Transistor bipolar BJT

Conceptos básicos
• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada.
• El transistor bipolar BJT fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley,
quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la
válvula termoiónica de tres electrodos, o tríodo.
• Los transistores han revolucionado el mundo de la electrónica desde que hicieran su
aparición después de la Segunda Guerra Mundial. Su tamaño, cada vez menor, y su enorme
versatilidad los han convertido en los más útiles e importantes componentes electrónicos
existentes.
Conceptos básicos
• La siguiente tabla muestra la evolución de la cantidad de transistores en microprocesadores
INTEL.
Transistores BJT
• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí,
que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
• La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
• Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital.
Transistores BJT
• Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
Transistores BJT
• La figura muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con
la nomenclatura habitual de sus terminales.
.
Transistores BJT

• Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la
corriente en polarización directa del diodo BE.
• En principio, parece una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor del
colector. Sin embargo la función que cumple cada uno es completamente distinta, y en
consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo tanto no es un componente
simétrico.
• El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.
Transistores BJT
• En una primera aproximación el transistor bipolar funcionando como amplificador puede
modelarse por el circuito representado en la figura
Ejemplo 1
• Calcular las corrientes de emisor, base y colector en el circuito de la figura, suponiendo que el
transistor se comporta según el modelo idealizado. Tomar VBB = VCC = 10 V; RB = 100 kΩ; RC =
500 Ω; βF = 100.
Regiones de funcionamiento
• Según las polarizaciones de los diodos de emisor y colector se dice que el transistor bipolar
trabaja en determinados modos o regiones de funcionamiento, los cuales se indican en la
tabla
Funcionamiento en modo activo
• La operación en modo activo se da cuando la unión BE se polariza en directa y la BC en
inversa. Los tres puntos característicos de esta región de operación son:
1. Corriente de colector no nula: conducción a través de la unión BC pese a que está
polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base
Funcionamiento en modo activo
• En el circuito de la figura la unión BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que
EB, la unión BC estará en inversa, luego no debería circular corriente a través de esta última.
Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los
portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones.
Funcionamiento en modo activo
• Una unión PN en inversa bloquea el paso
de mayoritarios, pero no de minoritarios
(que constituyen la corriente de fuga en
inversa). Por lo tanto, los electrones
inyectados desde el emisor a la base,
atraídos por el potencial positivo aplicado
al colector, pueden atravesar la unión BC, y
dar origen a la corriente de colector IC.
Mediante el emisor, se inunda la base de
electrones, aumenta drásticamente el
número de portadores minoritarios del
diodo base-colector, con lo que su
corriente inversa aumenta también.
Región activa
• En este modo de funcionamiento (VBE > 0; VBC < 0) el diodo de emisor está polarizado en
directa y el de colector en inversa. La corriente Ibc será prácticamente nula, por lo que el
diodo de colector puede aproximarse por un circuito abierto.
Región de corte
• Cuando el transistor bipolar opera en modo de corte, las corrientes Ibe e Ibc son
aproximadamente nulas. Por tanto, también lo será la corriente de colector. En las curvas
características de salida, la región de corte viene dada por el semieje positivo de abscisas,
puesto que la corriente de colector debe ser nula, y la unión colectora polarizada
inversamente.
Región de saturación
• Se acostumbra a considerar que cuando el transistor se satura VCE vale unos 0.2 V
• Modelo aproximado del transistor en Saturación
Características de entrada y salida
Región activa. Ejemplo
• La curva característica de la figura corresponde a una corriente de base constante de 15 µA.
¿Cuál es el valor aproximado de βF?
Análisis de circuitos con transistores bipolares
• Como un transistor bipolar tiene tres terminales, hay que calcular tres corrientes, iE, iB, iC y
tres tensiones, vBE, vCE, vCB. Sin embargo, el número de variables a calcular se reduce a cuatro
ya que, según las leyes de Kirchhoff, se cumple:
Análisis de circuitos con transistores bipolares
Ejemplo
• Representar gráficamente vo en función de vi para el circuito de la figura. Tomar VCC = 5 V; RC=
1 kΩ; RB = 10 kΩ; VBEQ = 0,7 V y βF = 100.
Ejemplo
• En región activa:
El transistor bipolar como interruptor
• La acción de un transistor cuando trabaja en modo de corte o en modo de saturación puede
ser asimilada a la de un interruptor.
• Cuando el transistor está en modo de corte equivale a un interruptor abierto; cuando está en
modo de saturación la tensión de salida es casi cero y puede aproximarse por un interruptor
cerrado.
El transistor bipolar como interruptor
• Circuitos digitales binarios:
Las señales que se procesan en estos circuitos sólo toman dos valores. Un valor "alto"
próximo al de la fuente de alimentación VCC, y un valor "bajo" próximo a cero voltios.
El circuito del ejemplo anterior puede analizarse desde esta perspectiva. Este circuito
recibe el nombre de inversor (o puerta NOT) porque la tensión de salida es "alta“
cuando la de entrada es "baja" y viceversa.
Ejemplo
• En el circuito de la figura ¿cuál es el máximo valor de Io para que el transistor se mantenga
saturado? Tomar VCC = 5 V; RC = 1 kΩ; RB = 10 kΩ; Vi = 5 V; βF = 100; VBE = 0,7 V y VCEsat = 0,2 V.

