SEGUNDA UNIDAD: Transistor de unión bipolar (BJT)

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Guía de Prácticas

Diseño con Transistores Bipolar (BJT)

Grupo: IET 3-1.3 Nota:

Alumno: Angel Randy Mendieta Medina

I. Objetivos
 Determinar el punto de operación y la región de trabajo de un transistor.
 Comprobar el funcionamiento de algunos circuitos de aplicación del transistor de unión
bipolar de acuerdo a sus regiones de trabajo: activa, corte y saturación
II. Contenido teórico
 Transistor de unión bipolar (BJT)
III. Equipos y materiales
Laboratorio: Electrónica Básica
Equipos y dispositivos:
 Osciloscopio
 Generador de señales
 Fuente de Poder (DC)
Software:
 Simulador Multisim - Proteus
Materiales y fungibles (deben ser adquiridos por los alumnos):
 Comprar 04 fungibles de cada uno de los siguientes materiales:
o R1 2.2kΩ a ½ vatio y R2 10kΩ a ½ vatio
o R3 10kΩ a ½ vatio, R4 10kΩ a ½ vatio y R5 330Ω a ½ vatio
o R6 82kΩ a ½ vatio, R7 820Ω a ½ vatio, R8 220Ω a ½ vatio y R9 22kΩ a ½ vatio
o R10 1.0kΩ a ½ vatio, R11 1.0kΩ a ½ vatio y R12 330Ω a ½ vatio
o R16 22kΩ a ½ vatio, R17 330Ω a ½ vatio y R18 1kΩ a ½ vatio
o R19 8.2kΩ a ½ vatio y R22 470Ω a ½ vatio
o 02 Capacitores de 10 uF (C1 y C2)
o 01 Transistor de unión bipolar npn BC548B o equivalente
o 01 Transistor de unión bipolar 2N2222A o equivalente
 o 01 Diodo emisor de luz (LED)
 Protoboard
 Multímetro
 Cable telefónico sólido (2 metros) varios colores
 Alicates para cortar y pelar alambre
 Lentes de protección y Mandil

IV. Cuestionario Previo

A continuación, el alumno deberá investigar los conceptos que se necesitaran saber para el
buen desarrollo del desarrollo de esta práctica:
 ¿Qué es polarización del transistor?
Polarizar un transistor es darle los valores necesarios para que trabaje en el punto de
funcionamiento, (la corriente del colector y el voltaje colector-emisor).
Hay cuatro sistemas diferentes de polarización, polarización fija, polarización fija con
resistencia de emisor, polarización por realimentación de colector, polarización por divisor
de tensión o polarización universal. Se pretende que el punto de funcionamiento sea estable
con la temperatura, es decir no varíe la corriente del colector y la voltaje colector-emisor,
pero esto es difícil, ya que con los aumentos de temperatura lo hace la corriente de colector y
a su vez, un aumento de corriente colector produce aumentos de temperatura.
El punto Q es muy inestable con los sistemas de polarización polarización fija y polarización
fija con resistencia de emisor, y no lo es tanto con los sistemas polarización por realimentación
de colector y polarización por divisor de tensión o polarización universal.
 ¿Qué aplicaciones se puede utilizar con un transistor que funciona en corte y
saturación?
Los transistores en circuitos de control en los cuales es necesario activar o desactivar algún
dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en regiones de corte y saturación en forma
alternada, se dice que el transistor trabajará como conmutador, como interruptor o como
switch.
 ¿Qué propiedades tiene la topología de emisor común por divisor de tensión?
Transistores, polarización por divisor de tensión es muy utilizada como fuente de corriente,
también se conoce como circuito amplificador, la idea principal de este circuito es
proporcionar una corriente de colector (o emisor) constante e independiente del ß y de la
temperatura.

 ¿Qué aplicaciones se puede utilizar con un transistor en modo amplificador?

Amplificación de todo tipo de alta y baja frecuencia, radio, televisión, instrumentación,
sistema de control, audio, etc.

V. Procedimiento

Parte 1. Diseño de Circuito en Corte y Saturación.

Sabiendo que para alcanzar el nivel de saturación debemos garantizar que:

 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 >
𝛽𝑐𝑑

𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝑐

𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Por lo general es suficiente
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 >
20
Figura 1

1. En el circuito de la Fig. 2 donde VBB= VCC=10 v se quiere mantener al transistor en

saturación fuerte con una intensidad de saturación en colector de 30 mA (Icsat=30 mA)y
que pueda encender el lev azul. ¿qué valores deberían tomar RB y RC para ello? El transistor
utilizado es el BC548B (se adjuntan sus especificaciones técnicas en el Apéndice).

Figura 2
Parámetros Valores Teóricos Operación Valores
Reales
VBB=VCC 10 V - 10 V
Vled azul 5V - 2,18v
RB 89k 10𝑣 − 0,7𝑣 82kΩ
𝑅𝑏 =
30𝑚𝑎
290
RC 180Ω 10𝑣 − 5𝑣 160Ω
𝑅𝑐 =
30𝑚𝑎
Ib 113,4uA 10𝑣 − 0,7𝑣 114,05uA
𝐼𝐵 =
82𝑘
Ic 30mA - 30mA
Ie 32mA 𝐼𝑒 = (290 + 1)113,4𝑢𝐴 29mA
VCE 4,6v 𝑉𝑐𝑒 = 10𝑣 − (30𝑚𝐴 ∗ 180Ω) 3,89V
βdc sat 290 - -
Tabla 1
 2. Utilizando el mismo circuito implementado en la sección 1, coloque al transistor en corte
(VBB=0 v). Compare los resultados obtenidos simulados con los teóricos y complete la
tabla 2.

