Efecto Hall

S.A. Hernández (133287), C.B. Martínez (133159)

Laboratorio de Física Moderna, Dpto. de Física,
Universidad Nacional de Colombia, Bogotá
10 de noviembre de 2010

Resumen:

En el experimento se observa experimentalmente el efecto Hall, al medir directamente la tensión

Hall. Se indujo una corriente y de manera perpendicular un campo magnético sobre una película
delgada de un semiconductor tipo p (Germanio) de dimensiones conocidas, esto indujo un voltaje
perpendicular a ambos (tensión Hall). Por medio de una sonda Hall se determino el campo
magnético, y mediante un multímetro se ajusto la corriente. Se vario la corriente para un campo
magnético fijo, luego se vario el campo magnético para una corriente fija. Se determinó la ecuación
conjunta de la tensión Hall en función de la corriente y el campo magnético.

1. Introducción: átomos del semiconductor. Este tipo de agente

dopante es también conocido como material donante
1.1 Semiconductores intrínsecos y extrínsecos: ya que da algunos de sus electrones.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta
como conductor o como aislante dependiendo de la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
Semiconductores intrínsecos son cristales que forman
una estructura tetraédrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus átomos.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la
energía necesaria, saltar a la banda de conducción,
dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia. Obviamente el proceso inverso también se
produce, de modo que los electrones pueden caer
desde el estado energético correspondiente a la
banda de conducción, a un hueco en la banda de
valencia liberando energía. A este fenómeno, se le
denomina recombinación. [1]
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se
le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es
decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que
está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente átomo.
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso
negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta
sus electrones más débilmente vinculados a los
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los
electrones más débilmente vinculados de los átomos
del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
1.2. Efecto Hall:
En un semiconductor dopado el número de electrones
dados si es de tipo n, o de huecos si es de tipo p, es
típicamente mucho mayor que el número de intrínseco
de pares de electrón-hueco creados por los electrones
que por excitación térmica pasan de la banda de
valencia a la banda de conducción. En un campo
eléctrico, la corriente estará formada , por tanto, de
ambos portadores mayoritarios (electrones en el caso
de un semiconductor tipo n y huecos en el caso de un
semiconductor tipo p) y portadores minoritarios . La
realidad de la conducción mediante el movimiento de
huecos positivos se comprueba en el efecto Hall. [2]
Se conecta a una pila una cinta o tira delgada de un
semiconductor con impurezas, de modo que exista
una corriente, . Entonces se aplica un campo
magnético uniforme B perpendicular a la corriente.
Para el sentido de la corriente y del campo magnéticos
indicados en la figura, la fuerza magnética sobre una

1
partícula cargada móvil esta dada por: F e =F m (2)
Fm=q 
v x
B (1) q⋅E ind =q⋅v⋅B (3)

VH
E ind = (4)
d
Siendo d la separación de la cinta, así:
E ind =v⋅B (5)

VH
=v⋅B (6)
d
Por lo que:
V H =v⋅B⋅d (7)
El análisis anterior resulta de la simplificación del
producto cruz, puesto se sabe que los campos son
perpendiculares.

Figura 1: Diagrama del efecto Hall. En la imagen A, una carga
negativa aparece en el borde superior del sensor Hall y una positiva
en el borde inferior . En B y C, el campo eléctrico o el magnético
están invertidos, causando que la polaridad se invierta. Invertir tanto
la corriente como el campo magnético (imagen D) causa que la
sonda asuma de nuevo una carga negativa en la esquina superior.
La fuerza magnética estaría dirigida hacia arriba
(siendo v la velocidad de desplazamiento)
independiente de si la corriente se debe a una carga
positiva que se mueve hacia la derecha, o una carga
negativa que se mueva hacia la izquierda. Admítase
de momento que los portadores de carga son
electrones. La fuerza magnética hará entonces que los
electrones se desplacen hacia la parte superior de la
cinta dejando su parte inferior con una carga positiva
en exceso. Esto continuara así hasta que el campo
electrostático Eind originado por la separación de las
cargas produzca una fuerza eléctrica sobre los
portadores de carga que equilibren exactamente la
fuerza magnética.
1.3. Explicación cuantitativa del efecto
clásico:
Sea el material por el que circula la corriente con una
velocidad v al que se le aplica un campo magnético B.
Al aparecer una fuerza magnética Fm, los portadores
de carga se agrupan en una región del material,
ocasionando la aparición de una tensión VH y por lo
tanto de un campo eléctrico Eind en la misma
dirección. Este campo ocasiona a su vez la aparición
de una fuerza eléctrica Fe con la misma dirección pero
sentido opuesto a Fm,. Cuando estas dos fuerzas
llegan a un estado de equilibrio se tiene la siguiente
situación: [3]
1.4. Tensión Hall:
La condición de equilibrio dada en la ecuación (3), da
como resultado para una distancia d, una diferencia de
potencial denominada voltaje o tensión Hall, entre la
parte superior e inferior de la cinta, dado en la
ecuación (7). Esta diferencia de potencial puede
medirse con un voltímetro de elevada resistencia. Una
medida del signo de la diferencia de potencial (es
decir, si la parte superior de la cinta está a un
potencial mayor debido a una carga positiva o un
potencial inferior debido a una carga negativa)
determina el signo de los portadores que están en
mayoría. Dichas medidas revelan que realmente los
portadores de carga son negativos en los
semiconductores de tipo n y positivos en los tipo p. El
valor de la tensión de Hall proporciona una medida de
la velocidad de desplazamiento v, puesto que la
densidad de corriente J dada por:
Hall
J =n⋅q⋅v (8)
La densidad de carga puede medirse fácilmente a
partir de la corriente total y área de la sección recta
de la cinta, la medida de las velocidades de
desplazamiento determina el valor de n, numero de
portadores de carga por unidad de volumen.

