Cedeño Mendoza Irwing Octavio

Villagrán Celaraín Jessica Yocasta

Cálculo de energía de activación a partir de la conductividad

Conductividad

La conductividad en un material representa la habilidad de un material de dejar pasar corriente eléctrica.

Se representa generalmente con la letra griega 𝜎. La unidad del sistema internacional es el siemens sobre
metro (S/m). La corriente eléctrica es el movimiento ordenado de cargas eléctricas. Estas cargas se
denominan portadores de carga.

Semiconductores

Los semiconductores son materiales con conductividades

intermedias entre los conductores y los aislantes. Las magnitudes
de la conductividad en semiconductores se encuentran en el
orden de 10-4 a 104 Ω m-1. Este rango intermedio corresponde a
energías de banda prohibida de menos de 2 eV. Los electrones y
los huecos son los portadores de carga en un semiconductor
simple.

Los semiconductores intrínsecos son aquellos puros, elementales

(sin dopaje). Los huecos en la banda de valencia de estos
semiconductores son vacancias creadas por electrones que han
sido excitados térmicamente a la banda de conducción. Para el
caso de estos semiconductores, es posible transformar la
expresión general de la conductividad a una forma específica para Figura 1. Gráfica de Arrhenius de la
semiconductores: conductividad eléctrica para el silicio

𝜎 = 𝑛𝑞(𝜇𝑒 + 𝜇ℎ )
Donde n es la densidad de electrones en la banda de conducción (que es equivalente a la cantidad de
huecos), q es la carga del electrón (equivalente a la carga del hueco) y 𝜇𝑒 y 𝜇ℎ son las movilidades de los
electrones y los huecos, respectivamente.

Un mecanismo de activación térmica produce la dependencia de la conductividad con respecto a la

temperatura específica en semiconductores. Para este mecanismo, la densidad de portadores aumenta
exponencialmente con la temperatura:

Donde Eg es la brecha prohibida, k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta.

Volviendo a la primera ecuación, observamos que 𝜎 está determinada por la dependencia de la

temperatura de 𝜇𝑒 y 𝜇ℎ , así como de n. El aumento exponencial de n es más significativo que la
dependencia de la temperatura en sigma, permitiéndonos escribir:

y rearreglando para analizar comportamiento lineal:

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Causas de la conductividad en semiconductores

En semiconductores, la posición del nivel de Fermi se encuentra dentro de la brecha prohibida, alrededor
de la mitad entre la banda de conducción y la banda de valencia para los semiconductores intrínsecos.
Esto implica que a temperatura de cero absoluto no existirán electrones libres de conducción y la
resistencia será infinita. Sin embargo, la resistencia disminuye a medida que la densidad de carga de los
portadores en la banda de conducción aumenta. En los semiconductores extrínsecos (dopados), los
átomos dopantes aumentan la concentración de portadores de carga donando electrones a la banda de
condición o produciendo huecos en la banda de valencia. Para ambos tipos de átomos (donadores o
aceptores), aumentar la densidad de dopante reduce la resistencia. Por lo tanto, los semiconductores
altamente dopados presentan un comportamiento metálico.

Desarrollo experimental

Para este desarrollo se observaron los trabajos de Ahmed J. Hassan3 y Faezeh Farzaneh2 para analizar las
propiedades del NiO. Específicamente, en el trabajo de Hassan (películas delgadas) se midió la resistividad
con respecto a la temperatura, y el análisis de estos datos permitió relacionarlos con la ecuación de
Arrhenius mencionada anteriormente. En el trabajo de Farzaneh (nanopartículas) se midieron
propiedades ópticas (absorbancia con respecto a longitud de onda) para finalmente, en ambos,
determinar el bandgap del NiO y compararlos con los datos reportados en la literatura.

