UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE -

LATACUNGA

INFORME DE LABORATORIO
CURVA CARACTERISTICA DEL TRANSISTOR
Henrry Joel Cedeño Donoso, hjcedeodo@espe.edu.ec
Henry Gabriel Haro Díaz, hgharo1@espe.edu.ec

Electrónica Fundamental
NRC 2571 - 2572

1. INTRODUCCIÓN

Simbología del Transistor. Correspondencia con lo real.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de

los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación y
como interruptores.

2. OBJETIVOS
 Trazar las curvas características del BJT.
 Identificar las regiones de operación de los transistores de unión bipolar.
3. MATERIALES O EQUIPO
 Fuentes de alimentación DC de 5V a 20V / 1A., Multímetro.
 Transistores ECG123A o su equivalente
 Resistencias de 220Ω,22KΩ, de 1/4 W.
 Dos potenciómetros de 5 KΩ.
4. INSTRUCCIONES
 Utilice un mandil.
 Verifique la disponibilidad de los equipos a usar en la práctica.
 Identificar el tipo de transistor y los terminales de cada uno, verificar que esté
en buen funcionamiento.
  Preparatorio: Calcular los valores de P1 y P2 del circuito de la figura 1, para
obtener las corrientes de base mostrados en la tabla 2 y los valores de VCE de
la tabla 2.
5. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR
Transistor NPN.
1) Seleccione el transistor NPN y mida la tensión de las uniones E-B y C-B y
llene en la Tabla 1.
2) Repita las medidas para el transistor PNP
Curva de salida del transistor NPN.

En lugar de los medidores de corriente, colocar puentes de alambre. El P1 fijara

la corriente de base, y P2 Fijara

1) Retire el puente de la base e instale el multímetro configurado en µA, para

medir corriente de base, gire lentamente P1 hasta obtener 150µA en la base.
Retire el multímetro y reinstale el puente. Mida el voltaje entre base y
emisor y registre en la tabla 2.
2) Con el multímetro configurado en CC mida el voltaje entre colector y
emisor. Gire P2 para obtener los valores de VCE de la tabla 2 o un
aproximado.
3) Retire el puente de colector e instale el multímetro configurado en mA, para
medir la corriente de colector. Registre el valor en la tabla 2. Retire el
amperímetro y coloque el puente.
4) Repita los pasos, para IB desde 250µA a 0µA en pasos de 50 µA, en cada
caso para diferentes valores de VCE desde 10V a 0V en pasos de 2V.
 6. RESULTADOS OBTENIDOS

Tabla 1. Resistencia entre las Uniones.

Tensión (Directa) (Directa) (Inversa) (Inversa)

TRANSISTOR E-B C-B E-B C-B

NPN 0.781 0.775 Infinito Infinito

PNP --- --- --- ---

Tabla 2. Curva Característica de salida del BJT NPN

Vce = 0 V Vce = 2 V Vce = 4 V Vce = 6 V Vce = 8 V

Ib Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe
0 uA - 0.41 - 0.41 - 0.41 - 0.41 - 0.41
50 uA 2.09 0.64 11.4 0.7 12 0.69 12.7 0.68 13.45 0.66
100 uA 2.09 0.65 22.72 0.71 24.63 0.69 26.8 0.67 - -
150 uA 2.09 0.681 10.03 0.727 37.4 0.69 - - - -
200 uA 2.09 0.65 42.27 0.73 - - - - - -

Ib = 50 uA

Ib = 100 uA
 Ib = 150 uA

Ib = 200 uA

7. CONCLUSIONES
 El transistor BJT presenta tres regiones de trabajo: La región de corte, la
región de saturación, la región activa.
 En la región de corte la corriente en el colector es aproximadamente cero,
si la corriente en la base es cero.
 En la región de saturación la corriente en el colector es la máxima, si la
para cualquier variación de la corriente de base.
 En la región Activa la corriente de colector está en función de la ganancia
y la corriente en la base.
8. RECOMENDACIONES
 Revisar la polarización de cada uno de los componentes antes de energizar
el circuito.
 Revisar las conexiones del multímetro:
 En serie al circuito para medir corriente, con la escala mayor en la
selección de amperios y el conector rojo lo más cercano a la polarización
positiva.
 En paralelo al circuito para medir voltaje, con la escala mayor en la
selección de voltios y el conector rojo lo más cercano a la polarización
positiva.
9. ANEXOS