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Universidad

Rey Juan Carlos


Ingeniería de
Telecomunicación

Electrónica Digital I
Tecnologías de los circuitos integrados
digitales: familias lógicas
Susana Borromeo López

Ingeniería de Telecomunicación

Tecnologías de los circuitos integrados Electrónica Digital I 1

Contenido
1. Introducción
2. Familias lógicas
3. Características reales de las familias lógicas
3.1.Tensiones de alimentación.
3.2. Niveles lógicos.
3.2. Inmunidad al ruido y margen de ruido.
3.3. Respuesta temporal y retardos de propagación.
3.4. Interconexiones: fan-out y fan-in.
3.5. Potencia consumida y temperatura de trabajo.
3.6 Tipos de salidas
4. Familia CMOS
5. Familia TTL
6. Compatibilidad CMOS-TTL

Tecnologías de los circuitos integrados Electrónica Digital I 2

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Introducción
Circuito integrado (CI)
Aquel en que todos sus componentes e interconexiones están fabricados sobre un
soporte físico semiconductor, formando un único bloque de pequeño tamaño (CHIP).

1er CI (6 transistores)
1958. Kilby
1er µP (2300 trts.) Intel Pentium 4
1971 (40·106 trts.)
2000

Obleas (desde 2000 son ∅ =30cm) y “dados”

Tecnologías de los circuitos integrados Electrónica Digital I 3

Introducción
Ley de Moore
La complejidad de los CI, el nº de transistores, se duplica cada 18 meses. Formulada
por Gordon Moore en 1965 (Electronics Magazine)

Año Transistores

4004 1971 2.250


8008 1972 2.500
8080 1974 5.000
8086 1978 29.000

286 1982 120.000


Intel386™ processor 1985 275.000
Intel486™ processor 1989 1.180.000
Intel® Pentium® processor 1993 3.100,000
Intel® Pentium® II processor Intel® 1997 7.500,000
Pentium® III processor 1999 24.000.000
Fuente: INTEL® (www.intel.com)
Intel® Pentium® 4 processor 2000 42.000.000
Intel® Itanium® processor 2002 220.000.000
Intel® Itanium® 2 processor 2003 410.000.000

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Introducción: Tipos de encapsulados

Inserción
Montaje superficial

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Introducción: Tipos de encapsulados


Los CIs aparecerán encapsulados en dos formas:
- De inserción
- De montaje superficial SMD (Surface Mounted
Device)

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Introducción: Escalas de integración
Nivel de integración Nº de Nº de Fecha aproximada
transistores puertas
SSI ( Short Scale of Integration) 10 a 100 1 a 10 1960

MSI ( Medium Scale of Integration) 100 a 1000 10 a 100 1965

LSI ( Large Scale of Integration.) 1.000 a 100 a 1000 1970


10.000
VLSI (Very Large Scale of Integration) 10.000 a 1.000 a 10.000 1978
100.000
ULSI (Ultra Large Scale of Integration.) 100.000 a 10.000 a 1985
1.000.000 100.000

SOC: System- On- Chip

74LS00: 4 puertas AND


FPGA: 200k puertas

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2. Familias Lógicas
Familia lógica : Conjunto de bloques estándar fabricados con la misma tecnología, de
forma que presentan propiedades electrónicas similares y compatibles entre si.
Basadas en transistores bipolares:
TTL (Transistor-Transistor Logic)
¾ Baja potencia (L)
¾ Rápida (F)
¾ Shottky TTL (S, LS, ALS, AS)
ECL (Emitter Coupled Logic): 10K, 100K, E-Lite

Basadas en transistores MOS: PMOS, NMOS, CMOS


CMOS (Complementary MOS)
¾ HC (High-Speed),
¾ HTC (HC compatible con TTL), AHC (“advanced” HC),
VHC, VHCT…
Basadas en BJT y MOS: (BiCMOS)

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Nomenclatura
74 FAM 00

PREFIJO SUBFAMILIA SUFIJO:


TIPO DE PUERTA
S
74: comercial (0ºC a 70ºC) O COMPONENTE
LS
TTL
AS
54: militar (-55ºC a 125ºC) 00 : NAND
ALS
02 : NOR
F
04 : NOT
10K
ECL 08 : AND
100K
32 : OR
E-lite
86 : XOR
HC, HCT ...
CMOS AHC, AHCT 138: Decod. de 3 a 8
VHC, VHCT
FCT

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3. Características reales de las familias lógicas


Parámetros característicos de una familia lógica
a) Niveles lógicos y tensiones de alimentación
b) Inmunidad al ruido y margen de ruido
c) Fan-out y fan-in
d) Respuesta temporal: retardos de propagación
e) Potencia consumida
f) Temperatura de trabajo

