TECNOLOGICO NACIONAL DE MEXICO

Instituto Tecnológico de Mexicali

Ingeniería Mecatrónica

Electrónica Analógica

Prof. Gilberto García Gómez

Tarea No. 4

Transistores: Resistencia interna del emisor r’e

José Carlos Navarro Parra No. Control 16490476

Mexicali, Baja California a 7 octubre de 2018

 I. Introducción
En 1947, William Shockley inventó el primer transistor. En ese entonces utilizó la
corriente del diodo para poder determinar la resistencia que poseería. Es critico saber el
valor de r’e o resistencia interna del transistor para poder saber cómo se va a comportar
ante diversos trabajos que se le den.

II. Análisis matemático, fórmulas y simulación

La corriente en el diodo está determinada por la siguiente formula:
𝑉𝐷
 𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)

Donde:

 𝐼 es la corriente del diodo

 𝐼𝑆 es la corriente inversa de saturación
 𝑉𝐷 es el voltaje a través del diodo
𝑘𝑇
 𝑉𝑇 es el voltaje térmico , siendo k la constante de Boltzman por la temperatura
𝑞
entre la carga del electrón
 𝑛 es el factor de idealidad, también conocido como factor de calidad o coeficiente
de emisión, generalmente varía entre 1 y 2

Cuando la temperatura es de 25 ℃, 𝑉𝑇 vale aproximadamente 25mV, nótese que esta

valor varía dependiendo de la temperatura de la unión del emisor. Este valor será el
voltaje consumido por la resistencia interna del emisor del transistor.
 III. Comprobación y resultados
𝑘𝑇
Utilizamos la formula 𝑉𝑇 = , donde la temperatura de 25℃ está dada en Kelvin,
𝑞
sustituyendo:
J
(1.3806∗10−23 )(273+25)K
 𝑉𝑇 = K
= −0.025679𝑉 = −25.6799𝑚𝑉
−1.6021∗10−19 𝐶

Este valor obtenido es el voltaje que consumirá la resistencia interna de la unión del
emisor. Para encontrar el valor de r’e, se puede recurrir a la ley de Ohm para ser
despejada
𝑉 𝑉
 𝐼 = 𝑅, 𝑅 = 𝐼

Para el caso particular del transistor, sería:

25𝑚𝑉
 𝑟 ′𝑒 = 𝐼𝐸

IV. Conclusiones y observaciones

Es de suma importancia conocer el valor que posee la resistencia interna del transistor,
pues sirve para poder saber cómo está respondiendo a las señales que le son enviadas
al transistor. Cabe mencionar que este valor variará dependiendo de la temperatura a la
que se encuentre el transistor, entre más temperatura se encuentre en el transistor, más
voltaje consumirá y, por lo tanto, tendrá mayor valor su resistencia interna, cosa que
podría afectar a un circuito si no se toma en cuenta.
 V. Referencias

 http://pcbheaven.com/wikipages/Transistor_theory/?p=9
 http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-emisor-
comun-y.html