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Caratteristiche e Modelli

dei Transistori MOS e Bipolari


Dispositivi Elettronici
Numero terminali
𝑛 2 (multipoli),
𝑛 2 (bipoli)
In particolare: doppi bipoli
lineare

𝑹 𝑯
𝑖
Relazione 𝑣

nonlineare

Diodo
Transistori MOS e BJT

Dispositivi a 3 (o meglio 4) terminali


 2-porte non-lineari

2
Dispositivi Elettronici: Transistori
 Transistori (dispositivi a 3-4 terminali)
• MOSFET (Metal-Oxide-Semicondutor Field Effect Transistor) o semplicemente
transistore MOS
– di gran lunga il dispositivo maggiormente diffuso (anche 108-109 in un chip)
• BJT (Bipolar Junction Transistor), o transistore bipolare
– il primo transistore ad essere stato realizzato (Shockley, Brattain, Bardeen,
W. Shockley
23 dicembre 1947, Murray Hill, New Jersey USA)

 Elementi chiave di tutti i sistemi elettronici (analogici, digitali, mixed).

Circuito
Circuito integrato Scheda Elettronica
Wafer Integrato
in package PCB

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Transistori : Concetti Generali (I)
 Transistor: Transfer Resistor, doppio bipolo nonlineare unidirezionale
– si individua una porta di controllo ed una porta controllata
– questo comportamento è ottenuto grazie alle proprietà fisiche dei semiconduttori e
non è affatto comune per una rete elettrica!

Porta di Porta
Controllo Controllata
- E’ facile da pilotare (i.e. richiede - Il comportamento alla porta
poca energia) controllata dipende da ciò che
- Il comportamento alla porta di accade alla porta di controllo ed
controllo non dipende da ciò che è poco influenzato da ciò che è
accade alla porta controllata. collegato alla porta stessa.

4
Transistori : Concetti Generali (II)
 Transistor: Transfer Resistor, doppio bipolo nonlineare unidirezionale
– si avvicina all’idea di blocco funzionale!  E’ l’elemento fondamentale di
qualsiasi sistema elettronico (analogico, digitale, mixed-signal, di potenza…)

Funzione
Ingresso Uscita

Porta di Porta
Controllo Controllata
- E’ facile da pilotare (i.e. richiede - Il comportamento alla porta
poca energia) controllata dipende da ciò che
- Il comportamento alla porta di accade alla porta di controllo ed
controllo non dipende da ciò che è poco influenzato da ciò che è
accade alla porta controllata. collegato alla porta controllata.

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Transistori MOS (I)
MOSFET a canale n MOSFET a canale p
(nMOS ) (pMOS )

bulk bulk

4 terminali Il terminale di bulk di fatto è quasi sempre:


- o cortocircuitato al terminale di source
- Drain - o collegato ad una tensione costante (alimentazione positiva o negativa)
- Source
- Gate In questa parte del corso assumeremo che il bulk sia sempre cortocircuitato
- Bulk con il source e considereremo il MOS come un dispositivo a 3 terminali.

6
Transistori MOS (II)
MOSFET a canale n MOSFET a canale p
(nMOS ) (pMOS )

simboli utilizzati prevalentemente in Elettronica Analogica

- il terminale di bulk è omesso e si assume collegato al terminale di source

7
Transistori MOS (III)
MOSFET a canale n MOSFET a canale p
(nMOS ) (pMOS )

simboli utilizzati prevalentemente in Elettronica Digitale

- il terminale di bulk è omesso e si assume collegato all’alimentazione negativa per il transistore nMOS e
all’alimentazione positiva per il transistore pMOS.
- Il pallino sul gate del transistore pMOS in campo digitale rappresenta la negazione logica (il transistore
pMOS è visto come un ‘transistore nMOS con ingresso negato’)

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Transistori MOS: Caratteristiche Statiche (I)
- Considerando il terminale di source comune, si individuano due porte:
- Gate-Source (GS)
- Drain-Source (DS)
- il transistore MOS è un doppio bipolo non lineare
- Variabili indipendenti e variabili dipendenti:
- la corrente iG in condizioni statiche è nulla  buon ingresso in tensione. 
GS: porta d’ingresso (di controllo), variabile indipendente: vGS
DS: porta d’uscita (controllata), variabile dipendente: iD (uscita)

La scelta è analoga a quella parametri G, ma in questo caso il dispositivo non è lineare

