Componentes: Memorias

1.2.2.1 ARQUITECTURA

ARQUITECTURA DE LA MEMORIA (ROM)

La arquitectura (estructura) interna de un CI-ROM es muy compleja y no necesitamos

conocer todos sus detalles. Sin embargo es constructivo observar un diagrama simplificado de la
estructura interna. Existen cuatro partes básicas: decodificador de renglones, arreglo de registros
y buffer de salida

• Arreglo de registros

El arreglo de registros almacena los datos que han sido programados en la ROM. Cada
registro contiene un número de celdas de memoria que es igual al tamaño de la palabra. En este
caso, cada registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen en un arreglo de
matriz< cuadrada que es común a muchos circuitos de semiconductor. Podemos especificar la
posición de cada registro como una ubicada en un reglón y una columna específicos.

Las 8 salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que corre
atreves de todo el circuito. Cada registro tiene dos entradas de habilitación (E); ambas tienen que
ser altas a fin de que los datos del registro sean colocados en el canal.

• Decodificadores de direcciones.

El código de dirección aplicado A3, A2, A1, A0, determina que registro será habilitado para
colocar su palabra de datos en 8 bits en el canal. Los bits de dirección A1, A0, se alimentan de un
decodificador uno de 4 que activa una línea de selección de renglón, y los bits de dirección A3, A2,
se alimentan de un segundo decodificador uno de cuatro que activa una línea de selección de
columna. Solamente un registro estará en el renglón y la columna seleccionados por las entradas
de difracción, y estará habilitado.

• Buffer de salida

El registro habilitado por las entradas de selección coloca el dato que tiene sobre el canal
de datos. Estos datos entraran en los buffers de salida mismos que se encargan de trasmitirlos
hacia las salidas externas siempre y cuando CS este en bajo. Si CS esta en alto, los buffers de salida
se encuentran en el estado de alta impedancia, con lo que D7 asta D0 estarán flotando0

ARQUITECTURA DE LA MEMORIA (RAM)

Como sucede con la ROM, es útil pensar que la RAM consta de varios registros, cada uno
de los cuales almacenan una sola palabra de datos y tiene una dirección única. Las RAMS
comúnmente vienen con capacidades de palabras de 1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K, 256K, y 1024K, y
tamaños de palabras de 1, 4, u 8 bits. Como veremos mas adelante , la capacidad de las palabras y
el tamaño de estas puede extenderse combinando circuios integrados de memoria.

• Operación de lectura.

El código de dirección selecciona un registro del circuito de memoria para leer o escribir. A
fin de leer el contenido de registro seleccionado, la entrada lectura/escritura (R/-W)* debe ser un
1. Además, la entrada (CS) selección de CI debe ser activada (un 0 de este caso). La combinación
de R/-W es igual a 1 y CS es igual a 0 habilita los buffers de salida de manera que el contenido de
registro seleccionado aparecerá en las cuatro salidas de datos. R/-W igual a 1 también deshabilita
los buffers de entrada de manera que las entradas de datos no afecten la memoria durante la
operación de lectura

• Operación de escritura

Para escribir una nueva palabra de cuatro bits en el registro seleccionado se requiere que
R/-W igual a 0 y CS igual 0. Esta combinación habilita los buffers de entrada de manera que la
palabra de cuatro bits aplicada a las entradas de datos se cargara en el registro seccionado. R/-W
igual a 0 también deshabilita los buffers de salida que son de tres estados, de manera que las
salidas de datos se encuentran en el estado de alta-z, durante una operación de escritura. La
operación de escritura, desde luego, destruye la palabra que antes estaba almacenada en la
dirección.

• Selección de CI.

Muchos circuitos de memoria tienen una o mas entradas CS que se usan para habilitar o
deshabilitar el circuito en su totalidad. En el modo deshabilitado todas las salidas y entradas de
datos se deshabilitas (alta-z) de manera que no puede tener lugar no la operación de lectura ni de
escritura. En este modo en contenido de la memoria no se afecta. La razón para tener entradas CS
será mas clara cuando se combinen CI de memoria para tener mayores memorias. Observe que
muchos fabricantes llaman a estas entradas CE (habilitación de circuito). Cuando las entradas CS o
CE se encuentran en un estado activo, se dice que el CI de memoria a sido seleccionado; de otro
modo se dice que no esta seleccionado. Muchos CI de memoria están diseñados para consumir
una potencia mucho menor cuando están seleccionados. En sistemas de memoria grandes, para
una operación dada de memoria, serán seleccionados una o más CI de memoria mientras que los
demás no.