2
2. Procedimiento experimental: semiconductor (germanio) de dimensiones conocidas.
De manera perpendicular se aplica un campo
magnético, esto induce el voltaje Hall que se mide
mediante un multímetro.
2.1. Montaje experimental:

Se realiza el montaje del diagrama de la figura 2.

Se induce una corriente sobre una muestra de

Figura 2: Diseño experimental. Por medio de una fuente se varia la corriente, se determina el campo magnético
por medio de una sonda Hall.

2.2 Densidad de corriente: Donde nqw es una constante, y w utilizado es 1mm.

Con esto sólo es necesario mediciones de I y B.
La densidad de corriente dada en la ecuación (8) Primero se establece una corriente fija, mientras se
puede escribirse como: varia el campo magnético, se hace este procedimiento
I 2 veces. Luego Se hace el proceso inverso, se
J =n⋅q⋅v = (9) establece un campo magnético fijo mientras se varia la
A corriente. Las tablas 1 y 2 muestran los valores
Siendo I la corriente y A el área, esto implica que : medidos para ambos casos.

I Puesto que la variación de una medición a otra no era

v= (10) mucha, se determinó que con dos mediciones era
n⋅q⋅A suficiente, para el caso del campo magnético fijo, se
Puesto que el área se define como: midió una equivalente al doble de la primera medición.
Para el caso de corriente se hizo algo parecido, sin
A=d⋅w (11) embargo el manejo de la corriente es más complicada
Siendo d la distancia entre la parte superior en inferior al momento de calibrar a alguna una corriente
de la muestra y w la anchura. Con lo anterior y por específica.
medio de (6) y (7) se concluye que:
1
V H= ⋅ I⋅B (12)
n⋅q⋅w

3
 B = 200 [mT] B = 100 [mT]
I[mA] VH[mV] I[mA] VH[mV]
30,6 61,1 29,7 27,5
29,7 59,2 29,0 26,8 3. Análisis y Resultados:
28,5 56,7 27,9 25,8 3.1. Ajuste lineal de las tablas 1 y 2:
27,6 54,9 26,8 24,8
26,4 52,6 24,5 22,7 Según (12), al graficar el voltaje Hall en función de la
24,5 48,9 23,1 21,4 corriente para campo magnético conocido (tabla 1), se
obtiene una línea recta en cuya pendiente puede
23,9 47,7 21,3 19,7
extraerse el factor 1/nqw, de igual manera para el caso
22,2 44,4 19,0 17,6 de voltaje Hall en función del campo magnético para
21,0 41,9 18,2 16,9 corriente conocida. Dichas gráfica se muestran en las
19,7 39,4 17,1 15,9 figuras 3 y 4 junto con la recta teórica de la forma:
18,5 37,0 15,0 14,0
17,7 35,3 14,4 13,3 y  x =m⋅x (13)
15,1 30,3 12,7 11,8 Donde se exige que el cruce en el eje vertical sea
14,7 29,3 11,0 10,2 cero.
13,6 27,3 9,1 8,4 Los ajustes realizados se muestran en las figuras 3 y
12,8 25,6 8,7 8,1 4:
11,4 22,8
B=200 [mT ]
10,0 20,1 VH =1,99565±0,001232⋅I (14)
9,2 18,4 B=100[ mT ]
6,6 13,3 VH =0,92651±0,000541⋅I (15)
3,2 6,4 I =28,5[ mA]
VH =0,222627±0,01033⋅B (16)
0,5 1,2
0,4 1,0 VH
I =14,4 [ mA]
=0,141504±0,0005207⋅B (17)
Tabla 1:Valores medidos a B constante.

