Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Introducción
2
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
¿Que es un transistor?
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a
ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados
comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos,
televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían
que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que
tenían.
Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un
conmutador que reemplazara a los relés y los sistemas de barras, y que se utilizara en
la telefonía. El transistor germina de la unión de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue
dado por J.P Pierce. Según Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de
cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera
creado estos transistores con las prestaciones que hoy en día le caracteriza. La patente
de invención estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera
ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter
3
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el año 1951 fue
que surgió el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley.
4
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones
a las que se destinan.
Los más comunes y conocidos son:
Transistor Bipolar de Unión (BJT)
Fototransistor
BJT
JFET
MOSFET
FOTOTRANSI
STOR
TRANSISTORES BJT
5
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido
a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con
el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.
6
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
7
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
comunicaciones
TRANSISTORES FET
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base
de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de
Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una señal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.
8
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
Característica de Salida
9
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando
este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre
drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es máxima.
Característica de transferencia
Aplicaciones de JFET
ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes
corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
• Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del
canal).
• Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales
de muy baja potencia.
• Control de potencia eléctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación
DC del MOS se encuentre en la región de saturación. De este modo se logra una
corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS.
ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de trabajar
entre dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia
10
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
TRANSISTORES MOSFET
Sobre el canal se agrega una delgada capa de dióxido de silicio (vulgarmente vidrio)
que opera como aislante. Sobre esta finísima capa de vidrio se realiza una metalización
que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en
ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura
2:
• a) Tensión de puerta negativa
• b) Tensión de puerta positiva
11
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
12
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
Ventajas
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y
c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
• Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
• Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.
• Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia
FOTOTRANSISTOR
13
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
Aplicaciones de Fototransistor
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de iluminación
es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo
que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.
14
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
http://www.madrimasd.org/cienciaysociedad/entrevistas/quien-es-
quien/pdf/38.pdf
http://www.laflecha.net/canales/ciencia/los-superordenadores-del-futuro-
usaran-transistores-fotonicos
Transistores Orgánicos
http://www.softwarelibre.net/transistores_org%C3%A1nicos_el_futuro
http://www.pagina12.com.ar/imprimir/diario/suplementos/futuro/13-2086-2009-
01-31.html
Bibliografía utilizada
15
5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]
17