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Características reales de las familias lógicas
Tensión de alimentación:
Las familias bipolares suelen estar diseñadas para una tensión de
alimentación de +5V
 La familia CMOS admite un rango más amplio de tensiones de
alimentación por eso sus niveles lógicos suelen darse referidos a una VDD
genérica
Niveles lógicos: Es lo que una familia de dispositivos considerará como
tensión mínima para asumir nivel alto (VHmin) o máxima para nivel bajo (VLmax).
Se definen para la entrada y la salida independientemente:
¾ Valores lógicos a las entradas: interpretados como un ‘0’ lógico ó un
‘1’ lógico
¾ Valores lógicos a las salidas: tensiones que se obtiene a la salida
según un valor lógico
Los niveles lógicos de entrada y salida caracterizan a una familia, y suelen
ser comunes para todas las subfamilias dentro de ella.
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Características reales de las familias lógicas


Corrientes de entrada y salida
 Corrientes de entrada (IIL, IIH): corriente que absorbe o cede la puerta
cuando la entrada está a un determinado valor lógico

Corrientes de salida (IOL, IOH) : corriente capaz de suministrar la puerta


garantizando unos ciertos límites en las tensiones de salida, manteniendo
unos valores lógicos.

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Características reales de las familias lógicas
Corrientes de entrada y salida
El dispositivo tiene una capacidad limitada de proporcionar corriente debido al
estado interno de sus transistores. Se definen IOHmax e IOLmax , por debajo de
las cuales los niveles lógicos están garantizados.
Los niveles lógicos de salida VOH y VOL dependen de la corriente que reciba o
entregue el dispositivo: Corriente alta (entrante o saliente) por el terminal de
salida rebaja la VOH y aumenta la VOL.
Las puertas deben consumir una cierta corriente de entrada para mantener el
estado ALTO o BAJO: IIH e IIL.
La puerta CMOS, por su arquitectura, necesita muy poca corriente (µA)
Las puertas TTL, ECL pueden consumir una cantidad significativa (mA).
Para trabajar fiablemente habrá que analizar la carga que es controlada por
una puerta:
Si es otra puerta (CMOS, TTL...) habrá que revisar sus IIH e IIL.
Si es una resistencia, LED, etc, habrá que estimar su consumo.
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Características reales de las familias lógicas


Fan-in: Máximo número de entradas con que se puede cargar una puerta.
Fan-out: Máximo número de puertas lógicas que puede excitar la puerta bajo
consideración
Respuesta temporal: tiempos de subida y bajada, y retardos de
propagación:
El paso de nivel bajo a alto (o viceversa) a la salida de una puerta nunca es
instantáneo.
La salida de una puerta no responde de forma instantánea a la entrada.
¾ Retardo de propagación: tiempo que tarda en cambiar la salida de
una puerta desde que cambian sus entradas (normalmente se mide
entre el 50% del valor de las señales de entrada y salida)
¾ Retardo de conmutación: tiempo que tarda una señal en pasar desde
el 10% al 90% de su valor final bajo unas ciertas condiciones de carga.
(tr, tf)

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Características reales de las familias lógicas
V in
tf tiempo de caída
tr tiempo de subida
tp tiempo de propagación
50%

t
t t
pHL pLH
V out
90%

50%

10% t
tf tr

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Características reales de las familias lógicas


Consumo: depende de dos aspectos:
¾ Consumo estático: Mide el consumo del circuito cuando no hay cambio en
sus señales
¾ Consumo dinámico: Debido fundamentalmente a la carga y descarga de
las capacidades del circuito y depende de la frecuencia

Efecto de la temperatura:
Los efectos de temperatura son importantes en semiconductores, en
particular, donde exista una unión pn.
A veces los fabricantes especifican tres rangos de calidad:
¾ Militar: -55ºC a 125ºC
¾ Industrial: -40ºC a 85ºC
¾ Comercial: 0ºC a 70ºC

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Entradas/Salidas especiales
a) Entradas con resistencias pull-up o pull-down
b) Entrada tipo Schimitt-Trigger
c) Salidas a drenador abierto (CMOS) o colector abierto (TTL)
d) Salidas triestado
¾ Una entrada adicional de habilitación (“enable”).
¾ Tres posibles valores de salida: H, L, y Z (alta impedancia)
¾ Objetivo: permitir múltiples conexiones a una misma línea (buses, etc)

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4. Familia CMOS
Un transistor del tipo que sea, puede adoptar DOS funciones generales:
Fuente de corriente controlada por corriente o tensión (amplificación,
Electrónica Analógica). El transistor trabaja en zona activa.
Interruptor controlado por tensión: idóneo para Electrónica Digital. El
transistor trabaja en zona de corte (circuito abierto), o zona óhmica (FETs) o
saturación (BJTs) (cortocicuito).

