1 DEFECTOS PUNTUALES

Los defectos puntuales son perturbaciones

localizadas en los arreglos ionicos o atomicos en
una estrucutra cristalina que de otra manera seria
perfecta. Aun cuando se llama defectos
puntuales, la perturbacion afecta a un aregion
que involucra varios atomos o iones. Estas
imperefecciones pueden ser introducidas por el
movimiento de los atomos o iones cuando ganan
energia al calentarse, durante el procesamiento
del material o por la introduccion intencional o no
intencional de impurezas.
Las impurezas son elemtos o compuestos que
se presentan a partit de las materias primas o
del procesamiento. Por otro lado, los dopantes
son elemetos o compuestos que se adicionan
de manera deliberada, en concentraciones
concocidas, enn localizaciones especificas en
la microestructura con un efecto benefico
deseado sobre las propiedades o el
procesamiento.
En general el efecto de las impurezas es perjudiciel, mientras que el efectoo de los
dpantes sobre las
propiedades de los
materiales es util.
Ejemplo: el fosoforo
(P) y el boro (B) son
ejempos de los
dopantyes que se
adicionan a cristales
de silicio para
mejorar las
propiedadfes
electricas del silicio
puro (Si). Muy
usado en la
electronica.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se agregan un pequeño
número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se
dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden
de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje
pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material
de tipo P. Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de
silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro,
Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

2 LAS VACANCIAS
Se producen cuando un átomo o un ion esta ausente de su sitio normal en la estructura
cristalina. Cuando los átomos están ausentes (es decir, se presentan vacancias), aumenta
la aleatoriedad o entropía general del material, lo cual incrementa la estabilidad
termodinámica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen defectos
de vacancia. Estas se introducen en los metales y aleaciones durante la solidificación, a
altas temperaturas, o como consecuencia del daño de la radiación. Las vacancias
desempeñan una función importante en la determinación de la velocidad a la cual los
átomos o iones se mueven alrededor de o se difunden en un material solido,
especialmente en los metales puros.
A temperatura ambiente (-298 K°), la concentración de vacancias es pequeña, pero la
concentración de estas aumenta exponencialmente a medida que se incrementa la
temperatura.
Son estos defectos cristalinos los que dan las propiedades más interesantes de la materia,
como la deformación plástica, la resistencia a la rotura, la conductividad eléctrica, el color,
la difusión, entre otras.
Deformación plástica: ejemplo de ello son las roladoras de lamina, de tubo, de ptr, solera
y similares. Es aquella en la que el cuerpo no recupera su forma original al retirar la fuerza
que le provoca la deformación.
Resistencia a la ruptura: máxima tensión que un material puede soportar bajo tensión
antes de que su sección transversal se contraiga de manera significativa.
Conductividad eléctrica: La conductividad eléctrica es la capacidad que tiene una sustancia
o material para permitir el paso de corriente eléctrica a través de sí, es decir, de
transportar electrones. Es lo contrario a la resistencia eléctrica.
3 DEFECTOS INTERSTICIALES
Se produce cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en una
posición por lo general desocupada. Los átomos intersticiales, aunque muchos menores
que los átomos iones localizados en los puntos de la red, siguen siendo mayores que los
sitios intersticiales que ocupan, en consecuencia, la región cristalina circundante esta
comprimida y distosionada. Ejemplo:
Generalmente los átomos intersticiales del hidrogeno se presentan como una impureza en
el hierro, mientras que los átomos de carbono de adicionan de manera intencional al
hierro con el fin de producir acero.
Se crea una intersticialidad cuando un átomo idéntico a aquello en los puntos de la red
normales se localiza en una posición intersticial. Estos se suelen encontrar en estructuras
cristalinas de factor de empaquetamiento bajo.
En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA), en inglés: atomic packing
factor, APF, es la fracción de volumen en una celda unidad que está ocupada por átomos.

4 DEFECTOS SUSTITUCIONALES
Sucede cuando se reemplaza un ion o átomo por un tipo de átomo o ion distinito. Estos
ocupan el sitio de red normal, además de que pueden ser mayores que los átomo
normales en la estructura cristalina, en este caso se reducen los espaciados interatómicos
circundantes, o menores, ocasionando que el espaciado sea mayor. En cualquier caso, los
defectos susticionales alteran el cristal circundante. De nuevo, el defecto sustitucional
puede ser una impureza o una adición de aleación de manera deliberada, y una vez
introducido, el numero de defectos es relativamente independiente de la temperatura.
Ejemplo de esto se vio con el anterior dado del silicio y sus dopantes P y N.
Defecto de Frenkel
Este efecto es una combinación entre el defecto de vacancia e intersticial, donde un
átomo se encuentra en un lugar normal de la estructura cristalina salta hacia a un lugar
intersticial dejando así una vacancia.
Defecto de Schottky
Es un par de vacancias que se presentan en los cristales iónicos, donde se debe mantener
un equilibrio en la estructura cristalina. Cuando se deja una vacancia de un anión, también
debe dejarlo un catión para mantener un equilibrio en la red. Debe encontrarse la misma
cantidad de aniones que de cationes.