Sei sulla pagina 1di 5

Introduzione

Il fabbisogno energetico è uno dei principali problemi della società odierna.


Sappiamo che i combustibili fossili, oltre a emettere nell’aria grandi quantità di
co2, non sono rinnovabili perciò sono destinati all’esaurimento. Una delle
possibili soluzioni è l’energia solare. Lo strumento, che abbiamo per
convertire l’energia in energia elettrica è la cella solare. Sostanzialmente può
essere di tue tipi, organiche e inorganiche. Questa distinzione deriva dal tipo
di materiale di cui è composta la zona attiva che può essere un classico
semiconduttore, per esempio GaAs, Si, oppure un polimero organico.
Parametri di merito
Per classificare la qualità di tutte le celle solari si utilizzano dei parametri di
merito. Il FILL FACTOR è definito come FF = jmVm /jscVoc. Questo fattore è
sempre minore di 1, più è grande è più la caratteristica I-V della cela si
avvicina all’idealità. Jsc è la corrente di cortocircuito mentre Voc è la tensione
di circuito aperto. Le altre due grandezze dipende dal nostro effettivo punto di
lavoro. Un altro parametro è la PCE, l’efficienza di conversione, cioè il
rapporto fra la potenza (elettrica) in uscita dalla cella e la potenza della
radiazione incidente.
Strutture
La cella a singola layer è la cella più semplice. Un contatto deve essere
necessariamente rettificante in modo da generare un diodo e l’altro deve
essere ohmico. Il principale vantaggio di questa configurazione risiede nella
sua semplicità a discapito però di PCE molto basse a causa delle grandi
perdite. La cella bilayer ha caratteristiche elettriche migliori. Un materiale fa
da donatore di elettroni e l’altro da accettatore, c’è quindi una analogia con
silicio drogato p e il silicio drogato n. Lo svantaggio di questa configurazione
è la piccola interfaccia fra i due layer che non consente di sfruttare bene il
campo generato dai due materiali per separare l’eccitone.
Materiali
I materiali con cui realizzare le celle organiche sono tutt’ora oggetto di
ricerca, infatti si cerca sia di migliorare le caratteristiche elettriche di questi
dispositivi ma anche quelle meccaniche come la flessibilità e la stabilità agli
agenti esterni.
Elettrodi
Tradizionalmente viene usato l’ossido di indio se non si hanno particolari
requisiti di flessibilità del dispositivo. Fra le caratteristiche di questo materiale
ci sono una buona trasparenza e una buona conducibilità elettrica. Presenta
però due problemi. Il primo è di natura economico, l’indio essendo un metallo
raro ha una produzione limitata e così anche il suo ossido perciò a fronte di
un aumento della domanda si verificano grandi aumenti del prezzo rendendo
l’impiego di questo materiale svantaggioso economicamente. Inoltre in ITO,
quando sottoposto a sforzi di flessione si generano delle rotture nella sua
struttura interna che ne aumentano la resistenza superficiale peggioranod
quindi le sue caratteristiche elettriche. Un altro possibilità sono i carbon
nanotubes che possiedono una flessibilità maggiore di ITO, quindi non hanno
il problema del crack interno, ma di base possiedono caratteristiche peggiori
sia elettriche che ottiche. Una soluzione promettente è rappresentata dal
PEDOT:PSS, una miscela polimerica che possiede buone proprietà
meccaniche e ottiche. Di per se il materiale non ha la stessa conducibilità di
ITO ma mediante trattamenti con acidi si riesce ad avere un grande
incremento.
Substrato
Si utilizzano materiali diversi a secondo delle proprietà meccaniche che
vogliamo possieda la cella. In applicazioni in cui è richiesta una cella flessibile
una soluzione potrebbe essere il polimero PET, questo materiale però
preclude lavorazioni ad alta temperatura. Nel caso non ci siano stretti vincoli
di flessibilità si possono usare substrati vetrosi che hanno anche il vantaggio
di essere trasparenti. Alcuni studi stanno provando anche altri materiali come
la carta o fibre tessili in modo da creare un prodotto biocompatibile e
flessibile, queste soluzioni però presentano problemi di stabilità, il substrato si
degrada molto velocemente alle condizioni ambientali esterne.
Funzionamento
Quando la radiazione colpisce il materiale ci sono tre possibili scenari, può
essere riflessa, trasmessa o assorbita. Ciò dipende dalle caratteristiche del
materiale. Nel caso hv, cioò l’energia del fotone sia superiore a Eg, nel caso
colpisse un elettrone esso si porterebbe un stato eccitato. Qui c’è già una
differenza fra questi materiali e classici semiconduttori, poiché nei secondi,
dopo l’assorbimento del fotone si hanno già delle cariche libere.
Successivamente il fotone, assorbito nel materiale donatore, diffonde
attraverso il layer con una lunghezza di diffusione al massimo di 10nm. E’
quindi molto importante che incontri un campo elettrico in grado di trasferire
l’elettrone dal donatore all’accettore. Questo campo elettrico effettivamente è
presente all’interfaccia dei due materiali, ed è l’analogo del campo presente
nella regione di svuotamento nei semiconduttori inorganici. Una volta
avvenuta la dissociazione si hanno due cariche libere che poi raggiungeranno
gli elettrodi.
Meccanismi di perdita
Nelle fasi precedentemente descritte intervengono alcune meccanismi di
perdita. Le strutture mono e bi-layer presentate in precedenza sono
altamente inefficienti poiché l’interfaccia fra i due materiali è piccola. Se
l’eccitone non incontra un campo elettrico entro il suo cammino medio dato
dalla lunghezza di diffusione esso decade e non contribuirà quindi alla
corrente elettrica nel dispositivo. L’idea è quindi di aumentare il più possibile
creando una rete interpenetrata di layer donatore e layer accettatore. Questa
struttura prende il nome di bulk heteronjunction solar cell. Attualmente la
quasi totalità di dispositivi di questo genere ha la suddetta struttura. E’
presente anche un trade off per quanto riguardo lo strato attivo, infatti una
delle caratteristiche notevoli delle celle solari organiche è la flessibilità. Un
strato spesso garantisce un maggior numero di fotoni assorbiti ma limita
questa qualità. Un secondo problema è dato dalla scarsa mobilità dei
portatori, tramite ricottura si induce una cristallizzazione del layer che migliora
questa qualità
Corrente e trasporto
Per avere un modello del dispositivo occorre risolvere le equazioni di
continuità in regime stazione e le equazioni di drift diffusion, come fatto in
precedenza per i semiconduttori inorganici
Ricombinazione SRH
Per risolvere le equazioni precedentemente date occorre avere le
concentrazioni dei portatori n e p. A differenza del silicio, i semiconduttori
organici presentano numerose imperfezioni nella loro struttura che generano
stati trappola all’interno del gap. Un modello per descrivere questo fenomeno
è la ricombinazione Shockley-Read-Hall. Si può quindi scrivere