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Transistori MOS: Caratteristiche Statiche (II)
Variabili Variabili
Rappresentazione
Indipendenti Dipendenti
𝑮 𝑣 ,𝑣 𝑖 ,𝑖
𝑔 𝑔 Per un doppio bipolo lineare: in forma matriciale:
𝑔 𝑔
𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣 𝒊 𝑮𝒗
 Come per il doppio bipolo, anche per il transistore MOS si hanno caratteristiche di ingresso, d’uscita e
trans-caratteristiche
𝒊𝟏 𝑔 𝒗𝟏 𝑔 𝑣 𝒊𝟐 𝑔 𝑣 𝑔 𝒗𝟐 𝒊𝟐 𝑔 𝒗𝟏 𝑔 𝑣
i1 i2 i2

𝑣 v1 v2 𝑣 v1
𝑣

Caratteristiche di Ingresso Caratteristiche di Uscita Transcaratteristiche

Ma per il transistore MOS le caratteristiche e trans-caratteristiche sono non-lineari…

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Transistori MOS: Caratteristiche Statiche (III)
- Caratteristica statica alla porta d’ingresso

𝑖 𝑖 𝑣 ,𝑣 0 ∀𝑣 , ∀𝑣  good news !

- La potenza statica assorbita alla


porta di ingresso 𝑃 𝑣 𝑖 è
sempre nulla.

∀𝑣

𝑣 V

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Transistori MOS: Caratteristiche Statiche (IV)
- Caratteristica statica alla porta d’uscita
𝑖 𝑖 𝑣 ,𝑣
- Rappresentiamo la caratteristica sul piano 𝑣 𝑖 : fissato 𝑣 (con un generatore di tensione costante)
applichiamo un generatore di tensione 𝑣 e riportiamo il valore di 𝑖 corrispondente a ciascuna 𝑣 .
- Otteniamo una famiglia di curve al variare di 𝑣

𝑣
parametro

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Transistore nMOS: Caratteristiche d’uscita (I)
Regione
per 𝑣 𝑉 : 𝑖 0 ∀𝑣 di interdizione o OFF

- 𝑉 tensione di soglia,
parametro tecnologico (ordine
delle centinaia di mV)
- Quando 𝑣 𝑉 , la porta drain-
source (DS) del MOS si comporta
come un circuito aperto
(interruttore OFF)
- Il transistore non dissipa potenza.

Regione
di interdizione (OFF)

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Transistore nMOS: Caratteristiche d’uscita (II)
𝑣 Regione
per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 : 𝑖 𝛽𝑣 𝑣 𝑉
2 Triodo o ON
- 𝛽: parametro tecnologico 𝛽 [A/V2]
- 𝑖 dipende da 𝑣 in modo quadratico.
- per 𝑣 𝑉 ≫ 𝑣 , (reg. resistiva o
lineare) 𝑖 cresce (quasi) linearmente
con 𝑣  la porta DS si comporta
come un resistore 𝑹𝑶𝑵
1
𝑅
𝛽 𝑣 𝑉
Regione Triodo (ON)
- se 𝑣 ↑ , 𝑅 ↓ e DS diventa simile
ad un corto circuito (interruttore ON) 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉

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Transistore nMOS: Caratteristiche d’uscita (III)
𝛽 Regione
per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 𝑖 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 di saturazione
2
- 𝜆 ∶ parametro tecnologico (coeff. di
modulazione della lunghezza di
canale) [V-1], spesso* 𝜆 ≅ 0.
- quando 𝑣 >𝑣 𝑉 , 𝑖 non Regione di Saturazione
aumenta più (significativamente) con
𝑣 e 𝑖 dipende solo da 𝑣 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉
- il MOS si comporta come generatore
di corrente (𝒊𝑫 ) controllato in
tensione (𝒗𝑮𝑺 ) con legge quadratica.
𝛽
𝑖 ≅ 𝑣 𝑉
2

*nelle moderne tecnologie, con transistori MOS nanometrici si hanno effetti di canale corto e
𝜆 è piuttosto grande (𝜆 0.1

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Transistore nMOS: Caratteristiche d’uscita (IV)
0 per 𝑣 𝑉 regione di interdizione, OFF
𝑣
𝛽𝑣 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione triodo, ON (*)
𝑖 2
𝛽
𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione di saturazione
2

