UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS 

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ELECTRONICA II

Nombre: Christian Alejandro Pineda Torres

Código: 2254017

SIMULACIÓN Y DESARROLLO TEORICO EJERCICIOS DE REPASO

EJERCICIO 5.57:

Para Ambos ejercicios, calcular los voltajes y corrientes del ambos circuitos teniendo en
cuenta que:
 Vt=0.9V
mA
 Kn=1.5 2
V

PARTE A

Hallamos la ecuación de ID para R1(1kΩ)

V 2−(−2.5) V 2+2.5
I D= =
1k 1k

Hallamos la ecuación de ID para Q1, Q2

K K
Q1. I D= ( V GS−0.9 )2= (−V 1+1.6 )2
2 2

K K
Q2. I D= ( V GS−0.9 )2= (−V 2+0.9 )2
2 2

Igualamos ID en R1 con ID en Q2
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V 2+2.5 V K
= (−V 2+0.9 )2
1k Ω 2

7 757
V 22 + V 2− =0
15 300

( a ) V 2=1.3722 V
( b ) V 2=−1.8388 V

El valor de V2(a) no aplica ya que para Q2:

V GS≥ 0.9 V

V GS=0−V 2=1.3722

Hallamos ID en ecuación de R1 reemplazando el V2(b)

−1.8388+ 2.5
I D= =661 µA
1k

Hallamos V1 con la ecuación de ID para Q1

K
(−V 1+ 1.6 )2=661 µA
2

1259
V 12−3.2V 1+ =0
750

( a ) V 1=2.5387 V
( b ) V 1=0.6612 V

El valor de V1(a) no aplica ya que para Q1:

V GS≥ 0.9 V

V GS=2.5−V 1=−38.7 mV
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PARA TRANSISTOR Q1
ARGUMENTOS VALORES TEORICOS VALORES SIMULADOS
VD 5V 5V
VG 2.5 V 2.5 V
VS 661.2 mV 661.1 mV
VDS 4.3388 V 4.339 V
VDG 2.5 V 2.5 V
VGS 1.8388 V 1.839 V
ID 661 µA 661.1 µA

PARA TRANSISTOR Q2
ARGUMENTOS VALORES TEORICOS VALORES SIMULADOS
VD 661.2 mV 661.1 mV
VG 0V 0V
VS -1.8388 V -1.839 V
VDS 2.5 V 2.5 V
VDG 661.2 mV 661.1 mV
VGS 1.8388 V 1.839 V
ID 661 µA 661.1 µA

PARTE B
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Hallamos la ecuación de ID para R1(1kΩ) y R2(1kΩ)

5−V 3
( R 1 ) I D=
1k

V5
( R 2 ) I D=
1k

Hallamos la ecuación de ID para Q1, Q2

K K
Q1. I D= ( V GS−0.9 )2= ( V 3−V 4−0.9 )2
2 2

K K
Q2. I D= ( V GS−0.9 )2= ( V 4−V 5−0.9 )2
2 2

Igualamos ID en Q1 con ID en Q2 para hallar V3

K K
( V 3−V 4−0.9 )2= ( V 4−V 5−0.9 )2
2 2

V 4=2.5 V

Igualamos ID en Q1 con ID en R2 para hallar V4

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5−V 3 K K
= ( V 3−V 4−0.9 )2= ( V 3−3.4 )2
1k 2 2

82 367
V 32 − V 3+ =0
15 75

( a ) V 3=4.3388 V
( b ) V 3=1.1277 V

El valor de V3(b) no aplica ya que para Q1:

V GS≥ 0.9 V

V GS=V 3−V 4=−1.3723V

Hallamos ID con ecuación de ID para R1

5−V 3
I D= =661.2 µA
1k

Hallamos V5 con ecuación de ID para R2

V5
=661.2 µA
1k

V 5=661.2 mV
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PARA TRANSISTOR Q1
ARGUMENTOS VALORES TEORICOS VALORES SIMULADOS
VD 4.3388 V 4.339 V
VG 4.3388 V 4.339 V
VS 2.5 V 2.5 V
VDS 1.8388 V 1.839 V
VDG 0V 0V
VGS 1.8388 V 1.839 V
ID 661.2 µA 661.1 µA

PARA TRANSISTOR Q2
ARGUMENTOS VALORES TEORICOS VALORES SIMULADOS
VD 2.5 V 2.5 V
VG 2.5 V 2.5 V
VS 661.2 mV 661.1 mV
VDS 1.8388 V 1.839 V
VDG 0V 0V
VGS 1.8388 V 1.839 V
ID 661.2 µA 661.1 µA

EJERCICIO 6.56

Una sola medición indica que V E = 1.0 V. Bajo el supuesto de que:

|VBE| = 0.7 V
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Encontrar voltajes y corrientes del transistor.

Hallamos VB con el supuesto |VBE| = 0.7V

( a ) V B−V E=0.7V
( b ) V E−V B=0.7V

( a ) V B=1.7 V
( b ) V B=0.3 V

El valor de V B (b) no aplica ya que para el transistor bjt tipo p:

V BE< 0V
V BE=0.7 V

Hallamos ecuaciones de corrientes teniendo en cuenta ley de ohm en las resistencias y nodo
en el transistor

3−V E
I E= =6 µA
5k

V B−0
I B= =400 µA
50 k

V C−(−3) V C +3
I C= =
5k 5k

I C=I E – I B=394 µA

Con ecuación de I C en la resistencia hallamos V C

V C +3
=394 µA
5k

V C=−1.03 V

Con ecuación de corrientes hallamos los valores de parámetros del transistor

I C 394 µA
α= = =0.985
I E 400 µA

I C 394 µA
β= = =65.66
IB 6 µA
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PARA TRANSISTOR BJT TIPO P

ARGUMENTOS VALORES TEORICOS VALORES SIMULADOS
VC -1.03 V -1.030 V
VB 0.3 V 0.3 V
VR -1.03 V -1 V
VCE -2.03 V -2.03 V
VCB -1.33 V -1.33 V
VBE -0.7 V -0.7 V
IB 6 µA 6 µA
IC 394 µA 394 µA
IE 400 µA 400 µA
Α 0.985 0.985
Β 65.667 65.667
ACLARACIONES:

Cabe recalcar que para el simulador pretus, se debe escoger los transistores genéricos
para poder cambiar sus parámetros y observar el funcionamiento adecuado de los mismos
transistores con respecto a los parámetros dados en los ejercicios.

Para los transistores mosfet en proteus, VTO es el Vth dados en voltios y KP es la

constante de transconductancia dada en mA ¿ V 2.

Para los transistores BJT en proteus, BF es el Beta del transistor y NF es el coeficiente de

emisión directa, pero con el Voltaje base-emisor realizamos una correspondencia con la
siguiente ecuación:

VOLTAJE BASE-EMISOR NF
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X1 0.8
X2 1
VBE Y

0.2
Y =0.8+(V BE−X 1)( )
X 2−X 1

Y será el valor final que quedará en NF como parámetro del transistor. Tenga en cuenta
que X1 y X2 son valores de la medición del VBE con el NF de 0.8 y 1 respectivamente. Las
medidas se toman del mismo simulador y se realiza estas pruebas después de haber
establecido el Beta al transistor. Se corrobora la configuración, observando que el voltaje
base emisor sea el mismo o muy cercano.