Sei sulla pagina 1di 8

APLICACIÓN BJT Y JFET

ALCACIEGA DARWIN; ALVAREZ HECTOR;


BALAREZO CRISTIAN; CHICAIZA VALMIR

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

12/12/19

ABSTRACT

Purpose of this paper is give you a


Fig. 1
knowledge about applications with
transistors BJT and FET. Transistor BJT el transistor bipolar es el más
común de los transistores, y como los
INTRODUCCION
diodos, puede ser de germanio o silicio. En
El transistor es un dispositivo que ha ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y
originado una evolución en el campo son: el emisor, la base y el colector.
electrónico. En este trabajo se introducen (Antonio H. , Principios de electricidad y
las principales características básicas del electronica, 2009)
transistor bipolar y FET y se estudian los
Existen dos tipos transistores: el NPN y el
modelos básicos de estos dispositivos y su
PNP, y la dirección del flujo de la corriente
utilización en el análisis de las aplicaciones
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en
circuitos de polarización. (Bardia, 1999)
el gráfico de cada tipo de transistor.
Polarizar un transistor es una condición (Boylestad, 2009)
previa a muchas aplicaciones lineales y no-
El transistor es un dispositivo de 3 patillas
lineales ya que establece las corrientes y
con los siguientes nombres: base (B),
tensiones en continua que van a circular por
colector (C) y emisor (E), coincidiendo
el dispositivo. (Antonio R. J., 2003)
siempre, el emisor, con la patilla que tiene
TRANSISTOR JFET es un dispositivo la flecha en el gráfico de transistor. Véase en
mediante el cual se puede controlar el paso la figura 2. (Guerra, 2009)
de una cierta cantidad de corriente
haciendo variar una tensión. (Zetina)

Esa es la idea principal; existen 2 tipos de


JFET los de canal n y los de canal p, se
comentará para el caso de JFET de canal n,
lo que se comente para el de canal n, es
similar para el de canal p, la diferencia será Fig. 2. transistor npn y pnp
el sentido de las corrientes y las tensiones
sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales Corrientes de un transistor BJT
reciben los nombres de drenaje (D), Un transistor bipolar de unión está formado
compuerta (G) y fuente(S). (Cirovic, 1979) por dos uniones pn en contraposición.
Lo que hace el JFET es controlar la cantidad Físicamente, el transistor está constituido
de corriente que circula entre el drenaje y la por tres regiones semiconductoras -emisor,
fuente, esa corriente se controla mediante base y colector- siendo la región de base
la tensión que exista entre la compuerta y la muy delgada (< 1µm). (Antonio R. J., 2003)
fuente. (Charles, 1989) El modo normal de hacer operar a un
transistor es en la zona directa. En esta
zona, los sentidos de las corrientes y La polarización de un JFET exige que las
tensiones en los terminales del transistor se uniones p-n estén inversamente
muestran en la figura 2 para un transistor polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET,
NPN y en la figura 2 a un PNP. En ambos la tensión de drenado debe ser mayor que
casos se verifica que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a través de canal. Además, la
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
puerta debe tener una tensión más negativa
𝑉 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 𝑒𝑛 𝑡𝑟𝑛𝑎𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑁𝑃𝑁 que la fuente para que la unión p-n se
{ 𝐶𝐸
𝑉𝐸𝐶 = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝐵𝐶 𝑒𝑛 𝑡𝑟𝑛𝑎𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑃𝑁𝑃 encuentre polarizado inversamente. Ambas
Circuitos de polarización de transistores polarizaciones se indican en la figura 4.
bipolares (Cirovic, 1979).

La selección del punto de trabajo Q de un


transistor se realiza a través de diferentes
circuitos de polarización que fijen sus
tensiones y corrientes. A continuación la
figura 3 incluye con los circuitos de
polarización más típicos basados en
resistencias y fuentes de alimentación; Fig. 4 Características de un NJFET.
además, se indican las ecuaciones que
Según (Garcia, 2018).Los circuitos básicos
permiten obtener el punto de trabajo de los
que se utilizan para polarizar los BJT se
transistores. Estos circuitos presentan
pueden emplear para los MOSFET. EL JFET
diferencias en algunos casos importantes.
tiene el inconveniente de que la tensión
La polarización de corriente de base de la
VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva
figura 3 es mucho más estable aunque el
en un PJFET) que exige unos circuitos de
que más se utiliza con componentes
polarización característicos para este tipo
discretos es el circuito de autopolarización.
de dispositivos. En este apartado
La polarización de colector-base asegura
únicamente se presentan dos de los
que el transistor nunca entra en saturación
circuitos más utilizados: polarización simple
al mantener su tensión colector-base
(figura 5), se utiliza una fuente de tensión
positiva. (Bardia, 1999)
externa para generar una VGS<0