Modello di Shichman-Hodges

(*) nell’espressione della corrente 𝑖 in regione


triodo è stato inserito il fattore 1 𝜆𝑣 per
garantire la continuità di 𝑖 al variare di 𝑣

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Transistore nMOS: Caratteristiche d’uscita (V)
0 per 𝑣 𝑉 regione di interdizione, OFF
𝑣
𝛽𝑣 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione triodo, ON
𝑖 2
𝛽
𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione di saturazione
2

Comportamento alla porta


d’uscita (Drain-Source)
nelle tre regioni di funzionamento

OFF: circuito aperto

ON: per 𝑣 𝑉 ≫𝑣 :
resistenza 𝑅 se 𝑣 ↑ , 𝑅 ↓
per 𝑣 suff. alta,  a corto
circuito

Saturazione: generatore di
corrente (𝑖 ) controllato in
tensione (𝑣 ), quasi ideale (𝑖
varia poco con 𝑣 )

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Safe Operating Area (SOA)
 Un transistore può andare incontro a danneggiamento se:
– La tensione alla porta DS (GS) eccede un valore massimo 𝑉 , 𝑉 ,
– La corrente di drain eccede un valore massimo 𝐼 ,
– La potenza dissipata 𝑃 𝑖 𝑣 (significativa in saturazione), convertita in calore, eccede 𝑃
Solo una regione del piano 𝑖 𝑣 ,è
effettivamente utilizzabile: 𝑖
𝑣 𝑉 ,
𝐼 ,
𝑖 𝐼 ,
𝑣 𝑖 𝑃

Questa regione è detta Safe Operating


Area (SOA)
𝑣 𝑖 𝑃

𝑉 ,

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Transistore pMOS: Caratteristiche d’uscita
0 per 𝑣 𝑉 regione di interdizione, OFF
𝑣
𝛽𝑣 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione triodo, ON
𝑖 2
𝛽
𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione di saturazione
2

Considerazione pratica:
prendendo 𝒊𝑫 uscente dal Drain
e sostituendo:
𝑣 →𝑣 ( 𝑣 ) 𝒗𝑺𝑮
𝑣 →𝑣 ( 𝑣 )
le caratteristiche sono analoghe a
quelle del transistore nMOS 𝒗𝑺𝑫

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Transistore pMOS: Caratteristiche d’uscita
0 per 𝑣 𝑉 regione di interdizione, OFF
𝑣
𝛽𝑣 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione triodo, ON
𝑖 2
𝛽
𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 , per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑣 𝑉 regione di saturazione
2

Differenze rispetto ad nMOS:


nMOS conduce per tensioni di gate positive rispetto
al source; il source è a potenziale più basso del drain
pMOS conduce per tensioni di gate negative rispetto 𝒗𝑺𝑮
al source; il source è a potenziale più alto del drain
La corrente di drain è fisicamente entrante
nell’nMOS, mentre è uscente nel pMOS
𝒗𝑺𝑫

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Transistore nMOS: Transcaratteristica Statica (I)
- Transcaratteristica
𝑖 𝑖 𝑣 ,𝑣

- Rappresentiamo la caratteristica sul piano 𝑣 𝑖 , fissato 𝑣


- Otteniamo una famiglia di curve al variare di 𝑣

parametro

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Transistore nMOS: Transcaratteristica Statica (II)
Transcaratteristica: 𝑖 𝑖 𝑣
- 𝑣 𝑉 : regione OFF, 𝑖 0
- 𝑣 𝑉 : per 𝑣 𝑣 𝑉 ,𝑖 𝑣 𝑉 cresce con 𝑣 in modo parabolico (tratto spesso
in figura) indipendentemente da 𝑣 .
- 𝑣 𝑉 : quando 𝑣 cresce e 𝑣 𝑉 𝑣 , 𝑖 cresce con 𝑣 in modo lineare e dipende da 𝑣

Regione di
Saturazione


(linea a tratto spesso)

𝑣 nMOS 𝑖
in saturazione
Ingresso Uscita
Regione
Triodo
Il transistore nMOS in saturazione:
un vero blocco funzionale analogico!
si comporta da gen. di corrente controllato in tensione

