Arquitectura de Computadores Memorias

z La mayoría de los procesos lógicos en electrónica

digital se encuentran constituidos por sistemas que
Memorias manipulan la información binaria para dar como
resultado una o varias salidas.
z En el proceso de manipular la información, los sistemas
requieren del almacenamiento temporal o permanente
de los estados lógicos. Un ejemplo de este tipo de
sistemas son los microcomputadores, los cuales
Sesión-22 necesitan del almacenamiento tanto de datos como de
los programas que manipulan la información.
Lunes, 06 de Diciembre de 2010 z A continuación se verán los tipos de memorias que
existen, sus aplicaciones y algunos ejemplos de
memorias de uso general disponibles en el mercado.

Aspectos Generales sobre Memorias Aspectos Generales sobre Memorias (cont.)

z Las unidades de memoria son módulos

conformados por un conjunto de cerrojos o
condensadores agrupados de tal forma que
almacenan varias palabras binarias de n bits.
z Cada una de ellas tienen la capacidad de
almacenar un bit de información (1 o 0), y se
conocen con el nombre de celdas de memoria.
z Las celdas o bits de memoria se ubican
mediante la fila y la columna en la que se Figura: Ubicación de la información en una memoria
encuentra.
z En la siguiente figura se observa como ubicar
un bit y una palabra dentro de una memoria.
Aspectos Generales sobre Memorias (cont.) Aspectos Generales sobre Memorias (cont.)

z Las palabras binarias se identifican con una
dirección la cual define la ubicación dentro del
arreglo y generalmente se designa con un
número binario, octal o hexadecimal.
z En la mayoría de las aplicaciones se asocian
en grupos de ocho unidades para formar bytes
y el tamaño de las palabras en las memorias
actuales está entre 4 y 64 bits.
z El parámetro básico de una memoria es su
capacidad, la cual corresponde al total de
unidades que puede almacenar.
z Como ejemplo, la memoria de la figura anterior tiene
una capacidad de 8n bits, que en otras palabras
representa n bytes. Regularmente estas memorias en
la actualidad se consiguen en tamaños del orden
megabytes.
z El tiempo de acceso es otro parámetro importante en
las memorias. Este corresponde al tiempo que tarda la
memoria en acceder a la información almacenada en
una dirección. Generalmente este tiempo se designan
como tacc en las fichas técnicas de estos dispositivos.
En tabla siguiente se indican los tiempos de acceso de
las memorias en Circuito Integrado comparados con los
tiempos de otros tipos de memoria.

Aspectos Generales sobre Memorias (cont.) Operaciones básicas de una Memoria

Memoria Tiempo de Acceso

Núcleo de Ferrita
Cinta Magnética
Disco Magnético
CD-ROM
Memorias integradas
MOS
Memorias Integradas
Bipolares
z La función básica de las memorias es
0,3 - 1,0 us almacenar información.
5 ms – 1s
z Sin embargo las memorias tienen la función
10 ms – 50 ms
especifica de escribir y leer los datos en su
200 ms – 400 ms interior.
2 ns – 300 ns
z En la figura siguiente se observa la estructura
básica de una memoria de 1K de 4 bits, en la
0,5 ns – 30 ns
cual se indican sus partes básicas.

Tabla: Comparación de tiempos de acceso de diversos tipos de memorias

Operaciones básicas de una Memoria (cont.) Operaciones básicas de una Memoria (cont.)

z En la figura anterior:
– La entrada de direcciones (A0 a A9), como su
nombre lo indica, define la posición a escribir o leer
dentro de la memoria,
– Las entradas y salidas de datos definen los datos a
escribir y leer respectivamente,
– La entrada WE’ controla el tipo de operación que la
memoria debe hacer y
– La entrada OE’ corresponde a la señal de
habilitación de la memoria, la cual habilita o
deshabilita la memoria para responder a las demás
Figura: Esquema descriptivo de una Memoria entradas.

Operaciones básicas de una Memoria (cont.) Operaciones básicas de una Memoria (cont.)

z En los computadores modernos las memorias

actúan directamente con la CPU a través de
canales de comunicación llamados buses.
z En la figura siguiente se observa un esquema
general, el cuál muestra cómo interactúa la
CPU de un microcomputador con las memorias
a través de estos canales.

