ANDRES FELIPE MAHECHA ROJAS ELECTRONICA DE POTENCIA

1. ¿Cuáles son los tipos de diodos de potencia?

Tipos de diodos de potencia

• Diodos rectificadores para baja frecuencia

IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs
➢ Aplicaciones

Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).

• Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs

➢ Aplicaciones

Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).

Inversores.
UPS.
Accionamiento de motores CA.

• Diodos Schotkky

Características
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns

➢ Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de libre circulación.
Cargadores de baterías.

• Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Figura V. Diodos de alta tensión

Características

IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns

➢ Aplicaciones

Aplicaciones de alta tensión.

• Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Características

IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs

➢ Aplicaciones

Aplicaciones de alta corriente.

2. ¿Qué es la corriente de fuga de los diodos?

Se crea, por tanto, en la unión, una ausencia de carga, formándose una corriente
que recibe el nombre de "corriente inversa de saturación" o "corriente de fuga". Su
valor es prácticamente despreciable, pues es del orden de nA (nanoampaerios).
3. ¿Qué es el tiempo de recuperación inversa de los diodos?

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F, la zona
central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión
inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará
que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores
que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido
contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se
establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que
los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial.
La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un
valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desaparecido el
exceso de portadores.

• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

• Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área

negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
 • di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
• Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

4. ¿Qué es la corriente de recuperación inversa de los diodos?

Es la corriente que fluye debido a los portadores minoritarios cuando un diodo está en
una condición de polarización inversa.

5. ¿Cuál es la causa del tiempo de recuperación inversa de un diodo de unión PN?

Por los portadores de minoría que quedan almacenados en la unión pn y en la masa
del material semiconductor.

6. ¿Cuál es el efecto del tiempo de recuperación inversa?

El efecto que causa en el diodo es ser lento para conmutar.

7. ¿Qué es el tiempo de recuperación directo?

Es el tiempo que se demoran todos los portadores de mayoría en toda la unión

puedan contribuir al flujo de la corriente, es decir es el tiempo que se demora en
pasar de bloqueo a conducción.
8. ¿Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión PN y los diodos
Schottky?
La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo
equivalente de unión pn. Un diodo de Schottky tiene una caída de voltaje
relativamente baja en sentido directo. La corriente de fuga de un diodo Schottky es
mayor que la de un diodo de unión pn.

9. ¿Cuáles son las limitaciones de los diodos Schottky?

El voltaje máximo admisible para este diodo se limita en general a 100 V.
10. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de uso general?
Tienen un tiempo de recuperación inversa relativamente grande, en el caso típico de
unos 25 μs
11. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de recuperación
rápida?
Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de recuperación corto, en el caso
normal menor que 5 μs.