22
Transistore pMOS: Transcaratteristica Statica
Transcaratteristica 𝑖 𝑖 𝑣
- 𝑣 𝑉 : MOS OFF, 𝑖 0
- 𝑣 𝑉 : per 𝑣 𝑣 𝑉 ,𝑖 𝑣 𝑉 ha andamento parabolico (tratto spesso in figura)
indipendentemente da 𝑣 .
- 𝑣 𝑉 : quando 𝑣 cresce e 𝑣 𝑉 𝑣 , 𝑖 cresce con 𝑣 in modo lineare e dipende da 𝑣

Regione di
Saturazione


(linea a tratto spesso)

𝑣 pMOS 𝑖
in saturazione
Ingresso Uscita
Regione
Triodo
Il transistore pMOS in saturazione:
untransistore
Il vero bloccopMOS in saturazione:
funzionale analogico!
un vero blocco funzionale analogico!
si comporta da gen. di corrente controllato in tensione

23
Transistori MOS: Datasheet (I)
Nei datasheet dei transistori
sono riportati i valori massimi di
𝑉 , 𝑉 , 𝐼 e temperatura
di funzionamento

24
Transistori MOS: Datasheet (II)
Le caratteristiche elettriche dei
transistori reali possono deviare
dai modelli teorici sono soggetti
a tolleranze di fabbricazione.

I datasheet riportano valori tipici


oppure massimi/minimi
(condizioni di caso peggiore)

Spesso i costruttori forniscono


anche i modelli SPICE dei
dispositivi basati su misure,
molto più accurati del modello
considerato nel corso ma
comunque approssimati

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Transistori Bipolari (BJT)
 Si accennerà nel seguito ai transistori bipolari (BJT, bipolar junction transistor)
 La fisica è molto diversa (e non verrà presentata in questo corso), ma possono essere
utilizzati per applicazioni analogiche e digitali, come i transistori MOS.
 I BJT di tipo npn e pnp hanno lo stesso comportamento ma polarità invertita: sono il
corrispettivo dei MOSFET a canale n ed a canale p.
 Faremo riferimento a dispositivi npn: analoghe considerazioni valgono per i pnp.
Transistore npn Transistore pnp

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BJT: Caratteristiche Statiche
- Considerando il terminale di emettitore comune, si individuano due porte:
- Base-Emettitore (BE)
- Collettore-Emettitore (CE)
- Variabili indipendenti e variabili dipendenti:
BE: porta d’ingresso (di controllo): presenta una relazione tensione-corrente
esponenziale, come in un diodo, consideriamo come variabile indipendente: vBE
CE: porta d’uscita (controllata), variabile dipendente: iC

La scelta è analoga a quella dei parametri G ma il dispositivo non è lineare


variabile
dipendente

variabile
indipendente

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BJT: Caratteristica d’ingresso
- Caratteristica statica alla porta d’ingresso

/
𝑖 𝑖 𝑣 ,𝑣 𝐼 e 1) per 𝑖 0

- La relazione tensione-corrente
alla porta d’ingresso è esponenziale
(come per un diodo).
/
- Non dipende dall’uscita (il BJT è 𝑖 𝐼 e 1)
unidirezionale)
- La potenza statica assorbita alla
porta di ingr. 𝑃 𝑣 𝑖 non è nulla.

𝑉
BJT: Caratteristiche d’uscita
𝑖 0, per 𝑣 𝑉 regione di interdizione, OFF
𝑓 𝑣 ,𝑣
𝑖 per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑉 , regione di saturazione*, ON
/
𝑣
𝛽𝐼 e 1) ⋅ 1
𝑉 per 𝑣 𝑉 ⋀𝑣 𝑉 , regione attiva
𝑖 Regione di
𝛽: Amplificazione di Corrente (𝑖 ≃ 𝛽𝑖 ) Saturazione*
*Nota: non ha nulla a
𝑉 , : tensione CE di saturazione, che fare con la reg. di
saturazione del MOS
Intorno a 100mV. In reg. di saturazione la porta
CE si comporta come un corto circuito.

𝑉 : Early Voltage
parametro tecnologico analogo a per il MOS Regione Attiva
Simile alla regione
di saturazione del MOS

Regione di Interdizione

29
Transistore BJT: Transcaratteristica Statica
- Consideriamo solo il caso di funzionamento in regione attiva
𝑖 𝛽⋅𝑖 ⋅ 1
- Per 𝑉 sufficientemente grande, 𝑖 è indipendente da 𝑣 .

