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Obtención de parámetros de transistor mosfet

Francisco González, Misael Jaimes Quintero, Oscar Yimy Rengifo
Universidad de Pamplona
correo, francisco.gonzalez@unipamplona.edu.com, mjaimes94@hotmail.com, Yimy_6v@hotmail.com

Objetivos
• General: obtención de los parámetros de manera
experimental de un transistor mosfet de
enriquecimiento

• Específicos

- Obtención del parámetro de kn mediante toma

de dato en un circuito establecido por el
docente
- Obtención de voltaje vth para el transistor
utilizado observando el comportamiento del
mosfet de enriquecimiento en un circuito pre
establecido
-
Pre diseño

Fig.2 circuito para la estimación de KN

Analizamos el circuito para la estimación de VGG con el fin de

lograr encender un motor dc y establecer el mosfet en zona
óhmica

Cuando el motor este apagado el mosfet deberá trabajar en

corte por lo tanto

LVK MALLA I

VGS < VTH (1)

𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 (2)

(2) en (1)
Fig.1 circuito para establecer valor de vth 𝑉𝐺𝐺 > 𝑉𝑇𝐻 (3)

LVK MALLA I

−𝑉𝐷 + 𝑅1 ∗ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 = 0 MOSFET en zona óhmica

𝐼𝐷 > 0𝐴 (4)
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑅1 ∗ 𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 > VTH (5)
Donde VD = 15V
(2) en (5)
LVK MALLA II
𝑉𝐺𝐺 > VTH (6)
−𝑉𝐺𝐺 + 𝑉𝐺𝑆 = 0
𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − VTH (7)
𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆
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Malla II

−𝑉𝐷𝐷 + VM + VDS = 0

VDS = 𝑉𝐷𝐷 − VM (8)

(8) en (7)

𝑉𝐷𝐷 − VM < 𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇𝐻

El valor mínimo de VDS en 0V, por lo tanto:

0𝑉 < 𝑉𝐷𝐷 − VM < 𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇𝐻

VM < 𝑉𝐷𝐷 < 𝑉𝑀 + 𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇𝐻 (9)

Rango para forzar al MOSFET a trabajar en zona Óhmica

𝐼𝐷 = 𝐾𝑁 [2 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻)𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ] (10)

𝑉𝐷𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁 (11)

Para la estimación de VTH se procede a variar el voltaje VGG
𝐼𝐷 = 𝐾𝑁 [2 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻)(𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁)
realizando un incremento de 0.1v hasta obtener una corriente
− (𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁)2 ] (12) en el drenador del transistor visualizado en el amperímetro de
LCK en el nodo del drenador un valor cercano a 250 micro-amperios, debido a la fuente que
suministra el voltaje, no se puede obtener un valor totalmente
𝐼𝑀 = 𝐼𝐷 (13) igual al valor deseado.

(2), (13) en (12) Gracias a las mediciones realizadas, se obtuvo que el siguiente
valor para vth del mosfet trabajado.
𝐼𝑀 = 𝐾𝑁 [2 (𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑇𝐻)(𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁) − (𝐼𝑀 ∗)2 ]
𝐼𝑀 𝑉𝑇𝐻 = 3.0𝑉
= (2(𝑉𝐺𝐺 − ∗ 𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁) − (2 ∗ 𝑉𝑇𝐻 ∗ 𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁)
𝐾𝑁 Estimación de kn
− (𝐼𝑀2 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁 2 ) )
𝐼𝑀
= 𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁 [2𝑉𝐺𝐺 − 2 𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁]
𝐾𝑁

1
= 2𝑉𝐺𝐺 − 2𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁
𝐾𝑁 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁

1
2VTH + IM ∗ RDON + = 2𝑉𝐺𝐺
𝐾𝑁 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁
1
𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁 + 2𝑉𝑇𝐻 +
𝑉𝐺𝐺 = 𝐾𝑁 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁
2

MEDICIONES O RESULTADOS

En primera instancia se procede a obtener el valor de vth

mediante la realización de mediciones en el circuito mostrado a
continuación.
Para la estimación de kn se utilizó una resistencia de potencia
de 27 ohm y 30 watts donde se realiza la toma de datos
variando el voltaje de VGG con un incremento de 0.1v desde el
valor obtenido de vth hasta un valor de 7v
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TABLA VALORES MEDIDOS MOSFET IRF510

Modo de
VGG(V) VGS(v) ID(a) VDS(v) (VGS-VTH) 1.2 y = 0.6683x2 - 4.7288x +
operación
1 8.2852
3 3 0 30 -0.2 Saturación R² = 0.9071
3.1 3.1 0.004 29.9 -0.1 Saturación 0.8
3.2 3.2 0.007 29.8 0 Saturación 0.6 Series1