Fig. 3 Algunos circuitos de polarización típicos Fig. 5. Circuito de polarización simple de un


con transistores bipolares NJFET. a) Diagrama circuital. b) Ecuaciones
analíticas. c) Representación gráfica del punto
Polarización de un JFET de trabajo.
Simulación BJT Simulación FET

Circuito Diente de Sierra Circuito Corriente Constante


Para proceder al diseño de este circuito
Las fuentes de corriente son aquellas que
debemos tener en cuenta que debemos proveen una corriente constante al circuito
enviar una alimentación continua y a la base o resistencia que se les conecta. Por lo tanto
del transistor enviamos una señal si cambia el valor la resistencia de carga, la
cuadrática con una amplitud a una fuente aumenta o disminuye la diferencia
determinada frecuencia, la cual no enviara de potencial entre sus bornes, de tal forma
la señal la cual será analizada en un de mantener constante la corriente por esa
capacitor conectado entre el colector y resistencia. El valor de corriente
emisor. (2, 2017) proporcionado por la fuente es constante
independientemente del valor de la carga
conectada. (2, 2017) (Eugenia, 2005)

Fig 6. Esquema diente de sierra

Fig 8 Esquema Corriente constante con FET

Fig 7. Simulación Diente de Sierra


Fig 9. Simulación circuito corriente constate

Aplicaciones BJT
Interruptor de transistor energizado (normalmente abierto NA). Sin
embargo, cuando se aplica un pulso positivo
En la Figura 6 mostrado a continuación se
en la base, el transistor se encenderá,
utiliza un transistor como interruptor para
estableciendo suficiente corriente a través
controlar los estados de encendido y
de la bobina del electroimán para cerrar al
apagado de un foco situado en una
relevador. (Bardia, 1999)
extensión del colector de la red. (Boylestad,
2009) Por lo general Pueden surgir problemas
cuando la señal de la base se desconecta
Cuando el interruptor está en la posición de
para apagar el transistor y desactivar el
encendido, tenemos una situación de
relevador. Idealmente, la corriente a través
polarización fija en la que el voltaje de la
de la bobina y del transistor caerá
base al emisor está a su nivel de 0.7v y el
rápidamente a cero, el brazo del relevador
resistor R1 controla la corriente de la base y
se libera y el relevador simplemente
la impedancia de entrada del transistor. La
permanecerá inactivo hasta la siguiente
corriente a través del foco será entonces
señal. Sin embargo, sabemos por nuestros
beta veces la corriente de base y el foco se
cursos básicos de circuitos, que la corriente
encenderá .Sin embargo pude surgir un
a través de la bobina no puede cambiar
problema si el foco no ha estado encendido
instantáneamente, y que de hecho,
durante un tiempo .Cuando un foco se
mientras más rápido cambie, mayor será el
enciende por primera vez, su resistencia es
voltaje inducido a través de la bobina como
bastante baja, aun cuando esta se
lo define:
incrementara con rapidez cuando más dure
encendido el foco. Esto pude ocasionar un 𝑑𝑖𝐿
𝑉𝐿 = 𝐿( ).
alto nivel momentáneo de corriente del 𝑑𝑡
colector, la cual, con el tiempo podría dañar
el foco y el transistor

Fig. 11. Transistor relevador

Compuertas Lógicas

Las compuertas son dispositivos que operan


con estados lógicos (alto) “1” y (bajo) “0”,
Los circuitos lógicos digitales son redes
Fig. 10 Funcionamiento de un transistor en complejas de interruptores hechos con
interruptor. transistores. Estos circuitos lógicos simples
se llaman compuertas. El sistema numérico
Manejo de relevador
binario utiliza solo dos dígitos: 1 y 0, por lo
Se emplea un transistor para establecer la que es perfecto para representar relaciones
corriente necesaria para activar el relevador lógicas en las entradas colocamos los
en el circuito del colector. Sin entrada en la niveles mencionados, de esta forma la
base del transistor, tanto la corriente de compuerta realiza la operación lógica y
colector y la corriente de la bobina son finalmente a la salida obtendremos un nivel
esencialmente 0A, y el relevador lógico correspondiente a la operación. Los
permanecerá en estado inactivo, no circuitos lógicos digitales utilizan intervalos
de voltaje predefinidos para representar Una fuente de corriente Widlar es una
estos estados binarios. modificación de lados de base del transistor
espejo de corriente que incorpora una
degeneración de emisor resistencia sólo
para el transistor de salida, permitiendo que
la fuente de corriente para generar
corrientes de baja, utilizando los valores de
resistencia sólo moderadas. (Cirovic, 1979)