Non esattamente
lineare per alte correnti


𝑖 BJT 𝑖
in regione attiva
Ingresso Uscita

Il transistore BJT in regione attiva:


un vero blocco funzionale analogico!
gen. di corrente controllato in corrente

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Transistore MOS in applicazioni analogiche (I)
 Il transistore MOS si comporta da blocco funzionale analogico solo in regione di saturazione.
 Occorre polarizzare il transistore MOS in regione di saturazione, applicando opportune
tensioni/correnti continue sovrapposte al segnale da elaborare.
 I generatori di polarizzazione forniscono energia che può essere trasferita al segnale.
– Globalmente il transistore è un dispositivo passivo, (potenza assorbita>potenza erogata).
– Per il segnale, può avere un comportamento attivo (potenza di segnale erogata>potenza di segnale assorbita).
 Della polarizzazione si occupa il progettista, a partire dalla tensione di alimentazione di
valore specificato che deve essere fornita.

Porta d’uscita
𝑣 𝑉 𝑅𝑖
Porta d’ingresso Retta di carico

𝑣 𝑣 𝑉

Generatori di Polarizzazione

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Transistore MOS in applicazioni analogiche (II)
Può essere utilizzato come amplificatore

𝑣 𝑣 𝑉
𝑣 𝑉 𝑅𝑖
𝑖 𝑣 𝑖 𝑣
𝑉
𝑅 Regione di
Saturazione
𝑣 𝑉 𝑅𝑖

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Transistore MOS per applicazioni digitali (I)
• 𝑣 può assumere due valori: alto (𝑣 𝑉 , 𝑉 è la tensione più alta nel circuito,
alimentazione positiva) o basso (𝑣 0𝑉, o la tensione più bassa disponibile).
• Il MOS è utilizzato nelle regioni ON o OFF, come interruttore controllato da 𝑣
nMOS pMOS
𝑣 𝑣 𝑣 𝑣 𝑣 𝑣
per 𝑣 𝑉 : ON per 𝑣 𝑉 : OFF
per 𝑣 0: OFF per 𝑣 0: ON

Interruttore
controllato da 𝒗𝑮

33
Transistore MOS per applicazioni digitali (II)
Le funzioni booleane sono implementate utilizzando i transistori MOS come interruttori, che
collegano l’uscita a 𝑉 (stato alto) o a 0V (stato basso), a seconda degli ingressi.
Descrizione Funzionale:
A 𝒗𝑨 B 𝒗𝑩 MN1 MN2 MP1 MP2 𝒗𝒀 Y

0 0V 0 0V OFF OFF ON ON 𝑉 1

0 0V 1 𝑉 OFF ON ON OFF 𝑉 1

1 𝑉 0 0V ON OFF OFF ON 𝑉 1

1 𝑉 1 𝑉 ON ON OFF OFF 0 0

Implementa la funzione
ingressi NAND a due ingressi
uscita

Descrizione elettrica:
- Unidirezionale (𝑖 0 sempre)
- Resistenza d’uscita bassa: legata a RON dei MOS
E’ un ottimo blocco funzionale digitale!

34
Analisi di Circuiti Analogici con Transistori MOS
 Il transistore MOS è un dispositivo non-lineare come il diodo. Si può linearizzare nell’intorno
di un punto di lavoro separando componenti di polarizzazione e di piccolo segnale.
 Dispositivo a due porte: quattro variabili 𝑖 , 𝑣 , 𝑖 , 𝑣
𝑖 𝐼 𝑖 0 𝑖 𝐼 𝑖
𝑣 𝑉 𝑣 𝑣 𝑉 𝑣
𝑖 𝑣 𝑖 𝑣

35
Transistore MOS: Linearizzazione e Piccolo Segnale (I)
 Dispositivo a due porte: quattro variabili 𝑖 , 𝑣 , 𝑖 , 𝑣 . Si scelgono 𝑣 e𝑣 come
variabili indipendenti (parametri G)
𝑣 𝑉 𝑣 variabili 𝑖 𝐼 𝑖
variabili
dipendenti
indipendenti 𝑣 𝑉 𝑣 𝑖 𝐼 𝑖

In generale: 𝑄 𝑉 ,𝑉
𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
𝑖 𝑣 𝑣
𝜕𝑣 𝜕𝑣 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑖 𝑣 𝑣
𝜕𝑣 𝜕𝑣

𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑔 𝑔
𝜕𝑣 𝜕𝑣
𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑔 𝑔 doppio bipolo lineare
𝜕𝑣 𝜕𝑣 descritto con parametri G