In questa equazione nt è la concentrazione di elettroni nelle trappole


Rec è il tasso di cattura degli elettroni, ree è il tasso con cui gli elettroni
fuggono dalle trappole e tornanono in BV, Rhc è il tasso di cattura delle
lacune, Rhe è il tasso di fuga delle lacune in BV. f= fermi dirac σ=sezione di
cattura. Vth= velocità termica portatori. Nt= densità stati trappola. Nc densità
degli stati elettroni liberi cioè in BC. Nv densità degli stati lacune libere cioè in
BV. Et=livello della trappola. Un importante conseguenza dell’avere tanti stati
all’interno del gap è che la mobilità di elettroni e lacune dipende dalla loro
concentrazione. Infatti una lacuna/elettrone intrappolato nel gap ha mobilità
nulla. La mobilità assume quindi la nuova forma
nfree p free
µe= µe0 n free +ntrap
e µh= µh0 p free + p trap
In questo modo si

spiega la mobilità più bassa rispetto ai semiconduttori classici detta in


0
precedenza in cui µ è la mobilità del portatore libero.
Dipendenza dalla temperatura
Le celle perdono una parte delle loro proprietà elettriche con l’aumentare
della temperatura. A causa degli effetti di restringimento del gap la Voc
diminuisce la Jsc aumenta. La variazione delle Voc però è maggiore di quella
della Jsc perciò l’effetto generale è una perdita di efficienza
Dipendenza dallo spessore
Un maggiore spessore della cella consente un migliore assorbimento dei
fotoni, che andranno quindi ad aumentare il numero di portatori liberi che
contribuiscono alla conduzione. Il trade off presente perciò riguarda la
flessibilità della cella solare che ovviamente diminuisce aumentando lo
spessore dello strato attivo
Stato attuale della ricerca
Le efficienze comunque rimangono molto basse rispetto a quelle dei semi-
inorganici. Il problema principale è che il gap dei semi-organici attualmente in
uso è di circa 2ev, questo impedisce l’assorbimento di lunghezza d’onda
superiori a 650 nm che equivale a sfruttare all’incirca il 25% del flusso di
fotoni.
Applicazioni
Si punta a sfruttare tutte le applicazioni in cui sono richieste flessibilità del
materiale, leggerezza e semi trasparente in modo da non sovrapporsi nel
campo di utilizzo delle celle solare inorganiche che hanno parametri elettrici
molto migliori.

rec=nvthσ nNt (1-f)


rhc = pvthσpNtf
ree= enNt f
rhe= epNt (1-f)
Et −Ec
en= vth σnNc exp( kT )
Ev −E t
ep=vth σpNv exp( kT )

e
NC=∫ ρ f ( E ) dE
Ec
Ev
h
Nv= ∫ ρ ( 1−f ( E ) ) dE
−∞

Δ
E+
2

∫ ρe dE
Nt= E−
Δ
2
ΔE
ree rhc rhe
vth
σn
σp
en ep Nt EV Ec Et
ρe ρ h