ELECTRONICA DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN
Prof. Ing. ALFREDO PACHECO
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3173900-3403 - 948634509
 Capacidades a lograr:

Al finalizar la sesión, serás capaz de:

• Identificar los principales dispositivos electrónicos de potencia.
• Comprender el funcionamiento básico de los dispositivos de potencia.
• Identificar sus terminales y comprobar su estado.
• Comprender el comportamiento estático y dinámico de los dispositivos básicos de
potencia a partir de una señal pulsante.
 Sistemas de Potencia
RECTIFICADORES INVERSORES
Convierten CA en CC. Convierten CC en CA.
•Relación constante Diodos •Relación de frecuencia fija o variable
•Relación variable Tiristores
•Si son reversibles Inversor no
autónomo

Regulador de AC
Cicloconvertidor •Convierten CA de voltaje
•Son Reguladores de AC de constante en CA de voltaje
distinta frecuencia. variable y misma frecuencia
Regulador de CC
•Convierten CC de voltaje
constante en CC de voltaje
variable.
Electrónica de Potencia
Diodos
 DIODOS
➢Materiales
➢Semiconductor tipo P
➢Semiconductor tipo N
➢Unión P-N
➢Recapitulación
➢Elementos de un diodo
➢Símbolo
➢Características
➢…
DIODO TIPICOS
Diodos de Potencia
CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS
Características de los Diodos
Características de los Diodos
Características de los Diodos
 PRUEBA DE DIODOS

DIODOS BUEN ESTADO DIODOS EN MAL ESTADO

 Diodo Rectificador

• Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del

nivel de potencia que tengan que disipar.
• Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico.
• Por encima de este valor el encapsulado es metálico y en
potencias más elevadas es necesario que el encapsulado
tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así
ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas
corrientes.
Electrónica de Potencia
Transistores
EL TRANSISTOR- TIPOS
El Transistor Bipolar
Modelo de un Transistor
TIPOS DE ENCAPSULADOS
PRUEBA DE UN TRANSISTOR
Polarización de un Transistor
NPN

IE = IC + IB
IC = .IB
IE = IB (1+  )

 = factor de amplificación de
la corriente IB. Los valores
típicos están entre 0.9 y 600
 REGIONES DE TRABAJO

✓ SATURACION: Esta definida para tensiones Colector-emisor de 0.1v a

0.4v.La corriente Ic es máxima o esta “saturada”. Un aumento de ib
no produce aumento de IC.

✓ CORTE: La corriente IC es cero o mínima. Se dice que el transistor no

conduce o esta “cortado” . Si se aumenta VCE demasiado, se origina
la destrucción del transistor.

✓ ACTIVA: La Corriente IC puede variar desde el corte hasta la

saturación. En esta región se obtiene la amplificación lineal. La IC
dependerá en todo caso de la corriente de base y de Beta (B)del
transistor.
CURVA CARACTERISTICA
ZONAS DE OPERACIÓN

CORTE SATURACION
ZONA ACTIVA
ZONA DE OPERACION DEL TRANSISTOR

CORTE

SATURACION LINEA DE CARGA

Polarización de un Transistor
PNP
IE = IC + IB IC = .IB
IE = IB (1+  )

IC =  . IE  = / 1- 
 = Constante de proporcionalidad,
que depende del material y de la
construcción del transistor, los valores
típicos están entre 0.90 <  < 0.99
EL TRANSISTOR
COMO
INTERRUPTOR
EL TRANSISTOR COMO
INTERRUPTOR
APLICACIÓN DEL TRANSISTOR
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
INTERFASES CON TRANSISTORES
Control con carga Inductiva
Control con Transistor PNP
Control con Transistor NPN
Control con LED
Control con LED
Control con LED
 APLICACIÓN
CON
TRANSISTORES
CARACTERISTICAS TECNICAS
DEL TRANSISTOR
CIRCUITO INVERSION DE GIRO DE
UN MOTOR
ELECTRONICA DE POTENCIA

Dispositivos de Potencia
Mosfet - IGBT
 MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor
 TIPOS DE MOSFET
Hay dos tipos de
MOSFET.

✓ El MOSFET de
empobrecimiento de
deplexión.

✓ El MOSFET de
enriquecimiento o de
acumulación.
 MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

• El FET de semiconductor-oxido-metal
o MOSFET tiene una fuente .una
puerta y un drenador,la puerta esta
aislada eléctricamente del canal, por
esto la RESISTENCIA DE ENTRADA en
continua es mayor a la de un FET.
• Puede funcionar tanto con tensiones
de puerta negativa o negativas.
• Se le llama de empobrecimiento o de
deplexion.
Curva Características del
Mosfet
Empobrecimiento
 MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
➢ Este dispositivo esta cortado cuando la tensión de puerta
es cero.
➢ Para activarlo se tiene que aplicar una tensión
suficientemente positiva a la puerta.
➢ La tensión de puerta se llama tensión umbral.

➢ El dispositivo actúa como una fuente de corriente o como

una resistencia.
 CURVA DE UN MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
• Los MOSFET tienen una
delgada capa de dioxido
de silicio,un aislante que
impide que la corriente de
puerta fluya para
tensiones de puerta
negativas o positivas.
 Curva Características del
Mosfet de Enriquecimiento
SIMBOLOS
PRUEBA DEL MOSFET
CIRCUITO INVERSOR
 IGBT
TRANSISTOR BIPOLAR DE
COMPUERTA AISLADA
 IGBT: Insulated-Gate Bipolar
Transistor

• Combination BJT and MOSFET

– High Input Impedance (MOSFET)
– Low On-state Conduction Losses (BJT)
• High Voltage and Current Ratings
• Symbol

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El IGBT se suele usar cuando se dan estas
condiciones:
• Bajo ciclo de trabajo
• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta
potencia
El IGBT
 Insulated Gate Bipolar Transistor
• Controlado por tensión
• Conduce elevadas corrientes con Vf menor
• Tamaño IGBT = 1.2 BJT = 2.2 MOSFET
PRUEBA DEL IGBT
Componentes Semiconductores
de Potencia
https://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY

https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo

https://www.youtube.com/watch?v=SuEjD3lsNN4

https://www.youtube.com/watch?v=CuOcZ0aHXzQ