El circuito Widlar puede ser utilizado con


transistores bipolares, transistores MOS, e
incluso los tubos de vacío. Un ejemplo de
aplicación es el amplificador operacional
741, y Widlar utiliza el circuito como una
Fig. 12. Compuerta Lógica
parte en muchos diseños. Este circuito es el
Espejo Corriente nombre de su inventor, Bob Widlar, y fue
patentado en 1967.
En electrónica, un espejo de corriente es
una configuración con la que se pretende
obtener una corriente constante, esto es,
una fuente de corriente. Esta configuración
consta de dos transistores, idealmente
idénticos, y una resistencia o
potenciómetro, si se quisiera regular el
circuito en el caso que los transistores no
fueran idénticos. En la siguiente figura se
muestra el esquema básico de un espejo de
corriente.
Fig.14 Esquema de circuito Widiar

INDICADOR DE VOLTAJE

Incorpora tres elementos: el transistor, el


diodo Zener y el LED. El indicador de nivel
de voltaje es una red relativamente simple
que emplea un LED verde para indicar el
voltaje de la fuente se encuentra cercano a
su nivel de monitoreo de 9V. En la figura 15
el potenciómetro se regula para establecer
5.4V en el punto indicado. El resultado es un
Fig. 13 Esquema de un espejo corriente voltaje suficiente para encender tanto al
Zener de 4.7V como al transistor y para
establecer una corriente en el colector a
través del LED de magnitud suficiente como
para encender al LED verde. (Boylestad,
2009)

FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR


Aplicaciones FET

Interruptores analógicos

Las aplicaciones con Fet, como los


interruptores en circuitos analógicos es una
consecuencia directa de su modo de
trabajo. Esto se debe a que cuando la
tensión de la fuente de la puerta, VGS es
cero, el FET de canal n operará en
saturación Región y actuará como (casi) un
Fig. 15. Indicador de voltaje cortocircuito. Por lo tanto, la tensión de
salida será cero (Figura 17). (Alcalde, 2009)
Un aplicativo es un circuito indicador de
voltaje de automóvil, que permite conocer
en todo momento el estado de carga de la
batería. Con este dato podemos saber si el
sistema alternador, regulador y batería de
nuestro auto, está bien o si alguno de los
componentes del sistema está fallando.

Fig. 17 Interruptores analógicos

Amplificadores

Los FET de cruce (JFET) se utilizan en la


etapa de Amplificación que aísla la etapa
anterior de la siguiente etapa y por lo tanto
actúa como amplificadores de búfer (Figura
18). Esto se debe a que los JFET tienen una
impedancia de entrada muy alta debido a
que la etapa anterior se cargará
Fig. 16 circuito indicador de voltaje de ligeramente, lo que hará que toda la salida
automóvil de la Etapa 1 aparezca en la entrada del
búfer. (Alcalde, 2009)
El automóvil debe estar en funcionamiento
para que los LEDs den una lectura
adecuada. Mientras el voltaje de la batería
esté por debajo de los 12 voltios, el LED rojo
estará iluminado, indicando que podríamos Fig. 18 FET como amplificador BUFFER
tener un problema.
Los JFET son dispositivos controlados por
Esta situación podría darse con el auto voltaje, lo que los hace ideales para ser
apagado (batería descargada), pero no sería utilizados como amplificadores de
aceptable cuando un auto haya estado en radiofrecuencia (RF). La razón detrás de
funcionamiento por un periodo de tiempo esto es que uno espera que el amplificador
(suficiente para que el alternador haya de RF responda adecuadamente incluso
cargado la batería). cuando las antenas en el extremo receptor
reciben las señales débiles (señales con una
cantidad muy baja de corriente).
Oscilador de cambio de fase Limitador de corriente