Figura: Esquema Simplificado de un Microcomputador.

Operaciones básicas de una Memoria (cont.)
z Las operaciones básicas de una memoria consisten en
leer y almacenar información mediante el uso del bus
de datos y direcciones. Estas operaciones ocurren en
un orden lógico, el cual se indica a continuación:
– Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir
mediante el uso del bus de direcciones
– Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.
– Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de
escritura)
– Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación
de lectura)
– Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.
Memoria RAM estática
z Este tipo de memoria conocida como SRAM
(Static Random Access Memory) se
compone de celdas conformadas por flip-flops
construidos generalmente con transistores
MOSFET, aunque también existen algunas
memorias pequeñas construidas con
transistores bipolares.
z En la figura siguiente se observa la estructura
típica de una celda de memoria de una SRAM.
Memorias de Acceso Aleatorio
z Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas
como memorias RAM de la sigla en inglés Random
Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de
lectura/escritura y contienen un conjunto de variables
de dirección que permiten seleccionar cualquier
dirección de memoria de forma directa e independiente
de la posición en la que se encuentre.
z Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la
información cuando no hay energía y se clasifican en
dos categorías básicas:
– La RAM estática y
– La RAM dinámica, las cuales se describen en las siguientes
dos secciones.
Memoria RAM estática (cont.)
Figura: Estructura de una celda de memoria SRAM
Como se observa en la figura la celda se activa mediante un nivel activo a la
entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas
laterales.
Memoria RAM estática (cont.) Memoria RAM estática (cont.)

z Las celdas de memoria se agrupan en filas y

columnas para conformar el arreglo básico de
la memoria.
z En la figura siguiente se muestra la
disposición de las celdas de memoria en una
SRAM, donde se observa que cada una de las
filas se habilita de forma simultánea para
recibir o cargar los datos del bus de
entrada/salida.
Figura: Arreglo básico de una SRAM

Memoria RAM estática (cont.) Memoria RAM estática (cont.)

z SRAM Sincrónica
z Existen otras modalidades de funcionamiento – Al igual que en los sistemas sincrónicos, este tipo de memoria
de las memorias estáticas, entre ellas se tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en
sincronía con otros dispositivos.
pueden nombrar las siguientes:
– Esta característica no aporta mejores beneficios, sin embargo
– SRAM Sincrónica simplifica enormemente el diseño de sistemas de alta
– SRAM de Ráfaga prestaciones, ya que una única señal controla todos los
dispositivos involucrados.
– SRAM Pipeline
– La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que
se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la
señal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar
las señales de control.
Memoria RAM estática (cont.) Memoria RAM estática (cont.)

z SRAM de Ráfaga z SRAM Pipeline

– Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se – Con los dos tipos de memorias anteriores se
caracterizan por incluir un contador que permite que la
memoria genere internamente la dirección a la que debe consigue el acceso a posiciones consecutivas de
acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro forma rápida. Para mantener esta velocidad cuando
posiciones de memoria con una sola dirección de referencia. se cambia de secuencia, las memorias pipeline
Esto permite acceder de forma mas rápida a la información en incluyen un buffer para almacenar la dirección y los
memoria. datos actuales proporcionados por la memoria. De
– Vemos como funciona este tipo de memoria. esta forma, se puede enviar la nueva dirección
z La CPU genera una dirección de memoria, la cual se propaga a
través del bus de direcciones hasta la memoria, decodificándose
antes de terminar la lectura, consiguiendo así que la
y accediendo a la posición correspondiente. Si se ha configurado CPU no espere la finalización del acceso a una
la memoria en modo ráfaga, una vez obtenido el primer dato, posición de memoria para generar la nueva
incrementa la dirección y vuelve a acceder. De esta forma se
evita el tiempo de propagación de las señales por el bus y el
dirección.
tiempo de decodificación de la dirección. El número de palabras
leídas o escritas en una ráfaga, viene limitado por el tamaño del
contador interno de la memoria.