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Resumen
1 INTRODUCCIÓN
∫P
t
(t ) dt
η MPPT
inst
= 0
(1)
∫P
t
max
(t ) dt
0
2 DESCRIPCIÓN DE LOS
ALGORITMOS PARA EL
SEGUIMIENTO DEL MPP
Figura 2: (a) Característica I-V de un array PV a 40ºC A continuación se describirán los algoritmos más
y diferentes niveles de radiación. usuales en el seguimiento del punto de máxima
(b) Característica I-V de un array PV a 60ºC y potencia. Estos son:
diferentes niveles de radiación. • Perturbación y Observación (P&O).
• Constante de Tensión (CV) y de Corriente.
En la figura 2 (a) se muestra una familia de curvas I- • Conductancia Incremental.
V para distintos niveles de radiación y una • Capacidad parásita.
temperatura constante. En la figura 2 (b) se presenta • Algoritmos MPPT basados en modelos.
la misma familia de curvas a una temperatura
superior. Obsérvese el cambio en la tensión del MPP.
2.1 PERTURBACIÓN Y
OBSERVACIÓN“P&O”.
V M PP
≅ K < 1 (2)
VOC
Figura 3: Característica P-V de un array PV para Este algoritmo puede ser implementado usando el
distintos niveles de radiación. diagrama de flujo mostrado en la figura 5. El array
PV es temporalmente aislado por el sistema MPPT
Como se ha mencionado con anterioridad, las para medir VOC. Seguidamente el MPPT calcula el
ventajas de este algoritmo son su simplicidad y fácil punto de operación correcto usando la ecuación (2) y
implementación. Sin embargo, tiene limitaciones que ajusta la tensión del array hasta alcanzar el MPP.
reducen su eficiencia de seguimiento. Cuando la Esta operación se repite periódicamente para seguir
cantidad de luz decrece considerablemente, la curva la trayectoria de dicho punto.
P-V se vuelve muy plana. Esto dificulta al MPPT la
localización del MPP ya que los cambios producidos Aunque este método es extremadamente simple,
en la potencia son pequeños con respecto a la puede resultar difícil la elección del valor óptimo de
perturbación en el voltaje. K. La literatura indica valores buenos de K en el
rango 0.73-0.80 [9-11]. La figura 6 muestra los
valores óptimos de K para un array PV concreto, en
el rango de temperaturas de 0-60ºC y radiación entre En el punto de máxima potencia:
200 y 1000W/m2.
dP I dI
=0⇒− = (4)
dV MPP V dV
I
gL = − (5)
V
dI
gp = (6)
dV
Por tanto, la expresión (4) puede reescribirse como:
Figura 5: Diagrama de flujo del algoritmo de
constante de tensión.distintos niveles de radiación. dP
= 0 ⇒ gL = gP (7)
dV MPP
dI
>−
I
⇒ gP > gL ;
⎛ dP > 0 ⎞
⎜ ⎟ (8)
dV V ⎝ dV ⎠
dI
<−
I
⇒ gP < gL ;
⎛ dP < 0 ⎞
⎜ ⎟ (9)
dV V ⎝ dV ⎠
Figura 6: Representación de los valores óptimos de K
en función de la temperatura y radiación.
Estas dos inecuaciones (8) y (9) son usadas para
Como puede observarse en la figura 6, los valores determinar la dirección en la cual debe realizarse la
óptimos de K no son del todo constantes sino que perturbación para aproximar el punto de trabajo hacia
varían en torno al 8% en el rango antes mencionado. el MPP, tal y como puede observarse en la figura 7.
