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Diodos: Caracterı́sticas y Aplicaciones

Andrés Felipe Báez Aponte, Camilo Upegui Martinez, Mateo Andreś Rodrigueź Pereira
{afbaeza,bcupeguim,matarodriguezper}@unal.edu.co

Abstract—En este informe vamos a identificar como es la
caracterización I-V de diferentes diodos obteniendo valores
experimentales y comparándolos con los obtenidos en las simula-
ciones, también veremos experimentalmente cuanto es el tiempo
de recuperación inversa y como varı́a si se varı́a la frecuencia
Palabras claves—diodos, curva, caracterización, ecuaciones,
modelos, tiempo de recuperación, temperatura, foto diodo, po-
larizaron, directa, inversa, receptor, emisor.
• Se utilizo el circuito de la Figure 4 para ver el tiempo
de recuperación inversa de cada uno de los diodos en
bajas y altas frecuencias.
• Finalmente solo para observar vamos a montar el circuito
del fotodiodo para ver su comportamiento.
III. R ESULTADOS DE SIMULACIONES

I. INTRODUCCI ÓN

E Xisten diferentes tipos de diodos que son útiles en

diferentes casos, en esta practica vamos a entender como
funcionan los diodos y los fotodiodos, para entender el fun-
cionamiento de un diodo es importante saber como es su
caracteristica I-V porque de esta manera se entiende mejor que
es lo que pasa cuando se trabaja con señales ac y porque son
tan importantes para rectificarlas, en este laboratorio vamos
a identificar experimentalmente esta caracterı́stica variando
los tipos de diodos y las temperaturas para obtener mejores Figure 1. Circuito para caracterización del diodo[1]
conclusiones de su funcionamiento, en el diodo tambien es
importante entender y cuantificar el tiempo de recuperacion
inverso, pues en la práctica los circuitos rectificadores no TABLA I
VALORES DE CORRIENTE Y VOLTAJE DEL DIODO 1N4004( SIMULACI ÓN ).
son ideales y es importante entender como trabaja el diodo
realmente, también veremos como la variación de frecuencia Voltaje
Voltaje D1 Corriente D1
afecta está medida. fuente DC
(V) (mA)
(V)
0 0 0
II. P ROCEDIMIENTO 3,15 0,619 5,061
5,7 0,655 10,089
A. Parte 1 8,2 0,676 15,047
10,7 0,691 20,017
• Primero se vario la tensión en el circuito de la Figure 1 13,25 0,703 25,094
desde 0v hasta la tensión máxima simulada, encontrando 15,75 0,713 30,074
puntos Id-Vd en un intervalo que se aumento de a 5mA 18,25 0,721 35,058
hasta llegar a la corriente máxima para poder graficar la 20,75 0,728 40,044
23,25 0,734 45,031
caracterı́stica I-V de los diodos 1N4004 1N4148. 25,75 0,740 50,020

• Se graficaron los datos en escala decimal(ejes X y

Y) para obtener de manera aproximada la tensión TABLA II
polarización directa umbral y la resistencia dinámica. VALORES DE CORRIENTE Y VOLTAJE DEL DIODO 1N4142( SIMULACI ÓN ).

Voltaje
Se realizo un gráfico en escala semi-logaritmica para Voltaje D1 Corriente D1
• fuente DC
(V) (mA)
encontrar la ecuacion lineal que define la grafica y asi (V)
encontrar los valores pedidos. 0 0 0
3,15 0,645 5,010
5,70 0,671 10,057
• Ahora se altero la temperatura de del diodo con ayuda de 8,20 0,690 15,021
un cautin para ver como cambian los valores estudiados 10,72 0,705 20,030
13,25 0,719 25,062
anteriormente. 15,75 0,732 30,037
18,25 0,744 35,013
20,76 0,755 40,000
B. Parte 2 23,27 0,766 45,008
25,78 0,777 50,007
2

A partir de las simulaciones del circuito de la figura 1 se

los obtuvieron los datos de las Tabla I y Tabla II; y a partir
de estas tablas se realizaron las gráficas de caracterización de
dos diodos el 1N4004 y el 1N4148 mostradas a continuación:

Figure 5. Tiempo de recuperación inversa de un diodo 1N4004.(35µs)[1]