Los JFET ofrecen alta impedancia en su Un JFET de canal n cuyo terminal de puerta
entrada Terminales que reducen el efecto está en cortocircuito con el terminal Fuente
de carga. Además, pueden usarse actúa como un limitador de corriente. Esto
adecuadamente para lograr tanto la significa que en esta disposición, los FET
amplificación como las funciones de permiten que la corriente a través de ellos
retroalimentación. Esta naturaleza de los aumente solo a un nivel particular, después
FET los hace adecuados para ser utilizados de lo cual se mantiene constante,
en circuitos osciladores de cambio de fase, independientemente de las fluctuaciones
como se muestra en la Figura 19. en el nivel de voltaje. Estos limitadores de
corriente forman parte integral de los
diodos de corriente constante o regulador
de corriente.

Fig. 19. Oscilador de cambio de fase.

Helicóptero
Fig 21. FET como Limitador de corriente.
JFET actuando como un interruptor puede
ser utilizado como un helicóptero (Figura Conclusiones
20) donde el voltaje de CC que se le aplica,
Como ya hemos podido apreciar en el
VDC se convierte en voltaje de CA con el
paper, hemos conocido la variedad de
mismo nivel de amplitud, VAC. Esto se debe
aplicaciones de los transistores y su
al hecho de que la forma de onda de voltaje
utilización en la composición de sistemas
cuadrado aplicada como VGS hace que el
electrónicos.
JFET funcione en las regiones de corte y
saturación, alternativamente. Tales El comportamiento de los transistores FET
circuitos chopper ayudan a superar el se caracteriza por sus curvas características
problema de la deriva que existe en el caso en las que se representa la corriente que
de los amplificadores de acoplamiento entra o sale por el drenador en función de
directo. la tensión aplicada entre este y la Fuente.

Transistores FET pueden ser empleados en


los circuitos en una disposición similar a la
de los bipolares, es decir, en fuente común.

Los transistores Fet se emplean en


amplificadores de potencia así como en
conmutación, haciendo la función de
interruptor, gracias a la baja resistencia
interna que poseen.

Fig 20. Esquema FET Helicóptero.


Bibliografía Universidad Miguel Hernadez de
Elche.
(s.f.).
Guerra, J. (2009). Electronica analogica
2, G. (2017). Aplicaciones con los
para ingenieros. España:
transistores BJT y FET. Cuenca:
McGraww-Hill.
Universidad Politecnica Salesiana -
Sede Cuenca. Hector, A. (2006). Manual de Transistores y
Mos-fet 2 Caracteristicas y
Alcalde, P. (2009). Electronica. Madrid:
Reemplazos. Hasa.
Paraninfo.
Hermosa, A. (2012). Electronica Aplicada.
Antonio, H. (2009). Principios de
Barcelona: Ediciones Marcombo.
electricidad y electronica.
Barcelona: Marcombo Ediciones. Sergio, G. (1983). Magnetismo y
Espectrocopia MOSSBAUER. La
Antonio, H. (2009). Principios de
Habana: Departamenfo de Fisica
Electricidad y Electronica Tomo V.
Aplicada.
España: Ediciones Marcombo.
Villalba German, Izquierdo Miguel. (s.f.).
Antonio, R. J. (2003). Diseño de circuitos y
Transistores de union bipolar(BJT).
sistemas integrados. Barcelona:
MURCIA: Departamento de
Ediciones UPC.
Ingenieria de la informacion
Bardia, R. (1999). Circuitos y Dispositivos comunicaciones(UNIVERSIDAD DE
Electronicos. Fundamentos de MURSIA).
Electronica (PT). Cataluña:
Zetina, A. (s.f.). Eletronica Basica.
Ediciones UPC.

Boylestad, R. (2009). Electronica: Teoria de


circuitos y dispositivos electronicos.
Mexico: Pearson Educacion.

Charles, A. H. (1989). Circuitos electronicos.


Barcelona: Editorial Reverte.

CHEN. et, a. (2007). HIGH-GAIN VERTEX


LATERAL BIPOLAR JUNCTION
TRANSSISTOR. TAIWAN: Taiwan
Semiconductor Manufacturing.

Cirovic, M. (1979). Electronica


Fundamental: Dispositivos,
circuitos y sistemas. California:
Editorias Reverte.

Eugenia, P. (2005). Lineamientoss


generales para escribir un paper o
trabajo de investigacion.
Departamento de Economia.

Garcia, D. F. (2018). Eleectronica General:


Polarizacion de transistores.

Potrebbero piacerti anche