Este método puede ser implementado muy fácilmente Una vez que el MPP es alcanzado, el MPPT continúa
utilizando hardware analógico. Sin embargo, la trabajando en este punto hasta que se produce un
eficiencia de este sistema de seguimiento MPPT es cambio en la corriente. Este cambio está relacionado
sensiblemente inferior a la de otros. Las razones con una variación en la radiación sobre el array.
principales son:
a) Errores en el valor de K. Como se muestra en la figura 3, tan pronto se
incrementa la radiación, el MPP se desplaza
b) La medida del VOC requiere la interrupción ligeramente a la derecha respecto de la tensión de
momentánea de la potencia suministrada operación del array. Para compensar este efecto, el
por el array. MPPT debe incrementar dicha tensión. Obviamente,
el sistema actúa de forma inversa si se detecta una
2.3 CONDUCTANCIA INCREMENTAL.
disminución en la radiación. La figura 8 muestra el
El método de conductancia incremental deriva diagrama de flujo del algoritmo “Conductancia
directamente de la ecuación de potencia. Esto es: Incremental” [6].
dP d (VI ) dI
= = I +V ⋅ (3)
dV dV dV
instante F (V ) de la que circula por la capacidad
parásita CP ⋅ V .
⎡ Akq T (V + I ⋅R ) ⎤S
I = I L − I OS ⎢ e B
− 1⎥ −
⎢⎣ ⎥⎦
V + I ⋅ RS dV
− + CP =
RP dt (10)
dV
= F (V ) + C P =
dt
= F (V ) + CP ⋅ V
Figura 7:Distintas zonas de operación del algoritmo
“Conductancia Incremental”
sobre la curva P-V La potencia por tanto puede expresarse como:
P = V ⋅ I = V ⋅ ( F (V ) + CP ⋅ V ) (11)
dP
En el MPP, = 0 , por tanto llegamos a:
dV
dF (V ) F (V ) ⎛ V V ⎞
+ + CP ⎜ + ⎟=0 (12)
dV V ⎝V V ⎠
Usando la notación anterior, la conductancia
incremental gP puede ser definida como:
dF (V )
gP = (13)
dV
Y la conductancia instantánea del array gL como:
F (V )
gL = − (14)
V
El tercer término de la expresión (12) está
Figura 8: Diagrama de flujo del algoritmo relacionado con el rizado inducido debido a la acción
“Conductancia Incremental”. del convertidor y de la capacidad parásita.
De este modo la ecuación (12) puede escribirse como
2.4 CAPACIDAD PARÁSITA. en (15). Puede observarse que si CP = 0 , el problema
se reduce al uso del algoritmo “Conductancia
El algoritmo “Capacidad Parásita” es similar al Incremental”.
“Conductancia Incremental”, salvo que en este
algoritmo se incluye el efecto de la capacidad ⎛ V V ⎞
g P − g L + CP ⎜ + ⎟=0 (15)
V ⎠
parásita de la unión p-n. Añadiendo este término a la
ecuación de Shockley para una unión p-n iluminada,
⎝V
donde A es el factor de idealidad del diodo, q la carga Debido a que el efecto de la capacidad parásita puede
del electrón, RS y RP las resistencias serie y paralelo modelarse [12] como un condensador conectado
de la célula, obtenemos la expresión (10). Obsérvese entre los terminales de cada célula, conectando
que en la ecuación anterior se ha separado la fracción células en paralelo aumentará la capacidad parásita
de corriente debida a la tensión en un determinado observada por el MPP. De ahí que las diferencias
entre las eficiencias de seguimiento del MPP entre
los algoritmos “Conductancia Incremental” y
“Capacidad Parásita” se hagan más notables en control. El diagrama de flujo de este algoritmo de
arrays de gran potencia donde existen muchos seguimiento se muestra en la Fig.10.
módulos conectados en paralelo.
Tabla 1: Casos posibles y ley de control para Figura 10: Diagrama de flujo del algoritmo
aproximar el sistema fotovoltaico al MPP. MPPT P&O Orientado.
R2
Para comprobar el correcto funcionamiento del
out
sistema, el conjunto “generador + seguidor MPP”
0.768
I1 21 R1 R4
mostrado en la figura 13, ha sido sometido a
2.904 511.72 {Rvar} variaciones rápidas en la radiación incidente (ver
figura 14). Obsérvese que en el arranque, un salto
inicial de 688.7 W/m2 en la radiación incidente
(2.26e-11)*(exp(V(%IN1,%IN3)/((55.82)*(8.625e-5)*(273.15+V(%IN2))))-1)
0W
0V 5V 10V 15V 20V 25V 30V 35V 40V
V(OUT)