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Familia CMOS
Tipos de transistores MOS:

Transistor de canal p:

Transistor de canal n:

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Familia CMOS
Inversor en tecnología CMOS:

Respuesta excelente a ambos niveles, y buena


capacidad de entregar corriente (RON son bajas)

Siempre uno de los dos transistores está en


corte (no hay consumo de corriente, ni potencia
en continua)

I
Vin Q2 Q1 Vout Vin, Vin
L off on H Vout
H on off L
Vout

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Familia CMOS
NAND en tecnología CMOS

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Familia CMOS
NAND de 3 entradas en tecnología CMOS

VDD
(a) (b)

A B C Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Z

Q2 Q4 Q6 L L L off on off on off on H


L L H off on off on on off H
L H L off on on off off on H
L H H off on on off on off H
Z H L L on off off on off on H
H L H on off off on on off H
A H H L on off on off off on H
Q1
H H H on off on off on off L

B Q3
(c) A
B Z
C Q5 C

Copyright © 2000 by Prentice Hall, Inc.


Digital Design Principles and Practices, 3/e

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Familia CMOS
NOR en tecnología CMOS

VDD
(a)

A Q2 (b) A B Q1 Q2 Q3 Q4 Z

L L off on off on H
L H off on on off L
B Q4 H L on off off on L
H H on off on off L
Z

Q1 Q3 A
(c) Z
B

Copyright © 2000 by Prentice Hall, Inc.


Digital Design Principles and Practices, 3/e

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Familia CMOS
Parámetros característicos de las familias CMOS
a) Tensión de alimentación.
¾ Típicamente 3÷15V
¾ Serie 74HC: 2÷6V
b) Niveles lógicos
¾ VIL = 0 ÷1/3VDD
¾ VIH = 2/3VDD ÷ VDD
¾ VOL = 0 V
¾ VOH = VDD
¾ Inmunidad: 1/3 VDD

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Familia CMOS
Parámetros característicos de las familias CMOS
c) Corrientes de entrada y salida
¾ Corrientes de entrada: II= 10pA (serie 4000) hasta 100nA (74HC)
¾ Corrientes de salida: IO= 0,1mA (serie 4000) hasta 9mA (serie 74HC)
d) Fan-out: típicamente muy alto, pero limitado en la práctica por la
capacidad de la puerta. De 8 a 50.
e) Consumos
¾ Estático: debido a la corriente de fugas (IQ) y a las cargas (IL). BAJO
¾ Dinámico: debido a la carga y descarga de los condensadores
parásitos y a la corriente por los canales en las conmutaciones
¾ Consumo de corriente: se demandan grandes picos, lo que genera
caídas de tensión y ruidos, exigiendo la colocación de
condensadores de desacoplo.
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Tecnología CMOS
Manipulación de integrados CMOS:
Debido a que las entradas CMOS son de muy alta impedancia y presentan
efectos capacitivos grandes, pueden acumular carga estática que produzca
chispazos internos (perforación de las uniones). Antes de tocar los pines de
un CMOS, tocar un objeto metálico que se supoga a masa.
Los dispositivos CMOS actuales llevan circuitos protectores contra este
efecto, pero no los inmuniza por completo.

Terminales de entrada no usados en CMOS y TTL


La entradas CMOS que no se utilizan, NUNCA deben dejarse flotando o sin
conectarse a ningún punto. La razón es que al ser de muy alta impedancia,
cualquier corriente espuria ambiental puede llevarlas a un nivel de tensión
indeseable. Esta precaución es extensible, aunque con menos riesgo, a los
dispositivos TTL.

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5. Familia TTL
Basado en transistores BIPOLARES

Si A=B= 5V:
T1 : corte
T2 : saturación
T4 : saturación ⇒ S = 0V
T3 : corte
Si A=B= 0V:
T1 : saturación
T2 : corte
T4 : corte
T3 : saturación ⇒ S = 5V
Puerta NAND

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Familia TTL
Parámetros característicos de las familias TTL
a) Tensión de alimentación.
¾ Típicamente 5V ±5%
b) Niveles lógicos
¾ VIL = 0 ÷ 0,8 V
¾ VIH = 2V ÷ 5V
¾ VOL = 0 ÷ 0,4 V
¾ VOH = 2V ÷ 5V
¾ Inmunidad: 0,4V

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Familia TTL
Parámetros característicos de las familias TTL
c) Corrientes de entrada y salida
¾ Corrientes de entrada: IIL= 1,6 mA. IIH= 10 µA
¾ Corrientes de salida: IOL= 16 mA. IOH= 500 µA
d) Fan-out: 10
e) Consumos
¾ Estático: ALTO y dependiente del valor lógico de la salida
¾ Dinámico: Menor dependencia con la frecuencia que en el caso de
CMOS.
f) Retardos: menos dependientes de la carga que en al caso CMOS, pero en
general mayores.
tp,HL = 5ns tp, LH = 10 ns
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6. Compatibilidad TTL-CMOS
¾ Niveles de tensión E/S: VOHmin > VIHmin; VOLmax>VILmax TTL CMOS

¾ Corrientes limitadas (fan-out) 5V VDD


¾ Tensiones de alimentación 2V (2/3)VDD

CMOS a TTL (VDD= 5V) TTL a CMOS (VDD= 5V)


0,8 V (1/3)VDD
0V 0V

CMOS a TTL (Distinta VDD) TTL a CMOS (Distinta VDD)

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