IV. R ESULTADOS Y A N ÁLISIS DE RESULTADOS DE LA

PARTE EXPERIMENTAL

A. Primera parte

Figure 2. Caracterización del diodo 1N4004[1]

TABLA III
DIODO 1N4004 TEMPERATURA AMBIENTE

Voltaje de Voltaje Corriente

la fuente DC en el Diodo en el Diodo
(V) (mV) (mA)
3,2 684 5,11
5,7 712 10,14
8,1 727 15,06
10,7 738 20,29
13,2 747 25,48
15,7 754 30,76
18,1 759 35,96
20 763 40,13
22,4 767 45,33
24,6 770 50,29
25,1 770 51,35

En la primera parte del laboratorio después de realizar

Figure 3. Caracterización del diodo 1N4148[1]
Después se realizó la simulación del circuito mostrado en la
figura 4. donde se pretendı́a obtener el tiempo de recuperación
inversa de un diodo 1N4004.
las mediciones del diodo 1N4004 a temperatura ambiente se
obtuvieron resultados muy similares a los datos arrojados por
el simulador con tan solo un diferencia de 65 [mV] y de maso
menos 49 µA para la corriente, esto lo que nos esta indicando
es que un diodo en la en realidad necesita un poco mas
tensión para conducir aproximadamente la misma cantidad de
corriente que en las simulaciones; este análisis fue obtenido a
partir de las comparaciones de la tablas I y la tabla III y se
puede evidenciar en la figura 6.

Figure 4. Circuito para obtener el tiempo de recuperación inversa de un Figure 6. Gráfica de la caracterización de un diodo con las mediciones de la
diodo[1] simulación y del laboratorio
ELECTRÓNICA ANALOGA ILATEX 3

Figure 7. Gráfica Caracterı́stica I-V del diodo 1N4004 en escala semi- Figure 9. Gráfica Caracterı́stica I-V del diodo 1N4148 en escala semi-
logarı́tmica logarı́tmica

TABLA IV
DIODO 1N4148 TEMPERATURA AMBIENTE

Voltaje de Voltaje Corriente

la fuente DC en el Diodo en el Diodo
(V) (mV) (mA)
3,2 712 5,05 Las gráficas semi-logarı́tmicas presentadas anteriormente
5,7 729 10,10
figura 7. y figura 9 de la caracterización del los diodos
8,1 741 15,03
10,7 753 20,30 1N4004 y 1N4148, se utilizan principalmente para encontrar
13,2 764 25,45 de forma experimental las constantes del diodo, ya que una
15,7 774 30,72 vez conocida el punto de corte y la pendiente de la recta
18,1 782 35,91
20 787 40,09
semi-logarı́tmica por el método de mı́nimos cuadrados, se
22,4 792 45,31 pueden conocer los valores de dichas constantes.
24,6 795 50,28
25,1 770 51,35

Al realizar la segunda parte experimental del laboratorio

Luego para diodo 1N4148 se realizo el mismo realizando las mediciones necesarias para la caracterización de
procedimiento que para el 1N4004, estos resultados se un diodo expuesto a altas temperaturas aproximadamente de
pueden obtener en las figura 8. Al realizar el mismo análisis 180 grados celsius que es la temperatura que provee el cautin
que para el procedimiento anterior se puede evidenciar que utilizado; las mediciones tomadas se encuentran incluidas en
se presenta el mismo fenómeno que con el diodo 1N4004, el la tabla IV.
diodo necesita en el modelo real un promedio de 69 mV mas
para poder conducir la misma cantidad de corriente que en la
simulación. Esta variación en las mediciones podrı́a ser causa
de una diferencia de la temperatura que tiene el laboratorio
con la que utiliza el simulador para arrojar las mediciones.

