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Cenni di Fisica dei Dispositivi Elettronici

a Semiconduttore (diodi a giunzione e


transistori MOS)
Dispositivi Elettronici
 Il funzionamento dei sistemi elettronici si basa sulle caratteristiche dei
dispositivi elettronici a semiconduttore, fabbricabili in larghissima scala
mediante la tecnologia dei circuiti integrati (Integrated Circuits, IC)
Dimensioni dispositivi: ordine di 12nm
Dispositivi in un IC: >108
Frequenza di clock: >10GHz (dig. clk)

Circuito
Circuito integrato Scheda Elettronica
Wafer Integrato
in package PCB

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Concetti base
 Semiconduttore
– Meccanismi di conduzione
• Elettroni e lacune
• Banda di conduzione e di valenza
– Semiconduttori drogati
• Drogaggio di tipo n e p
– Giunzione pn
• all’equilibrio (no polarizzazione)
• fuori equilibrio (=polarizzazione esterna)

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Semiconduttori
Semiconduttori: materiali (tipicamente solidi cristallini) con caratteristiche di conduzione
(resistività 𝜌, conducibilità 𝜎 1/𝜌) intermedie tra isolanti o dielettrici (= che non conducono
corrente elettrica) e conduttori (= che conducono corrente in modo significativo)
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18
10
14 10
10 10
6
10
2
10
-2
10
-6
cm

Vetro Ge Argento

Ossido di nichel Si Rame

Diamante GaAs Alluminio

Zolfo GaP Platino

InP Oro
Ossido di silicio

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-18
10
-14 -10
10 10
-6
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-2
10
2
10 , S/cm
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Isolante Semiconduttore Conduttore

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Semiconduttori Nel reticolo cristallino del Si, gli elettroni
esterni a energia minore sono impegnati
Silicio (IV gruppo) : a formare legami (banda di valenza, BV)
quattro elettroni esterni
Gli elettroni con energia maggiore sono liberi
di muoversi (banda di conduzione, BC)
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si I limiti inferiori/superiori di BC e BV sono
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si distinti e non sono consentiti livelli
intermedi (banda proibita)
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si E energia
elettroni
Si Si 2 Si Si Si Si Si Si Si Si
elettroni Banda
Si Si per
Si legame
Si Si Si Si Si Si Si di Conduzione
Elettroni mobili
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Ec
Eg Banda Proibita
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Ev Banda
di Valenza
Elettroni vincolati

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Semiconduttori
Modello dell'autorimessa
Nei semiconduttori la conduzione è legata a
tutto vuoto
due meccanismi distinti: BC

tutto pieno
- spostamento di elettroni liberi in banda di BV
conduzione (cariche negative)
No conduzione
- spostamento di lacune (=mancanza di Modello dell'autorimessa
elettroni nei legami covalenti) in banda di
elettrone
valenza (equivalgono a cariche positive BC
mobili)
lacuna
BV

Sia gli elettroni sia le lacune, spostandosi


danno luogo ad una corrente

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Semiconduttori: Drogaggio
L’importanza dei semiconduttori risiede nella possibilità di cambiarne la conducibilità
elettrica di diversi ordini di grandezza grazie all’introduzione di opportuni atomi droganti
Silicio drogato n Silicio drogato p
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Atomo As Atomo B
Si Si Si Si Si Si SiElettrone
Si Si Si Si Si Si Si Si Si SiLacuna
Si Si Si
ionizzato libero in più ionizzato libera in più
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
+ -
Si Si Si Si As Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

atomi donatori (esempio: As o P per Si), atomi accettatori (esempio: B per Si)
1 elettrone in più di Si nel guscio più esterno 1 elettrone in meno di Si nel guscio più esterno
 semiconduttore drogato n semiconduttore drogato p
per ogni atomo di drogante ionizzato: per ogni atomo di drogante ionizzato:
1 carica negativa (elettrone) mobile 1 carica positiva (lacuna) mobile
1 carica positiva fissa 1 carica negativa fissa

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Giunzione p-n (Diodo)
Si considerano una regione drogata p ed una regione drogata n sullo stesso cristallo semiconduttore

cariche fisse regione p regione n

-
accettatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
(droganti p) ionizzati - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
- donatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -
-