Comenzando por el trabajo de Farzaneh (mediciones ópticas en nanopartículas de NiO), se observó

inicialmente que los datos que se ajustan al método utilizado para la determinación de bandgap son
justamente, los de nanopartículas:

1.3
1.2
1.1
1
Absorbancia

0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
150 250 350 450 550 650 750
Longitud de onda (λ) [nm]

NiO bulk NiO calcinated Nano NiO

Gráfico 1. Absorbancia contra longitud de onda de las tres partículas analizadas en este artículo
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Se sabe que el NiO tiene una transición indirecta permitida1, por lo tanto, se utiliza α(hν)1/2 vs hν para la
determinación del bandgap. A continuación, se muestran los resultados de graficar estos datos para las
tres muestras:

α(hν)1/2 vs hν (bulto)
7.00E-10
6.00E-10
5.00E-10
α(hν)1/2

4.00E-10
3.00E-10
2.00E-10
1.00E-10
0.00E+00
0.00E+002.00E-19 4.00E-19 6.00E-19 8.00E-19 1.00E-18 1.20E-18
hν

α(hν)1/2 vs hν (calcinado)
6.00E-09
5.00E-09
4.00E-09
α(hν)1/2

3.00E-09
2.00E-09
1.00E-09
0.00E+00
0.00E+002.00E-194.00E-196.00E-198.00E-191.00E-181.20E-18
hν

α(hν)1/2 vs hν (nanopartículas)
7.00E-09
6.00E-09
5.00E-09
α(hν)1/2

4.00E-09
3.00E-09
2.00E-09
1.00E-09
0.00E+00
0.00E+002.00E-194.00E-196.00E-198.00E-191.00E-181.20E-18
hν

Gráficos 2, 3, 4. α(hν)1/2 vs hν para las muestras indicadas

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El comportamiento que presenta una línea recta para la determinación del bandgap es el de las
nanopartículas, por lo que, siguiendo el procedimiento de extrapolar la recta al eje, se obtiene el valor de
bandgap de 4.6 eV, equivalente en esta clase de semiconductor (intrínseco) a la energía de activación.

El autor no reporta valores de bandgap, por lo que no se realizó una comparación del resultado obtenido
con lo reportado por el autor, pero sí un análisis de lo reportado en otras fuentes. Dicho análisis podrá ser
consultado después del procedimiento experimental.

Analizando ahora el artículo publicado por Hassan, se pueden observar distintas inconsistencias con los
datos reportados y los datos analizados en sus gráficas. Inicialmente indica que la conductividad del NiO
a temperatura ambiente es de 1.3*105 (Ω cm)-1, sin embargo, al observar sus datos y convertir la
resistividad a conductividad, podemos ver que el valor es de 1.3*103 (Ω cm)-1.

Figura 2. Extracto del artículo de Ahmed J. Hassan donde se indica la conductividad del NiO de acuerdo con su análisis
de datos.

Temperatura Temperatura-1 Resistividad Conductividad

[K] [K-1] [Ω cm] [Ω cm] -1
302.63 0.0033044 744.74886 0.001342735
304.89 0.003279857 738.35616 0.00135436
305.71 0.003271111 728.76712 0.00137218
307.34 0.003253758 718.11263 0.001392539
308.97 0.003236588 700.00000 0.001428571
310.87 0.003216783 686.68189 0.001456278
311.41 0.003211169 671.23288 0.001489796
313.04 0.003194444 666.43836 0.001500514
313.95 0.003185228 652.58752 0.001532362
315.49 0.003169681 632.87671 0.001580087
316.76 0.003156992 617.96043 0.001618227
317.93 0.003145299 599.31507 0.001668571
319.02 0.003134583 582.26788 0.001717423
320.83 0.003116883 546.04262 0.001831359
Tabla 1. Relación de los datos del artículo para obtener la conductividad. Se observa que el valor de la conductividad
se encuentra en el orden de 10-3 ohm cm-1.
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Figura 3. Gráfica reportada por el autor para resistividad vs T. Se puede observar que el valor aproximado de la
resistividad a temperatura ambiente es de 700, por lo que es consistente con los datos tratados en este ejercicio,
pero inconsistente con lo que reportó en su publicación.

