UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad Decana de América

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
CURSO: ELECTRONICA DE POTENCIA I - Cód. 190094

DOCENTE: Ing. Roberto Unsihuay Tovar

FECHA: 06 de Febrero 2015 DURACION: 90 minutos,
INSTRUCCIONES: Los exámenes que utilizan lápiz y/o liquid paper no tienen derecho a reclamo, no celulares.
PREGUNTAS EXAMEN PARCIAL CICLO VERANO 2015-0
(Puntaje de cada pregunta = 4 Ptos)
1. Responda usted: (4Ptos)
a) En conmutación con carga inductiva ¿Cómo opera el transistor BJT?.
b) Los MOSFET y IGBT de Potencia ¿Cómo están constituidos internamente?
c) ¿Qué factores influyen en la velocidad de conmutación de los diodos de potencia?
d) ¿Cómo afecta la dv/dt y di/dt en circuitos de CA con SCR y cómo se protege?
2. Desarrolle usted: (4Ptos)
a) En circuito con IGBT, grafique la onda de VCE y Ic cuando conmuta de ON a OFF
b) En rectificador totalmente controlado monofásico, con carga altamente inductivo. Grafique la corriente
de fuente is, voltaje y corriente de carga.
c) En rectificador monofásico y trifásico, la inductancia de fuente Ls. ¿Qué efectos produce?
d) ¿Por qué se dice que el Transistor MOSFET es sensible al voltaje de control y como se protege?
3. En rectificador trifásico con carga fuertemente inductivo con io= Id= 100 A, tensión eficaz de línea en la fuente
VL= 380.6v, de la Fig.1. Determine. (4Ptos)
a) La Potencia media en la carga.
b) El factor de Potencia PF.
4. En el diseño del semiconvertidor trifásico Fig.3 con carga resistiva R=10, tensión eficaz de fase en la fuente Vs=
220v, f=60Hz y tensión normalizado Vn=50%. Calcule: (4Ptos)
a) La eficiencia del convertidor 
b) El factor de potencia PF.
5. En el diseño del rectificador trifásico totalmente controlado, Fig.4, con tensión de fase Vs=220v., con carga R=
10 , tensión media de carga Vd= 212 voltios. Determine: (4Ptos)
a) La corriente media IA de cada tiristor
b) El factor de potencia de entrada PF
FORMULAS Y GRÁFICAS DE LOS PROBLEMAS
1. En rectificador trifásico
𝜋/6
2 1 2
𝑉𝑑 = ∫ √3. 𝑉𝑚. cos(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡 𝐼𝑠1 = . √6. 𝐼𝑑 ; 𝐼𝑠 = √ . 𝐼𝑑 ; 𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟𝐷𝑃𝐹 = 1
2𝜋/6 0 𝜋 3
Rectificador 1 totalmente controlado: Vd  2Vm cos  ;.......Vrms  [ 2   v 2 (t )d (t )]1 / 2 ;......FF  Vrms
2 
2.

s
Vd
3. En semiconvertidor trifásico: La tensión normalizado en carga: V n=(Vd/Vdm)=0.5(1+cos)
3 3 3 1
Vd  (cos   1);.... si   / 3  Vrms  3Vm[ (    sen 2 )]1 / 2
2 4 2
3 2 Pd I2 R
si   / 3  Vrms  3Vm[ (  3 cos 2  )]1 / 2 ;..  ;.. PF  rms
4 3 Prms 3VsIs
4. Rectificador trifásico totalmente controlado:

3 3 P VsIs1cos(1) Po
Vd  V max cos  P.F   ( Monofásico )  (Trifásico )
 S VsIs 3VsxIs

Is  Iorms 2 / 3 1 3 3
Vorms  Vm 3 (  cos 2 )1 / 2
2 4

Fig.3
Fig.2 Fig. 4
Fig. 1