36
Transistore MOS: Linearizzazione e Piccolo Segnale (II)
 Dispositivo a due porte: quattro variabili 𝑖 , 𝑣 , 𝑖 , 𝑣 . Si scelgono 𝑣 e𝑣 come
variabili indipendenti (parametri G)
𝑣 𝑉 𝑣 variabili 𝑖 𝐼 𝑖
variabili
dipendenti
indipendenti 𝑣 𝑉 𝑣 𝑖 𝐼 𝑖
Transistore MOS: 𝑄 𝑉 ,𝑉
𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣 0
𝑖 𝑣 𝑣 0
𝜕𝑣 𝜕𝑣 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑖 𝑣 𝑣
𝜕𝑣 𝜕𝑣

𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑔 0𝑔 0
𝜕𝑣 𝜕𝑣
𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑔 𝑔 doppio bipolo lineare
𝜕𝑣 𝜕𝑣 descritto con parametri G

37
Transistore MOS: Linearizzazione e Piccolo Segnale (III)
In generale…
Doppio bipolo Equivalente Circuitale

𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣

Per il transistore MOS… Circuito equivalente per piccolo segnale


del transistore MOS

𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
Restano da determinare i valori di 𝑔 e 𝑔 ,
𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣 che dipendono dal punto di lavoro Q…

38
Transistore MOS: Linearizzazione e Piccolo Segnale (IV)
 Dispositivo a due porte: quattro variabili 𝑖 , 𝑣 , 𝑖 , 𝑣 . Si scelgono 𝑣 e𝑣 come
variabili indipendenti
𝑣 𝑉 𝑣 variabili 𝑖 𝐼 𝑖 0 
variabili
dipendenti
indipendenti 𝑣 𝑉 𝑣 𝑖 𝐼 𝑖

 In regione di saturazione*
𝛽
𝑖 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣
2
 Linearizzando in un intorno del punto di lavoro 𝑄 𝑉 ,𝑉
𝜕𝑖 𝜕𝑖 doppio bipolo
𝑖 𝑖 𝐼 𝑣 𝑣 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣 lineare
𝜕𝑣 𝜕𝑣

𝑔 𝛽 𝑣 𝑉 1 𝜆𝑣 | =𝛽 𝑉 𝑉 1 𝜆𝑉 ≅ 2𝐼 𝛽

𝑔 𝜆 𝑣 𝑉 | =𝜆 𝑉 𝑉 ≅ 𝜆𝐼

* è possibile linearizzare il transistore MOS anche nelle altre regioni (triodo, sotto-soglia,…) ma ci si limita qui alla regione di
saturazione perché è quella di maggiore interesse nelle applicazioni analogiche.

39
Circuito equivalente per il piccolo segnale: nMOS
 L’espressione linearizzata si può leggere in chiave circuitale. 𝑖 0
 Per il solo piccolo segnale, un transistore MOS polarizzato 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
in regione di saturazione, è approssimabile con un 𝑖 0 0 𝑣
generatore di corrente controllato in tensione (quasi) ideale. 𝑔 𝑔
𝑖 𝑣

2𝐼
𝑔 ≅𝛽 𝑉 𝑉 ≅ 2𝐼 𝛽
𝑉 𝑉

𝑔 ≅ 𝜆𝐼 (e spesso si può considerare ≅ 0

40
Circuito equivalente per il piccolo segnale: pMOS
 Per il transistore pMOS si procede in maniera analoga 𝑖 0
 Il circuito equivalente per il piccolo segnale è analogo a 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
quello del transistore nMOS 𝑖 0 0 𝑣
𝑖 𝑔 𝑔 𝑣

2𝐼
𝑔 ≅𝛽 𝑉 𝑉 ≅ 2𝐼 𝛽
𝑉 𝑉

𝑔 ≅ 𝜆𝐼 (e spesso si può considerare ≅ 0

41
Circuito equivalente per il piccolo segnale (BJT)
 Anche per il transistore BJT in regione attiva è possibile 𝑖 𝑔 𝑣
ricavare un circuito equivalente per il piccolo segnale con un 𝑖 𝑔 𝑣 𝑔 𝑣
approccio analogo.
 La differenza principale rispetto al transistore MOS è la 𝑖 𝑔 0 𝑣
conduttanza di ingresso di piccolo segnale 𝑔 non nulla. 𝑖 𝑔 𝑔 𝑣