TABLA V
DIODO 1N4004 ALTA TEMPERATURA

Voltaje de Voltaje Corriente

la fuente DC en el Diodo en el Diodo
(V) (mV) (mA)
3,2 540 5,54
5,7 572 10,58
8,1 580 15,44
10,7 617 20,94
13,2 629 25,95
15,7 640 31,09
18,1 647 36,24
20 648 40,48
22,4 650 45,61
24,6 653 50,5
Figure 8. Gráfica de la caracterización de un diodo 1N4148. 25,1 649 51,83
4
Figure 10. Grafica comparativa de las Caracterizticas I-V del diodo 1N4004
con temperatura ambiente y con alta temperatura
En la figura 10 podemos evidenciar la comparación
de la caracterización del diodo a temperatura normal y a
altas temperaturas. Al comparar estos resultados se puede
evidenciar claramente que un diodo a altas expuesto a altas
temperaturas posee una resistividad mucho menor ya que
al aumentar la temperatura a mas de 100 grados celsius se
necesitan un promedio de 120 mV menos en los terminales
del diodo para conducir la misma cantidad de corriente he
incluso un poquito mas como se puede evidenciar en la tabla
IV, esto ocurre ya que al realizar aumentos de temperatura
en el diodo la cantidad de electrones que fluyen libremente
en diodo también presentan un aumento, en consecuencia al
haber una mayor cantidad de portadores de carga eléctrica
el trabajo necesario para llevar una carga de un lado a
otro disminuye, es decir se necesita menos tensión en los
terminales del diodo para conducir la misma corriente.
B. Segunda parte.
En la segunda parte del laboratorio en la cual se realizo
el montaje de la figura 4. en el que se pretendı́a encontrar
el tiempo de recuperación inversa del diodo para distintas
frecuencias se encuentra en la tabla V.
TABLA VI
VARIACI ÓN DEL TIEMPO Y FRECUENCIA
Tiempo de Recuperación
Frecuencia(Hz)
inversa(s)
1K 9,5u
10K 9,5u
100K 5u
500K 990n
1M 484n
10M no definido
al realizar la medición para una frecuencia de 1kHZ figura
9. se encuentra que el tiempo de recuperación es de aproxi-
madamente 10µs
Figure 11. Tiempo de recuperación inversa con 1KHz
De la gráfica arrojada por el osciloscopio podemos observar
que el tiempo de recuperación inversa que tiene el voltaje no
se presenta de forma exponencial sino que tiene un compor-
tamiento un poco sobre amortiguado; este fenómeno ocurre
debido a las caracterı́sticas in-trisecas de los electrones, ya que
al quitar el la diferencia potencial ya no se pueden mover de
la misma manera. Este comportamiento genera que el voltaje
empiece a variar su sentido hasta que logra estabilizarse en
0V.
Estos resultados no son muy equivalentes a los arrojados
por la simulación, ya que en esta el tiempo de recuperación
medido del diodo 1N4004 es de 35 µs[2] y en el laboratorio
dio un valor de 10 µs, El valor entregado por el fabricante es
aproximadamente 35 µs el cual coincide con el valor arrojado
por la simulación figura 5.
Estas diferencias de datos entre los encontrados en la
practica, las simulaciones y los datos aportados por el
fabricante se pueden dar a la forma como son fabricados los
diodos ya que pueden variar sus propiedades intrı́nsecas por
errores pequeños de fabricación. Ademas, la manipulación de
estos elementos hasta que llega a manos del comprador; por
otro lado algunas veces los datasheets no tienen la misma
información, ya que esta puede variar dependiendo de la
empresa que los fabrique, al haber tantas empresas no se
puede tomar como referencia solo los datos entregados por
una de ellas, en fin son muchos los factores que pueden llegar
a afectar estas mediciones, por lo que se puede esperar que
tenga un alto porcentaje de error al comparar los resultados.
El ultimo paso de la practica se baso en observar que
le pasa al tiempo de recuperación inversa si se varia la
frecuencia con la que se alimenta el diodo 1N4004.
Analizando los datos de la tabla V. se puede observar
que a medida que se aumenta la frecuencia, el tiempo de
recuperación Inversa del diodo disminuye; todo esto se da
debido a que una señal con mayor frecuencia fuerza al diodo
a responder de forma mas rápida, hasta que llega el punto en
que la señal de la tensión medida en los terminales del diodo
ya no tiene su forma original cuadrada en este caso, sino que
por el contrario presenta una deformación hasta tal punto que
ELECTRÓNICA ANALOGA ILATEX
parece mas una señal senoidal como se puede observar en la
figura 12. que es la medición del diodo a una frecuencia de
10 MHz y como se puede observar el tiempo de recuperación