(droganti n) ionizzati

-
-
-
-
-
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
cariche mobili
- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
elettroni
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
lacune
globalmente neutro globalmente neutro
tanti elettroni pochi elettroni
poche lacune tante lacune

Diffusione: particelle libere di muoversi (ad es: gas) tendono a spostarsi dalle regioni in cui si la
loro concentrazione è maggiore verso quelle in cui sono presenti in concentrazione minore
Le lacune, che sono maggioritarie nella regione p, si spostano per diffusione verso la regione n
Gli elettroni, che sono maggioritari nella regione n, si spostano per diffusione verso la regione p

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Giunzione p-n (Diodo)
Si considerano una regione drogata p ed una regione drogata n sullo stesso cristallo semiconduttore

cariche fisse regione p regione n

-
accettatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
(droganti p) ionizzati - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
- donatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -
-

(droganti n) ionizzati

-
-
-
-
-
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
cariche mobili
- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
elettroni
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
lacune
neutro carica neg. carica pos. neutro

Regione di carica
spaziale
Le lacune, che si sono spostate verso la regione n per diffusione, lasciano delle cariche negative
fisse non compensate nella regione p
Gli elettroni, che si sono spostati verso la regione p per diffusione, lasciano delle cariche positive
fisse non compensate nella regione p

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Giunzione p-n (Diodo)
Si considerano una regione drogata p ed una regione drogata n sullo stesso cristallo semiconduttore

cariche fisse regione p regione n

-
accettatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
(droganti p) ionizzati - - - - -Repulsione- - - - -

-
-
-
-
-
- donatori - - - - - Elettrostatica
- - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -
-

(droganti n) ionizzati

-
-
-
-
-
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
cariche mobili
- Diffusione
- - - - - - - - -

-
-
-
-
-
Diffusione
elettroni
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
lacune
neutro carica neg. carica pos. neutro
Regione di carica
spaziale
barriera
La carica spaziale negativa sul lato p energia
di potenziale
potenziale
respinge gli elettroni (cariche dello elettroni

stesso segno) e ne contrasta la diffusione


La carica spaziale positiva sul lato n
respinge le lacune (cariche dello stesso
energia
potenziale segno) e ne contrasta la diffusione
lacune

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Giunzione p-n (Diodo)
Si considerano una regione drogata p ed una regione drogata n sullo stesso cristallo semiconduttore

cariche fisse regione p regione n

-
accettatori - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
(droganti p) ionizzati - - - - -Repulsione- - - - -

-
-
-
-
-
- donatori - - - - - Elettrostatica
- - - - - - -

-
-
-
-
-
-
- - - - - - - - - -
-

(droganti n) ionizzati

-
-
-
-
-
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
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-
-
cariche mobili
- Diffusione
- - - - - - - - -

-
-
-
-
-
Diffusione
elettroni
- - - - - - - - - - - -

-
-
-
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- - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
lacune
neutro carica neg. carica pos. neutro
Regione di carica
spaziale
La carica spaziale positiva (lato n) respinge le lacune (stesso segno) e ne contrasta la diffusione verso la regione n
La carica spaziale negativa (lato p) respinge gli elettroni (stesso segno) e ne contrasta la diffusione verso la regione p
In assenza di polarizzazione esterna, si raggiunge una condizione di equilibrio termodinamico, in cui flusso netto di
elettroni/lacune (=la corrente che attraversa la giunzione) è nullo.

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Giunzione p-n: polarizzazione inversa
Applicando una tensione esterna V alla giunzione, positiva sulla regione drogata n

- la regione di carica spaziale si allarga


(accumulo di cariche come in un condensatore)
regione p regione n
- la barriera di potenziale che impedisce - - - - - - - - - - - -

-
-
-
-
-
-
la diffusione di elettroni da n a p e lacune da - - - - - - - - - -

-
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- - - - - - - - - - - -

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-
-
p ad n, diventa più alta - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - -
NON si ha passaggio

-
-
-
-
-
neutro carica neg. carica pos. neutro

di corrente significativo V

Contribuiscono alla conduzione solo i pochissimi elettroni 𝑖≃0


barriera
presenti nella zona p e le pochissime lacune presenti nella di potenziale
energia
zone n, che non risentono della barriera di potenziale. potenziale qV
elettroni

qV
energia
potenziale
lacune

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Giunzione p-n: polarizzazione diretta
Applicando una tensione esterna V alla giunzione, positiva sulla regione drogata p
- la regione di carica spaziale si riduce
- la barriera di potenziale che impedisce diffusione

la diffusione di elettroni da n a p e lacune da regione p regione n


- - - - - - - - - - - -
p ad n, diventa più bassa

-
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- - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - -

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-
Si ha passaggio di - - - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - -

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-
corrente significativo - - - - - - - - - - - -

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- - - - - - - - - -

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-
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-
neutro neutro

La diffusione dei portatori dalla regione in cui sono maggioritari


a quella in cui sono minoritari è sempre meno ostacolato 𝑖 V

quanto più cresce la tensione diretta (positiva sulla regione p). 𝑞𝑉


𝑖 ∝ exp ≫0
𝑘𝑇
Dall’analisi della giunzione (non presentata in questo barriera
di potenziale ridotta
energia
corso), si ricava la caratteristica tensione-corrente potenziale
qV
elettroni
/
𝑖 𝐼 𝑒 1)
𝑉 (circa 26mV @ 300K) 𝜂 fattore di non-idealità qV
𝑇 temperatura assoluta energia
𝑘 costante di Boltzmann potenziale
lacune
𝑞 carica elementare

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Concetti base
 Transistore MOS
– Struttura Metallo-Ossido-Semiconduttore
• Regione di inversione e canale
– Transistore MOS a quattro terminali
• Contatti di drain e di source
• Formazione del canale e tensione di soglia
• Controllo della conduzione tra drain e source attraverso il gate
attraverso la tensione tra gate e source

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Struttura Metallo-Ossido-Semiconduttore

Metallo (gate)
Condensatore a facce piane parallele
Ossido Metallo-Ossido-Semiconduttore (MOS):
- un’armatura è in metallo (oppure di Si
p-Si policristallino)
- il dielettrico è ossido di silicio SiO2
Contatto di - la seconda armatura è di semiconduttore
substrato (bulk) (assumiamo Si drogato p)

Idea base: cambiare le caratteristiche di conduzione nel semiconduttore


applicando una tensione di controllo alle armature del condensatore MOS

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Struttura Metallo-Ossido-Semiconduttore
Che cosa succede applicando una tensione vG ?

Accumulo di lacune Svuotamento di lacune Inversione

N A- N A-
p-Si vG p-Si vG vG
p-Si

vG<0 vG >0 vG >>0


La carica positiva sull’armatura La carica negativa sull’armatura Aumentando ancora vG
di Si è mobile, è costituita di Si è fissa, è costituita dai la carica degli accettatori non
da lacune (=portatori maggioritari droganti accettatori ionizzati basta… si genera sull’armatura di Si
nel p-Si) (carica fissa) anche un sottile strato (canale) di
carica negativa mobile: elettroni

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Transistore MOS a quattro terminali
cosa succede applicando una tensione vG ?
v DS
iD
Inversione +
Gate

Source Drain
+
N A- + nn+ elettroni n+
vG vG 0 L y
p-Si
p substrate

vG>>0 contatto
Aumentando ancora vG oltre la di substrato (bulk)
Tensione di Soglia VTH si
aggiunge sull’armatura di Si anche IDEA: sfruttare la carica mobile (=elettroni) del canale in
uno strato (canale) di carica inversione (che è controllata da vG) per controllare la
negativa mobile: elettroni conduzione del semiconduttore in direzione parallela al gate

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Transistore MOS a quattro terminali
v DS
iD Si introducono regioni drogate n+ (=molto
+ drogate n, quindi molto conduttive) per
contattare il canale sui due lati (source e drain)
Gate
Queste regioni drogate n+ formano con il
substrato delle giunzioni pn+ (diodi)
Source Drain
+ Se il potenziale del drain e del source è
+ nn+ elettroni n+ maggiore di quello del substrato, le giunzioni
vG 0 L y pn+ sono polarizzate inversamente  le
lacune non possono passare dal substrato p
ai terminali di drain/source
p substrate
Gli elettroni del canale in inversione
possono passare ai terminali di drain/source
contatto
dando luogo a passaggio di corrente nel
di substrato (bulk) circuito esterno per 𝑣 0V

IDEA: sfruttare la carica del canale in inversione (che è controllata da vG) per controllare la
conduzione del semiconduttore nella direzione parallela al gate

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