El análisis se continuó con los datos obtenidos de la gráfica del autor (usando las unidades del SI),
observando una gráfica de ln σ vs 1/T como se presenta a continuación:

ln σ vs 1/T
2.5
2
1.5
1
0.5
0
ln σ

0.002 0.0022 0.0024 0.0026 0.0028 0.003 0.0032 0.0034

-0.5
-1
-1.5
-2
y = -3399.9x + 8.8108
-2.5 R² = 0.9652
-3
1/temperatura [1/K]

Gráfico 5. ln σ vs 1/T para el artículo de Hassan

El valor de la pendiente se utiliza para determinar el valor de la energía de activación, que resulta ser el
mismo que el bandgap, obteniendo lo siguiente:

𝑝𝑒𝑛𝑑𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 ∗ (−2𝑘) = 𝐸𝑔

Sustituyendo:

−3399.9 ∗ (−2 ∗ 1.38064852 ∗ 10−23 ) = 𝐸𝑔

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𝐸𝑔 = 9.3882 ∗ 10−20 𝐽

Siendo el valor de la energía de activación de 0.586 en eV.

El autor reporta un valor de Ea de 0.41 para temperaturas altas y 0.2 para temperaturas bajas.

Análisis de resultados

Después de obtener gráficamente los resultados para el valor de la energía de activación del NiO, se
recurrió a la literatura para comparar con los datos reportados:

Teórico Farzaneh Hassan

Eg [eV] 3.5 4.6 0.586
Error 31.43% 83.26%
Tabla 2. Cálculo de porcentaje de error para los artículos consultados.

En un análisis previo se comprobó que el método espectroscópico es adecuado para la obtención del
bandgap, por lo que en este caso el error fue mayor al 5% en los datos del artículo de Farzaneh debido a
los datos proporcionados por el autor. En el caso del artículo de Hassan, el método de la resistividad para
la aproximación por la ecuación de Arrhenius no produjo los resultados esperados ya que el artículo
presenta distintas inconsistencias en su análisis de datos, por lo que no se puede determinar si las
mediciones son confiables.

Para el método espectroscópico se consideraron los datos únicamente de las nanopartículas debido a que
la curva es la que más se ajusta a lo realizado anteriormente, con una sección en la curva que se puede
aproximar a una línea recta.

Conclusión

La energía de activación es equivalente a la energía de la brecha prohibida para semiconductores

intrínsecos, por lo que es posible determinar Ea a partir de distintos métodos de aproximación de la Eg: el
bandgap óptico se obtiene a partir de métodos espectroscópicos, mientras que el bandgap eléctrico se
aproxima mediante métodos eléctricos que relacionan propiedades como la resistividad o la
conductividad con la temperatura.

Es muy importante la correcta medición y el tratamiento de los datos para obtener valores confiables
después de procesar la información. Las inconsistencias pueden llevar a errores muy altos en el análisis
de resultados.

Referencias

1. D’Amario, L., Föhlinger, J., Boschloo, G., & Hammarström, L. (2018). Unveiling hole trapping and
surface dynamics of NiO nanoparticles. Chemical Science, 9(1), 223–230.
2. Farzaneh, F., & Haghshenas, S. (2012). Facile Synthesis and Characterization of Nanoporous NiO
with Folic Acid as Photodegredation Catalyst for Congo Red. Materials Sciences and Applications,
03(10), 697–703.
3. Hassan, A. J. (2014). Study of Optical and Electrical Properties of Nickel Oxide (NiO) Thin Films
Deposited by Using a Spray Pyrolysis Technique. Journal of Modern Physics, 05(18), 2184–2191.
4. Shackelford JF (2008) Introduction to materials science for engineers, 7th ed. Prentice Hall, Upper
Saddle River