Fecha Entrega: 22/04/2020

Alumno:
Carrera: Ciclo: Puntaje Total:

Docente: Prof. M.Sc. Ing. David Caballero Morilla Cátedra: Electrónica General Puntaje obtenido:

Trabajo Práctico

INSTRUCCIONES GENERALES
Leer detenidamente cada tema y desarrollarlo conforme a lo solicitado. Recordar que la evaluación es
individual. La interpretación de los temas forma parte de la evaluación. ¡Éxitos!

Tema 1. (15 pts.) Este ejercicio se levanta a la plataforma virtual

1. Dibuje el circuito ROC de tipo puente e indique el principio de funcionamiento. (5 pts.)
2. Grafique la curva de respuesta de un Diodo e indique cada una de las zonas de operación. (5 pts.)
3. Explique el funcionamiento del diodo en función de la polarización al cual está sometido.
Esquematice los circuitos equivalentes en ambas polarizaciones. (5 pts.)
Tema 2 (7 pts.) Este no se levanta. Es sólo para práctica del examen que será similar
Selección Múltiple. Una sola opción es la correcta.

1. Para los ROC. La relación entre la frecuencia de entrada fi y la de salida fo es:

(a) 1/2. (b) 2. (c) 1. (d) n.d.a

2. Respecto al diodo Zener, la opción correcta es:

(a) El diodo Zener opera generalmente en la región de polarización directa.
(b) Para que el diodo Zener inicie su operación, se requiere que circule a través de él una corriente
inversa máxima.
(c) Puede ser utilizado para prevenir exceso de voltajes sobre cargas colocadas en serie con él
(d) Ninguna es correcta.
3
3. La cantidad de electrones libres por cm en materiales conductores, semiconductores y
aislantes es respectivamente:
3 23 8 23 9 3 9 3 23
(a) 10 ; 10 y 10 . (b) 10 ; 10 y 10 . (c) 10 ; 10 y 10 . (d) n.d.a

4. El modelo atómico que permite describir suficientemente el comportamiento de las partículas

en semiconductores corresponde al modelo atómico de:
(a) Thompson.
(b) Bohr
(c) Targaryen
(d) Dalton.

5. Un material de Tipo P es:

(a) Cuando se añaden impurezas trivalentes en un material intrínseco y los portadores mayoritarios
de carga son los “Huecos”.
(b) Cuando se añaden impurezas trivalentes en un material extrínseco y los portadores
mayoritarios de carga son los “Electrones".
(c) Cuando se añaden impurezas pentavalentes en un material intrínseco y los portadores
mayoritarios de carga son los “Electrones".
(d) Cuando se añaden impurezas pentavalentes en un material intrínseco y los portadores
mayoritarios de carga son las “Partículas Pym".

6. En un rectificador de media onda. El voltaje que soporta el diodo en polarización inversa si

tiene un capacitor a la salida será:
(a) Igual al voltaje máximo de la senoidal de entrada del transformador.
(b) Igual al voltaje máximo de la senoidal de salida del transformador.
(c) Igual al doble del voltaje máximo de la senoidal de salida del transformador.
(d) N.D.A}

7. Respecto a los transistores de unión bipolar BJT, la sentencia falsa es:

(a) Los transistores son dispositivos pasivos con características altamente lineales.
(b) Es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta
variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al
que está conectado.
(c) Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.
(d) Posee zonas determinadas por los tres cristales que lo forman. Emisor, colector y base.