ID(A)
3.3 3.3 0.004 29.9 0.1 Saturación 0.4
3.4 3.4 0.007 29.8 0.2 Saturación Polinómica
0.2 (Series1)
3.5 3.5 0.007 29.8 0.3 Saturación
3.6 3.6 0.007 29.8 0.4 Saturación 0
3.7 3.7 0.004 29.9 0.5 Saturación -0.2 0 2 4 6
VGS(v)
3.8 3.8 0.011 29.7 0.6 Saturación
3.9 3.9 0.011 29.7 0.7 Saturación 𝐴
Valor de la constante 𝐾𝑁 = 0.6683
4 4 0.007 29.8 0.8 Saturación 𝑉2
4.1 4.1 0.007 29.8 0.9 Saturación
4.2 4.2 0.019 29.5 1 Saturación Cálculos
4.3 4.3 0.074 28 1.1 Saturación
𝑉𝐷𝑆 𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜
4.4 4.4 0.596 13.9 1.2 Saturación 𝑅𝐷𝑜𝑛 =
𝐼𝐷𝑆 𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜
4.5 4.5 0.615 13.4 1.3 Saturación
4.6 4.6 0.748 9.8 1.4 Saturación 0.331818182
4.7 4.7 0.837 7.4 1.5 Saturación 𝑅𝐷𝑜𝑛 =
0.765224
4.8 4.8 0.978 3.6 1.6 Saturación
4.9 4.9 1.074 1 1.7 Óhmica 𝑅𝐷𝑜𝑛 = 0.43
5 5 1.085 0.7 1.8 Óhmica
5.1 5.1 1.093 0.5 1.9 Óhmica
5.2 5.2 1.096 0.4 2 Óhmica
Para analizar el MOSFET IRF510
5.3 5.3 1.1 0.3 2.1 Óhmica 𝐴
5.4 5.4 1.096 0.4 2.2 Óhmica 𝑉𝑀 = 5𝑉 𝐾𝑁 = 0.6683 𝐼𝐴 = 1.2𝐴
𝑉2
5.5 5.5 1.1 0.3 2.3 Óhmica
𝐼𝑀 = 0.76𝐴 𝑉𝑇𝐻 = 3 𝑉 𝑅𝐷𝑂𝑁 = 0.43Ω
5.6 5.6 1.1 0.3 2.4 Óhmica
5.7 5.7 1.1 0.3 2.5 Óhmica 1
(𝐼𝑀 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁) + 2𝑉𝑇𝐻 +
5.8 5.8 1.1 0.3 2.6 Óhmica 𝑉𝐺𝐺 = 𝐾𝑁 ∗ 𝑅𝐷𝑂𝑁
5.9 5.9 1.1 0.3 2.7 Óhmica 2
6 6 1.1 0.3 2.8 Óhmica 1
6.1 6.1 1.1 0.3 2.9 Óhmica (1.2𝐴 ∗ 𝑂. 43Ω) + 2(3.2𝑉) +
𝐴
(0.6683 2 )(0,43Ω)
6.2 6.2 1.1 0.3 3 Óhmica 𝑉𝐺𝐺 = 𝑉
6.3 6.3 1.104 0.2 3.1 Óhmica 2
6.4 6.4 1.104 0.2 3.2 Óhmica
𝑉𝐺𝐺 = 4.99 𝑉
6.5 6.5 1.104 0.2 3.3 Óhmica
6.6 6.6 1.104 0.2 3.4 Óhmica
6.7 6.7 1.104 0.2 3.5 Óhmica Tabla. 2 datos medidos con el transistor MOSFET IRF510 con
6.8 6.8 1.104 0.2 3.6 Óhmica el motor funcionando
6.9 6.9 1.104 0.2 3.7 Óhmica
7 7 1.104 0.2 3.8 Óhmica 𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉
𝐼𝑀 = 0.76 𝐴
𝑉𝐺𝐺 = 4.99 𝑉

𝐼𝐺𝐺 (𝐴) 𝐼𝐷𝑆 (𝐴) 𝑉𝐺𝐺(𝑉) 𝑉𝐺𝑆(𝑉) 𝑉𝐷𝑆(𝑉) 𝑉𝑀(𝑉)

0 0.76 4.99 4.55 0.7 4.3
 4

Para garantizar que el transistor MOSFET trabaje en la zona

Óhmica se debe seleccionar el voltaje nominal suministrado en
la que se tuvo en cuenta para la corriente de arranque del motor
DC.
Cuando el MOSFET trabaja en zona óhmica la temperatura de
nuestro MOSFET va a ser inferior a la que generaría en
saturación.
Se debe garantizar que el transistor MOSFET IRF510 trabaje
en la zona óhmica para que la temperatura sea relativamente
baja por lo que se debe suministra voltaje nominal (V_DD) del
motor DC.

CONCLUSIONES

• Se identificaron los valores en los que los transistores se

encontraban en zona de saturación y en zona óhmica.

• Al obtener los valores experimentalmente y graficar la curva

se puede observar que esta es cuadrática lo que corresponde
perfectamente con el comportamiento de un MOSFET de
enriquecimiento, y luego aplicando la regresión se obtuvo el
valor de KN con un porcentaje de error muy bajo, dando a
entender que las medidas fueron bastantes precisas.

• El motor pudo encender perfectamente con la

implementación del MOSFET de enriquecimiento IR510, lo
que indica que este me suministro la tensión y amperaje
necesario para su arranque y funcionamiento.