I = 14,4 [mA] I = 28,5 [mA] 3.2. VH en función conjunta de I y B:

B[mT] VH [mV] B[mT] VH [mV]
199,0 28,6 100,0 25,1 Por medio de las ecuaciones (14), (15), (16) y (17) es
195,0 27,8 95,0 23,7 posible determinar una función de tensión Hall que
190,0 27,3 90,0 21,9 incluya tanto el parámetro de corriente como el de
185,0 26,5 85,0 20,6 campo magnético, pues se sabe que la tensión Hall es
180,0 25,6 80,0 18,9 una función de la forma (12), es decir:
175,0 24,8 75,0 17,3 V H =K⋅ I⋅B (18)
170,0 24,3 70,0 15,6
165,0 23,6 65,0 13,9 El ajuste encontrado es:
160,0 22,8 60,0 12,4 mV
155,0 22,0 55,0 10,4 V H =0,0092±0,0029[ ]⋅ I⋅B (19)
mT mA
150,0 21,3 50,0 8,9
145,0 20,4 45,0 7,3 De lo anterior, y comparando con (12) se concluye
140,0 19,7 40,0 5,6 que:
135,0 18,8 35,0 3,7 mV 1
130,0 18,1 30,0 2,0 K =0,0092±0,0029[ ]= (19)
mT mA n⋅q⋅w
125,0 17,3 25,0 0,6
120,0 16,5 conociendo que w = 1mm se determina que el factor
115,0 15,7 1/nq es:
110,0 14,9 1
105,0 14,2 =0,0092±0,0029[ m³ c−1 ] (20)
n⋅q
Tabla 2:Valores medidos a I constante.

4
 Tensión Hall en funcion de I
campo magnético conocido
70

60

50
Tensión Hall [mV]

B = 200 [mT]
40 Ajuste lineal B=200
[mT]
Ajuste lineal B=100
30
[mT]
B = 100 [mT]
20

10

0
0 5 10 15 20 25 30 35
corriente [mA]

Figura 3: En ambos casos es ajuste resulto ser positivo, pues toca la mayoría de los puntos.

Tensión Hall en función de B

corriente conocida

35

30

25 I = 14,4 [mA]
Tensión Hall [mV]

Ajuste lineal I=28,5

20 [mA]
Ajuste lineal I=14,4
[mA]
15 I = 28,5 [mA]

10

0
0 50 100 150 200 250
campo magnético [mT]

Figura 4: El ajuste es bastante bueno para I=14,4 mA, para el caso de I=28,5 mA solo toca 1 punto, esto es
debido a la exigencia de punto de corte igual a cero.

Hay que recordar que n representa el número de 1

portadores de carga por unidad de volumen, mientras −1
=n (21)
q la carga. 0,0092[m³ c ]⋅q
Con la anterior ecuación es fácil determinar el número
de portadores de carga, si se considera que las cargas

5
son electrones, puesto que en la física de
semiconductores, los huecos producidos por falta de
electrones son tratados como portadores de carga,
resulta irrelevante si son electrones o huecos. [4]
q=±e=1,602176487 ×⋅10−19 [c] (22)
Dependiendo de si son electrones o huecos.
electrones ( q = −e ) y positivo para huecos( q = +e ).
[5]
Puesto se sabe que el semiconductor es tipo p, esto
según [2] implica portadores de carga positivos, a
demás se sabe que el volumen de la muestra de Ge
utilizada es 200 mm³, es posible estimar el número de
portadores de cargas, con lo anterior:
14
N ≈1,354⋅10 portadores de carga (23)
lineal, existiendo así una dependencia lineal entre
estas 3 variables usadas.
Se determinó una ecuación conjunta de tensión Hall
en función de corriente y campo magnético:
mV
V H =0,0092[ ]⋅ I⋅B
mT mA
En la figura 5, se observa la gráfica de VH vs IB para
el caso de B=200 mT de la tabla 1; la ecuación (19)
ajusta en buena aproximación los datos, lo que prueba
la validez de la misma.

4. Conclusiones: Por el montaje experimental usado se concluye que

Los valores de las bandas de valencia fueron muy
cercanos a los valores esperados teóricamente,
entonces se confirmo la relación existente entre el
voltaje Hall, la corriente y el campo magnético para el
Germanio tipo p. Se encontró un comportamiento
las fuentes de error para este experimento son o
sistemáticos o estadísticos, para esta ultimo tipo se
concluye que al aumentar el número de medidas se
esperaría mejorar los resultados obtenidos. Los
errores sistemáticos son difíciles de prever ya que se
supone que el equipo usado esta correctamente
calibrado y no esta dañado.

Tensión Hall en función de IB

B=200 mT
70

60

50
VH experimental
40 (B=200 mT)
VH [mV]

VH teórico (B=200
30 mT)

20

10

0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
IB [mA mT]

Figura 5: El ajuste es bastante positivo en los primeros valores.

6
 Bibliografía:

[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductores

[2] P. A. tipler. Física moderna.. Pag 369-371. Reverté. 1980.

[3] http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Hall

[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Portador_de_carga

[5] G. B. Armen . Hall efect experiment. Pag 6. The University of Tennessee . 2007