FUNDAMENTOS TEORICOS

A los dispositivos de cuatro capas con un mecanismo de control comúnmente se les

conoce como tiristores, aunque el término se aplica con más frecuencia al SCR.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio es el
de mayor interés. Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR
incluyen controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de potencia
reguladas, interruptores estáticos, controles de motor, recortadores, inversores,
ciclo convertidores, cargadores de baterías, circuitos de protección, controles de
calefactores y controles de fase. En años recientes, los SCR han sido diseñados
para controlar potencias tan altas como 10 MW con valores nominales individuales
hasta de 2000 A a 1800 V. Su intervalo de frecuencia de aplicación también se ha
ampliado hasta 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones como calefacción
por inducción y limpieza ultrasónica.

OPERACIÓN BASICA DE UN RECTIFICADOR

CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Como la terminología lo indica, el SCR es un rectificador construido de silicio con

una tercera terminal para propósitos de control. Se eligió el silicio por sus altas
capacidades de temperatura y potencia.

La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor

fundamental de dos capas en que una tercera terminal, llamada compuerta,
determina cuando el rectificador cambia del estado de circuito abierto al estado de
cortocircuito. No basta con simplemente polarizar en directa la región del ánodo al
cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica del SCR
en general es de 0.01 Ω a 0.1 Ω. La resistencia en inversa suele ser de 100 kΩ o
más.
 I. ESTRUCTURA

Figura 2.1 Construcción Básica

II. ANALOGIA

(a)

(b)

Figura 2.2 Circuito equivalente de dos transistores del SCR

III. SIMBOLO (SCR)

Figura 2.3 Símbolo utilizado en esquemas eléctricos

 IV. ENCAPSULADO (SCR)

Figura 2.4 Construcción de la cápsula de un SCR e identificación de las terminales

El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la Figura 2.3 con las conexiones
correspondientes a la estructura semiconductora de cuatro capas. Como se indica
en la Figura 2.3, para que se establezca la conducción directa el ánodo debe ser
positivo con respecto al cátodo. Éste, sin embargo, no es un criterio suficiente para
encender el dispositivo. También se debe aplicar un pulso de magnitud suficiente a
la compuerta para establecer una corriente de encendido en la compuerta,
representada simbólicamente por 𝐼𝐺𝑇
Un análisis más detallado de la operación básica de un SCR se realiza mejor
dividiendo la estructura pnpn de cuatro capas de la Figura 2.1 en dos estructuras
de transistor de tres capas como se muestra en la figura Figura 2.2(a) y luego
considerando el circuito resultante de la figura Figura 2.2(b)

Figura 2.5 Estado de “apagado” de un SCR

Para propósitos de análisis, la señal mostrada en la Figura 2.5(a) se aplicará a la

compuerta del circuito de la Figura 2.2(b). Durante el intervalo

0 → 𝑇1, 𝑉𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 = 0 𝑉 circuito de la Figura 2.2(b). aparecerá como se muestra en

la Figura 2.5(b).Para 𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝑐𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 = 0 𝑉, la corriente de la base 𝐼𝐵2 = 0 𝑒 𝐼𝐶2
será aproximadamente igual 𝐼𝐶𝑂 .La corriente de la base 𝑄1, 𝐼𝐵2 = 𝐼𝐶2 = 𝐼𝐶𝑂 , es
demasiado pequeña para encender 𝑄. Ambos transistores están por consiguiente
“apagados”, y el resultado es una alta impedancia entre el colector y el emisor de
cada transistor y la representación de circuito abierto para el rectificador controlado
como se muestra en la Figura 2.5(c).

En el instante 𝑡 = 𝑡1 aparecerá un pulso de 𝑉𝐺 volts en la compuerta del SCR. Las

condiciones establecidas en el circuito con esta entrada se muestran en la Figura
2.6(a).Se seleccionó el potencial 𝑉𝐺 suficientemente grande para encender a
𝑄2 (𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝐺 ). La corriente de colector de 𝑄2 se elevará entonces a un valor
suficientemente grande para encender a 𝑄2 ( 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐶2 ). En cuanto 𝑄1 se enciende,
𝐼𝐶1 se incrementará, y el resultado será un incremento correspondiente en 𝐼𝐵1 . El
incremento de corriente en la base para 𝑄2 incrementará aún más la corriente 𝐼𝐶2 .
El resultado neto es un incremento regenerador en la corriente del colector de cada
transistor.

La resistencia resultante del ánodo al cátodo (𝑅𝑆𝐶𝑅 = 𝑉 / 𝐼𝐴 ) es por lo tanto pequeña

porque 𝐼𝐴 es grande, y el resultado es la representación de cortocircuito para el SCR
como se indica en la Figura 2.6(b).