• Terminales comunes de entrada/ salida

A fin de conservar terminales en un encapsulado de CI, los fabricantes a menudo

combinan los funciones de entradas y salida de datos utilizando terminales comunes de
entrada/salida. La entrada R/-W controla la función de estas terminales E/S. Durante una
operación de lectura, las terminales de entrada y salida actúan como salida de datos que
reproducen el contenido de la localidad de dirección seleccionada. Durante una operación de
escritura, las terminales de S/E actúan como entrada de datos. A las cuales se aplican los datos al
ser escritos.

ARQUITECTURA DE LA MEMORIA (EPROM)

• ROM programable y borrable

Una EPROM puede ser programada por el usuario y también puede borrarse y
reprogramarse tantas veces como desee. Una vez programada, la EPROM es una memoria no
volátil que contendrá sus datos almacenados indefinidamente. El proceso para programar una
EPROM implica la aplicación de niveles de voltaje especiales (comúnmente en un orden de 10 a 25
volts) a las entradas adecuadas del circuito en una cantidad de tiempo especificada (por lo general
50 minutos) por la localidad de dirección. El proceso de programación generalmente es efectuado
por un circuito especial de programación que esta separando del circuito en el cual la EPROM
eventualmente trabajara. El proceso de programación completo puede llevar barios minutos para
un microcircuito EPROM.

En una EPROM las celdas de almacenamiento son transistores MOSFET que tienen una
compuerta de cilicio sin ninguna conexión eléctrica (es decir, una compuerta flotante). En un
estado normal, cada transistor esta apagado y cada celda guarda un 1 lógico un transistor puede
encenderse mediante la aplicación de un curso de programación de alto voltaje, el cual inyecta
electrones de alta energía en la región formada por la compuerta flotante. Estos electrones
permanecen en esta región una vez que ha finalizado el pulso ya que no existe ninguna
trayectoria de descarga.

Una ves que sea programado una celda de la EPROM se puede borrar su contenida
exponiendo la EPROM a la luz ultravioleta (UV), la cual se aplica a través de la ventana que se
encuenta sobre el encapsulado del circuito. La luz (UV) produce una foto corriente que va desde la
compuerta flotante hacia el sustrato de cilicio; con esto se apaga el transistor y se lleva de nuevo
la celda hacia el estado uno lógico. Este proceso de borrado requiere entre 15 a 20 minutos de
exposición a los rayos (UV). Desafortunadamente, no existe ninguna forma de borrar solo algunas
celdas; la luz (UV) borra todas las celdas al mismo tiempo por lo que una EPROM barrada
almacena solamente unos lógicos. Una vez borrada puede volverse a programar.
 1.2.2.2 TIPOS DE MEMORIA

RAM: Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de
forma aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes
precedentes. RAM es el tipo más común de memoria en las computadoras y en otros dispositivos,
tales como las impresoras.

Hay dos tipos básicos de RAM:

•DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica

•SRAM (Static RAM), RAM estática

Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los datos. La RAM
dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM estática no
necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara
que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que pueden perder su contenido
cuando se desconecta la alimentación.

En el lenguaje común, el término RAM es sinónimo de memoria principal, la memoria

disponible para programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la memoria
especial generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque de la
máquina y de diagnósticos. La mayoría de los computadores personales tienen una pequeña
cantidad de ROM (algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permiten
acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoria RAM como
memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo lectura.

Se habla de RAM como memoria volátil, mientras que ROM es memoria no-volátil.

La mayoría de los computadores personales contienen una pequeña cantidad de ROM que
almacena programas críticos tales como aquellos que permiten arrancar la máquina (BIOS CMOS).
Además, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos periféricos
tales como impresoras laser, cuyas ‘fonts’ estan almacenadas en ROMs

Tipos de memoria RAM

• VRAM:
 Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de
vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos
diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la
VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico
suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la
una RAM normal

• SIMM:

Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una

pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo
SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los
antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de
bits. El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5″ de largo y
usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25″, que usa 72 contactos y puede
almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente. Un PC usa tanto
memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como
memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno
es para el chequeo de paridad

• DIMM:

Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una

pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo
DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

• DIP:

Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de

memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

• RAM Disk:

Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin
embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y
son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.

Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez
que la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un
disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la máquina.
Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán los datos que huviera en el
RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por
medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks

• SRAM

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable
que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que
necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.

Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos,
mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se
encuentran por debajo de 10 nanosegundos

Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM
estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas, pero
precisan más espacio y usan mas energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como
memoria caché

• DRAM

Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un
transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados
cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs,
PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido
cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM estática.

Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente

como un tipo de encapsulado; por ejemplo “se venden DRAMs, SIMMs y SIPs”, cuando deberia
decirse “DIPs, SIMMs y SIPs” los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar chips de RAM
dinámica. Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory) es utilizado para
referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM) que es más rápida y más estable que
la RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara
 • SDRAM

Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es
casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria
interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está
preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998.
También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite
leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús

• FPM:

Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y
columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits)
dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien
es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término “fast”
fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más

• EDO

Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast
Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips
EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.

EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la
velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado ‘pipeline’
que solapa las operaciones

• RAM Estática o SDRAM

Que no necesita ser restaurada, por lo que se vuelve más rápida pero también más costosa
que la DRAM. La SDRAM surgió junto con los microprocesadores Pentium II, pero son utilizadas
también para Pentium III, AMD K6, K6–2, K6–3, Athlon, Duron y demás variantes. Pueden
funcionar a 66, 100 o a 133 MHz En términos prácticos, es buena para la mayoría de los usos de
empresa o domésticos, y es más fácil de utilizar
 • MEMORIA ROM

ROM es el acrónimo de Read-Only Memory (memoria de sólo lectura). Es una memoria de

semiconductor no destructible, es decir, que no se puede escribir sobre ella, y que conserva
intacta la información almacenada, incluso en el caso de interrupción de corriente (memoria no
volátil). La ROM suele almacenar la configuración del sistema o el programa de arranque del
ordenador.

La memoria de sólo lectura o ROM es utilizada como medio de almacenamiento de datos

en los ordenadores. Debido a que no se puede escribir fácilmente, su uso principal reside en la
distribución de programas que están estrechamente ligados al soporte físico del ordenador, y que
seguramente no necesitarán actualización. Por ejemplo, una tarjeta gráfica puede realizar algunas
funciones básicas a través de los programas contenidos en la ROM.

Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad
ya que los discos son más lentos. Aún más importante, no se puede leer un programa que es
necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de
arranque oportuno del ordenador normalmente se encuentran en una memoria ROM.

La memoria RAM normalmente es más rápida de leer que la mayoría de las memorias
ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele trasvasar normalmente a la memoria RAM cuando
se utiliza.

• Sobre todo lectura

Además de los chips clásicos de memoria ROM puros, hay ROM llamada de “sobre todo
lectura” (del inglés, Read-Mostly Memory). Esta pueden ser escrita durante su realización, pero
además se puede cambiar su contenido después

Algunos ejemplos:

•Memoria PROM

•Memoria EPROM

•Memoria EEPROM

•Memoria flash

• PROM
 Es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria
digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser
quemado una sola vez. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en
cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

• EPROM

Son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM borrable programable).
Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos
cuando la fuente de energía se apaga. En otras palabras, es no volátil.

• EEPROM

Son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM programable

y borrable eléctricamente), en español o castellano se suele referir al hablar como EPROM y en
inglés “E-Squared-PROM”. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y
reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos
ultravioletas. Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser
borrada y reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces.

• La Memoria flash

es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones
de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante
impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada
vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean
lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo.

1.2.2.3 FUNCIONAMIENTO

La memoria RAM es en la que se depositan los programas para arrancar. La memoria ROM
o cache es la que tienes en este momento activa es la que ocupa lo ejecutado, lo presente una vez
que cambies de pantalla y no puedas volver a ella sin volver a cargarla quiere decir que ya no está
presente que no la tienes en cache. La memoria flash BIOS es la que contiene activa o
desactivamente la placa madre y sus componentes se mantienen por una pila de reloj en la placa
madre .

La memoria principal o RAM (acrónimo de Random Access Memory, Memoria de Acceso

Aleatorio) es donde el ordenador guarda los datos que está utilizando en el momento presente.

Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la información que está en la

memoria en cualquier punto sin tener que accederá la información anterior y posterior. Es la
memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador está en uso y que pierde sus
datos cuando el ordenador se apaga.

Proceso de carga en la memoria RAM:

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM.
El procesador entonces efectúa accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o
recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las
prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de
almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho más rápida, y se
borra al apagar el ordenador.

Es una memoria dinámica, lo que indica la necesidad de “recordar” los datos ala memoria
cada pequeño periodo de tiempo, para impedir que esta pierda la información. Eso se llama
Refresco. Cuando se pierde la alimentación, la memoria pierde todos los datos. “Random Access”,
acceso aleatorio, indica que cada posición de memoria puede ser leída o escrita en cualquier
orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser leídos o escritos
en un orden predeterminado.

Las memorias poseen la ventaja de contar con una mayor velocidad, mayor capacidad de
almacenamiento y un menor consumo. En contra partida presentan el CPU, Memoria y Disco Duro.
Los datos de instrucciones cuando se carga un programa, se carga en memoria. (DMA)

El inconveniente es que precisan una electrónica especial para su utilización, la función de

esta electrónica es generar el refresco de la memoria. La necesidad de los refrescos de las
memorias dinámicas se debe al funcionamiento de las mismas, ya que este se basa en generar
durante un tiempo la información que contiene. Transcurrido este lapso, la señal que contenía la
célula vistable se va perdiendo. Para que no ocurra esta perdida, es necesario que antes que
transcurra el tiempo máximo que la memoria puede mantener la señal se realice una lectura del
valor que tiene y se recargue la misma. Es preciso considerar que a cada bit de la memoria le
corresponde un pequeño condensador al que le aplicamos una pequeña carga eléctrica y que
mantienen durante un tiempo en función de la constante de descarga. Generalmente el refresco
de memoria se realiza cíclicamente y cuando esta trabajando el DMA. El refresco de la memoria en
modo normal esta a cargo del controlador del canal que también cumple la función de optimizar el
tiempo requerido para la operación del refresco.

Posiblemente, en más de una ocasión en el ordenador aparecen errores de en la memoria

debido a que las memorias que se están utilizando son de una velocidad inadecuada que se
descargan antes de poder ser refrescadas. Las posiciones de memoria están organizadas en filas y
en columnas. Cuando se quiere acceder a la RAM se debe empezar especificando la fila, después la
columna y por último se debe indicar si deseamos escribir o leer en esa posición. En ese momento
la RAM coloca los datos de esa posición en la salida, si el acceso es de lectura o coge los datos y los
almacena en la posición seleccionada, si el acceso es de escritura.

La cantidad de memoria Ram de nuestro sistema afecta notablemente a las prestaciones,

fundamentalmente cuando se emplean sistemas operativos actuales. En general, y sobretodo
cuando se ejecutan múltiples aplicaciones, puede que la demanda de memoria sea superior a la
realmente existente, con lo que el sistema operativo fuerza al procesador a simular dicha memoria
con el disco duro (memoria virtual). Una buena inversión para aumentar las prestaciones será por
tanto poner la mayor cantidad de RAM posible, con lo que minimizaremos los accesos al disco
duro.

Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso
mediante la segmentación de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una
solicitud particular, un banco suministra la información al procesador, mientras que el otro
prepara datos para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles. Los
módulos habituales que se encuentran en el mercado, tienen unos tiempos de acceso de 60 y 70
ns (aquellos de tiempos superiores deben ser desechados por lentos).

Es conveniente que todos los bancos de memoria estén constituidos por módulos con el
mismo tiempo de acceso y a ser posible de 60 ns. Hay que tener en cuenta que el bus de datos del
procesador debe coincidir con el de la memoria, y en el caso de que no sea así, esta se organizará
en bancos, habiendo de tener cada banco la cantidad necesaria de módulos hasta llegar al ancho
buscado. Por tanto, el ordenador sólo trabaja con bancos completos, y éstos sólo pueden
componerse de módulos del mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de
colocar los módulos, hay que tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las
configuraciones de memoria. Tenemos que rellenar siempre el banco primero y después el banco
número dos, pero siempre rellenando los dos zócalos de cada banco (en el caso de que tengamos
dos) con el mismo tipo de memoria. Combinando diferentes tamaños en cada banco podremos
poner la cantidad de memoria que deseemos.