se usó una
fuente de voltaje y dos multı́metros tomando medi-
ciones de voltaje y resistencia. Se empleó también
una unidad base para efecto Hall (LD Didactic 585
850) y una placa con Germanio (LD Didactics 586
852) con dimensiones 1x10x20 mm, este último do-
pado positivamente, o lo que es lo mismo dopado
tipo P. La unidad base disponı́a de un par de en-
tradas por la que aplicar o medir un voltaje en la
placa de germanio. Un botón de calentamiento de-
A partir de las mediciones de resistencia y dado
que se conocen las dimensiones de la placa de ger-
manio utilizada podemos conocer la conductividad
de esta mediante la ecuación 10, a partir de esto po-
demos graficar en la figura 4 la relación ln σ vs 1000
T
tal como sugiere la ecuación 9.
ln( ) vs 1000/T
4,6

ln( )
jaba que el material se calentara al aplicando una
diferencia de potencial en una entrada de la unidad 4,4

y una lı́nea de salida permitı́a medir la temperatura

4,2
del material calentado. Dicha placa tenı́a una sensi-
bilidad de 10mV/K, y unos valores sugeridos para
-1
[ ]= m

4,0

la corriente y voltaje de 3A y 15V presentados en la

placa. 3,8
ln( )

Se conectó la fuente a la entrada de calentamien- 3,6

to de la unidad. Se ajustó el potencial y corriente

en los valores sugeridos por el fabricante. Posterior- 3,4

mente se conectaron los dos multı́metros a la unidad,

3,2
uno en las dos entradas para voltaje y el otro en la 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9

salida para medida de temperatura. De tal manera 1000/T (K )

-1

que se pudiera medir el voltaje y la resistencia en

el material, permitiendo ası́ relacionar este último
valor y la conductividad del germanio, ası́ como el
primero y la temperatura con base en la sensibilidad
especificada por el fabricante en la placa.
Se permitió luego mediante el botón de la unidad
que la placa se calentara hasta un valor establecido
de 150 K, es decir cuando se indicara en el multı́me-
tro dispuesto para voltaje una diferencia de poten-
cial de alrededor de 1500 mV. Una vez el germanio
alcanzó la temperatura deseada se cortó el circuito
Figura 4: ln σ vs 1000/T.
De la figura 4 podemos distinguir dos regiones
lineales interrumpidas por una pronunciada curva,
al observar cada una de estas regiones por separado
podemos obtener las siguientes figuras y regresiones
lineales para cada sección.

3
 ln( ) vs 1000/T : Parte lineal con pendiente negativa ln( ) vs 1000/T : Parte lineal con pendiente positiva

3,50
4,6
ln ( ) C

Regresión lineal 3,48

Linear Fit of Sheet1 C

4,4
3,46

3,44
4,2

3,42
-1
[ ] = m

-1
ln( ) [ ] = m
4,0 3,40

3,38
ln( )

3,8

3,36

3,6 3,34

3,32

3,4
3,30

2,25 2,30 2,35 2,40 2,45 2,50

2,60 2,65 2,70 2,75 2,80 2,85 2,90

-1
1000/T (K ) 1000/T

Figura 5: ln σ vs 1000/T para la región con tendencia Figura 6: ln σ vs 1000/T para la región con tendencia
lineal con pendiente negativa en la figura 4. lineal con pendiente positiva en la figura 4.

Regresión lineal:
Regresión lineal:
1000
ln σ = (0, 744 ± 0, 013) · + (1, 35 ± 0, 03)
T

1000
ln σ = (−4, 18 ± 0, 21) · + (13, 8 ± 0, 5) R2 = 0, 99
T

De nuevo, comparando esta regresión con la ecua-

ción 9 podemos obtener Eg0 = −0, 128 ± 0, 002.
R2 = 0, 96 Al analizar la región de bajas temperaturas se en-
cuentra para la parte lineal en la figura 6 el valor Eg0
, el cual si tenemos en cuenta que a bajas temperatu-
ras un semiconductor intrı́nseco como el germanio se
De la ecuación 9 sabemos que la pendiente M de comporta como aislante podemos concluir que esta
esta regresión lineal corresponde a la expresión conductividad es debido a las impurezas en el ger-
manio, Siendo esta la región en la cuál el material se
Eg comporta como semiconductor extrı́nseco.
M =− · 1000
2kb Para temperaturas mayores se presenta entonces
un cambio en el comportamiento de la conductivi-
dad en función de la temperatura y se pasa a la
De aquı́ podemos obtener entonces segunda región donde, se presenta de nuevo en la
figura 5 un comportamiento lineal del cual se ob-
tiene Eg . Teniendo en cuenta que a temperaturas
Eg = 0, 721 ± 0, 036 mayores se produce una saturación de la ionización
de las impurezas, de tal forma que una vez activadas
todas ellas, el aumento de temperatura no produce
un cambio apreciable en el número de portadores de
Resultado que comparado con el valor de referen-
carga y que al mismo tiempo los electrones ganan
cia del gap del germanio Eg,exp = 0, 661 [3] tiene un
la suficiente energı́a térmica para atravesar la banda
error porcentual del 9, 0 %.
prohı́bida entonces podemos concluir que Eg obteni-
Para la segunda región donde la temperatura es da en la región de altas temperaturas corresponde al
menor encontramos la siguiente figura y regresión gap de energı́a entre la banda de valencia y la banda
lineal. de conducción en el germanio. Siendo esta la región

4
en la cuál el material se comporta como semiconduc-
tor intrı́nseco.
Finalmente hay que destacar que en el interva-
lo de trancisión entre la región de comportamiento
extrı́nseco e intrı́nseco no hay un cambio apreciable
de la conductividad respecto a la temperatura, esto
es a causa de que a estas temperaturas la ioniza-
ción de las impurezas ya esta saturada pero todavı́a
los electrones no han alcanzado la energı́a suficien-
te para transitar entre la banda de valencia y la de
conducción.
4. Conclusiones
la literatura, mostrando que las relaciones teóricas
obtenidas en las ecuaciones 8 y 10 se corresponde
con los métodos utilizados para medir este resultado.
Además de encontrar el valor del gap de energı́a del
germanio se identificaron los efectos en la conducti-
vidad del material debido a las impurezas presentes
en el germanio.
La medición del gap de energı́a muestra la natu-
raleza cuántica, pues la formación de las bandas de
valencia y de conducción es una manifestación de la
mecánica cuántica en materiales donde se presentan
grandes cantidades de átomos, punto en el cual la na-
turaleza discreta se convierte en un pseudo-continuo
debido a la gran cantidad de estados de energı́a.

Se logró comprobar el gap del germanio Eg =

0, 721 ± 0, 036 con un error del 9,0 % respecto de

Referencias

[1] J.P. McKELVEY (1996). Fı́sica del estado sólido y de semiconductores. ed. LIMUSA S.A. de C.V
grupo noriega editores.
[2] Melissinos, A. (1966). Experiments in modern physics. 4th ed. New York: Academic Press.
[3] D.A. Neamen (1992). Semiconductor Physics and Devices Basic Principles. 3rd ed. McGraw-Hill.
[4] tomado de https://en.wikipedia.org/wiki/Electrical-resistivity-and-conductivity el 27 de octubre de
2019.
[5] D.R. Askeland, P.P. Fulay, W.J.Wright (2011). The Science and Engineering of Materials, 6ta ed.
Cengage Learning