Parámetros Valores Valores Reales

Teóricos
VCC 10 V 10 V
VBB 0V 0V
Vled azul 5v 2.27V
Ib 0A 0V
Ic 30mA* 0mA
Ie 0A 0A
VCE 0V 7,7V
Tabla 2

Parte 2. Polarización de Emisor (por División de Tensión)

V=12
Ecuaciones de Diseño:

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝐵 = = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑅1 + 𝑅2
= 𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 0.7

Bajo la condición de:

𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
1. En el circuito de la Fig. 3 VCC=12 V se quiere situar al transistor en su zona activa en el
punto medio de su recta de carga (6V) con (Ic=20 mA), Encuentre el valor de β, calcule y
seleccione unos valores para R1, R2, RC y RE. El transistor utilizado es el BC548 (se
adjuntan sus especificaciones técnicas en el Apéndice). Se recomienda usar Re=120Ω y
R2=1kΩ.

Figura 3

2. En base a los resultados teóricos obtenidos en el apartado 1, implemente el circuito de la

Fig. 2. Compare los resultados obtenidos experimentalmente con los teóricos y complete
la tabla 3.
Parámetros Valores Operaciones Valores Reales
Teóricos
VCC 12 V - 12v
R1 2,7k Ω 12𝑉∗1𝐾Ω
𝑅1 = (20𝑚𝐴∗120Ω)+0,7𝑣-1kΩ 2,7k Ω

R2 1k Ω - 1k Ω
RC 180 Ω 12𝑣 − 6𝑣 180 Ω
𝑅𝑐 = ( ) − 120
20𝑚𝐴
RE 120Ω - 120 Ω
Ib 57,26uA (
1𝑘Ω ∗ 12𝑣
) − 0,7𝑣 67,26uA
1𝑘Ω + 2,7𝑘Ω
𝑖𝑏 =
2,7𝑘Ω ∗ 1𝑘Ω
( ) + (363 + 1) ∗ 120Ω
2,7𝑘Ω + 1𝑘Ω
Ic 20mA - 20,4mA
Ie 20mA 2,4𝑣 20,5mA
𝐼𝑒 =
120
Vb 3.1v 1𝑘Ω. 12𝑣 3.19v
𝑉𝑏 =
1𝑘Ω + 2,7𝑘Ω
Vc 8,4v 𝑉𝑐 = 12 − (180Ω ∗ 20𝑚𝐴) 8,3v
Ve 2,4v 𝑉𝑒 = 120Ω ∗ 20𝑚𝐴 2,4v
VCE 6v - 6v
Tabla 3

3. Cambie el transistor BC548B por el 2N2222A, implemente el circuito de la Fig. 2.

Compare los resultados obtenidos y complete la tabla 4.
Parámetros Valores % de Variación con
2N2222A referencia al BC548
Ib 102uA 67,26uA 51,65%
Ic 19,65mA 20,4mA 3,67%
Ie 19,75mA 20,5mA 3,65%
Vb 3,08v 3.19v 3,44%
Vc 3,53v 3,6v 1.94%
Ve 2,37v 2,4v 1.25%
VCE 6,01v 6v 0.16%
Tabla 4
VI. Informe Final
Indique el funcionamiento de los circuitos de la parte 1 y parte 2:
La primera configuración del circuito 1, es del tipo de polarización fija, se usa en la configuración
emisor común, ya que en la configuración base común cortocircuita la entrada, y en la configuración
colector común cortocircuita la salida.
La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra
en saturación, mientras que la resistencia de base Rb regula la cantidad de corriente que ingresa a
la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación,
activa o corte).

En el segundo circuito se trata de un circuito de polarización por medio del divisor de voltaje,
con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el
transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantiene inalterables. Es por esta razón que
este tipo de polarización es la más utilizada cuando se trata de diseñar un amplificador.
 Conclusiones

 En el diseño de nuestro circuito con transistor, hay que verificar la condición para que
pueda funcionar correctamente. En los cálculos de las resistencias nos pueden resultar
valores poco conocidos, por lo tanto, hay que tomar en cuenta una aproximación del valor
disponible que tenga el fabricante. En nuestros circuitos al momento de hacer los calculo,
lo primero es que hay que encontrar primero el valor de B o ganancia en el datasheet y
fijarnos si está en el modo encendido, apagado o con una pequeña señal de voltaje.
 En ambos circuitos, tenemos que cerciorarnos que los valores de la simulación y calculo
no se muy distantes. En la parte de cambiar de un transistor a otro con las mismas
resistencias podemos darnos cuentas que cada transistor tienen uno parámetros distintos
que en cierto modo puede darlos valores próximos, pero en otros casos puede haber
variaciones notables en una misma serie de transistores, por lo cual hay que revisar
siempre los datasheet.
 En unos de los circuitos ya mencionados utilizamos valores para obtener el punto Q por lo
cual se necesitan que los cálculos sean precisos para llegar hasta ese punto.

Recomendaciones
 Se recomendamos utilizar todas las reglas de redondeo para los cálculos de los circuitos
del transistor para evitar que los valores no varíen mucho en relación con los datos
obtenidos a través de la práctica.
 Al momento de las mediciones verificar las escalas, las posiciones del instrumento, ya que
si no se hace correctamente pueden afectar severamente los resultados de la simulación.
 Tomar en cuenta en los cálculos los valores de los leds, ya que cada color posee un valor
distinto.