Iomax=38,2mA
El transistor bipolar como amplificador

• Se dice que un circuito amplifica cuando la potencia de la señal de salida es superior a la de la

señal de entrada y se conserva la forma de onda de la señal. Se definen tres factores de
amplificación: ganancia de tensión, Gv; ganancia de corriente, Gi, y ganancia de potencia, Gp
El transistor bipolar como amplificador
• Un concepto fundamental en estos circuitos es que se basan en una transformación de
energía. La señal amplificada tiene más energía que la señal de entrada.
• Este incremento de energía de la señal proviene de la fuente de alimentación: el amplificador
transforma la energía "continua“ que proporciona la fuente en "energía de señal".
• Por tanto, todo amplificador debe estar "alimentado" con algún generador de tensión o
corriente que le proporcione la energía que debe transferir a la señal.
Punto de operación/reposo Q
• Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en
continua necesarias para que el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al
transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificación).
• Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se
denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
• El punto de operación Q se halla realizando el análisis en continua del circuito. En este
análisis no tenemos en cuenta la señal que queremos amplificar solo los valores de
polarización en continua del transistor.
• El punto de operación queda determinado por ICQ y VCEQ
Ejemplo
• Hallar el punto de trabajo del circuito de la figura. Considerar que VCC = 15 V; RC = 1 kΩ; RB =
400 kΩ; β = 200 y que VBEQ = 0,7 V.

IBQ=24µA; ICQ=4,8mA; VCEQ=10,2V

Análisis en continua. Punto de reposo Q
• Este circuito está alimentado con las fuentes de tensión VCC y VBB, y la señal a amplificar es
proporcionada por el generador ∆vs(t). Se supondrán los valores numéricos siguientes: VCC =
10 V; RC = 2 kΩ; RE = 1 kΩ; RB = 30 kΩ; VBB = 3 V; βF = 200; VBE = 0,7 V.
Análisis en continua. Punto de reposo
• En este apartado se supondrá que ∆vs(t) es igual a cero. Es decir, el circuito sólo tiene
aplicadas las fuentes VCC y VBB. El objetivo de este apartado es el cálculo de las corrientes y
tensiones del circuito en esta situación, y en particular de las corrientes de base y de colector
y de la tensión VCE. Estos valores determinan las coordenadas del punto de trabajo en reposo
del transistor y se les identifica con el subíndice Q: IBQ, ICQ y VCEQ.
Análisis en continua. Punto de reposo

IBQ=10µA; ICQ=2mA; VCEQ=4V; V0Q=6V

Análisis en continua. Punto de reposo
Análisis en gran señal: amplificación y márgenes dinámicos
• Ahora el generador de señal ∆vs(t) del circuito no es nulo, sino que toma valores negativos y
positivos al variar el tiempo.
• Se supondrá de momento que VBE se mantiene en 0,7 V.
• El único cambio que hay que hacer es sustituir VBB por VBB+ ∆vs(t)
Análisis en gran señal: amplificación y márgenes dinámicos

Gv=-1,74
Análisis en gran señal: amplificación y márgenes dinámicos
• ¿Cuál es la máxima amplitud de la señal amplificada que puede obtenerse a la salida?
• Cuando el amplificador "deforma" la señal deja de ser amplificador puesto que la señal de
salida deja de ser una ampliación fiel de la señal de entrada. Se dice que la señal de salida
está distorsionada.
• Si se aproxima iCsat por el punto de intersección de la recta de carga con el eje de ordenadas
(VCEsat igual a cero), los márgenes dinámicos de iC pueden expresarse mediante:
Análisis en gran señal: amplificación y márgenes dinámicos

• Para los valores numéricos del circuito el margen de corte es de 4 V y el de saturación de

–2,66 V.