𝜕𝑖 𝐼 𝜕𝑖 𝐼
𝑔 𝑔 ≃
𝜕𝑣 𝑉 𝜕𝑣 𝑉
𝜕𝑖
𝑔 ≃0 𝑔 ≃
𝜕𝑣
(spesso ≅ 0

42
Piccolo Segnale: Limiti di Validità e Dinamica (I)
 La linearizzazione è un’approssimazione, tanto migliore quanto minori sono le variazioni.
– è normalmente considerata accettabile se il transistore MOS rimane in regione di saturazione.
– l’uscita di uno (o più) transistori dalla regione di saturazione comporta una variazione drastica di
funzionamento e definisce i limiti della dinamica di un circuito analogico.
– il punto di lavoro è normalmente scelto dal progettista per massimizzare la dinamica.

𝑖 𝑣 𝑖 𝑣
Esempio

Δ𝐼
Dinamica
d’uscita
Δ𝑉 Dinamica d’ingresso
(corrente)
Δ𝑉 Dinamica d’uscita (tensione)

43
Piccolo Segnale: Limiti di Validità e Dinamica (II)
 La linearizzazione è un’approssimazione, tanto migliore quanto minori sono le variazioni da Q.
– pur rimanendo in saturazione, il comportamento dei transistori MOS è comunque non-lineare.
– questo effetto non voluto è detto distorsione (di non-linearità) e dà luogo ad un errore
deterministico, tanto più grande quanto più grande è l’ampiezza del segnale.

𝑖 𝑣 𝑖 𝑣
Esempio

44
Analisi di piccolo segnale con Transistori MOS (I)
 Con riferimento al circuito in figura:
– Determinare il punto di funzionamento a riposo del transistore MOS
– Determinare 𝐴 𝑣 /𝑣 in condizioni di piccolo segnale.
– Determinare 𝑅 indicata in figura, in condizioni di piccolo segnale.

𝑅 𝑉 5V
𝑉 350mV
𝑅 100kΩ
𝑉 𝑉 250mV
𝛽 4000μA/V
𝜆≃0

45
Analisi di piccolo segnale con Transistori MOS (II)

 Come per il diodo, si procede in tre passi:

1. Si determina il punto di funzionamento a riposo Q=(VGS,VDS):


• si formulano ipotesi sulla regione di funzionamento (quasi sempre saturazione)
• si analizza il circuito sulla base di queste ipotesi
• si verifica il funzionamento dei transistori MOS nella regione ipotizzata
(tipicamente saturazione per applicazioni analogiche)
 negli esercizi sarà quasi sempre pre-assegnato o ricavabile senza calcoli
laboriosi
2. Si determina il circuito equivalente per il piccolo segnale.
3. Si analizza il circuito per il piccolo segnale ricavando le grandezze richieste.

46
Analisi di piccolo segnale con Transistori MOS (III)
1. Si determina il punto di funzionamento a riposo (VGS,VDS)
• si fanno ipotesi sulla regione di funzionamento (quasi sempre saturazione)
• si analizza il circuito sulla base di queste ipotesi
• si verifica il funzionamento dei transistori MOS nella regione ipotizzata

𝑉 5V 𝛽
𝐼 𝑉 𝑉 20𝜇𝐴
𝑅 100kΩ 2
𝑉 250mV
𝛽 4000μA/V 𝑉 𝑉 𝑅𝐼 5𝑉 2𝑉 3𝑉
𝜆≃0

𝑉 𝑄 𝑉 ,𝑉 350mV, 3V

Verifica funzionamento in saturazione


𝑉 𝑉 ? 350mV 250mV
𝑉 𝑉 𝑉 ? 3V 100mV

47
Analisi di piccolo segnale con Transistori MOS (IV)
2. Si determina il circuito equivalente per il piccolo segnale nel punto di
funzionamento a riposo determinato al passo precedente.