ya es demasiado pequeño en el orden de los 98 ns.
las imágenes de las demás mediciones del tiempo de re-
cuperación inverso se encuentran al final del informe en la
sección VII de Anexos.
Figure 12. Tiempo de recuperación inversa con 10MHz
V. P REGUNTAS SUGERIDAS
• En el circuito de la Figura 1, ¿qué ocurre con la
resistencia cuando circula la corriente máxima (con la
fuente en 25 V)?
La disipación de energia por medio de la temperatura
aumenta drasticamente pues a través de la ley de
tensiones de Kirchhoff, se sabe que la tensión en la
resistencia es de aproximadamente 24,3V (pues el diodo
se comportarı́a como una fuente de 0,7V al ser de
silicio) y se necesitarı́an aproximadamente 486 Ω para
mantener la corriente constante, además se observa que
la potencia que disipa la resistencia seria de 1.215 W, lo
que también nos indica que se deben utilizar resistencias
que permitan esta potencia, de lo contrario la práctica
no hubiera salido bien, pues las resistencias se quemarı́an.
• ¿Cuáles son las consecuencias de cambiar de polaridad
la fuente que alimenta el circuito de la Figura 1?
Al invertir la polaridad de la fuente, la tension en
el anodo y el catodo del diodo se invertiria de igual
manera, por lo que el catodo tendria mayor tensión que
el ánodo y no se conduciria corriente, dejando el circuito
inservible.
• ¿Por qué es necesario alimentar el circuito de la Figura
2 con una señal cuadrada?
Es necesario pues al alimentar una señal cuadrada y por
esto tener cambios casi instantaneos en la tensión de la
onda, se puede pasar de un estado de conducción a uno
de no conducción en el diodo de manera casi instantanea
5
y visualizar de maner correcta el tiempo de recuperación
inversa de dicho diodo.
• ¿Qué pasa con los tiempos de recuperación inversa si se
varı́a la resistencia R1?
Debido a que los tiempos de recuperación son una
caracteristica del diodo dada desde su fabricación, la
variación de cualquier resistencia no los afectara de
ninguna manera .
• ¿Los resultados obtenidos concuerdan con los valores
suministrados por el fabricante?
Los valores obtenidos experimentalmente varian muy
levemente respecto a los dados por el fabricante, estas
variaciones son facilmente generadas por errores en la
medición humana y en la instrumentación usada.
• ¿Qué cambio obtuvo al variar la temperatura en
la primera parte de la práctica? ¿Este cambio era
predecible? Justifique su respuesta.
Dada la Figure 7, se observa un cambio brusco en la
tensión del diodo y uno ligero pero relevante en la
corriente, esto implica que se necesito menos tensión
para obtener la misma corriente.
Este cambio es predecible pues al aumentar la
temperatura en el diodo, se aumentan tanto los portadores
P como N en el mismo y se impide la recombinación de
estos. Por lo anterior se genera un aumento considerable
en la conductividad del diodo (la cual se puede
apreciar en el desfase de la Figure 7) y una disminución
en la tensión directa necesaria para polarizar el diodo. [2]
VI. C ONCLUSIONES
• Es necesario tener el cuenta todos los parametros de
los componentes que usados en el diseño de un circuito
ademas de los factores externos del lugar donde este vaya
a ser usado pues dado el caso un cambio de temperatura
podria afectar de manera relevante el funcionamiento del
circuito.
• El aumento de temperatura en los diodos aumenta la
cantidad de electrones libres de este y por lo tanto su
conductividad aumenta mientras su resistividad se reduce
junto a su barrera de potencial y su eficiencia.
• El tiempo de recuperación de un diodo depende exclu-
sivamente de su fabricación, desde los materiales usados
(tipo de material y pureza), hasta sus metodos de pro-
ducción.
B IBLIOGRAF ÍA
[1] Galerı́a personal.
 6

[2] CENSA.mx, ”CENSA.mx,” Diseño por CENSA.mx, [En lı́nea]. Avail-

able: http://censa.mx/producto.php?codigo=24000640. [Último acceso: 10
03 2018].
[3] E. Sanchis y J. Ejea, El diodo. Universitat D Valencia,Escola Técnica
Superior d’Enginyeira, 2008.
[4] Electronic Components Datasheet Search, 2003. [En lı́nea]. Available:
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=1n4148. [Último ac-
ceso: 10 03 2018].

VII. A NEXOS

Figure 16. Tiempo de recuperación inversa con 1MHz

Figure 13. Tiempo de recuperación inversa con 10KHz

Figure 14. Tiempo de recuperación inversa con 100KHz

Figure 15. Tiempo de recuperación inversa con 500KHz

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