Figura 2.6 Estado de “encendido” de un SCR

La acción regeneradora antes descrita da por resultado SCR con tiempos de
encendido típicos de 0.1 µs a 1 µs. Sin embargo, los dispositivos de alta potencia
en el intervalo de 100 A a 400 A pueden tener tiempos de encendido de 10 a 25 µs.

Además del disparo por medio de la compuerta, los SCR también pueden ser
encendidos elevando significativamente la temperatura del dispositivo o elevando el
voltaje del ánodo al cátodo al valor de ruptura.

Un SCR no se puede apagar simplemente con eliminar la señal en la compuerta y

sólo algunos especiales se pueden apagar aplicando un pulso negativo a la
compuerta como se muestra en la Figura
En el caso ideal, el latch tiene 2.5(a), en el instante 𝑡 = 𝑡3.
tensión cero cuando está cerrado
y el punto de trabajo está en el
extremo superior de la recta de
carga
Los dos métodos generales para apagar un SCR se categorizan como
interrupción de la corriente en el ánodo y conmutación forzada.

Las dos posibilidades de interrupción de corriente se muestran en la Figura 2.7. En

la Figura 2.7(a), IA es cero cuando el interruptor se abre (interrupción en serie),
mientras que en la Figura 2.7(b) se establece la misma condición cuando el
interruptor se cierra (interrupción en derivación).

Figura 2.7 Interrupción de corriente del ánodo

CONMUTACION FORZADA
La conmutación forzada consiste en “forzar” la corriente a que fluya a través del
SCR en la dirección opuesta a la conducción en directa. Uno de los tipos más
básicos se muestra en la Figura 2.7.

Figura 2.8 Técnica de conmutación forzada

Como se indica en la figura, el circuito de apagado se compone de un transistor npn,
un 𝑉𝐵 de la batería de cd y un generador de pulsos. Durante la conducción del SCR,
el transistor está “apagado”, es decir, 𝐼𝐵 = 0 y la impedancia de colector a emisor
es muy alta (para todo efecto práctico un circuito abierto).

Esta alta impedancia impedirá que los circuitos de apagado afecten la operación del
SCR.

En condiciones de apagado, se aplica un pulso positivo a la base del transistor y

éste se enciende en exceso con una impedancia muy baja de colector a emisor
(representación de cortocircuito). El potencial de la batería aparecerá entonces
directamente a través del SCR como se muestra en la Figura 2.8(b), y fuerza a la
corriente a que fluya a través de él en la dirección inversa para el apagado. Los
tiempos de apagado de los SCR suelen ser de 5 µs a 30 µs.

CARACTERISTICAS Y VALORES NOMINALES DEL SCR

Las características y valores del SCR se dan en la Figura 2.9.

Figura 2.9 Características de SCR

 1. Voltaje de conducción en directa 𝑽(𝑩𝑹)∗𝑭 es el voltaje sobre el cual el SCR
entra a la región de conducción. El asterisco (*) denota la letra que se debe
agregar, la cual depende de la condición de la terminal de compuerta como
sigue:
𝑂 = 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝐺 𝑎 𝐾
𝑆 = 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝐺 𝑎 𝐾
𝑅 = 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝐺 𝑎 𝐾
𝑉 = 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑓𝑖𝑗𝑎 (𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒) 𝑑𝑒 𝐺 𝑎 𝐾

2. Corriente de mantenimiento 𝑰𝑯 es el valor de la corriente por debajo de la

cual el SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo en
directa en las condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo en directa y en inversa son las regiones
correspondientes a la condición de circuito abierto para el rectificador
controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del ánodo al cátodo.

4. Voltaje de ruptura en inversa es equivalente a la región Zener o de avalancha

del diodo semiconductor fundamental de dos capas.

De inmediato se verá que las características de SCR son muy parecidas a las del
diodo semiconductor de dos capas básico excepto por la rama horizontal antes de
entrar a la región de conducción. Esta región horizontal sobresaliente es la que
permite a la compuerta controlar la respuesta del SCR. Para la característica
representada por la línea gris oscura en la Figura 2.9 (𝐼𝐺 = 0), 𝑉𝐹 del voltaje de
conducción máximo requerido (𝑉(𝐵𝑅)∗𝐹 ) antes de que se presente el efecto
“colapsante” y de que el SCR pueda entrar a la región de conducción
correspondiente al estado de encendido. Si la corriente en la compuerta se
incrementa a 𝐼𝐺1 como se muestra en la misma figura al aplicar un voltaje de
polarización a la terminal de compuerta, el valor de 𝑉𝐹 requerido para la conducción
𝑉𝐹1 es considerado menor. Observe también que 𝐼𝐻 se reduce con el incremento de
𝐼𝐺 . Si aumenta a el SCR se activará a valores de muy bajos (𝑉𝐹3 ) y las
características tenderán a las del diodo de unión p-n básico. Viendo las
características en un sentido completamente diferente, para un voltaje particular 𝑉𝐹 ,
de por ejemplo 𝑉𝐹2 ,vemos que si la corriente de la compuerta se incrementa de
𝐼𝐺 = 0 o más, el SCR se activará.