𝑉 5V
𝑅 100kΩ
𝑉 250mV
𝛽 4000μA/V
𝜆≃0
𝑄 𝑉 ,𝑉 350mV, 3V
𝑉
Calcolo parametri di piccolo segnale

𝑔 2𝐼 𝛽 400𝜇𝑆 𝑔 𝜆𝐼 ≃ 0

48
Analisi di piccolo segnale con Transistori MOS (V)
3. Si analizza il circuito per il piccolo segnale.

𝑅 100kΩ

𝑔 2𝐼 𝛽 400𝜇𝑆

𝑣 𝑔 𝑅𝑣

𝑣 𝑣
𝐴 𝑔 𝑅 40 𝑅 𝑅 100𝑘Ω
𝑣 𝑖

49
Transistore MOS: Effetti Reattivi (I)
 Per segnali che variano rapidamente, si manifestano effetti reattivi, descrivibili con capacità
parassite in generale non-lineari, come nel diodo (dipendono dal punto di lavoro).
 Il valore di queste capacità nel punto di lavoro entra nell’equivalente di piccolo segnale

Capacità
Nonlineari
𝐶 𝑣 ,𝑣
𝐶 𝑣 ,𝑣
𝐶 𝑣 ,𝑣

Capacità Lineari
(nel punto di lavoro)
𝐶 𝐶 𝑉 ,𝑉
𝐶 𝐶 𝑉 ,𝑉
𝐶 𝐶 𝑉 ,𝑉

50
Transistore MOS: Effetti Reattivi (II)
 Analisi nel dominio delle trasformate di Laplace (circuito di piccolo segnale in saturazione)

A bassa frequenza 𝑠 → 0 𝐼 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉 𝑠𝐶 𝑉
𝐼 𝑔 𝑠𝐶 𝑉 𝑔 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
𝑉 nMOS 𝐼
Ingresso
in saturazione
Uscita
𝐼 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
𝐼 𝑔 𝑠𝐶 𝑔 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
Il transistore nMOS in saturazione:
un vero blocco funzionale analogico!

Ad alta frequenza 𝑠 → ∞
Y
La corrente di gate non è più nulla 
Ammettenza di ingresso non nulla 
L’elemento Y12 diventa significativo 
L’ingresso risente dell’uscita Cds
Il MOS non è più unidirezionale 
La capacità Cds carica l’uscita 
Ammettenza d’uscita significativa 

51
Transistore MOS: Effetti Reattivi (III)
 Analisi nel dominio delle trasformate di Laplace (circuito di piccolo segnale in saturazione)

A bassa frequenza 𝑠 → 0 𝐼 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉 𝑠𝐶 𝑉
𝐼 𝑔 𝑠𝐶 𝑉 𝑔 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
𝑉 nMOS 𝐼
in saturazione 𝐼 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
Ingresso Uscita
𝐼 𝑔 𝑠𝐶 𝑔 𝑠𝐶 𝑠𝐶 𝑉
un vero blocco funzionale analogico!

Ad alta frequenza 𝑠 → ∞ Y(s)

Il transistore si comporta sempre


meno come un blocco
funzionale…  

52
Esercizio
 Con riferimento al circuito in figura:
– Verificare il funzionamento del transistore MOS in regione di saturazione
– Determinare la funzione di trasferimento 𝐴 e tracciarne i diagrammi di
Bode di modulo e fase.
– Determinare l’impedenza 𝑍 𝑠 indicata in figura

𝑉 5V
𝐼 80𝜇𝐴
𝑅 25kΩ
𝑉 250mV
𝛽 16mA/V
𝜆 0.01V

53
Esercizio
 Con riferimento al circuito in figura:
– Verificare il funzionamento del transistore MOS in regione di saturazione
– Determinare 𝐴 𝑣 /𝑣 in condizioni di piccolo segnale.
– Determinare 𝑅 ed 𝑅 indicate in figura, in condizioni di piccolo segnale.

𝑉 5V
𝑉 4.4V
𝑅 𝑅 100kΩ
𝑅
𝑅 10kΩ
𝑉 300mV
𝛽 4mA/V
𝜆≃0

54
Esercizio
 Con riferimento al circuito in figura, in cui 𝑣 =𝑉 𝑉 sin 2𝜋𝑓 𝑡 :
– Verificare il funzionamento del transistore MOS in regione di saturazione
– Determinare 𝐴 𝑣 /𝑣 in condizioni di piccolo segnale.
– Determinare 𝑅 indicata in figura, in condizioni di piccolo segnale.
– Determinare la forma d’onda della tensione d’uscita 𝑣

𝑉 5V
𝑉 2.85V
𝑉 1V
𝑓 10kHz
𝑅 25kΩ
𝑅 600kΩ
𝑉 250mV
𝛽 20mA/V
𝜆≃0

55