Preinforme practica número uno electrónica analógica I

Realizado por: Andrés Giovanni Orellana Hidalgo, Ana maría Velasco Montenegro
1.
1.1.1:

VOLTAJE DE RUPTURA INVERSA: ES LA TENSION INVERSA MAXIMA

QUE EL DIODO SOPORTA ANTES DE QUE EL EFECTO AVALANCHA
SE LLEVE A CABO.

CORRIENTE DE SATURACION: ES UNA CORRIENTE PEQUEÑA QUE

SE ESTABLECE AL POLARIZAR INVERSAMENTE EL DIODO DEBIDO A
LA FORMACION DE PARES ELECTRON-HUECO.

VOLTAJE DE CONDUCCION: ES EL VALOR DE VOLTAJE EN EL CUAL

LA BARRERA DE POTENCIAL PERMITE EL FLUJO DE CORRIENTE
MEDIANTE ELO SEMICONDUCTOR.

1.1.2:

CARACTERISTICA SIMBOLO 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNIDAD
VOLTAGE DE PICO REVERSO REPETITIVO Vrrm 50 100 200 400 600 800 1000 V
VOLTAGE REVERSO RMS Vr(rms) 35 70 140 280 420 560 700 V
CAPACITANCIA TIPICA DE UNION Ci 15 15 15 15 8 8 8 pf

Al ver el datasheet de este diodo se observa que al aumentar el numero de

la x en la referencia (1N4000x) contamos con un voltaje de barrera mayor y
también un voltaje de reversa mayor lo que nos indica un dispositivo más
capaz, los últimos 3 diodos de esta referencia cuentan con una capacitancia
menor a la de los 4 primeros diodos de esta familia.

2. El modelo del diodo 1N4004 posee 9 parámetros los cuales son

Corriente de saturación
Parsistic resistance
Coeficiente de emisión
Tiempo de transito
Capacitancia de unión
Coeficiente de unión
Exponente de temperatura
Voltaje de ruptura reverso
Corriente de ruptura reversa

Podemos ver dos regiones importantes en las que se puede apreciar que cuando
el diodo se polariza inversamente este impide el flujo de corriente por el, cuando
empezamos a polarizar el diodo con un voltaje positivo se puede observar como la
corriente que circula por él, aumenta en magnitud con respecto al voltaje.
2.2.

Simulación del circuito con voltaje ac podemos observar que no es una

rectificación de media onda ya que no se elimina una onda completa de nuestra
onda sinusoidal debido al offset dado al así no tener media onda negativa por el
offset