Figura 2.10 Características de la compuerta SCR (Ge serie C38)

Las características de compuerta se dan en la Figura 2.10. Las características de la
Figura 2.10b son una versión ampliada de la región sombreada de la Figura 2.10a.
En esta figura se indican los tres valores nominales de compuerta de mayor interés,
𝑃𝐺𝐹𝑀 , 𝐼𝐺𝐹𝑀 y 𝑉𝐺𝐹𝑀 . Cada uno se incluye en las características del mismo modo que
para el transistor. Excepto las partes de la región sombreada, cualquier combinación
de corriente y voltaje en la compuerta que caiga dentro de esta región activará a
cualquier SCR comprendido dentro de la serie de componentes para la cual se dan
estas características. La temperatura determinará qué secciones de la región
sombreada se deben evitar. A -65°C la corriente mínima que disparará la serie de
los SCR es de 100 mA, mientras que a +150°C sólo se requieren 20 mA.
El efecto de la temperatura en el voltaje de compuerta mínimo no se suele indicar
en las curvas de este tipo puesto que los potenciales de compuerta de 3 V o más
en general son fáciles de obtener. Como aparece en la Figura 2.10b, se indica un
mínimo de 3 V para todas las unidades dentro del intervalo de temperatura de
interés.

Otros parámetros que normalmente se incluyen en la hoja de especificaciones de

un SCR son el tiempo de encendido 𝑡𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 , el tiempo de apagado 𝑡𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 , la
temperatura de la unión 𝑇𝐽 y la temperatura de la cápsula 𝑇𝐶 ,los cuales por ahora
deberán ser auto explicativos hasta cierto punto.

APLICACIONES DEL SCR

 Interruptor estático en serie

 Control de fase con resistencia variable
 Regulador de cargas de batería
 Controlador de temperatura
 Sistema de iluminación de emergencia
 Entre otros.
2N6394 Series

Silicon Controlled Rectifiers

Reverse Blocking Thyristors
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as
motor controls, heating controls and power supplies.
Features http://onsemi.com
 Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater
Parameter Uniformity and Stability
 Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal SCRs
Resistance, High Heat Dissipation and Durability
12 AMPERES RMS
 Blocking Voltage to 800 V
 These are Pb−Free Devices 50 thru 800 VOLTS
MAXIMUM RATINGS † (TJ = 25C unless otherwise noted) G

A K
Rating Symbol Value Unit
Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1) VDRM, V
(TJ = −40 to 125C, Sine Wave, VRRM MARKING
50 to 60 Hz, Gate Open) 2N6394 50 DIAGRAM
2N6395 100
2N6397 400
2N6399 800
On-State RMS Current IT(RMS) 12 A 4
(180 Conduction Angles; TC = 90C)
Peak Non-Repetitive Surge Current ITSM 100 A TO−220AB 2N639xG
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, TJ = 90C) CASE 221A AYWW
STYLE 3
Circuit Fusing (t = 8.3 ms) I2t 40 A 2s
Forward Peak Gate Power PGM 20 W 1
2
(Pulse Width  1.0 µs, TC = 90C) 3
Forward Average Gate Power PG(AV) 0.5 W
(t = 8.3 ms, TC = 90C) 2N639x = Device Code
x = 4, 5, 7, or 9
Forward Peak Gate Current IGM 2.0 A G = Pb−Free Package
(Pulse Width  1.0 µs, TC = 90C) A = Assembly Location
Operating Junction Temperature Range TJ −40 to +125 C Y = Year
WW = Work Week
Storage Temperature Range Tstg −40 to +150 C

MAXIMUM RATINGS † (TJ = 25C unless otherwise noted)

PIN ASSIGNMENT
Rating Symbol Max Unit 1 Cathode

Thermal Resistance, Junction−to−Case R0JC 2.0  C/W 2 Anode

3 Gate
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260 C
Purposes 1/8 from Case for 10 Seconds 4 Anode
†Indicates JEDEC Registered Data
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended ORDERING INFORMATION
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the See detailed ordering and shipping information in the package dimensions
Recommended Operating Conditions may affect device reliability. section on page 4 of this data sheet.
1. VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for
zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall not be applied
concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be
tested with a constant current source such that the voltage ratings of the devices
are exceeded.
 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
†Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current IDRM, IRRM
(VAK = Rated VDRM or VRRM, Gate Open) TJ = 25C − − 10 µA
TJ = 125C
− − 2.0 mA
ON CHARACTERISTICS

†Peak Forward On−State Voltage (Note 2) (ITM = 24 A Peak) VTM − 1.7 2.2 V
†Gate Trigger Current (Continuous dc) (VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms) IGT − 5.0 30 mA
† Gate Trigger Voltage (Continuous dc) (VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms) VGT − 0.7 1.5 V
Gate Non−Trigger Voltage (VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms, TJ = 125C) VGD 0.2 − − V
† Holding Current (VD = 12 Vdc, Initiating Current = 200 mA, Gate Open) IH − 6.0 50 mA
Turn-On Time (ITM = 12 A, IGT = 40 mAdc, VD = Rated VDRM) tgt − 1.0 2.0 µs
Turn-Off Time (VD = Rated VDRM) (ITM = 12 A, IR = 12 A) tq − 15 − µs
(ITM = 12 A, IR = 12 A, TJ = 125C) − 35 −
DYNAMIC CHARACTERISTICS

Critical Rate−of−Rise of Off-State Voltage Exponential dv/dt − 50 − V/µs

(VD = Rated VDRM, TJ = 125C)
†Indicates JEDEC Registered Data
Pulse Test: Pulse Width  300 µsec, Duty Cycle  2%.

PACKAGE DIMENSIONS
TO−220AB CASE
221A−07 ISSUE
AA
SEATING
−T− PLANE
NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,

1982.
B F C 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
T 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY
S AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED.

INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
Q A A 0.570 0.620 14.48 15.75
U
B 0.380 0.405 9.66 10.28
C 0.160 0.190 4.07 4.82
H D 0.025 0.035 0.64 0.88
F 0.142 0.147 3.61 3.73
K G 0.095 0.105 2.42 2.66
Z H 0.110 0.155 2.80 3.93
J 0.014 0.022 0.36 0.55
K 0.500 0.562 12.70 14.27
L 0.045 0.060 1.15 1.52
L N 0.190 0.210 4.83 5.33
R Q 0.100 0.120 2.54 3.04
R 0.080 0.110 2.04 2.79
V J S 0.045 0.055 1.15 1.39
T 0.235 0.255 5.97 6.47
G D U 0.000 0.050 0.00 1.27
N V 0.045 --- 1.15 ---
Z --- 0.080 --- 2.04

STYLE 3:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
3. GATE
4. ANODE
 ۶ Oscilador de Relajación (UJT)
Hay un dispositivo particular, el transistor de monounión, que se puede utilizar en
un circuito oscilador de una etapa para generar una señal pulsante adecuada para
aplicaciones de circuito digital. Se puede utilizar el transistor de monounión en lo
que se llama oscilador de relajación ilustrado por el circuito básico de la Figura 1.9

Figura 1.9 Oscilador básico UJT

El resistor 𝑅𝑇 y el capacitor 𝐶𝑇 son los componentes temporizadores que

establecen la velocidad de oscilación del circuito. La frecuencia de oscilación se
puede calcular con la ecuación:

La cual incluye la relación intrínseca de contención del transistor η como un factor

(además de 𝑅𝑇 y 𝐶𝑇 ) en la frecuencia de operación del oscilador.
Y también puede ser calculada de la siguiente forma

donde 𝑇 = 𝑅𝐶 y
El capacitor 𝐶𝑇 se carga a través del resistor 𝑅𝑇 hacia el voltaje de alimentación
𝑉𝐵𝐵 , en tanto el voltaje del capacitor 𝑉𝐸 se mantenga por debajo del voltaje de
contención (𝑉𝑃 ) establecido por el voltaje a través de 𝐵1 − 𝐵2 y la relación de
contención η sea

𝑽𝑷 = 𝜼𝑽𝑩𝟏 𝑽𝑩𝟐 − 𝑽𝑫
la terminal del emisor monounión aparece como un circuito abierto. Cuando el
voltaje del emisor a través del capacitor 𝐶𝑇 sobrepasa este valor (𝑉𝑃 ), el circuito de
monounión se enciende y descarga el capacitor, tras de lo cual se inicia un nuevo
ciclo de carga. Cuando la monounión se activa, a través de R1 se desarrollan una
elevación del voltaje a través de 𝑅1 y una caída de voltaje a través de 𝑅2 como se
muestra en la Figura 1.10

Figura 1.10 Formas de ondas del oscilador de relajación UJT

La señal en el emisor es una forma de onda de voltaje de diente de sierra que en la

base 1 es un pulso que tiende a ser positivo y en la base 2 un pulso que tiende a
ser negativo.
BIBLIOGRAFIA:
 Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos - Robert L.
Boylestad, Louis Nashelsky - 11va Edicion

 Malvino, Albert Paul - Principios de electrónica, 6ta Edición

 Electrónica de potencia – Muhammad H. Rashid - 2da Edicion

 Datasheet del 2N6394